CN110061712A - 包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器、滤波器和电子设备 - Google Patents
包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器、滤波器和电子设备 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及通信领域，提供一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器、滤波器和电子设备，该谐振器包括位置关系依次相连的顶电极、压电层、底电极、声反射结构以及基底；顶电极的边缘具有檐部结构且檐部结构位于声学谐振器的有效区域内，檐部结构与压电层之间具有空气隙；顶电极的边缘还具有梁部结构且梁部结构的其中一部分位于声学谐振器的有效区域内，梁部结构与压电层之间具有空气隙；檐部结构对应的位置具有第一凸起结构，梁部结构对应的位置具有第二凸起结构。本发明与现有技术相比，能够有效的提高声学谐振器的品质因数或并联阻抗。
Description
技术领域
本发明涉及通信领域，特别地涉及一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器。
背景技术
由于体声波滤波器具有低插入损耗、高矩形系数、高功率容量等优点，因此，体声波滤波器被广泛应用在当代无线通讯系统中，并且体声波滤波器是决定射频信号进出通讯系统质量的重要元器件。体声波谐振器级联形成体声波滤波器，每一级体声波滤波器均包含串联谐振器和并联谐振器。体声波滤波器的性能由构成它的体声波谐振器决定。如：体声波谐振器的谐振频率决定了滤波器的工作频率，体声波谐振器的有效机电耦合系数决定了滤波器的带宽，体声波谐振器的品质因数决定滤波器的插入损耗等。当滤波器结构一定时，其品质因数，特别是在串联谐振频率和并联谐振频率处的品质因数(或串并联阻抗)，会显著影响通带插入损耗。体声波谐振器串联谐振频率处的品质因数(Qs)或并联阻抗(Rs)通常由电极损耗及材料损耗决定，而体声波谐振器并联谐振频率处的品质因数(Qp)或并联阻抗(Rp)通常受边界声波泄露影响。因此，当谐振器材料、及层叠结构确定时，Qs(或Rs)的提升空间有限，谐振器的品质因数难以提高。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，能够有效的提高声学谐振器的品质因数或并联阻抗。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，该声学谐振器包括位置关系依次相连的顶电极、压电层、底电极、声反射结构以及基底。所述顶电极的边缘具有檐部结构且所述檐部结构位于所述声学谐振器的有效区域内，所述檐部结构与所述压电层之间具有空气隙。所述顶电极的边缘还具有梁部结构且所述梁部结构的其中一部分位于所述声学谐振器的有效区域内，所述梁部结构与所述压电层之间具有空气隙。所述檐部结构对应的位置具有第一凸起结构，所述梁部结构对应的位置具有第二凸起结构。
本发明的实施例还提供了一种滤波器，包括上述包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器。
本发明的实施例还提供了一种电子设备，包括上述滤波器或上述包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器。
本发明通过在所述顶电极的边缘具有檐部结构，且所述檐部结构位于所述声学谐振器的有效区域内，所述檐部结构与所述压电层之间具有空气隙，而空气隙中的声阻抗与声学谐振器有效区域中的声阻抗不匹配，能够进一步将声学谐振器中横向模式的声反射回该声学谐振器内，并有一部分声波能量转成与声学谐振器垂直模式的波，从而使得声学谐振器的品质因数值或并联阻抗提高。另外，所述顶电极的边缘还具有梁部结构且所述梁部结构位于所述声学谐振器的有效区域内，所述梁部结构与所述压电层之间具有空气隙。由于梁部结构下空气隙中的声阻抗与声学谐振器有效区域中的声阻抗不匹配，能够进一步将声学谐振器中横向模式的声反射回谐振器内，并有一部分声波能量转成与声学谐振器垂直模式的波，从而使得声学谐振器的品质因数值或并联阻抗进一步提高。再者，由于所述檐部结构对应的位置具有第一凸起结构，所述梁部结构对应的位置具有第二凸起结构，而第一凸起结构和第二凸起结构进一步增强了悬空结构对声波的限制能力，所以能够使与压电层表面垂直的活塞声波模式得到进一步提高，从而能够进一步有效地提高品质因数值。
可选的，所述声学谐振器还包括位于所述顶电极之上的钝化层；所述第一凸起结构夹持在所述钝化层和所述檐部结构之间，所述第二凸起结构夹持在所述钝化层和所述梁部结构之间。
可选的，所述檐部结构突出于所述顶电极的长度为第一预设值，所述梁部结构对应于所述声学谐振器的有效区域内的长度为第二预设值。
可选的，所述第一预设值和所述第二预设值的范围在0.5um至7um。
可选的，所述第一凸起结构至少为两个，所述第二凸起结构至少为两个；所述第一预设值为两个所述第一凸起结构中心距的整数倍，且所述第一凸起结构的长度大于相邻两个所述第一凸起结构之间的距离；所述第二预设值为两个所述第二凸起结构中心距的整数倍，且所述第二凸起结构的长度大于相邻两个所述第二凸起结构之间的距离。
可选的，所述声学谐振器还包括覆盖于所述顶电极表面的钝化层；所述第一凸起结构位于所述钝化层之上且对应于所述檐部结构，所述第二凸起结构位于所述钝化层之上且对应于所述梁部结构。
可选的，所述第一凸起结构的长度小于或等于所述檐部结构突出于所述顶电极的长度，所述第二凸起结构的长度小于或等于所述梁部结构对应于所述声学谐振器的有效区域内的长度。
可选的，所述第一凸起结构的长度小于或等于所述檐部结构突出于所述顶电极长度的三分之一，且所述第一凸结构起位于所述檐部结构的边缘。
可选的，所述第二凸起结构的长度小于或等于所述梁部结构在所述声学谐振器的有效区域内的长度的三分之一，且所述第二凸起结构位于所述有效区域内的所述梁部结构边缘。
可选的，所述声学谐振器还包括覆盖于所述顶电极表面的钝化层；所述第一凸起结构位于所述檐部结构，且所述顶电极夹持在所述钝化层和所述第一凸起结构之间；所述第二凸起结构位于所述梁部结构，且所述顶电极夹持在所述钝化层和所述第二凸起结构之间。
可选的，所述声反射结构位于所述基底的上表面或嵌于所述基底的内部。
可选的，所述声反射结构嵌于所述基底的内部，且所述底电极沉积在所述声反射结构的上表面并覆盖所述声反射结构。
可选的，所述底电极的边缘刻蚀成斜面，且所述斜面位于所述声反射结构的外边；其中，所述斜面的横切面为阶梯状或垂直状。
可选的，所述顶电极和所述底电极的材料均为以下任意一种：锇、镁、金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金。可选的，所述第一凸起结构和所述第二凸起结构的材料为介质或金属。
可选的，所述压电层的材料为以下任意一种：氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾、钽酸锂。可选的，所述压电层的材料为掺杂稀土元素的氮化铝。
可选的，所述稀土元素为以下任意一种或其任意组合：钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥可选的，所述第一凸起结构和所述第二凸起结构的材料为介质或金属。
可选的，所述第二凸起结构的投影位于所述声学谐振器的有效区域的边缘。
附图说明
附图用于更好地理解本发明，不构成对本发明的不当限定。其中：
图1是第一实施方式中一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器的结构示意图；
图2是第一实施方式中一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器的剖视图；
图3是第二实施方式中一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器的剖视图；
图4是第二实施方式中一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器的另一剖视图；
图5是第一凸起结构的长度与声学谐振器有效机电耦合系数的大小关系坐标图；
图6是第一凸起结构的长度与声学谐振器串联电阻的大小关系坐标图；
图7是第一凸起结构的长度与声学谐振器并联电阻的大小关系坐标图；
图8是第二实施方式中一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器的另一剖视图；
图9是第三实施方式中一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器的剖视图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施例涉及一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器。如图1和图2所示，该声学谐振器包括位置关系依次相连的顶电极101、压电层102、底电极103、声反射结构104以及基底105。其中，所述声反射结构104可以但不限于为声学镜。所述声反射结构104位于所述基底105的上表面或嵌于所述基底105的内部。优选的，本实施例中所述声反射结构104为嵌入基底105中的空腔所构成，但是任何其它的声学镜结构如布拉格反射器也同样适用。具体的，所述声反射结构104嵌于所述基底105的内部，且所述底电极103沉积在所述声反射结构104的上表面并覆盖所述声反射结构104。另外，可以将所述底电极103的边缘刻蚀成斜面，且所述斜面位于所述声反射结构104的外边。其中，所述斜面的横切面可以但不限于为阶梯状或垂直状等，斜面的横切面也可以为其它相似的结构。
值得一提的是，所述顶电极101和所述底电极103的材料均为以下任意一种：金(Au)、钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)，钌(Ru)、铱(Ir)、钛钨(TiW)、铝(Al)、钛(Ti)、锇(Os)、镁(Mg)、金(Au)、钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)、钌(Ru)、铱(Ir)、锗(Ge)、铜(Cu)、铝(Al)、铬(Cr)、砷掺杂金等类似金属形成。所述压电层102的材料为以下任意一种：氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸钾(KNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等材料。且所述材料为压电薄膜，厚度小于10微米。氮化铝薄膜为多晶形态或者单晶形态，生长方式为薄膜溅射(sputtering)或者有机金属化学气相沉积法(MOCVD)。可选的，所述压电层102的材料为掺杂稀土元素的氮化铝。其中，所述稀土元素为以下任意一种或其任意组合：钪(Sc)、钇(Y)、镁(Mg)、钛(Ti)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等。
所述顶电极101的边缘具有檐部结构106，且所述檐部结构106位于所述声学谐振器的有效区域内，所述檐部结构106与所述压电层102之间具有空气隙111，而空气隙111中的声阻抗与声学谐振器有效区域中的声阻抗不匹配，能够进一步将声学谐振器中横向模式的声反射回该声学谐振器内，并有一部分声波能量转成与声学谐振器垂直模式的波，从而使得声学谐振器的品质因数值或并联阻抗提高。
另外，所述顶电极101的边缘还具有梁部结构107且所述梁部结构107的其中一部分位于所述声学谐振器的有效区域内，所述梁部结构107与所述压电层102之间具有空气隙111。由于梁部结构107下空气隙111中的声阻抗与声学谐振器有效区域中的声阻抗不匹配，能够进一步将声学谐振器中横向模式的声反射回谐振器内，并有一部分声波能量转成与声学谐振器垂直模式的波，从而使得声学谐振器的品质因数值或并联阻抗进一步提高。值得一提的是，檐部结构和梁部结构统称为梁檐结构。
再者，由于所述檐部结构106对应的位置具有第一凸起结构108，所述梁部结构107对应的位置具有第二凸起结构109，而第一凸起结构108和第二凸起结构109进一步增强了悬空结构对声波的限制能力，所以能够使与压电层102表面垂直的活塞声波模式得到进一步提高，从而能够进一步有效地提高品质因数值。优选的，所述第一凸起结构108和所述第二凸起结构109的材料为介质或金属。具体的，所述声学谐振器还包括位于所述顶电极101之上的钝化层110。所述第一凸起结构108夹持在所述钝化层110和所述檐部结构106之间，所述第二凸起结构109夹持在所述钝化层110和所述梁部结构107之间。常用的顶电极101是钼，这个材料非常容易氧化，会影响声学谐振器的性能，所以在顶电极101上面在沉积一层钝化层110，能够用于保护顶电极101，常用的钝化层110是氮化铝。
值得一提的是，所述檐部结构106突出于所述顶电极101的长度为第一预设值d1，所述梁部结构107对应于所述声学谐振器的有效区域内的长度为第二预设值d2。多个所述声学谐振器级联形成滤波器，所述滤波器的每一级均包括一个串联谐振器和一个并联谐振器。优选的，所述第一预设值d1和所述第二预设值d2的范围为0.5um(微米)到7um。
本发明的第二实施例涉及一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，在第一实施例中，第一凸起结构夹持在钝化层和檐部结构之间，第二凸起结构夹持在钝化层和梁部结构之间。而在本实施例中，第一凸起结构和第二凸起结构均位于钝化层之上。
如图3所示，所述声学谐振器还包括覆盖于所述顶电极101表面的钝化层110。常用的顶电极101是钼，这个材料非常容易氧化，会影响声学谐振器的性能，所以在顶电极101上面在沉积一层钝化层110，能够用于保护顶电极101，常用的钝化层110是氮化铝。所述第一凸起结构108位于所述钝化层110之上且对应于所述檐部结构106。所述第二凸起结构109位于所述钝化层110之上且对应于所述梁部结构107。
值得一提的是，所述檐部结构106突出于所述顶电极101的长度为第一预设值d1，所述梁部结构107对应于所述声学谐振器的有效区域内的长度为第二预设值d2。优选的，如图4所示，所述第一凸起结构108的长度d3小于或等于d1。所述第二凸起结构109的长度d4小于或等于d2。在实际的设计过程中，为了使声学谐振器具有更好的效果，可以将所述第一凸起结构108的长度设计成小于或等于所述檐部结构106突出于所述顶电极101长度的三分之一。以图示方向为例，第一凸起结构108在垂直于底电极103的投射位置位于檐部结构106在垂直于底电极103的投射位置以内。优选的，所述第二凸起结构的投影位于所述声学谐振器的有效区域内，还能够节省第二凸起结构空间，节约成本。并且所述第一凸起结构108位于所述檐部结构106的边缘。
第二凸起结构109在垂直于底电极103的投射位置位于所述声学谐振器的有效区域的边缘。对于面积为15k(这里的k表示1000平方微米，下同)的声学谐振器来说，当d1为3um时，控制d3的长度分别为1um、2um、3um。实验结果显示：当d3为1um时，声学谐振器的有效机电耦合系数最大，为8.35％，如图5所示。此时串联电阻Rs最小，为0.456Ω，如图6所示。并且此时并联电阻Rp最大，为3400Ω，如图7所示。
另外，本实施例可以根据实际设计的需求将第一凸起结构108和第二凸起结构109的个数设计为多个。具体的，所述第一凸起结构108至少为两个，所述第二凸起结构109至少为两个。
图8以第一凸起结构108为两个，第二凸起结构109为两个为例进行说明，并非将第一凸起结构108和第二凸起结构109的个数限制为两个。
所述第一预设值为两个所述第一凸起结构108中心距的整数倍，且所述第一凸起结构108的长度大于相邻两个所述第一凸起结构108之间的距离。具体地说，假如两个相邻的第一凸起结构108的距离为d5，那么d1＝n1*(d3+d5)。其中n1为正整数，d3>＝d5。所述第二预设值为两个所述第二凸起结构109中心距的整数倍，且所述第二凸起结构109的长度大于相邻两个所述第二凸起结构109之间的距离。具体地说，假如两个相邻的第二凸起结构109的距离为d6，那么d2＝n2*(d4+d6)，其中n2为正整数，d4>＝d6。
第一凸起结构108和第二凸起结构109进一步增强了悬空结构对声波的限制能力，所以能够使与压电层102表面垂直的活塞声波模式得到进一步提高，从而能够进一步有效地提高品质因数值。
本发明的第三实施例涉及一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，在第一实施例中，第一凸起结构夹持在钝化层和檐部结构之间，第二凸起结构夹持在钝化层和梁部结构之间。而在本实施例中，第一凸起结构位于檐部结构的下方，第二凸起结构位于梁部结构的下方。
具体的，如图9所示，所述声学谐振器还包括覆盖于所述顶电极101表面的钝化层110。所述第一凸起结构108位于所述檐部结构106，且所述顶电极101夹持在所述钝化层110和所述第一凸起结构108之间。所述第二凸起结构109位于所述梁部结构107，且所述顶电极101夹持在所述钝化层110和所述第二凸起结构109之间。第一凸起结构108和第二凸起结构109进一步增强了悬空结构对声波的限制能力，所以能够使与压电层102表面垂直的活塞声波模式得到进一步提高，从而能够进一步有效地提高品质因数值。
本发明的第四实施例涉及一种滤波器，所述滤波器包括多个第一、第二或第三实施方式中包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器。多个所述声学谐振器级联形成所述滤波器。
本发明的第五实施例涉及一种电子设备，所述电子设备包括多个第一、第二或第三实施方式中包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器。多个所述声学谐振器级联形成滤波器。或者，所述电子设备包括至少一个第四实施例中的滤波器。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，取决于设计要求和其他因素，可以发生各种各样的修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (20)
1.一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，包括位置关系依次相连的顶电极、压电层、底电极、声反射结构以及基底；
所述顶电极的边缘具有檐部结构且所述檐部结构位于所述声学谐振器的有效区域内，所述檐部结构与所述压电层之间具有空气隙；
所述顶电极的边缘还具有梁部结构且所述梁部结构的其中一部分位于所述声学谐振器的有效区域内，所述梁部结构与所述压电层之间具有空气隙；
所述檐部结构对应的位置具有第一凸起结构，所述梁部结构对应的位置具有第二凸起结构。
2.根据权利要求1所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述声学谐振器还包括位于所述顶电极之上的钝化层；
所述第一凸起结构夹持在所述钝化层和所述檐部结构之间，所述第二凸起结构夹持在所述钝化层和所述梁部结构之间。
3.根据权利要求1所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述檐部结构突出于所述顶电极的长度为第一预设值，所述梁部结构对应于所述声学谐振器的有效区域内的长度为第二预设值。
4.根据权利要求3所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述第一预设值和所述第二预设值的范围在0.5um至7um。
5.根据权利要求3所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述第一凸起结构至少为两个，所述第二凸起结构至少为两个；
所述第一预设值为两个所述第一凸起结构中心距的整数倍，且所述第一凸起结构的长度不小于相邻两个所述第一凸起结构之间的距离；
所述第二预设值为两个所述第二凸起结构中心距的整数倍，且所述第二凸起结构的长度不小于相邻两个所述第二凸起结构之间的距离。
6.根据权利要求1所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述声学谐振器还包括覆盖于所述顶电极表面的钝化层；
所述第一凸起结构位于所述钝化层之上且对应于所述檐部结构，所述第二凸起结构位于所述钝化层之上且对应于所述梁部结构。
7.根据权利要求6所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述第一凸起结构的长度小于或等于所述檐部结构突出于所述顶电极的长度，所述第二凸起结构的长度小于或等于所述梁部结构对应于所述声学谐振器的有效区域内的长度。
8.根据权利要求7所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述第一凸起结构的长度小于或等于所述檐部结构突出于所述顶电极长度的三分之一，且所述第一凸起结构位于所述檐部结构的边缘。
9.根据权利要求7所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述第二凸起结构的长度小于或等于所述梁部结构在所述声学谐振器的有效区域内的长度的三分之一，且所述第二凸起结构位于所述有效区域内的所述梁部结构边缘。
10.根据权利要求1所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述声学谐振器还包括覆盖于所述顶电极表面的钝化层；
所述第一凸起结构位于所述檐部结构下表面，且所述顶电极夹持在所述钝化层和所述第一凸起结构之间；
所述第二凸起结构位于所述梁部结构下表面，且所述顶电极夹持在所述钝化层和所述第二凸起结构之间。
11.根据权利要求1所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述声反射结构位于所述基底的上表面或嵌于所述基底的内部。
12.根据权利要求1所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述声反射结构嵌于所述基底的内部，且所述底电极沉积在所述声反射结构的上表面并覆盖所述声反射结构。
13.根据权利要求1所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述底电极的边缘刻蚀成斜面，且所述斜面位于所述声反射结构的外边；其中，所述斜面的横切面为阶梯状或垂直状。
14.根据权利要求1所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述第二凸起结构的投影位于所述声学谐振器的有效区域的边缘。
15.根据权利要求1所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述顶电极和所述底电极的材料均为以下任意一种：
锇、镁、金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金。
16.根据权利要求1所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述压电层的材料为以下任意一种：
氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾、钽酸锂、掺杂有稀土元素的氮化铝。
17.根据权利要求16所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述稀土元素为以下任意一种或其任意组合：
钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥。
18.根据权利要求1至17中任意一项所述的一种包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器，其特征在于，所述第一凸起结构和所述第二凸起结构的材料为介质或金属。
19.一种滤波器，包括根据权利要求1-18中任一项所述的包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器。
20.一种电子设备，包括根据权利要求19所述的滤波器或者根据权利要求1-18中任一项所述的包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器。
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