WO2023169209A1 - 一种声表面波谐振器及滤波器 - Google Patents

一种声表面波谐振器及滤波器 Download PDF

Info

Publication number
WO2023169209A1
WO2023169209A1 PCT/CN2023/077637 CN2023077637W WO2023169209A1 WO 2023169209 A1 WO2023169209 A1 WO 2023169209A1 CN 2023077637 W CN2023077637 W CN 2023077637W WO 2023169209 A1 WO2023169209 A1 WO 2023169209A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
equal
reflective layer
thickness
bragg reflective
less
Prior art date
Application number
PCT/CN2023/077637
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
赵娟
田熙
Original Assignee
成都芯仕成微电子有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 成都芯仕成微电子有限公司 filed Critical 成都芯仕成微电子有限公司
Publication of WO2023169209A1 publication Critical patent/WO2023169209A1/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the utility model relates to the field of filters, in particular to a surface acoustic wave resonator and a filter.
  • GSM Global system of mobile communications
  • CDMA Code-Division Multiple Access
  • TD-SCDMA Long Term Evolution, TD-LTE 5G New Radio
  • WLAN Wireless Local Area Network
  • GPS Global Positioning System
  • satellite communications and other military communication technologies are also Rapid development, especially the arrival of the 5th Generation Mobile Networks (5G) era and the accelerated development of national defense equipment and information, will bring new technical requirements to radio frequency devices.
  • 5G 5th Generation Mobile Networks
  • RF filters include dielectric filters, low temperature cofired ceramic (LTCC) filters and acoustic wave filters.
  • acoustic wave filters include Surface Acoustic Wave (SAW) filters and Bulk Acoustic Wave (BAW) filters.
  • SAW Surface Acoustic Wave
  • BAW Bulk Acoustic Wave
  • surface acoustic wave technology has been widely used in RF front-end architecture due to its high quality factor, low insertion loss (usually 1-4dB) and compact size.
  • SAW mainly includes ordinary SAW, super high performance (Incredible High Performance, IHP)-SAW, and solid assembly type (Solidly Mounted Resonator, SMR)-SAW.
  • IHP-SAW resonator can achieve a resonant frequency below 3GHz, while the SMR- SAW resonators can achieve resonant frequencies of 3GHz-5GHz or even above 5GHz.
  • acoustic reflective films are used, especially the SMR-SAW resonators, which are equipped with high acoustic impedance reflective layers and Bragg reflective layers with alternately distributed low-acoustic impedance reflective layers.
  • the material of the low-acoustic impedance reflective layer is silicon dioxide SiO2.
  • the material of the high-acoustic impedance reflective layer can be metal, such as molybdenum, platinum, tungsten, etc., but when the high acoustic impedance When the material of the reflective layer is metal, parasitic capacitance will be generated between the interdigital electrode and the high acoustic impedance reflective layer, which will affect the device performance. This situation is usually solved by patterning the reflective layer, but patterning will greatly increase the difficulty and cost of the process.
  • This utility model is to provide a surface acoustic wave resonator and filter to solve the technical problems of complicated preparation processes existing in the prior art.
  • the utility model provides a surface acoustic wave resonator, including:
  • At least one first reflective layer group is provided on the upper surface of the substrate
  • a piezoelectric layer disposed on the upper surface of the at least one first reflective layer group
  • an interdigital transducer arranged on the upper surface of the piezoelectric layer
  • each of the at least one first reflective layer group includes a first Bragg reflective layer and a second Bragg reflective layer, and the acoustic impedance of the second Bragg reflective layer is greater than that of the first Bragg reflective layer.
  • Acoustic impedance of the reflective layer, the material of the second Bragg reflective layer is an insulating material.
  • the material of the second Bragg reflective layer is an insulating material, that is, a non-metallic material, which does not generate parasitic capacitance at the interdigital electrodes, so that no patterning is required when forming the second Bragg reflective layer.
  • the growth method does not increase the difficulty of the preparation process.
  • the Bragg reflective layer formed alternately between the second Bragg reflective layer and the first Bragg reflective layer can suppress the leakage of surface acoustic waves excited by the interdigital transducer into the body direction.
  • the surface acoustic wave resonator further includes:
  • At least one second reflective layer group is disposed between the at least one first reflective layer group and the substrate, and each second reflective layer group in the at least one second reflective layer group includes a third a Bragg reflective layer and a fourth Bragg reflective layer, the fourth Bragg reflective layer having an acoustic impedance greater than the acoustic impedance of the third Bragg reflective layer;
  • the material of the fourth Bragg reflection layer is metal.
  • At least one second reflective layer group is also included, and the material of the fourth Bragg reflective layer in the second reflective layer group is metal. Since the second reflective layer group is provided between the first reflective layer group and between the substrates, so that the second reflective layer group is at a certain distance from the interdigital transducer, which can reduce the generated parasitic capacitance. Then the fourth Bragg reflective layer does not need to be patterned and will not increase the preparation process. Difficulty, and the reflectivity of metal to sound waves is greater than the reflectivity of insulating material layers to sound waves. Therefore, through the combination of the first reflective layer group and the second reflective layer group, it is possible to further suppress the leakage of surface acoustic waves excited by the interdigital transducer into the body direction without increasing the difficulty of the preparation process.
  • the acoustic impedance of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 12.4 ⁇ 10 6 kg/m2*second Kg/m 2 s and less than or equal to 60 ⁇ 10 6 Kg/m 2 s;
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 60 nm and less than or equal to 1600 nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 20nm and less than or equal to 1250nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 80nm and less than or equal to 580nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 700nm and less than or equal to 1200nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 30 nm and less than or equal to 1000 nm.
  • the corresponding thickness of the second Bragg reflection layer is also different, and when the material of the second Bragg reflection layer is different, the corresponding thickness is also different.
  • the material of the second Bragg reflective layer may be hafnium oxide, tantalum oxide, aluminum nitride, aluminum oxide, or other insulating materials whose acoustic impedance is greater than the acoustic impedance of the first Bragg reflective layer, wherein,
  • the second Bragg reflective layer can also be called a high acoustic impedance reflective layer, and correspondingly, the first Bragg reflective layer can also be called a low acoustic impedance reflective layer.
  • the material of the second Bragg reflective layer is hafnium oxide
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 60nm and less than or equal to 1600nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 20nm and less than or equal to 1250nm;
  • the material of the second Bragg reflective layer is tantalum oxide
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 80nm and less than or equal to 580nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 700nm and less than or equal to 1200nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 30 nm and less than or equal to 1000 nm.
  • the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 120nm and less than or equal to 2200nm; or
  • the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 30 nm and less than or equal to 370 nm.
  • the thickness of the corresponding first Bragg reflection layer is also different.
  • the thickness of the first Bragg reflection layer is also different.
  • the thickness range is [120nm, 2200nm].
  • the thickness range of the first Bragg emission layer is [30nm, 370nm].
  • the thickness of the piezoelectric layer is greater than or equal to 35nm and less than or equal to 800nm; or
  • the thickness of the piezoelectric layer is greater than or equal to 100 nm and less than or equal to 500 nm.
  • the thickness of the corresponding piezoelectric layer is also different.
  • the thickness range of the piezoelectric layer is [35nm, 800nm]
  • the thickness range of the piezoelectric layer is [100nm, 500nm].
  • the material of the second Bragg reflective layer is hafnium oxide
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 140nm and less than or equal to 820nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 1100nm and less than or equal to 1600nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 60nm and less than or equal to 640nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 800nm and less than or equal to 1350nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 30nm and less than or equal to 1250nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 20 nm and less than or equal to 900 nm.
  • the thickness of the second Bragg reflection layer gradually decreases.
  • the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 230nm and less than or equal to 1300nm, or the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 1600nm and less than or equal to 2200nm; or
  • the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 120 nm and less than or equal to 900 nm, or the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 950 nm and less than or equal to 1900 nm; or
  • the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 80nm and less than or equal to 350nm; or
  • the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 30 nm and less than or equal to 230 nm.
  • the thickness of the first Bragg reflection layer gradually decreases.
  • the material of the second Bragg reflective layer is oxide tannin
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 140 nm and less than or equal to 580 nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 680 nm and less than or equal to 720 nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than Or equal to 1000nm and less than or equal to 1200nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 80nm and less than or equal to 460nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 700nm and less than or equal to 1050nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 60nm and less than or equal to 1000nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 30 nm and less than or equal to 600 nm.
  • the thickness of the second Bragg reflection layer gradually decreases.
  • the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 230nm and less than or equal to 1300nm, or the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 1600nm and less than or equal to 2200nm; or
  • the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 120 nm and less than or equal to 900 nm, or the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 950 nm and less than or equal to 1900 nm; or
  • the thickness of the first Bragg reflective layer is greater than or equal to 70nm and less than or equal to 370nm; or
  • the thickness of the first Bragg reflective layer is less than or equal to 50 nm and greater than or equal to 220 nm.
  • the thickness of the first Bragg reflection layer gradually decreases.
  • the present invention provides an acoustic surface resonator, including the above first aspect and any possible design.
  • the surface acoustic wave resonator includes the above first aspect and any possible design.
  • Figure 1 is a schematic structural diagram of a surface acoustic wave resonator in the prior art
  • Figure 2 is a schematic structural diagram of a surface acoustic wave resonator provided by an embodiment of the present invention
  • Figure 3 is a schematic structural diagram of another surface acoustic wave resonator provided by an embodiment of the present invention.
  • SAW resonator usually includes a substrate, piezoelectric layer, interdigital transducer (IDT) and reflection grating.
  • IDT interdigital transducer
  • the inverse piezoelectric effect will excite surface acoustic waves transmitted to both sides. This surface acoustic wave will be reflected by the reflection gratings on both sides and will be reflected back to the IDT. The surface acoustic wave excited next time will be in the IDT. Resonance occurs at the surface, forming a standing acoustic wave, which is then converted into an electrical signal output through the piezoelectric effect.
  • the piezoelectric effect is that when the crystal is squeezed, an electric current is generated. In turn, when an electric current is applied to the crystal, the shape of the piezoelectric crystal will also change.
  • Parasitic capacitance also known as stray capacitance, is the capacitance formed between electronic components or circuit modules in a circuit due to their proximity to each other.
  • the interdigital electrodes of the IDT are made of metal. If the material of the high acoustic impedance reflective layer is metal, parasitics will occur between the interdigital electrodes and the high acoustic impedance reflective layer. capacitance.
  • Electromechanical coupling coefficient which represents the efficiency of a certain piezoelectric material in converting mechanical energy and electrical energy into each other. The larger the electromechanical coupling coefficient, the higher the energy conversion efficiency, and the bandwidth of the prepared surface acoustic wave device is larger.
  • multiple in the embodiments of the present invention refers to two or more.
  • the term “multiple” in the embodiments of the present invention can also be understood as “at least two”; “and “/or” is just an association relationship that describes related objects. It means that there can be three relationships.
  • a and/or B can mean: A alone exists, A and B exist at the same time, and B exists alone.
  • the character "/" generally indicates that the related objects are an "or” relationship.
  • TF-SAW thin film surface acoustic wave
  • SMR solid mounted resonator
  • the Bragg reflective layer may be a low acoustic impedance reflective layer and a high acoustic impedance reflective layer alternately arranged.
  • the material of the low-acoustic impedance reflective layer is mostly silicon dioxide SiO 2
  • the material of the high-acoustic impedance reflective layer is metal.
  • the material of the interdigital electrode is also often metal. , which produces parasitic capacitance between the interdigital electrodes and the high acoustic impedance layer, which will affect the performance of the device.
  • the metal layer is patterned when forming the high-acoustic impedance reflective layer, and patterning will increase the complexity of the preparation process. .
  • the surface acoustic wave resonator and filter designed by the utility model can be applied to base station equipment, terminal equipment, automobiles, or other equipment.
  • the terminal device can be a smartphone, a smart wearable device, or a Personal Digital Assistant (Personal Digital Assistant, PDA).
  • PDA Personal Digital Assistant
  • Figure 2 is a surface acoustic wave resonator provided by an embodiment of the present invention, including:
  • At least one first reflective layer group 21 is provided on the upper surface of the substrate 20;
  • the piezoelectric layer 22 is provided on the upper surface of the at least one first reflective layer group 21;
  • the interdigital transducer 23 is provided on the upper surface of the piezoelectric layer 22;
  • each of the at least one first reflective layer group 21 includes a first Bragg reflective layer 211 and a second Bragg reflective layer 212, and the second Bragg reflective layer 212 has an acoustic impedance greater than the The acoustic impedance of the first Bragg reflective layer 211 is determined, and the material of the second Bragg reflective layer 212 is an insulating material.
  • the material of the substrate 20 may be silicon Si, gallium nitride GaN, gallium arsenide GaAs, diamond C, glass, silicon carbide SiC, sapphire (Saphire), etc.
  • Each first reflective layer group 21 includes a first Bragg reflective layer 211 and a second Bragg reflective layer 212.
  • the acoustic impedance of the second Bragg reflective layer 212 is greater than the acoustic impedance of the first Bragg reflective layer 211. Therefore, the first Bragg reflective layer 211 can generally also be called a low sound impedance reflective layer, and the second Bragg reflective layer 212 can be called a high sound impedance reflective layer.
  • the material of the first Bragg reflective layer 211 may be silicon dioxide SiO 2
  • the material of the second Bragg reflective layer 212 may be an insulating material, such as an oxide, which may be tantalum oxide Ta 2 O 5 , hafnium oxide HfO 2 , or oxide.
  • a piezoelectric layer 22 is provided on the upper surface of at least one first reflective layer group 21.
  • the material of the piezoelectric layer 22 may be AlN, GaN, lead zirconate titanate PZT, potassium niobate KNbO 3 , or lithium tantalate. LiTaO 3 , or lithium niobate LiNbO 3 , etc.
  • interdigital transducer 23 Arranged on the piezoelectric layer 22 is an interdigital transducer 23.
  • the material of the interdigital transducer 23 may be metal, such as aluminum, copper, gold or aluminum-copper alloy.
  • the material of the second Bragg reflective layer 212 is an insulating material, which can be understood as a non-metallic material, so that no parasitic capacitance is generated between the second Bragg reflective layer 212 and the interdigital transducer 23 . Therefore, when forming the second Bragg reflective layer 212, it can be grown directly on the substrate 20 or SiO2 without patterning, so the complexity of the preparation process will not be increased. At the same time, the first Bragg reflective layer 211 and The Bragg reflective layer formed by the second Bragg reflective layer 212 can also suppress the surface acoustic waves excited by the interdigital transducer 23 from leaking toward the body direction.
  • the operating bandwidth of a surface acoustic wave filter depends on the effective electromechanical coupling coefficient of the resonator it contains. To realize a large-bandwidth filter, it is necessary to excite the acoustic wave mode with a high electromechanical coupling coefficient, and the acoustic wave mode with a high electromechanical coupling coefficient needs to be excited. The state is prone to generate clutter, resulting in an increase in the insertion loss of the filter and an increase in in-band fluctuations. Among them, a high electromechanical coupling coefficient usually means that the electromechanical coupling coefficient is above 30%, corresponding to a relative bandwidth of 12.17%. Acoustic wave modes may include, but are not limited to, Rayleigh Wave, Love Wave, Shear Horizontal Wave, and Lamb Wave.
  • the first Bragg reflection layer 211 and the second Bragg reflection layer of the resonator are adjusted.
  • the thickness of the reflective layer 212 will be described in detail below.
  • the acoustic impedance of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 12.4 ⁇ 10 6 kg/m2*second Kg/m 2 s and less than or equal to 60 ⁇ 10 6 Kg/m 2 s;
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 60 nm and less than or equal to 1600 nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 20nm and less than or equal to 1250nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 80nm and less than or equal to 580nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 700nm and less than or equal to 1200nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 30 nm and less than or equal to 1000 nm.
  • the material of the second Bragg reflection layer with an acoustic impedance of [12.4 ⁇ 10 6 Kg/m 2 s, 60 ⁇ 10 6 Kg/m 2 s] can be Ta 2 O 5 , HfO 2 , Al 2 O 3 , ZnO Or other materials whose acoustic impedance is within the above range, specifically:
  • the material of the second Bragg reflective layer is hafnium oxide
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 60nm and less than or equal to 1600nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 20nm and less than or equal to 1250nm;
  • the material of the second Bragg reflective layer is tantalum oxide
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 80nm and less than or equal to 580nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 80nm and less than or equal to 580nm.
  • the thickness of the grid reflective layer is greater than or equal to 700nm and less than or equal to 1200nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer is greater than or equal to 30 nm and less than or equal to 1000 nm.
  • the thicknesses of the first Bragg reflective layer 211 and the second Bragg reflective layer 212 are different, and for the second Bragg reflective layer 212, the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is When the materials are different, the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is also different, which will be introduced in detail below.
  • the material of the first second Bragg reflective layer 212 is hafnium oxide
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 60 nm and less than or equal to 1600 nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 20 nm and less than or equal to 1250 nm.
  • the thickness of the first Bragg reflective layer 211 is greater than or equal to 120 nm and less than or equal to 2200 nm; or
  • the thickness of the first Bragg reflective layer 211 is greater than or equal to 30 nm and less than or equal to 370 nm.
  • the material of the second Bragg reflective layer 212 is hafnium oxide.
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [60nm, 1600nm];
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [20nm, 1250nm];
  • the thickness of the first Bragg reflection layer 211 is [120nm, 220nm];
  • the thickness of the first Bragg reflection layer 211 is greater than or equal to [30nm, 370nm];
  • the thickness of the first Bragg reflective layer 211 and the second Bragg reflective layer 212 is further described below.
  • the material of the piezoelectric layer 22 can be lithium tantalate LiTaO 3 , LiNbO 3 , or other materials. In the following introduction process, the material of the piezoelectric layer 22 is LiNbO 3 as an example. The details are as follows:
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is greater than or equal to 35 nm and less than or equal to 800 nm; or
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is greater than or equal to 100 nm and less than or equal to 500 nm.
  • the frequency band of the surface acoustic wave resonator is [3G, 5G), and the thickness of the piezoelectric layer 22 is [35nm, 800nm];
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is [100nm, 500nm].
  • the thicknesses of the second Bragg reflective layer 212, the first Bragg reflective layer 211 and the piezoelectric layer 22 decrease accordingly.
  • the second material of the second Bragg reflective layer 212 is oxide titanium.
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 80 nm and less than or equal to 580 nm, or greater than or equal to 700 nm and less than or equal to 1200 nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 30 nm and less than or equal to 1000 nm.
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [80nm, 580nm] or [700nm, 1200nm];
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [30nm, 1000nm].
  • the thickness of the first Bragg reflective layer 211 and the thickness of the piezoelectric layer 22 may refer to the case where the material of the second Bragg reflective layer 212 is hafnium oxide.
  • the above parameters can be found in Table 1 below.
  • the functional layers in the above table refer to the first Bragg reflective layer 211, the second Bragg reflective layer 212, and the piezoelectric layer 22.
  • the second Bragg reflective layer 212 is referred to as the second, and the first is referred to as the second.
  • the Bragg reflective layer 211 is simply referred to as the first, and the second Bragg reflective layer 212 includes two conditions, one is oxide, and the other is tantalum oxide.
  • the granularity of frequency band division is relatively large, that is, [3G, 5G), [5G, 12G].
  • the frequency bands are divided according to small granularity, specifically [3G, 3.5G), [3.5G, 5G), [5G, 8.5G), [8.5G, 12G], and then for the above different frequency bands, the first Prague
  • the thicknesses of the reflective layer 211, the second Bragg reflective layer 212 and the piezoelectric layer 22 are described.
  • the description is still based on two cases where the material of the second Bragg reflective layer 212 is hafnium oxide and tantalum oxide.
  • the first material of the second Bragg reflective layer 212 is hafnium oxide.
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 140 nm and less than or equal to 820 nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 1100 nm and less than or equal to 1600 nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 60 nm and less than or equal to 640 nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 800 nm and less than or equal to 1350 nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 30nm and less than or equal to 1250nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 20 nm and less than or equal to 900 nm.
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [140nm, 820nm] or [1100nm, 1600nm];
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [60nm, 640nm] or [800nm, 1500nm];
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [30nm, 1250nm];
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [20nm, 900nm].
  • the thickness of the first Bragg reflective layer 211 corresponding to the frequency band of the surface acoustic wave resonator is as follows:
  • the thickness of the first Bragg reflection layer 211 is [230nm, 1300nm], or [1600nm, 2200nm];
  • the thickness of the first Bragg reflection layer 211 is [120nm, 900nm] or [950nm, 1900nm];
  • the thickness of the first Bragg reflection layer 211 is [80nm, 350nm];
  • the thickness of the first Bragg reflection layer 211 is [30nm, 230nm].
  • the thicknesses of the piezoelectric layer 22 are as follows:
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is [80nm, 800nm];
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is [35nm, 650nm];
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is [150nm, 500nm];
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is [100nm, 250nm].
  • the second material of the second Bragg reflective layer 212 is oxide titanium
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 140 nm and less than or equal to 580 nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 680 nm and less than or equal to 720 nm, or the second Bragg reflective layer 212 The thickness is greater than or equal to 1000nm and less than or equal to 1200nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 80 nm and less than or equal to 460 nm, or the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 700 nm and less than or equal to 1050 nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 60 nm and less than or equal to 1000 nm; or
  • the thickness of the second Bragg reflective layer 212 is greater than or equal to 30 nm and less than or equal to 600 nm.
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [140nm, 580nm] or [680nm, 720nm] or [1000nm, 1200nm];
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [80nm, 460nm] or [700nm, 1050nm];
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [60nm, 1000nm];
  • the thickness of the second Bragg reflection layer 212 is [30nm, 600nm].
  • the thicknesses of the first Bragg reflective layer 211 are as follows:
  • the thickness of the first Bragg reflective layer 211 is greater than or equal to 230 nm and less than or equal to 1300 nm, or the thickness of the first Bragg reflective layer 211 is greater than or equal to 1600 nm and less than or equal to 2200 nm; or
  • the thickness of the first Bragg reflective layer 211 is greater than or equal to 120 nm and less than or equal to 900 nm, or the first The thickness of the Bragg reflective layer 211 is greater than or equal to 950nm and less than or equal to 1900nm; or
  • the thickness of the first Bragg reflective layer 211 is greater than or equal to 70nm and less than or equal to 370nm; or
  • the thickness of the first Bragg reflective layer 211 is less than or equal to 50 nm and greater than or equal to 220 nm.
  • the thickness of the first Bragg reflection layer 211 is [230nm, 1300nm] or [1600nm, 2200nm];
  • the thickness of the first Bragg reflection layer 211 is [120nm, 900nm] or [950nm, 1900nm];
  • the thickness of the first Bragg reflection layer 211 is [70nm, 370nm];
  • the thickness of the first Bragg reflection layer 211 is [50nm, 220nm].
  • the thicknesses of the piezoelectric layer 22 are as follows:
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is [80nm, 800nm];
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is [35nm, 650nm];
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is [150nm, 500nm];
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is [150nm, 260nm].
  • the first Bragg reflective layer 211, the second Bragg reflective layer 212 and the piezoelectric layer can be found in Table 2 and Table 3 below.
  • the functional layers in the above table refer to the first Bragg reflective layer 211, the second Bragg reflective layer 212, and the piezoelectric layer 22, among which.
  • the second Bragg reflective layer 212 is referred to as the second
  • the first Bragg reflective layer 211 is referred to as the first 211.
  • the above is based on the frequency band division method of [3G, 3.5G), [3.5G, 5G), [5G, 8.5G), and [8.5G, 12G].
  • the thickness of the piezoelectric layer 22 is described, and the frequency bands will be divided according to smaller granularity below [3G, 3.5G), [3.5G, 4G), [4G, 4.5G), [4.5G, 5G), [ 5G, 5.5G), [5.5G, 6G), [6G, 6.5G), [6.5G, 7G), [7G, 7.5G), [7.5G, 8G), [8G, 8.5G), [8.5 G, 9G), [9G, 9.5G), [9.5G, 10G), [10G, 10.5G), [10.5G, 11G), [11G, 11.5G), [11.5G, 12G], the specific The thicknesses of the first Bragg reflective layer 211, the second Bragg reflective layer 212 and the reflective layer 22 can be seen in Table 4 and Table 5 below. Table 4 is the
  • the surface acoustic wave resonator also includes:
  • At least one second reflective layer group 24 is disposed between the at least one first reflective layer group 21 and the substrate 20 , each second reflective layer in the at least one second reflective layer group 24 Group 24 includes a third Bragg reflective layer 241 and a fourth Bragg reflective layer 242, the fourth Bragg reflective layer 242 having an acoustic impedance greater than the acoustic impedance of the third Bragg reflective layer 241;
  • the material of the fourth Bragg reflective layer 242 is metal.
  • Each second reflective layer group 24 includes a third Bragg reflective layer 241 and a fourth Bragg reflective layer 242.
  • the acoustic impedance of the fourth Bragg reflective layer 242 is greater than the acoustic impedance of the third Bragg reflective layer 241. Therefore, usually the third Bragg reflective layer 241 can be called a low-frequency impedance reflective layer, and its material can be the same as that of the first Bragg reflective layer 211.
  • the thickness of the corresponding third Bragg reflective layer is in a different frequency band, and its arrangement can be the same as that of the first Bragg reflective layer 211.
  • the fourth Bragg reflective layer 242 may be called a high acoustic impedance reflective layer, and its material is different from the material of the second Bragg reflective layer 212.
  • the material of the fourth Bragg reflective layer 242 may be metal, such as molybdenum Mo, platinum Pt, tungsten W, etc. , or other metals.
  • the material of the fourth Bragg reflection layer 242 is metal. Since the number of free ions contained in the metal is greater than the number of free ions contained in the oxide, the reflectivity of the metal layer to surface acoustic waves is higher than that of the oxide layer. The reflectivity of the object layer to surface acoustic waves, and the fourth Bragg reflection layer 242 is between the first reflection layer group 21 and the substrate 20 , that is to say, the distance between the fourth Bragg reflection layer 242 and the interdigital transducer 23 It is farther than the distance between the second Bragg reflective layer 212 and the interdigital transducer 23.
  • the distance between the fourth Bragg reflective layer 242 and the interdigital transducer 23 is farther, thereby reducing the fourth Bragg reflective layer 242 and the interdigital transducer 23.
  • Parasitic capacitance generated between the reflective layer 242 and the interdigital transducer 23 is a technical solution. Therefore, even if the material of the fourth Bragg reflective layer 242 is metal, when forming the fourth Bragg reflective layer 242, there is no need to prepare a patterned Bragg reflective layer, and the complexity of the preparation process will not be increased. Therefore, through this technical solution, the leakage of surface acoustic waves into the body direction can be further suppressed without increasing the complexity of the preparation process.
  • the present invention also provides a filter, including the surface acoustic wave resonator described in the first aspect.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

本实用新型涉及提供一种声表面波谐振器及滤波器，用于解决现有技术中存在的制备工艺复杂的技术问题。其中的一种声表面波谐振器，包括：衬底；至少一组第一反射层组，设置在所述衬底的上表面；压电层，设置在所述至少一组第一反射层组的上表面；叉指换能器，设置在所述压电层的上表面；其中，所述至少一组第一反射层组中每组第一反射层组中包括第一布拉格反射层和第二布拉格反射层，所述第二布拉格反射层的声阻抗大于所述第一布拉格反射层的声阻抗，所述第二布拉格反射层的材料是绝缘材料。

Description

一种声表面波谐振器及滤波器 技术领域
本实用新型涉及滤波器领域，具体涉及一种声表面波谐振器及滤波器。
背景技术
随着无线通信技术的迅猛发展，移动通信制式已由移动通信全球系统(Global system of mobile communications，GSM)、码分多址(Code-Division Multiple Access，CDMA)、(TD-SCDMA Long Term Evolution，TD-LTE)向(5G New Radio，5G NR)过渡，此外蓝牙、无线局域网(Wireless Local Area Network，WLAN)、全球定位系统(Global Positioning System，GPS)等，卫星通信以及其他军用通信技术也都在高速发展，尤其第五代移动通信(5th Generation Mobile Networks,5G)时代的到来以及国防装备信息发展的提速，将会给射频器件带来新的技术要求。
目前常用的射频滤波器有介质滤波器、低温共烧陶瓷(Low temperature cofired ceramic，LTCC)滤波器和声波滤波器。其中，声波滤波器包括声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)滤波器和体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器。近年来，声表面波技术因其高品质因子，低插入损耗(通常指1-4dB)和紧凑的体积而被大量地运用到射频前端架构当中。
而目前SAW主要有普通SAW、超级高性能(Incredible High Performance，IHP)-SAW、固体装配型(Solidly Mounted Resonator，SMR)-SAW，IHP-SAW谐振器能够实现3GHz以下的谐振频率，而SMR-SAW谐振器能够实现3GHz-5GHz，甚至5GHz以上的谐振频率。上述谐振器中无论是IHP-SAW谐振器还是SMR-SAW谐振器，为避免声波向体方向泄漏，均是采用声反射膜，尤其是SMR-SAW谐振器，其设置了高声阻抗反射层和低声阻抗反射层交替分布的布拉格反射层，通常低声阻抗反射层的材料大多选择二氧化硅SiO2，高声阻抗反射层材料可以选择金属，例如钼、铂、钨等，但是当高声阻抗反射层材料选择为金属时，叉指电极和高声阻抗反射层之间会产生寄生电容，影响器件性能。针对这种情况通常采取图形化反射层的方式进行解决，而图形化则会大大增加工艺的难度与成本。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种声表面波谐振器及滤波器，以解决现有技术中存在的制备工艺复杂的技术问题。
第一方面，本实用新型提供一种声表面波谐振器，包括：
衬底；
至少一组第一反射层组，设置在所述衬底的上表面；
压电层，设置在所述至少一组第一反射层组的上表面；
叉指换能器，设置在所述压电层的上表面；
其中，所述至少一组第一反射层组中每组第一反射层组中包括第一布拉格反射层和第二布拉格反射层，所述第二布拉格反射层的声阻抗大于所述第一布拉格反射层的声阻抗，所述第二布拉格反射层的材料是绝缘材料。
在本实用新型中，第二布拉格反射层的材料是绝缘材料，也就是非金属材料，在叉指电极处不会产生寄生电容，从而在第二布拉格反射层的形成时，不需要进行图形化的生长方式，因此不会增加工艺的制备难度，同时第二布拉格反射层和第一布拉格反射层交替形成的布拉格反射层能够抑制叉指换能器激发的声表面波向体方向泄漏。
在一个可能的设计中，所述声表面波谐振器还包括：
至少一组第二反射层组，设置在所述至少一组第一反射层组和所述衬底之间，所述至少一组第二反射层组中每组第二反射层组包括第三布拉格反射层和第四布拉格反射层，所述第四布拉格反射层的声阻抗大于所述第三布拉格反射层的声阻抗；
其中，所述第四布拉格反射层的材料是金属。
在本实用新型中，还包括至少一组第二反射层组，且第二反射层组中的第四布拉格反射层的材料是金属，由于第二反射层组中设置在第一反射层组与衬底之间，这样第二反射层组距离叉指换能器具有一定的距离，能够减少产生的寄生电容，则第四布拉格反射层不需要进行图形化的生长方式，不会增加工艺的制备难度，且金属对声波的反射率大于绝缘材料层对声波的反射率。因此，通过第一反射层组和第二反射层组的组合，能够在不增加制备工艺难度的同时，进一步抑制叉指换能器激发的声表面波向体方向泄漏。
在一个可能的设计中，所述第二布拉格反射层的声阻抗大于或等于12.4×106千克/平方米*秒Kg/m2s且小于或等于60×106Kg/m2s；
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于60纳米nm且小于或等于1600nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于20nm且小于或等于1250nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于80nm且小于或等于580nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于700nm且小于或等于1200nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于1000nm。
在本实用新型中，声表面波谐振器的中心频率不同时，对应的第二布拉格反射层的厚度也不相同，且在第二布拉格反射层的材料不同时，对应的厚度也不相同。在该技术方案中， 第二布拉格反射层的材料可以是氧化铪，也可以是氧化钽，也可以氮化铝，也可以是氧化铝，也可以是其它声阻抗大于第一布拉格反射层声阻抗的绝缘材料，其中，第二布拉格反射层也可以称为是高声阻抗反射层，相应的，第一布拉格反射层也可以称为是低声阻抗反射层。
在一个可能的设计中，
所述第二布拉格反射层的材料是氧化铪，
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于60nm且小于或等于1600nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于20nm且小于或等于1250nm；
所述第二布拉格反射层的材料是氧化钽，
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于80nm且小于或等于580nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于700nm且小于或等于1200nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于1000nm。
在一个可能的设计中，
所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于120nm且小于或等于2200nm；或者
所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于370nm。
在本实用新型中，声表面波谐振器的中心频率不同时，对应的第一布拉格反射层的厚度也不相同，例如声表面波谐振器的中心频率在3-5GHz时，第一布拉格反射层的厚度范围是[120nm，2200nm]，声表面波谐振器的中心频率在5-12GHz时，第一布拉格发射层的厚度范围是[30nm，370nm]。
在一个可能的设计中，
所述压电层的厚度大于或等于35nm且小于或等于800nm；或者
所述压电层的厚度大于或等于100nm且小于或等于500nm。
在本实用新型中，声表面波谐振器的中心频率不同时，对应的压电层的厚度也不相同，例如声表面波谐振器的中心频率在3-5GHz时，压电层的厚度范围是[35nm，800nm]，声表面波谐振器的中心频率在5-12GHz时，压电层的厚度范围是[100nm，500nm]。
在一个可能的设计中，所述第二布拉格反射层的材料是氧化铪；
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于140nm且小于或等820nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于1100nm且小于或等于1600nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于60nm且小于或等于640nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于800nm且小于或等于1350nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于1250nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于20nm且小于等于900nm。
在本实用新型中，在第二布拉格反射层的材料是氧化铪时，随着声表面波谐振器的中心频率的提高，第二布拉格反射层的厚度是逐渐降低的。
在一个可能的设计中，
所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于230nm且小于或等于1300nm，或所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于1600nm且小于或等于2200nm；或者
所述第一布拉格反射层的厚度是大于或等于120nm且小于或等900nm，或所述第一布拉格反射层的厚度是大于或等于950nm且小于或等于1900nm；或者
所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于80nm且小于或等于350nm；或者
所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于230nm。
在本实用新型中，在第二布拉格反射层的材料是氧化铪时，随着声表面波谐振器的中心频率的提高，第一布拉格反射层的厚度是逐渐降低的。
在一个可能的设计中，所述第二布拉格反射层的材料是氧化坦；
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于140nm且小于或等于580nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于680nm且小于或等于720nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于1000nm且小于或等于1200nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于80nm且小于或等于460nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于700nm且小于或等于1050nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于60nm且小于或等于1000nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于600nm。
在本实用新型中，在第二布拉格反射层的材料是氧化钽时，随着声表面波谐振器的中心频率的提高，第二布拉格反射层的厚度是逐渐降低的。
在一个可能的设计中，
所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于230nm且小于或等于1300nm，或所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于1600nm且小于或等于2200nm；或者
所述第一布拉格反射层的厚度是大于或等于120nm且小于或等900nm，或所述第一布拉格反射层的厚度是大于或等于950nm且小于或等于1900nm；或者
所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于70nm且小于或等于370nm；或者
所述第一布拉格反射层的厚度小于或等于50nm且大于或等于220nm。
在本实用新型中，在第二布拉格反射层的材料是氧化钽时，随着声表面波谐振器的中心频率的提高，第一布拉格反射层的厚度是逐渐降低的。
第二方面，本实用新型提供一种声表面谐振器，包括上述第一方面和任一可能的设计中 所述的声表面波谐振器。
附图说明
图1为现有技术中的声表面波谐振器的结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的一种声表面波谐振器的结构示意图；
图3是本实用新型实施例提供的一种另一种声表面波谐振器的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
以下，对本实用新型实施例中的部分用于进行解释说明，以便于本领域技术人员理解。
(1)SAW谐振器，请参见附图1，通常包括衬底、压电层、叉指换能器(Interdigital transducer，IDT)以及反射栅。当信号加载到IDT时，经逆压电效应将激发向两边传输的声表面波，此声表面波经两侧的反射栅反射，会反射回IDT，与下一时间激发的声表面波在IDT处产生共振现象，形成声表面波驻波，然后经过压电效应转化为电信号输出。其中，压电效应就是当晶体受到挤压时会产生电流，反过来，当晶体施加电流时，压电晶体形状也会发生变化。
(2)寄生电容，也称为杂散电容，是电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容。在本实用新型中，也就是在背景技术中所述的，IDT的叉指电极为金属，如果高声阻抗反射层的材料为金属，叉指电极和高声阻抗反射层之间则会产生寄生电容。
(3)机电耦合系数，其代表了某一压电材料对机械能和电能进行相互转换的效率，机电耦合系数越大，能量转换效率越高，制备成的声表面波器件的带宽更大。
(4)本实用新型实施例中的术语“多个”是指两个或两个以上，鉴于此，本实用新型实施例中也可以将“多个”理解为“至少两个”；“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
通常情况下，叉指换能器激发的声表面波往往会向体方向泄漏，造成能量损失。为抑制声表面波向体方向泄漏，发展了薄膜型声表面波(Thin Film Surface Acoustic Wave，TF-SAW)谐振器，例如固体装配型(Solid Mounted Resonator，SMR)SAW谐振器，其结构为衬底、设置在衬底上的布拉格反射层、设置在布拉格反射层上的压电层，以及设置在压电层上的叉指 换能器。其中，布拉格反射层可以是低声阻抗反射层与高声阻抗反射层交替排列形成。其中，低声阻抗反射层的材料大多选择二氧化硅SiO2,高声阻抗反射层的材料选择金属，而在高声阻抗反射层的材料是金属时，由于叉指电极的材料也往往是金属，这样在叉指电极和高声阻抗层之间产生寄生电容，会影响器件的性能。现有技术中为避免叉指电极和高声阻抗反射层之间产生寄生电容，在形成高声阻抗反射层时，则是通过将金属层图形化，而图形化又会增加制备工艺的复杂度。
为解决上述技术问题，并使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的实施方式作进一步的详细描述。
本实用新型设计的声表面波谐振器及滤波器能够应用于基站设备、终端设备、汽车、或者其它设备。其中，终端设备可以是智能手机、智能可穿戴设备，个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)。
第一方面，请参见图2，为本实用新型实施例提供的一种声表面波谐振器，包括：
衬底20；
至少一组第一反射层组21，设置在所述衬底20的上表面；
压电层22，设置在所述至少一组第一反射层组21的上表面；
叉指换能器23，设置在所述压电层22的上表面；
其中，所述至少一组第一反射层组21中每组第一反射层组中包括第一布拉格反射层211和第二布拉格反射层212，所述第二布拉格反射层212的声阻抗大于所述第一布拉格反射层211的声阻抗，所述第二布拉格反射层212的材料是绝缘材料。
在本实用新型中，衬底20的材料可以是硅Si、氮化镓GaN、砷化镓GaAs、金刚石C、玻璃、碳化硅SiC、蓝宝石(Saphire)等。
在衬底20上设置的是至少一组第一反射层组21，例如可以是1组、2组、3组，具体可以根据实际器件的需要设置1-10组。每组第一反射层组21包括第一布拉格反射层211和第二布拉格反射层212，第二布拉格反射层212的声阻抗大于第一布拉格反射层211的声阻抗，因此，第一布拉格反射层211通常也可以称为低声阻抗反射层，第二布拉格反射层212可以称为高声阻抗反射层。其中，第一布拉格反射层211的材料可以是二氧化硅SiO2，第二布拉格反射层212的材料可以是绝缘材料，例如氧化物，可以是氧化钽Ta2O5、氧化铪HfO2，氧化铝Al2O3、氧化锌ZnO、或者是氮化物，可以是氮化铝AlN、氮化硅Si3N4或者是碳化物，可以是碳化硅SiC，或者是其它声阻抗大于第一布拉格反射层211的绝缘材料。
进一步，在至少一组第一反射层组21的上表面设置的是压电层22，压电层22的材料可以是AlN、GaN、锆钛酸铅PZT、铌酸钾KNbO3、钽酸锂LiTaO3，或者铌酸锂LiNbO3等。
在压电层22上设置的是叉指换能器23，叉指换能器23的材料可以是金属，例如铝、铜、金或者是铝铜合金。
在本实用新型中，第二布拉格反射层212的材料是绝缘材料，可以理解为非金属材料，这样在第二布拉格反射层212与叉指换能器23之间不会产生寄生电容。从而在形成第二布拉格反射层212时，可以直接在衬底20或者是SiO2上生长即可，无需进行图形化，因此不会增加制备工艺的复杂度，同时由第一布拉格反射层211和第二布拉格反射层212构成的布拉格反射层也能够抑制叉指换能器23激发的声表面波向体方向泄漏。所以，通过本技术方案能够实现在不增加制备复杂度的同时抑制声表面波向体方向泄漏，以提高声表面谐振器的器件性能，例如提高声表面波谐振器的品质因数(quality factor，Q)值。
声表面波滤波器的工作带宽取决于其所包含的谐振器的有效机电耦合系数，要实现大带宽的滤波器，就需要激发高机电耦合系数的声波模态，而高机电耦合系数的声波模态容易产生杂波，导致滤波器的插损增加、带内波动增大。其中，高机电耦合系数通常指机电耦合系数在30％以上，对应的相对带宽12.17％。声波模态可以包括但不限于，瑞利波(Rayleigh Wave)、勒夫波(Love Wave)、水平剪切波(Shear Horizontal Wave)、兰姆波(Lamb Wave)。而如何在激发高机电耦合系数的声波模态的同时，又不会产生杂波，为解决该技术问题，在本实用新型中则是通过调整谐振器的第一布拉格反射层211和第二布拉格反射层212的厚度，下面将进行详细说明。
所述第二布拉格反射层的声阻抗大于或等于12.4×106千克/平方米*秒Kg/m2s且小于或等于60×106Kg/m2s；
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于60纳米nm且小于或等于1600nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于20nm且小于或等于1250nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于80nm且小于或等于580nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于700nm且小于或等于1200nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于1000nm。
其中，声阻抗在[12.4×106Kg/m2s，60×106Kg/m2s]的第二布拉格反射层的材料可以是Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO或者是声阻抗在上述范围的其他材料，其中，具体的：
所述第二布拉格反射层的材料是氧化铪，
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于60nm且小于或等于1600nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于20nm且小于或等于1250nm；
所述第二布拉格反射层的材料是氧化钽，
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于80nm且小于或等于580nm，或所述第二布拉 格反射层的厚度大于或等于700nm且小于或等于1200nm；或者
所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于1000nm。
在本实用新型中，针对不同频段的谐振器，第一布拉格反射层211和第二布拉格反射层212的厚度均不相同，且对于第二布拉格反射层212来说，第二布拉格反射层212的材料不同时，第二布拉格反射层212的厚度也不相同，下面则分别进行详细介绍。
第一种第二布拉格反射层212的材料是氧化铪；
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于60nm且小于或等于1600nm；或者
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于20nm且小于或等于1250nm。
所述第一布拉格反射层211的厚度大于或等于120nm且小于或等于2200nm；或者
所述第一布拉格反射层211的厚度大于或等于30nm且小于或等于370nm。
在本实用新型中，第二布拉格反射层212的材料是氧化铪。
若声表面波谐振器的频段在[3G，5G)，第二布拉格反射层212的厚度[60nm，1600nm]；
若声表面波谐振器的频段在[5G，12G]，第二布拉格反射层212的厚度[20nm，1250nm]；
相应的，若声表面波谐振器的频段在[3G，5G)，第一布拉格反射层211的厚度[120nm，220nm]；
若声表面波谐振器的频段在[5G，12G]，第一布拉格反射层211的厚度大于或等于[30nm，370nm]；
上面介绍的是第一布拉格反射层211和第二布拉格反射层212的厚度，下面进一步介绍压电层22的厚度。压电层22的材料可以是钽酸锂LiTaO3，也可以是LiNbO3，或者是其它材料，在下面的介绍过程中，以压电层22的材料是LiNbO3为例，具体如下：
所述压电层22的厚度大于或等于35nm且小于或等于800nm；或者
所述压电层22的厚度大于或等于100nm且小于或等于500nm。
在本实用新型中，在声表面波谐振器的频段在[3G，5G)，压电层22的厚度[35nm，800nm]；
若声表面波谐振器的频段在[5G，12G]，压电层22的厚度[100nm，500nm]。
从整体上看，随着声表面波谐振器的谐振频率的提高，第二布拉格反射层212、第一布拉格反射层211以及压电层22的厚度是随之降低的。
第二种第二布拉格反射层212的材料是氧化坦
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于80nm且小于或等于580nm，或大于或等于700nm且小于或等于1200nm；或者
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于30nm且小于或等于1000nm。
若声表面波谐振器的频段在[3G，5G)，第二布拉格反射层212的厚度[80nm，580nm]或 [700nm，1200nm]；
若声表面波谐振器的频段在[5G，12G]，第二布拉格反射层212的厚度[30nm，1000nm]。
其中，对于在第二布拉格反射层212的材料是氧化钽时，第一布拉格反射层211的厚度和压电层22的厚度可以参照第二布拉格反射层212的材料是氧化铪的情况，在此不再赘述。上述参数具体可以参见下表一。
表一
注：上表中的功能层就是指第一布拉格反射层211、第二布拉格反射层212、压电层22，其中，为便于排版，将第二布拉格反射层212简称为第二，将第一布拉格反射层211简称为第一，第二布拉格反射层212包含两种情况，一种是氧化哈，一种是氧化钽。
上面的介绍，对频段划分的粒度较大，也就是[3G，5G)、[5G，12G]。下面按照小粒度对频段进行划分，具体的[3G，3.5G)、[3.5G，5G)、[5G，8.5G)、[8.5G，12G]，然后针对上述不同的频段，对第一布拉格反射层211、第二布拉格反射层212以及压电层22的厚度进行描述。在下面介绍过程中，仍是依据第二布拉格反射层212的材料是氧化铪和氧化钽两种情况进行描述。
第一种所述第二布拉格反射层212的材料是氧化铪
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于140nm且小于或等820nm，或所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于1100nm且小于或等于1600nm；或者
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于60nm且小于或等于640nm，或所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于800nm且小于或等于1350nm；或者
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于30nm且小于或等于1250nm；或者
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于20nm且小于等于900nm。
在声表面波谐振器的频段在[3G，3.5G)时，第二布拉格反射层212的厚度[140nm，820nm]或[1100nm，1600nm]；
在声表面波谐振器的频段在[3.5G，5G)时，第二布拉格反射层212的厚度[60nm，640nm]或[800nm，1500nm]；
在声表面波谐振器的频段在[5G，8.5G)时，第二布拉格反射层212的厚度[30nm，1250nm]；
在声表面波谐振器的频段在[8.5G，12G]时，第二布拉格反射层212的厚度[20nm，900nm]。
相应的，在第二布拉格反射层212的材料是氧化铪时对应声表面波谐振器的频段对应的第一布拉格反射层211的厚度分别如下：
在声表面波谐振器的频段在[3G，3.5G)时，第一布拉格反射层211的厚度[230nm，1300nm]，或[1600nm，2200nm]；
在声表面波谐振器的频段在[3.5G，5G)时，第一布拉格反射层211的厚度[120nm，900nm]或[950nm，1900nm]；
在声表面波谐振器的频段在[5G，8.5G)时，第一布拉格反射层211的厚度[80nm，350nm]；
在声表面波谐振器的频段在[8.5G，12G]时，第一布拉格反射层211的厚度[30nm，230nm]。
相应的，压电层22的厚度分别如下：
在声表面波谐振器的频段在[3G，3.5G)时，压电层22的厚度[80nm，800nm]；
在声表面波谐振器的频段在[3.5G，5G)时，压电层22的厚度[35nm，650nm]；
在声表面波谐振器的频段在[5G，8.5G)时，压电层22的厚度[150nm，500nm]；
在声表面波谐振器的频段在[8.5G，12G]时，压电层22的厚度[100nm，250nm]。
第二种所述第二布拉格反射层212的材料是氧化坦；
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于140nm且小于或等于580nm，或所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于680nm且小于或等于720nm，或所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于1000nm且小于或等于1200nm；或者
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于80nm且小于或等于460nm，或所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于700nm且小于或等于1050nm；或者
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于60nm且小于或等于1000nm；或者
所述第二布拉格反射层212的厚度大于或等于30nm且小于或等于600nm。
在声表面波谐振器的频段在[3G，3.5G)时，第二布拉格反射层212的厚度[140nm，580nm]或[680nm，720nm]或[1000nm，1200nm]；
在声表面波谐振器的频段在[3.5G，5G)时，第二布拉格反射层212的厚度[80nm，460nm]或[700nm，1050nm]；
在声表面波谐振器的频段在[5G，8.5G)时，第二布拉格反射层212的厚度[60nm，1000nm]；
在声表面波谐振器的频段在[8.5G，12G]时，第二布拉格反射层212的厚度[30nm，600nm]。
相应的，第一布拉格反射层211的厚度分别如下：
所述第一布拉格反射层211的厚度大于或等于230nm且小于或等于1300nm，或所述第一布拉格反射层211的厚度大于或等于1600nm且小于或等于2200nm；或者
所述第一布拉格反射层211的厚度是大于或等于120nm且小于或等900nm，或所述第一 布拉格反射层211的厚度是大于或等于950nm且小于或等于1900nm；或者
所述第一布拉格反射层211的厚度大于或等于70nm且小于或等于370nm；或者
所述第一布拉格反射层211的厚度小于或等于50nm且大于或等于220nm。
在声表面波谐振器的频段在[3G，3.5G)时，第一布拉格反射层211的厚度[230nm，1300nm]或[1600nm，2200nm]；
在声表面波谐振器的频段在[3.5G，5G)时，第一布拉格反射层211的厚度[120nm，900nm]或[950nm，1900nm]；
在声表面波谐振器的频段在[5G，8.5G)时，第一布拉格反射层211的厚度[70nm，370nm]；
在声表面波谐振器的频段在[8.5G，12G]时，第一布拉格反射层211的厚度[50nm，220nm]。
相应的，压电层22的厚度分别如下：
在声表面波谐振器的频段在[3G，3.5G)时，压电层22的厚度[80nm，800nm]；
在声表面波谐振器的频段在[3.5G，5G)时，压电层22的厚度[35nm，650nm]；
在声表面波谐振器的频段在[5G，8.5G)时，压电层22的厚度[150nm，500nm]；
在声表面波谐振器的频段在[8.5G，12G]时，压电层22的厚度[150nm，260nm]。
上述针对[3G，3.5G)、[3.5G，5G)、[5G，8.5G)、[8.5G，12G]的频段划分，第一布拉格反射层211、第二布拉格反射层212以及压电层22的厚度具体可以参见下表二和表三。
表二
表三
注：上表中的功能层就是指第一布拉格反射层211、第二布拉格反射层212、压电层22，其中。为便于排版，将第二布拉格反射层212简称为第二，将第一布拉格反射层211简称为第一211。
上面是按照[3G，3.5G)、[3.5G，5G)、[5G，8.5G)、[8.5G，12G]的频段划分方式，对第一布拉格反射层211、第二布拉格反射层212以及压电层22的厚度进行描述，下面则将按照更小的粒度对频段进行划分[3G，3.5G)、[3.5G，4G)、[4G，4.5G)、[4.5G，5G)、[5G，5.5G)、[5.5G，6G)、[6G，6.5G)、[6.5G，7G)、[7G，7.5G)、[7.5G，8G)、[8G，8.5G)、[8.5G，9G)、[9G，9.5G)、[9.5G，10G)、[10G，10.5G)、[10.5G，11G)、[11G，11.5G)、[11.5G，12G]，具体的第一布拉格反射层211、第二布拉格反射层212以及反射层22的厚度具体可以参见下表四和表五，其中，表四是第二布拉格反射层212的材料是氧化铪的情况，表五是第二布拉格反射层211的材料是氧化坦的情况。
表四


表五


在本实用新型中，为进一步抑制声表面波向体方向泄漏，参见图3，声表面波谐振器还包括：
至少一组第二反射层组24，设置在所述至少一组第一反射层组21和所述衬底20之间，所述至少一组第二反射层组24中每组第二反射层组24包括第三布拉格反射层241和第四布拉格反射层242，所述第四布拉格反射层242的声阻抗大于所述第三布拉格反射层241的声阻抗；
其中，第四布拉格反射层242的材料是金属。
每组第二反射层组24包括第三布拉格反射层241和第四布拉格反射层242，第四布拉格反射层242的声阻抗大于第三布拉格反射层241的声阻抗，因此通常第三布拉格反射层241可以称为低声阻抗反射层，其材料可以与第一布拉格反射层211的材料相同，相应的第三布拉格反射层的厚度在不同频段，设置方式可以同第一布拉格反射层211。第四布拉格反射层242可以称为高声阻抗反射层，其材料与第二布拉格反射层212的材料不同，第四布拉格反射层242的材料可以是金属，例如钼Mo、铂Pt、钨W等，或者为其它金属。
在本技术方案中，第四布拉格反射层242的材料是金属，由于金属中包含的自由离子数量多于氧化物中包含的自由离子数量，因此金属层对声表面波的反射率要高于氧化物层对声表面波的反射率，且第四布拉格反射层242是在第一反射层组21和衬底20之间，也就是说第四布拉格反射层242距离叉指换能器23的距离要远于第二布拉格反射层212与叉指换能器23之间的距离，换句话说就是第四布拉格反射层242距离叉指换能器23的距离较远，从而能够减小第四布拉格反射层242与叉指换能器23之间产生的寄生电容。因此，即使第四布拉格反射层242的材料选用金属，在形成第四布拉格反射层242时，无需制备图形化的布拉格反射层，也不会增加制备工艺复杂度。因此，通过本技术方案，能够在不增加制备工艺复杂度的同时，进一步抑制声表面波向体方向泄漏。
第二方面，本实用新型还提供一种滤波器，包括第一方面中所述的声表面波谐振器。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

  1. 一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：
    衬底；
    至少一组第一反射层组，设置在所述衬底的上表面；
    压电层，设置在所述至少一组第一反射层组的上表面；
    叉指换能器，设置在所述压电层的上表面；
    其中，所述至少一组第一反射层组中每组第一反射层组中包括第一布拉格反射层和第二布拉格反射层，所述第二布拉格反射层的声阻抗大于所述第一布拉格反射层的声阻抗，所述第二布拉格反射层的材料是绝缘材料。
  2. 根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：
    至少一组第二反射层组，设置在所述至少一组第一反射层组和所述衬底之间，所述至少一组第二反射层组中每组第二反射层组包括第三布拉格反射层和第四布拉格反射层，所述第四布拉格反射层的声阻抗大于所述第三布拉格反射层的声阻抗；
    其中，所述第四布拉格反射层的材料是金属。
  3. 根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第二布拉格反射层的声阻抗大于或等于12.4×106千克/平方米*秒Kg/m2s且小于或等于60×106Kg/m2s；
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于60纳米nm且小于或等于1600nm；或者
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于20nm且小于或等于1250nm；或者
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于80nm且小于或等于580nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于700nm且小于或等于1200nm；或者
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于1000nm。
  4. 根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，
    所述第二布拉格反射层的材料是氧化铪，
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于60nm且小于或等于1600nm；或者
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于20nm且小于或等于1250nm；
    所述第二布拉格反射层的材料是氧化钽，
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于80nm且小于或等于580nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于700nm且小于或等于1200nm；或者
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于1000nm。
  5. 根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，
    所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于120nm且小于或等于2200nm；或者
    所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于370nm。
  6. 根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，
    所述压电层的厚度大于或等于35nm且小于或等于800nm；或者
    所述压电层的厚度大于或等于100nm且小于或等于500nm。
  7. 根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第二布拉格反射层的材料是氧化铪；
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于140nm且小于或等820nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于1100nm且小于或等于1600nm；或者
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于60nm且小于或等于640nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于800nm且小于或等于1350nm；或者
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于1250nm；或者
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于20nm且小于等于900nm。
  8. 根据权利要求7所述的声表面波谐振器，其特征在于，
    所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于230nm且小于或等于1300nm，或所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于1600nm且小于或等于2200nm；或者
    所述第一布拉格反射层的厚度是大于或等于120nm且小于或等900nm，或所述第一布拉格反射层的厚度是大于或等于950nm且小于或等于1900nm；或者
    所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于80nm且小于或等于350nm；或者
    所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于230nm。
  9. 根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第二布拉格反射层的材料是氧化坦；
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于140nm且小于或等于580nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于680nm且小于或等于720nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于1000nm且小于或等于1200nm；或者
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于80nm且小于或等于460nm，或所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于700nm且小于或等于1050nm；或者
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于60nm且小于或等于1000nm；或者
    所述第二布拉格反射层的厚度大于或等于30nm且小于或等于600nm。
  10. 根据权利要求9所述的声表面波谐振器，其特征在于，
    所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于230nm且小于或等于1300nm，或所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于1600nm且小于或等于2200nm；或者
    所述第一布拉格反射层的厚度是大于或等于120nm且小于或等900nm，或所述第一布拉格反射层的厚度是大于或等于950nm且小于或等于1900nm；或者
    所述第一布拉格反射层的厚度大于或等于70nm且小于或等于370nm；或者
    所述第一布拉格反射层的厚度小于或等于50nm且大于或等于220nm。
  11. 一种声表面波滤波器，其特征在于，包括如权利要求1-10任一权项所述的声表面波谐振器。
PCT/CN2023/077637 2022-03-11 2023-02-22 一种声表面波谐振器及滤波器 WO2023169209A1 (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202220562369.1 2022-03-11
CN202220562369.1U CN217363038U (zh) 2022-03-11 2022-03-11 一种声表面波谐振器及滤波器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023169209A1 true WO2023169209A1 (zh) 2023-09-14

Family

ID=83051677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2023/077637 WO2023169209A1 (zh) 2022-03-11 2023-02-22 一种声表面波谐振器及滤波器

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN217363038U (zh)
WO (1) WO2023169209A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN217363038U (zh) * 2022-03-11 2022-09-02 成都芯仕成微电子有限公司 一种声表面波谐振器及滤波器
CN117559952B (zh) * 2023-12-29 2024-08-16 深圳新声半导体有限公司 一种顶层设置抑制杂波单元的tc-saw谐振结构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207853857U (zh) * 2018-05-14 2018-09-11 杭州左蓝微电子技术有限公司 一种基于固体反射层的声表面波谐振器
WO2018182707A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Intel Corporation Devices including acoustic devices isolated using porous spin-on dielectrics, and related methods
WO2020092414A2 (en) * 2018-10-31 2020-05-07 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator
WO2021219050A1 (zh) * 2020-04-30 2021-11-04 诺思(天津)微系统有限责任公司 谐振器组件及其制造方法、半导体器件、电子设备
CN217363038U (zh) * 2022-03-11 2022-09-02 成都芯仕成微电子有限公司 一种声表面波谐振器及滤波器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018182707A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Intel Corporation Devices including acoustic devices isolated using porous spin-on dielectrics, and related methods
CN207853857U (zh) * 2018-05-14 2018-09-11 杭州左蓝微电子技术有限公司 一种基于固体反射层的声表面波谐振器
WO2020092414A2 (en) * 2018-10-31 2020-05-07 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator
WO2021219050A1 (zh) * 2020-04-30 2021-11-04 诺思(天津)微系统有限责任公司 谐振器组件及其制造方法、半导体器件、电子设备
CN217363038U (zh) * 2022-03-11 2022-09-02 成都芯仕成微电子有限公司 一种声表面波谐振器及滤波器

Also Published As

Publication number Publication date
CN217363038U (zh) 2022-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021077717A1 (zh) 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
WO2023169209A1 (zh) 一种声表面波谐振器及滤波器
WO2021120499A1 (zh) 电极具有空隙层与温补层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
US11990892B2 (en) Acoustic wave device with transverse spurious mode suppression
US7994878B2 (en) Acoustic wave device and high-frequency filter using the same
JP2004072715A (ja) 圧電薄膜共振子、圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品
WO2021114555A1 (zh) 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
Yang et al. Advanced RF filters for wireless communications
WO2022083352A1 (zh) 体声波谐振器及组件、滤波器、电子设备
US20150033520A1 (en) Piezoelectric film transfer for acoustic resonators and filters
KR20160069377A (ko) 체적 음향 공진기 및 필터
WO2020134803A1 (zh) 电极厚度不对称的体声波谐振器、滤波器和电子设备
CN110572138A (zh) 一种滤波装置及其制作方法
CN210405249U (zh) 一种滤波装置
WO2020134804A1 (zh) 顶电极连接部设有延伸结构的谐振器、滤波器和电子设备
CN111327293A (zh) 压电装置中的双极边界区域
JPWO2009066380A1 (ja) フィルタ、それを用いたデュプレクサおよびそのデュプレクサを用いた通信機
CN114553169A (zh) 利用凸起结构降低声阻抗的体声波谐振器、滤波器及电子设备
WO2020140654A1 (zh) 基于梁檐尺寸调整声学谐振器性能的装置和方法
US20220131523A1 (en) Electroacoustic device with conductive acoustic mirrors
US11621691B2 (en) Reflective structures for surface acoustic wave devices
CN112653414B (zh) 兰姆波谐振器及具备该兰姆波谐振器的滤波器和电子设备
WO2022194060A1 (zh) 厚度方向激励剪切模式的声学谐振器
CN219164537U (zh) 抑制能量横向泄露的薄膜体声波谐振器及体声波滤波器
US20220123733A1 (en) Acoustic wave filter

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23765787

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)