CN111092605A - 具有声学干涉阵列的体声波谐振器及组、滤波器及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：顶电极、压电层、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；所述谐振器在有效区域的边缘设置有声学不匹配结构；且所述谐振器的顶面设置有声学干涉阵列，所述声学干涉阵列包括覆盖有效区域的中心阵列，和覆盖声学不匹配结构的至少一部分的周边阵列。本发明还公开了一种体声波谐振器组，一种具有该谐振器或谐振器组的滤波器及具有上述谐振器或上述谐振器组或上述滤波器的电子设备。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器、一种体声波谐振器组、一种滤波器，以及一种电子设备。
背景技术
电子器件作为电子设备的基本元素，已经被广泛应用，其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外，未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。
薄膜体声波谐振器的结构主体为由电极-压电薄膜-电极组成的“三明治”结构，即两层金属电极层之间夹一层压电材料。通过在两电极间输入正弦信号，FBAR利用逆压电效应将输入电信号转换为机械谐振，并且再利用压电效应将机械谐振转换为电信号输出。
随着5G滤波器的性能要求越来越高，体声波谐振器的Q值需要不断提高以满足这一发展需要。
发明内容
为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
顶电极、压电层、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；
所述谐振器在有效区域的边缘设置有声学不匹配结构；且
所述谐振器的顶面设置有声学干涉阵列，所述声学干涉阵列包括覆盖有效区域的中心阵列，和覆盖声学不匹配结构的至少一部分的周边阵列。
本发明的实施例还涉及一种体声波谐振器组，包括至少两个上述的体声波谐振器，其中：
相邻两个体声波谐振器的相对的侧边之间设置有谐振器间阵列，所述谐振器间阵列为由凸起和/或凹陷形成的阵列。
本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器或谐振器组。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的谐振器或谐振器组。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1A为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的示意性俯视图；
图1B为示例性示出设置在图1A的体声波谐振器周围的外围声学干涉阵列的示意性俯视图；
图1C为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1A中的A1-A1线截得的体声波谐振器的局部的截面示意图；
图2A为示例性示出图1A中的ROI1部分的放大示意图；
图2B为示例性示出图1A中的ROI2部分的放大示意图；
图3A是根据本发明的一个实施例的、示出布置了声学干涉阵列的多边形环的示意性俯视图；
图3B是根据本发明的另一个实施例的、示出布置了声学干涉阵列的多边形环的示意性俯视图；
图3C是根据本发明的一个实施例的、示出有效区域设置的声学干涉阵列的示意性俯视图；
图4A为示例性示出阵列的一个阵列元素的结构图；
图5为示例性示出多个体声波谐振器相邻布置的示意性俯视图，其中在相邻的谐振器的相对边之间设置有谐振器间声学干涉阵列；
图6A为示例性示出第一阵列结构与第二阵列结构复合在一起的示意图；
图6B为示例性示出第一阵列结构与第二阵列结构复合在一起的示意图；
图7A为示例性示出第一阵列结构与第二阵列结构复合在一起的示意图；
图7B为示例性示出第一阵列结构与第二阵列结构复合在一起的示意图；
图7C为示例性示出第一阵列结构与第二阵列结构复合在一起的示意图；
图8A为示例性示出第一阵列结构、第二阵列结构和第三阵列结构复合在一起的示意图；
图8B为示例性示出第一阵列结构、第二阵列结构和第三阵列结构复合在一起的示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
本发明提出了一种将声学干涉阵列布置在体声波谐振器的顶面，包括有效区域的顶面以及至少一部分声学不匹配结构区域，以进一步提高谐振器的声学性能。
图1A为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的示意性俯视图，图1B为示例性示出设置在图1A的体声波谐振器周围的外围声学干涉阵列的示意性俯视图，图1C为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1A中的A1-A1线截得的体声波谐振器的局部的截面示意图。其中，各附图标记说明如下：
10：基底，可选材料为单晶硅、砷化镓、蓝宝石、石英等。
20：声学镜，可为空腔，也可采用布拉格反射层及其他等效形式。
30：底电极，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
40：压电薄膜层或压电层，可选氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸钾(KNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等材料，也可包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料。
50：顶电极，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
60：钝化层，材料可选氮化铝，二氧化硅，氮化硅，或金属的氧化物或氮化物。
70：声学干涉阵列，具体形式可以是凸起或凹陷，该阵列可以如图1C所示位于钝化层表面，也可以直接构建于顶电极50及位于其上的声学结构表面(如凸起、悬翼等的表面)。
在图1A-1C所示的实施例中，阵列70分布于根据声学结构划分出的如下若干区域：
a1:翼结构的上升倾斜部
c1:桥结构的上升倾斜部
其中：a1和c1共同形成多边环形区域
a2:翼结构的水平部
c2:桥结构的水平部
其中：a2和c2共同形成多边环形区域
b1:凸起结构(自成环形区域)
g1:凹陷结构(自成环形区域)
c3：桥结构下降倾斜部
c4：下降倾斜部与电极引脚之间的部分
p1：顶电极50位于凹陷环形的内侧部分
q1：整个顶电极50(含桥翼)的轮廓俯视投影之外的区域，如图1B所示。
声学干涉阵列70的具体布置方式可如图1A和图1B所示，固定阵列方向，通过谐振器的各个边界对阵列进行截取，截取原则为：保留完全落入某边界以内的阵列元素，落在边界之外和未完全落入边界的元素则被舍弃。
不过，上述布置方式存在如下问题：当元素排布方向与谐振器上的某边界平行时(如图2A所示，该图对应于图1A的ROI1区域)，阵列元素可沿该边界完好保留；当元素排布方向与谐振器上的某边界成一定角度时(如图2B所示，该图对应于图1A的ROI2区域)，阵列元素可能由于无法完全落入边界之内而被舍弃，从而造成元素缺失。
对于上述问题可采用元素分段排布进行缓解，即不再对整个谐振器的各个区域采用统一的阵列进行截取，而是将区域分块，并针对不同的局部区域块调整阵列方向。在本发明中，这里的阵列方向表示阵列的阵列元素的一个排布方向，该排布方向与区域或分块区域的边平行。
例如对于图3A所示的多边环形区域，可将其划分为如图所示的5个梯形区域，并对每个区域单独设置阵列方向，从而使阵列方向相对于每个梯形的底边都保持平行，从而显著减少元素缺失。图3B所示的是3A排布方式的一个特例，即每个梯形区域内仅存在单行阵列。但当采用笛卡尔坐标拓扑的阵列时，p1区域并不存在一种划分方式能够显著减少元素缺失，因此p1区域的阵列元素排布保持原来的方式，如图3C所示。图3A-3C分别是示例性示出布置了声学干涉阵列的多边形环的示意性俯视图、示例性示出布置了声学干涉阵列的多边形环的示意性俯视图、示例性示出有效区域设置的声学干涉阵列的示意性俯视图。
图4A为示例性示出阵列的一个阵列元素的结构图。如图4A所示，阵列中的元素可为圆柱形突起/凹陷，其中圆柱的半径为r1，高度/深度为h1。
图5为示例性示出多个体声波谐振器相邻布置的示意性俯视图，其中在相邻的谐振器的相对边之间设置有谐振器间声学干涉阵列。当多个本发明中的多个谐振器构成滤波器或其他电子器件时，位于每个滤波器q1区域(压电层表面)的阵列元素可共同构成如图5所示的排布，当谐振器顶电极(如R2和R3的顶电极)之间存在电学连接(CT1)时，阵列分布在所述连接结构表面，而被该结构覆盖的压电层上表面不存在阵列分布。
下面参照附图6A-8B描述可以应用于本发明的声学干涉阵列的复合阵列结构。需要指出的是，虽然以复合阵列结构进行说明，本发明中的声学干涉阵列可以使用单个阵列，这均在本发明的保护范围之内。
图6A为示例性示出第一阵列结构与第二阵列结构复合在一起的示意图，图6B为示例性示出第一阵列结构与第二阵列结构复合在一起的示意图，图6A和图6B中，两个阵列结构相对于彼此存在平移，图6A和图6B中的阵列为矩形阵列。
图6A中，通过将子阵列B的圆心相对于A的圆心沿水平方向平移距离a1，可将子阵列A和B复合成图6A中所示的阵列。
图6B为示例性示出第一阵列结构与第二阵列结构复合在一起的示意图。显然，子阵列B相对于A的平移方式不仅限于沿着水平方向进行，还可以像图6B所示，使B相对于A在水平方向平移距离a1，同时在竖直方向平移距离b1。图中h1表示纵向上阵列点之间的距离，w1表示横向上阵列点之间的距离。
图7A为示例性示出第一阵列结构与第二阵列结构复合在一起的示意图，图7B为示例性示出第一阵列结构与第二阵列结构复合在一起的示意图，图7C为示例性示出第一阵列结构与第二阵列结构复合在一起的示意图，在图7A-7C中，每个阵列为交错阵列。
图7A的阵列中，子阵列A和B中4个相邻元素的圆心均落在平行四边形的四个顶点上，所述平行四边形相邻边的边长分别为w2和h2，且相邻两边的锐夹角为α1。通过将阵列B的元素圆心相对于阵列A的元素圆心水平移动距离a1即可获得图7A的阵列。
在图7A中，在A阵列中，沿第一方向(图7A中横向)排列的相邻两行阵列元素中，一行中的两个相邻阵列元素与另一行中两个相邻阵列元素这四个阵列元素彼此相邻且为限定菱形的四个顶点。
若在图7A平移方式的基础上加入竖直平移距离b1,可获得图7B的阵列。
当上述平行四边形为特殊菱形(w2＝h2且α1＝60度)时，若将阵列B的元素圆心相对于阵列A的元素圆心沿竖直方向移动特定距离b1(b1满足：
)，可获得如图7C所示的阵列方式。其中阵列A和阵列B的元素间隔分布于正六边形的顶点上。
可以看到，在图7C中：在A阵列中，沿第一方向排列的相邻两行阵列元素中，一行中的一个阵列元素与另一行中的相邻两个阵列元素这三个阵列元素彼此相邻且限定等边三角形的三个顶点。
在图7C中，A阵列的多个阵列元素分别位于B阵列中的对应多个所述等边三角形的中心；且B阵列的多个阵列元素分别位于A阵列中的对应多个所述等边三角形的中心；或者A阵列与B阵列的阵列元素形成蜂巢状网状排布，或者所述A阵列与B阵列的阵列元素均构成网状相接排布的正六边形的顶点或位于该正六边形的顶点所在的位置。
以上的视图中，声学干涉结构仅仅具有A阵列和B阵列两个阵列，但也可以是其他数量的的阵列，只要保证至少有两个阵列的阵列元素的尺寸不同即可。
图8A为示例性示出第一阵列结构、第二阵列结构和第三阵列结构复合在一起的示意图，图8B为示例性示出第一阵列结构、第二阵列结构和第三阵列结构复合在一起的示意图。
在图8A所示阵列中，子阵列B1和B2中的元素具有相同尺寸，且子阵列B1和B2相对于阵列A以不同方向和距离平移。
在图8B所示阵列中，子阵列A、B、C中的元素具有不相同的半径RA、RB和RC，且子阵列B和C相对于阵列A以不同方向和距离平移。
在本发明图示的示例中，阵列元素的中心即为其几何中心，例如对于圆形的阵列元素，其中心为圆心。阵列元素的圆心构成点阵列。
在本发明图示的示例中，阵列元素均为圆形的横截面的形状，但是，本发明不限于此，例如阵列元素可以具有矩形、三角形、其他多边形等截面形状。
对于同一阵列，其阵列元素可以是凸起，也可以是凹陷。不同的阵列，其阵列元素可以均是凸起，也可以均是凹陷，或者既包括凹陷也包括凸起。
此外，不同的阵列元素，其形状可以相同，也可以不同。这里的相同，表示两个阵列的阵列元素的截面形状构成几何相似，不同即是不构成几何相似。
在本发明中，设置声学干涉阵列，可以进一步提高与压电层声阻抗不匹配程度，有利于提高谐振器的Q值。
此外，在声学干涉阵列设置在有效区域内时，例如在p1区域内的声学干涉阵列还可以作为质量负载结构，来调整谐振器的频率。在p1区域内的阵列结构包含2种及两种以上尺寸的微观阵列结构的情况下，可以在调节谐振器频率的基础上更为有效的抑制谐振器中产生的寄生模式，提高谐振器性能。具体而言，两种及以上尺寸的微观阵列的最小周期单元具有重叠部分，使得声波在重叠区域能够发生干涉作用，从而能够增强对特定频率范围的声波的束缚能力，这一频率下的谐振器Q值增大。
具体的，声学干涉阵列70，例如位于有效区域内的部分，可以是由顶电极50本身材料形成的凸起或在顶电极50上形成的凹陷；或者可以是由钝化层60的材料形成的凸起或者凹陷。此外声学干涉阵列70的材料也可以不同于顶电极50或钝化层60，例如当钝化层60材料为氮化铝时，阵列70的材料可以选用二氧化硅或金属氧化物等。
在本发明中，提到的数值范围除了可以为端点值之外，还可以为端点值之间的中值或者其他值，均在本发明的保护范围之内。
如本领域技术人员能够理解的，根据本发明的体声波谐振器可以用于形成滤波器。
基于以上，本发明提出了如下技术方案：
1、一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
顶电极、压电层、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；
所述谐振器在有效区域的边缘设置有声学不匹配结构；且
所述谐振器的顶面设置有声学干涉阵列，所述声学干涉阵列包括覆盖有效区域的中心阵列，和覆盖声学不匹配结构的至少一部分的周边阵列。
2、根据1所述的谐振器，其中：
所述声学不匹配结构包括凹陷结构、凸起结构、悬翼结构和桥结构中的至少一种结构。
3、根据2所述的谐振器，其中：
声学不匹配结构包括凹陷结构、凸起结构、悬翼结构和桥结构，其中凹陷结构和凸起结构设置在有效区域与悬翼结构之间、以及设置在有效区域与桥结构之间，所述悬翼结构设置在顶电极的非引脚端，所述桥结构设置在顶电极引脚端。
4、根据3所述的谐振器，其中：
所述凹陷结构构成围绕有效区域的环形凹陷；
所述凸起结构构成围绕有效区域的环形凸起；
所述悬翼结构的上升倾斜部与所述桥结构的上升倾斜部构成围绕有效区域的环形上升倾斜部；
所述悬翼结构的水平部与所述桥结构的水平部构成围绕有效区域的环形水平部。
5、根据2-4中任一项所述的谐振器，其中：
所述周边阵列覆盖凹陷结构、凸起结构、悬翼结构和桥结构中的至少一种结构。
6、根据4所述的谐振器，其中：
所述周边阵列包括分别覆盖环形凹陷、环形凸起、环形上升倾斜部、环形水平部的第一阵列、第二阵列、第三阵列和第四阵列。
7、根据6所述的谐振器，其中：
所述有效区域为多边形，且环形凹陷、环形凸起、环形上升倾斜部、环形水平部分别为围绕有效区域的第一多边形环、第二多边形环、第三多边形环和第四多边形环；
每一个多边形环包括顶角，在多边形环的周向方向上，第一阵列、第二阵列、第三阵列和第四阵列中的每一个被分为多个梯形区域，所述多个梯形区域以顶角分隔开；
至少一个所述梯形区域中阵列的阵列方向与其所在的梯形区域的底边保持平行。
8、根据7所述的谐振器，其中：
每一个所述梯形区域中阵列的阵列方向与其所在的梯形区域的底边保持平行。
9、根据4所述的谐振器，其中：
所述周边阵列还包括覆盖桥结构的下降倾斜部的阵列；或
所述周边阵列还包括覆盖桥结构的下降倾斜部的阵列以及覆盖下降倾斜部与电极引脚之间的至少一部分的阵列。
10、根据1-9中任一项所述的谐振器，其中：
中心阵列和周边阵列中的至少一个包括至少两种阵列结构，所述至少两种阵列结构包括第一阵列结构与第二阵列结构；
第一阵列结构的第一阵列元素的中心形成第一点阵列，第二阵列结构的第二阵列元素的中心形成第二点阵列，第二点阵列是相对于第一点阵列平面旋转或平面平移而获得的点阵列，且两个阵列结构的相邻阵列元素彼此间隔开；
第一阵列元素的尺寸不同于第二阵列元素的尺寸。
11、根据10所述的谐振器，其中：
所述至少两种阵列结构还包括第三阵列结构；
第三阵列结构的第三阵列元素的中心形成第三点阵列，第三点阵列是相对于第一点阵列平面旋转或平面平移而获得的点阵列；且
三个阵列结构的相邻阵列元素彼此间隔开。
12、根据10所述的谐振器，其中：
第一阵列元素与第二阵列元素的几何形状相同或者构成几何相似；或
第一阵列元素的形状不同于第二阵列结构的形状。
13、根据12所述的谐振器，其中：
第一阵列元素和第二阵列元素的形状均为圆形截面。
14、根据13所述的谐振器，其中：
阵列元素为凸起或凹陷。
15、根据14所述的谐振器，其中：
同一阵列结构中，阵列元素同为凸起或凹陷。
16、根据10所述的谐振器，其中：
在每一个点阵列中，在第一方向上，阵列点之间以第一间距彼此间隔开；且
在与第一方向垂直的第二方向上，阵列点之间以第二间距彼此间隔开。
17、根据1-9中任一项所述的谐振器，其中：
中心阵列和周边阵列中的至少一个包括单阵列结构。
18、根据1-17中任一项所述的谐振器，其中：
所述谐振器的外围还设置有围绕谐振器布置的外围声学干涉阵列，所述外围声学干涉阵列为由凸起和/或凹陷形成的阵列。
19、一种体声波谐振器组，包括至少两个根据1-18中任一项所述的体声波谐振器，其中：
相邻两个体声波谐振器的相对的侧边之间设置有谐振器间阵列，所述谐振器间阵列为由凸起和/或凹陷形成的阵列。
20、根据19所述的体声波谐振器组，其中：
相邻两个体声波谐振器均为根据18所述的谐振器，且所述外围声学干涉阵列构成所述谐振器间阵列的至少一部分。
21、一种滤波器，包括根据1-18中任一项所述的体声波谐振器或根据18或19所述的体声波谐振器组。
22、一种电子设备，包括根据21所述的滤波器或者根据1-18中任一项所述的体声波谐振器或者根据19或20所述的体声波谐振器组。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (22)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
顶电极、压电层、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；
所述谐振器在有效区域的边缘设置有声学不匹配结构；且
所述谐振器的顶面设置有声学干涉阵列，所述声学干涉阵列包括覆盖有效区域的中心阵列，和覆盖声学不匹配结构的至少一部分的周边阵列。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述声学不匹配结构包括凹陷结构、凸起结构、悬翼结构和桥结构中的至少一种结构。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
声学不匹配结构包括凹陷结构、凸起结构、悬翼结构和桥结构，其中凹陷结构和凸起结构设置在有效区域与悬翼结构之间、以及设置在有效区域与桥结构之间，所述悬翼结构设置在顶电极的非引脚端，所述桥结构设置在顶电极引脚端。
4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述凹陷结构构成围绕有效区域的环形凹陷；
所述凸起结构构成围绕有效区域的环形凸起；
所述悬翼结构的上升倾斜部与所述桥结构的上升倾斜部构成围绕有效区域的环形上升倾斜部；
所述悬翼结构的水平部与所述桥结构的水平部构成围绕有效区域的环形水平部。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的谐振器，其中：
所述周边阵列覆盖凹陷结构、凸起结构、悬翼结构和桥结构中的至少一种结构。
6.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
所述周边阵列包括分别覆盖环形凹陷、环形凸起、环形上升倾斜部、环形水平部的第一阵列、第二阵列、第三阵列和第四阵列。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述有效区域为多边形，且环形凹陷、环形凸起、环形上升倾斜部、环形水平部分别为围绕有效区域的第一多边形环、第二多边形环、第三多边形环和第四多边形环；
每一个多边形环包括顶角，在多边形环的周向方向上，第一阵列、第二阵列、第三阵列和第四阵列中的每一个被分为多个梯形区域，所述多个梯形区域以顶角分隔开；
至少一个所述梯形区域中阵列的阵列方向与其所在的梯形区域的底边保持平行。
8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
每一个所述梯形区域中阵列的阵列方向与其所在的梯形区域的底边保持平行。
9.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
所述周边阵列还包括覆盖桥结构的下降倾斜部的阵列；或
所述周边阵列还包括覆盖桥结构的下降倾斜部的阵列以及覆盖下降倾斜部与电极引脚之间的至少一部分的阵列。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的谐振器，其中：
中心阵列和周边阵列中的至少一个包括至少两种阵列结构，所述至少两种阵列结构包括第一阵列结构与第二阵列结构；
第一阵列结构的第一阵列元素的中心形成第一点阵列，第二阵列结构的第二阵列元素的中心形成第二点阵列，第二点阵列是相对于第一点阵列平面旋转或平面平移而获得的点阵列，且两个阵列结构的相邻阵列元素彼此间隔开；
第一阵列元素的尺寸不同于第二阵列元素的尺寸。
11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
所述至少两种阵列结构还包括第三阵列结构；
第三阵列结构的第三阵列元素的中心形成第三点阵列，第三点阵列是相对于第一点阵列平面旋转或平面平移而获得的点阵列；且
三个阵列结构的相邻阵列元素彼此间隔开。
12.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
第一阵列元素与第二阵列元素的几何形状相同或者构成几何相似；或
第一阵列元素的形状不同于第二阵列结构的形状。
13.根据权利要求12所述的谐振器，其中：
第一阵列元素和第二阵列元素的形状均为圆形截面。
14.根据权利要求13所述的谐振器，其中：
阵列元素为凸起或凹陷。
15.根据权利要求14所述的谐振器，其中：
同一阵列结构中，阵列元素同为凸起或凹陷。
16.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
在每一个点阵列中，在第一方向上，阵列点之间以第一间距彼此间隔开；且
在与第一方向垂直的第二方向上，阵列点之间以第二间距彼此间隔开。
17.根据权利要求1-9中任一项所述的谐振器，其中：
中心阵列和周边阵列中的至少一个包括单阵列结构。
18.根据权利要求1-17中任一项所述的谐振器，其中：
所述谐振器的外围还设置有围绕谐振器布置的外围声学干涉阵列，所述外围声学干涉阵列为由凸起和/或凹陷形成的阵列。
19.一种体声波谐振器组，包括至少两个根据权利要求1-18中任一项所述的体声波谐振器，其中：
相邻两个体声波谐振器的相对的侧边之间设置有谐振器间阵列，所述谐振器间阵列为由凸起和/或凹陷形成的阵列。
20.根据权利要求19所述的体声波谐振器组，其中：
相邻两个体声波谐振器均为根据权利要求18所述的谐振器，且所述外围声学干涉阵列构成所述谐振器间阵列的至少一部分。
21.一种滤波器，包括根据权利要求1-18中任一项所述的体声波谐振器或根据权利要求18或19所述的体声波谐振器组。
22.一种电子设备，包括根据权利要求21所述的滤波器或者根据权利要求1-18中任一项所述的体声波谐振器或者根据权利要求19或20所述的体声波谐振器组。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Bulk acoustic wave resonators and banks, filters and electronic equipment with acoustic interference arrays Effective date of registration: 20210908 Granted publication date: 20210601 Pledgee: Tianjin TEDA Haihe intelligent manufacturing industry development fund partnership (L.P.) Pledgor: ROFS MICROSYSTEM(TIANJIN) Co.,Ltd. Registration number: Y2021980009022 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20240130 Granted publication date: 20210601 |
|
| PP01 | Preservation of patent right |