CN109831175B - 一种薄膜体声波谐振器 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 60
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 20
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 20
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 20
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- QGMWCJPYHVWVRR-UHFFFAOYSA-N tellurium monoxide Chemical compound [Te]=O QGMWCJPYHVWVRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及通信领域，提供一种薄膜体声波谐振器，包括位置关系依次相连的顶电极、压电层、底电极、声反射结构、基底以及厚度大于预设值的温度补偿层；其中，所述温度补偿层还用于调节所述薄膜体声波谐振器的面积。本发明与现有技术相比，使得薄膜体声波谐振器在具有较高机电耦合系数的同时，能够使其温度频率漂移系数保持不变，并且还可以使得薄膜体声波谐振器的面积增大。
Description
技术领域
本发明涉及通信领域，特别地涉及一种薄膜体声波谐振器。
背景技术
近年来随着无线通讯技术的不断发展，薄膜体声波谐振器在射频前端应用中的优势越来越明显，其中薄膜体声波谐振器是体声波器件的基本组成部分。该类型谐振器是一种基于压电技术的元器件，其尺寸极小，比单纯以电磁波为传播信号的元器件尺寸小4～5个数量级；插损小，Q值高(可达1000以上)(Q值即品质因数值)，工作频率高，可承受的功率容量比声表面波器件更大；并且可以与CMOS(CMOS为互补金属氧化物半导体的英文缩写)工艺兼容。鉴于以上优点薄膜体声波谐振器技术迅速占领了射频通信市场。同时，在传感器领域如生化检测等方面也有着广阔的应用前景。
薄膜体声波谐振器是一种利用声波谐振实现相同频率的电信号选频的谐振器，其核心部分是由顶电极-压电层-底电极三明治结构组成的，它一般工作在能陷-厚度振动模式。
薄膜体声波谐振器的压电层、金属或电介层的厚度以及其内的声速都随温度的变化而变化，因此压电声波谐振器的谐振频率也随温度的变化而变化。尽管各层随温度变化而产生的厚度膨胀或收缩会影响谐振频率，但各层内声波传播速度随温度的改变是影响压电声波谐振器谐振频率随温度改变的主要原因。目前应用在压电声波谐振器中的大部分材料都呈现出负的温度系数，即随温度的升高声速会变小，因为材料在较高温下会变“软化”(例如，跨原子力被减弱)。跨原子力的减小会导致材料弹性系数的减小，从而减小声速。由压电声波谐振器构成的射频(RF)滤波器通常有一个通带频率响应，压电声波谐振器的频率温度系数(TCF)会降低射频(RF)滤波器的制造良率，因为由压电声波谐振器所构成的设备或器件只有在一定温度范围内才能满足通带带宽的要求。为了得到低的频率温度系数，一种常用的方法是在压电声波谐振器层叠结构中增加温度补偿层，具体可以是增加一层二氧化硅(SiO2)温度补偿层材料。同时，在薄膜体声波谐振器的性能指标中，机电耦合系数(Kt)值是谐振器的一项重要参数，这项参数代表了谐振器转换机械能和电能的能力。为了提高谐振器的机电耦合系数，一种常用的方法为在压电材料中掺杂稀土元素。
但是，如图1所示(横轴为Sc的掺杂量，纵轴为温度频率漂移系数)，随着谐振器压电层中掺杂的稀土元素含量的增多(图1中的稀土元素为钪Sc)，会导致谐振器的温度频率漂移系数的恶化，同时也会伴随着谐振器面积的减小，而谐振器面积减小时会导致谐振器有效区域中泄露的能量增加，因而使其Q降低并且会导致谐振器中杂波的增多。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种薄膜体声波谐振器，使得薄膜体声波谐振器在具有较高机电耦合系数的同时，能够使其温度频率漂移系数保持不变，并且还可以使薄膜体声波谐振器的面积增大。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种薄膜体声波谐振器，包括位置关系依次相连的顶电极、压电层、底电极、声反射结构、基底以及厚度大于预设值的温度补偿层；其中，所述温度补偿层还用于调节所述薄膜体声波谐振器的面积。
本发明中温度补偿层的厚度大于预设值，即通过增加温度补偿层的厚度，来弥补因压电层随掺杂稀土元素含量的增多而导致温度补偿层的温度频率漂移系数恶化的情形，最终能够使得薄膜体声波谐振器的温度频率漂移系数基本保持不变。由于在增加温度补偿层的厚度的同时，会导致薄膜体声波谐振器机电耦合系数的降低，结合背景技术的原理可知，当减小薄膜体声波谐振器的机电耦合系数时，会使得薄膜体声波谐振器的面积变大。从而可以减小薄膜体声波谐振器由于面积过小而导致的能量泄露，提高了薄膜体声波谐振器的Q值，同时能够减小杂波的产生。即通过增加温度补偿层的厚度，能够使得薄膜体声波谐振器在具有较高机电耦合系数的同时，保持其温度频率漂移系数不变，并且还可以使得薄膜体声波谐振器的面积增大。
可选的，所述压电层掺杂有稀土元素。
可选的，所述稀土元素为以下任意一种或其任意组合：镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钇以及钪。
可选的，所述温度补偿层位于所述压电层之中。
可选的，所述温度补偿层为两层；其中一层温度补偿层位于所述顶电极之中，另一层温度补偿层位于所述压电层之中。
可选的，所述温度补偿层为两层；其中一层温度补偿层位于所述底电极之中，另一层温度补偿层位于所述压电层之中。
可选的，所述压电层的其中一部分掺杂有稀土元素；所述温度补偿层位于掺杂有稀土元素的部分压电层中。
可选的，所述压电层在该压电层的厚度方向上掺杂不同比例的稀土元素。
可选的，由所述底电极至所述顶电极的方向上掺杂的稀土元素的比例越来越高。
可选的，由所述底电极至所述顶电极的方向上掺杂的稀土元素的比例越来越低。
可选的，所述顶电极具有桥翼结构，所述桥翼结构的尾部与所述压电层之间具有空气隙，并且所述桥翼结构对应位于所述声反射结构内部；和/或，所述顶电极具有桥部结构，且所述桥部结构的中心与所述压电层之间具有空气隙。
可选的，所述声反射结构为声学镜。
可选的，所述声学镜位于所述基底的上表面或嵌于所述基底的内部。
附图说明
附图用于更好地理解本发明，不构成对本发明的不当限定。其中：
图1是现有技术稀土元素的掺杂量与温度补偿系数的坐标图；
图2是第一实施方式中薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图3是第二实施方式中薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图4是第二实施方式中薄膜体声波谐振器的另一结构示意图；
图5是第二实施方式中薄膜体声波谐振器的另一结构示意图；
图6是第二实施方式中薄膜体声波谐振器的另一结构示意图；
图7是第二实施方式中薄膜体声波谐振器的另一结构示意图；
图8是第三实施方式中薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图9是第四实施方式中薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图10是第五实施方式中薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图11是第六实施方式中薄膜体声波谐振器的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施例涉及一种薄膜体声波谐振器。如图2所示，薄膜体声波谐振器包括位置关系依次相连的顶电极201、压电层202、底电极203、声反射结构204、基底205以及厚度大于预设值的温度补偿层206。其中，所述温度补偿层206用于调节所述薄膜体声波谐振器的面积。所述温度补偿层206位于所述压电层202之中。所述温度补偿层为两层，其材料可以相同也可以不同。其中，所述声反射结构204为声学镜。所述声学镜位于所述基底205的上表面或嵌于所述基底205的内部。在图2中声学镜为嵌入基底205中的空腔所构成，但是任何其它的声学镜结构如布拉格反射器也同样适用。
值得一提的是，顶电极201和底电极203的材料可以由金(Au)、钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)，钌(Ru)、铱(Ir)、钛钨(TiW)、铝(Al)、钛(Ti)等类似金属形成。
压电层202的材料可以为氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸钾(KNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等。上述压电材料为压电薄膜，厚度小于10微米。氮化铝薄膜为多晶形态或者单晶形态，生长方式为薄膜溅射(sputtering)或者有机金属化学气相沉积法(MOCVD)。
温度补偿层206的材料可以为多晶硅、硼磷酸盐玻璃(BSG)、二氧化硅(SiO2)、铬(Cr)或碲氧化物(TeO(x))。
优选的，所述压电层202掺杂有稀土元素。其中，所述稀土元素可以为以下任意一种或其任意组合：镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)、钇(Y)以及钪(Sc)。所述稀土元素优选为钪，所述压电层材料优选为氮化铝。
本实施例中，对于特定的技术指标要求，振动频率f是固定的。而阻抗Z和f的关系由如下表达式确定：
Z＝d/(j2πfC) (1)
其中，j是虚数单位。而C是谐振器的电容，可近似表示为：
C＝εA/d (2)
其中，ε是压电材料的介电常数，A是谐振器的有效面积，d是谐振器声学结构的厚度。
而频率f和声波在压电材料中传播的速度v以及声学结构厚度之间又有如下关系：
f＝v/(2d) (3)
将公式(2)和(3)式代入公式(1)中，可将Z表示成：
Z＝d*d/(jπvεA) (4)
对于特定结构的滤波器而言，其滤波器中薄膜体声波谐振器的阻抗是固定值。实验表明当氮化铝结构的压电层202中掺入稀土元素(如钪)杂质时，声波在其中传播的速度将变慢。由于要求频率f保持不变，那么若通过掺杂使速度v变为原先的1/k时，相应的压电层202厚度也应变为原先的1/k才能保证(3)式仍然成立。同时，注意到(4)式右边的分子为d*d，因此分子变为原来的1/(k*k)。又由于要求Z也不能发生变化，因此面积A也要相应的变为原来的1/k，才能保证(4)式仍然成立。那么结果是，通过对氮化铝结构的压电层202掺杂稀土元素，可使压电层202的厚度和面积均减小为原先的1/k。
但是当薄膜体声波谐振器的面积过小时，会导致薄膜体声波谐振器的周长面积比增大，从而薄膜体声波谐振器产生的横向模式的波在谐振器的边缘处反射回有效区域内的能量减少，导致薄膜体声波谐振器的Q值降低。同时当薄膜体声波谐振器的面积过小时，也会导致薄膜体声波谐振器边缘处横向模式的波被反射的路径变短，减弱了其相互间抵消作用，进而使得薄膜体声波谐振器中杂波增多。而且随着压电层202掺杂稀土元素的含量增加时，薄膜体声波谐振器温补层的温度频率漂移系数则会越来越差。
综上所述，由于在增加温度补偿层206厚度的同时，会导致薄膜体声波谐振器的机电耦合系数降低，结合背景技术的原理可知当减小薄膜体声波谐振器的机电耦合系数时，能够使得薄膜体声波谐振器的面积变大。从而可以减小薄膜体声波谐振器由于面积过小而导致的能量泄露，提高了薄膜体声波谐振器的Q值，同时能够减小杂波的产生。即通过增加温度补偿层206的厚度，能够使得薄膜体声波谐振器在具有较高的机电耦合系数的同时，能够保持温度频率漂移系数不变，并且还可以使得薄膜体声波谐振器的面积增大。值得一提的是，所述温度补偿层厚度调节之后，将所述谐振器的温度频率漂移系数设置为优于-30ppm/℃。并且所述谐振器的面积不小于1000μm2。
本发明的第二实施例涉及一种薄膜体声波谐振器，本实施例中温度补偿层为两层。
如图3所示，所述温度补偿层206为两层。其中一层温度补偿层206位于所述顶电极201之中，另一层温度补偿层206位于所述压电层202之中。具体的，温度补偿层206为两层包括第一温补层2061，第二温补层2062。第一温补层2061位于所述顶电极201之中。第二温补层2062位于所述压电层202之中。由于温度补偿层206通常是由绝缘材料组成，所以当温度补偿层206位于两电极(顶电极201和底电极203)与压电层202之间就作为一个串联电容，两电极之间的部分电压会落在温度补偿层206上，从而使得压电层202内的压降减小，压电层202内的电场强度也相应减小，因此对上述谐振器的机电耦合系数会产生影响。
当一部分温度补偿层206包裹在顶电极201之内后，由于在温度补偿层206的周围电极是相连接的，故在温度补偿层206周围的顶电极201中具有相同的电势，所以在包裹在顶电极201中的温度补偿层206中的电场强度接近为零。该谐振器顶电极201和底电极203之间落在压电层202之内的压降增大，使得该谐振器的机电耦合系数相比增大。
如图4所示，所述温度补偿层206为两层。其中一层温度补偿层206位于所述底电极203之中，另一层温度补偿层206位于所述压电层202之中。具体的，温度补偿层206为两层包括第三温补层2063，第四温补层2064。第三温补层2063位于所述压电层202之中。第四温补层2064位于所述底电极203之中。由于温度补偿层206通常是由绝缘材料组成，所以当温度补偿层206位于两电极(顶电极201和底电极203)与压电层202之间就作为一个串联电容，两电极之间的部分电压会落在温度补偿层206上，从而使得压电层202内的压降减小，压电层202内的电场强度也相应减小，因此对上述谐振器的机电耦合系数会产生影响。
当一部分温度补偿层206包裹在底电极203之内后，由于在温度补偿层206的周围电极是相连接的，故在温度补偿层206周围的底电极203中具有相同的电势，所以在包裹在底电极203中的温度补偿层206中的电场强度接近为零。该谐振器底电极203和底电极203之间落在压电层202之内的压降增大，使得该谐振器的机电耦合系数相比增大。
如图5所示，所述温度补偿层206为两层。其中一层温度补偿层2065位于所述顶电极201之中，另一层温度补偿层2066位于所述底电极203之中。或者，如图6所示，两层温度补偿层206都位于顶电极201之中。或者，如图7所示，其中两层温度补偿层都位于底电极203之中。
本发明的第三实施例涉及一种薄膜体声波谐振器，本实施例中对压电层进行不对称掺杂稀土元素。
如图8所示，所述压电层202的其中一部分掺杂有稀土元素。所述温度补偿层206位于掺杂有稀土元素的部分压电层202中。图5中将压电层202的其中一部分如标注2021掺杂有稀土元素，压电层202的另一部分如标注2022不掺杂稀土元素。
通常情况下，在压电层202的其中一部分掺杂的稀土元素的原子半径通常比压电层202本身的原子半径大，故会引起压电层202的应力发生变化，而压电层202中只有其中一部分掺杂了稀土元素，所以掺杂了稀土元素的那部分压电层202的应力最大，从而在掺杂部分的压电层202中加入较薄的温度补偿层206就能起到最好的温补效果。而且可以通过改变压电层202中稀土元素的掺杂方式，来改变压电层202中的应力变化情况，进而可以灵活改变温度补偿层206所在的位置，可以使得薄膜体声波谐振器在设计时在不影响其它性能的同时，能够具有更强的灵活性。再者，由于掺入稀土元素后压电层202应力的变化，会导致压电层202材料中的电偶极子发生改变，当对压电层202施加一电场时，压电层202的材料中就会产生更大的机械响应，从而可以使得薄膜体声波谐振器获得更高的机电耦合系数，进而能够弥补由于加入温度补偿层206后所导致的薄膜体声波谐振器机电耦合系数降低的情况。
优选的，所述压电层202在该压电层202的厚度方向上掺杂不同比例的稀土元素。
比如，由所述底电极203至所述顶电极201的方向上掺杂的稀土元素的比例越来越高。具体地说，假设，以顶电极201所在平面为上平面，以基底205所在平面为下平面。压电层202中掺杂的稀土元素的比例从下至上越来越高。故，在压电层202的上表面具有最大的应力，因此可以将温度补偿层206部分放在压电层202的上表面，就能起到最好的温补效果，同时可以提高薄膜体声波谐振器的Q值。而且由于掺入稀土元素后压电层202材料中应力的变化，会导致压电层202材料中的电偶极子发生改变，当对压电材料施加一电场时，压电层202材料中就会产生更大的机械响应，从而可以使得谐振器获得更高的机电耦合系数，进而能够弥补由于加入温补层后所导致的谐振器机电耦合系数的降低。
或者，由所述底电极203至所述顶电极201的方向上掺杂的稀土元素的比例越来越低。具体地说，假设，以顶电极201所在平面为上平面，以基底205所在平面为下平面。压电层202中掺杂的稀土元素的比例从下至上越来低。故，在压电层202的下表面具有最大的应力，因此可以将温度补偿层206部分放在压电层202的下表面就能起到最好的温补效果，同时可以提高薄膜体声波谐振器的Q值。
本发明的第四实施例涉及一种薄膜体声波谐振器，本实施例中顶电极具有桥翼结构。
如图9所示，所述顶电极201具有桥翼结构601。所述桥翼结构601的尾部与所述压电层202之间具有空气隙602，并且所述桥翼结构601对应位于所述声反射结构204内部。具体地说，结合图6所示的方向，所述桥翼结构601在厚度方向上的投影位于薄膜体声波谐振器的声反射结构204以内。由于桥翼结构601与压电层202之间具有空气隙602，空气隙602中的声阻抗与薄膜体声波谐振器有效区域中的声阻抗不匹配，能够进一步将薄膜体声波谐振器中横向模式的声波反射回薄膜体声波谐振器内，并有一部分声波能量转成与谐振器垂直模式的波，从而使得薄膜体声波谐振器的Q值进一步提高。而通过增加温度补偿层206的厚度，使得在薄膜体声波谐振器压电层掺杂稀土元素含量增多时，具有较高机电耦合系数的同时，使其温度频率漂移系数不变，同时使得薄膜体声波谐振器的面积不至于过小。优选的，薄膜体声波谐振器还包括平坦层603。平坦层603的材料可以为二氧化硅、氮化硅、碳化硅等合适的介质材料。平坦层603位于所述压电层202和所述基底205之间，且所述平坦层603位于所述底电极203的其中一端且与所述底电极203的末端对齐，从而形成平整光滑的表面，有助于在底电极203与平坦层603的连接处沉积良好的压电薄膜。
本发明的第五实施例涉及一种薄膜体声波谐振器，本实施例中顶电极具有桥部结构。
如图10所示，所述顶电极201具有桥部结构701。所述桥部结构701的中心与所述压电层202之间具有空气隙602。由于桥部结构701下空气隙602中的声阻抗与薄膜体声波谐振器有效区域中的声阻抗不匹配，能够进一步将薄膜体声波谐振器中横向模式的声波反射回谐振器内，并有一部分声波能量转成与谐振器垂直模式的波，从而使得薄膜体声波谐振器的Q值进一步提高。而通过增加温度补偿层206的厚度，使得在薄膜体声波谐振器压电层掺杂稀土元素含量增多时，具有较高机电耦合系数的同时，使其温度频率漂移系数不变，同时使得薄膜体声波谐振器的面积不至于过小。优选的，薄膜体声波谐振器还包括平坦层603。平坦层603的材料可以为二氧化硅、氮化硅、碳化硅等合适的介质材料。平坦层603位于所述压电层202和所述基底205之间，且所述平坦层603位于所述底电极203的其中一端且与所述底电极203的末端对齐，从而形成平整光滑的表面，有助于在底电极203与平坦层603的连接处沉积良好的压电薄膜。
本发明的第六实施例涉及一种薄膜体声波谐振器，本实施例中所述顶电极既具有桥翼结构又具有桥部结构。
如图11所示，所述顶电极201具有桥翼结构601，所述桥翼结构601的尾部与所述压电层202之间具有空气隙602。并且所述桥翼结构601对应位于所述声反射结构204内部。具体地说，结合图6所示的方向，所述桥翼结构601在厚度方向上的投影位于薄膜体声波谐振器的声反射结构204以内。由于桥翼结构601与压电层202之间具有空气隙602，空气隙602中的声阻抗与薄膜体声波谐振器有效区域中的声阻抗不匹配，能够进一步将薄膜体声波谐振器中横向模式的声反射回薄膜体声波谐振器内，并有一部分声波能量转成与谐振器垂直模式的波，从而使得薄膜体声波谐振器的Q值进一步提高。
所述顶电极201具有桥部结构701。所述桥部结构701的中心与所述压电层202之间具有空气隙602。由于桥部结构701下空气隙602中的声阻抗与薄膜体声波谐振器有效区域中的声阻抗不匹配，能够进一步将薄膜体声波谐振器中横向模式的声反射回谐振器内，并有一部分声波能量转成与谐振器垂直模式的波，从而使得薄膜体声波谐振器的Q值进一步提高。
优选的，薄膜体声波谐振器还包括平坦层603。平坦层603的材料可以为二氧化硅、氮化硅、碳化硅等合适的介质材料。平坦层603位于所述压电层202和所述基底205之间，且所述平坦层603位于所述底电极203的其中一端且与所述底电极203的末端对齐，从而形成平整光滑的表面，有助于在底电极203与平坦层603的连接处沉积良好的压电薄膜。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，取决于设计要求和其他因素，可以发生各种各样的修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (11)
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括位置关系依次相连的顶电极、压电层、底电极、声反射结构、基底以及厚度大于预设值的温度补偿层；其中，所述温度补偿层还用于调节所述薄膜体声波谐振器的面积；
所述压电层的其中一部分掺杂有稀土元素；
所述温度补偿层位于掺杂有稀土元素的部分压电层中。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述压电层的材料成分为氮化铝，所述氮化铝中掺杂稀土元素。
3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述稀土元素为以下任意一种或其任意组合：
镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钇以及钪。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层位于所述压电层之中，
其中，所述温度补偿层为两层，两层所述温度补偿层的材料相同或不同。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层为两层；
其中一层温度补偿层位于所述顶电极之中，另一层温度补偿层位于所述压电层之中。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层为两层；
其中一层温度补偿层位于所述底电极之中，另一层温度补偿层位于所述压电层之中。
7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层在该压电层的厚度方向上掺杂不同比例的稀土元素。
8.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，由所述底电极至所述顶电极的方向上掺杂的稀土元素的比例越来越高。
9.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，由所述底电极至所述顶电极的方向上掺杂的稀土元素的比例越来越低。
10.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层为两层；
其中一层所述温度补偿层位于所述底电极之中，另一层所述温度补偿层位于所述顶电极之中。
11.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层为两层；
两层所述温度补偿层都位于所述顶电极之中或者所述底电极之中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811603844.XA CN109831175B (zh) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 一种薄膜体声波谐振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811603844.XA CN109831175B (zh) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 一种薄膜体声波谐振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109831175A CN109831175A (zh) | 2019-05-31 |
| CN109831175B true CN109831175B (zh) | 2023-10-20 |
Family
ID=66861164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811603844.XA Active CN109831175B (zh) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 一种薄膜体声波谐振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109831175B (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110460320A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-11-15 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 膜层结构、其制造方法及包括该膜层结构的滤波器 |
| CN111010115A (zh) * | 2019-08-09 | 2020-04-14 | 天津大学 | 体声波谐振器、滤波器和电子设备及控制谐振器温度的方法 |
| CN111010117A (zh) * | 2019-08-15 | 2020-04-14 | 天津大学 | 具有中心缺陷结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
| CN111010104A (zh) * | 2019-09-02 | 2020-04-14 | 天津大学 | 压电层具有插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
| CN111010120A (zh) * | 2019-09-20 | 2020-04-14 | 天津大学 | 具有调节层的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
| CN113131895B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-07-29 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器 |
| CN111082775B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-09-07 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器 |
| CN111049495B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-05-04 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种高品质因数的薄膜体声波谐振器的优选结构 |
| CN111092606A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 温补层结构、体声波谐振器及制造方法，滤波器、电子设备 |
| CN111224641B (zh) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 一种滤波器、双工器、高频前端电路及通信装置 |
| CN112054777A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-12-08 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器组件及制造方法、滤波器及电子设备 |
| CN112134540B (zh) * | 2020-09-17 | 2024-01-26 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种复合电极的体声波谐振器及其制备方法 |
| CN113285687B (zh) * | 2021-03-05 | 2023-02-03 | 天津大学 | 温度补偿型薄膜体声波谐振器及其形成方法、电子设备 |
| CN117955450A (zh) * | 2022-10-21 | 2024-04-30 | 广州乐仪投资有限公司 | 半导体器件及电子设备 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7561009B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation |
| JP4978210B2 (ja) * | 2007-01-25 | 2012-07-18 | セイコーエプソン株式会社 | バルク音響振動子の製造方法 |
| US9136819B2 (en) * | 2012-10-27 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator having piezoelectric layer with multiple dopants |
| CN103684336B (zh) * | 2012-08-31 | 2017-01-11 | 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 | 包含具有内埋式温度补偿层的电极的谐振器装置 |
| US9455681B2 (en) * | 2014-02-27 | 2016-09-27 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator having doped piezoelectric layer |
-
2018
- 2018-12-26 CN CN201811603844.XA patent/CN109831175B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109831175A (zh) | 2019-05-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20240130 Granted publication date: 20231020 |
|
| PP01 | Preservation of patent right |