CN103684336B - 包含具有内埋式温度补偿层的电极的谐振器装置 - Google Patents

Abstract

本申请案涉及一种包含具有内埋式温度补偿层的电极的谐振器装置。声学谐振器包含衬底和安置在所述衬底上方的第一复合电极。所述第一复合电极包含第一和第二导电层以及安置在所述第一与第二导电层之间的第一温度补偿层。所述第二导电层在所述第一温度补偿层的至少一侧上形成与所述第一导电层的第一电接触，且所述第一电接触使所述第一温度补偿层的第一电容组件电短路。

Description

包含具有内埋式温度补偿层的电极的谐振器装置

相关申请案的交叉引用

本申请案根据37C.F.R.§1.53(b)是在2010年4月29日申请的标题为“包含具有内埋式温度补偿层的电极的谐振器装置(RESONATOR DEVICE INCLUDING ELECTRODEWITH BURIED TEMPERATURE COMPENSATING LAYER)”的颁给理查德C.鲁宾(Richard C.Ruby)等人的第12/769,791号共同拥有的美国专利申请案的部分接续申请案。申请人根据35U.S.C.§120主张第12/769,791号美国专利申请案的优先权，且第12/769,791号美国专利申请案的全部揭示内容特此以引用方式并入。

技术领域

本发明涉及谐振器装置，明确地说涉及声学谐振器装置。

背景技术

电谐振器广泛并入于现代电子装置中。举例来说，在无线通信装置中，射频(RF)及微波频率谐振器用作滤波器，例如具有形成为梯子结构的电串联连接且分路的谐振器的梯式滤波器。所述滤波器可包含在双工器中，例如连接在单一天线与接收器和发射器之间以分别对所接收和所发射的信号进行滤波。

各种类型的滤波器使用机械谐振器，例如体声波(BAW)谐振器及表面声波(SAW)谐振器。所述谐振器一般将电信号转换成机械信号或振动，和/或将机械信号或振动转换成电信号。BAW谐振器例如为一般在两个电极之间包含一层压电材料的声学堆叠。声波实现横越声学堆叠的谐振，其中所述波的谐振频率是由所述声学堆叠中的材料和每一层(例如，压电层和电极层)的厚度确定的。一种类型的BAW谐振器包含压电薄膜作为压电材料，其可被称为薄膜体声学谐振器(FBAR)。FBAR在GHz频率下谐振，且因此相对紧凑，具有约数微米的厚度和数百微米的长度和宽度尺寸。

谐振器可用作带通滤波器，其具有提供准许穿过所述滤波器的频率范围的相关联通带。谐振器滤波器的通带倾向于响应于环境和操作因素(例如，温度和/或入射电力的变化)而移位。举例来说，谐振器滤波器的通带响应于温度上升和入射电力变高而在频率上向下移。

明确地说，蜂窝电话受到由温度和电力的波动引起的通带移位的不利影响。举例来说，蜂窝电话包含必须能够应对在滤波器(双工器)的边缘处的大于预期的插入损耗的功率放大器(PA)。在滤波器通带例如归因于温度上升而在频率上向下移时，滤波器中的最大电力吸收点(其经设计而将高于通带)向下移动到FCC或政府指定的通带的频率范围中。此时，滤波器开始从PA吸收更多电力且变热，从而致使温度进一步升高。因此，滤波器通带在频率上向下移位更多，从而使最大滤波器吸收点甚至更近。此会引致潜在的失控情形，其仅可通过以下事实来避免：反射功率变大且滤波器最终稳定在某一高温下。

PA经特别设计以处置滤波器在通带的拐角处的最坏状况电力处置。典型PA的电流范围可从在滤波器通带的中心处的几mA到在边缘处的约380mA到450mA。此为PA以及驱动蜂窝电话的电池上的巨大电力消耗(power draw)。此为比起接收模式(即接听时间)更多地在发射模式(即，讲话时间)中操作的蜂窝电话更快速地汲取电池电力一个原因。

为了防止或减小温度上升，已知滤波器可在声学堆叠的压电层内包含一层氧化物材料。所述氧化物材料具有正温度系数，所述正温度系数至少部分地分别补偿金属电极与压电材料的负温度系数。举例来说，所述氧化物材料可处于压电层的中心或处于所述电极之间的压电层的任一末端处。然而，氧化物材料添加到压电层会极大损害谐振器的声学耦合系数(kt²)。这是因为氧化物材料呈现为与主动压电材料电介质串联的“失效”电容器。此外，氧化物材料可能污染压电材料。举例来说，当压电材料为氮化铝(AlN)时，氧化物材料致使AlN变为包含氧的化合物(例如，AlN_(x)O_(y))，其为非压电材料，因此使声学耦合系数进一步降级。

因此，需要一种至少克服上文所描述的已知机械谐振器的缺陷的机械谐振器。

发明内容

在一代表性实施例中，一种声学谐振器包含衬底和安置在所述衬底上方的第一复合电极。所述第一复合电极包含第一和第二导电层以及安置在所述第一与第二导电层之间的第一温度补偿层。所述第二导电层在所述第一温度补偿层的至少一侧上形成与所述第一导电层的第一电接触，且所述第一电接触使所述第一温度补偿层的第一电容组件电短路。所述声学谐振器还包含安置在所述第一复合电极上方的压电层和安置在所述压电层上方的第二复合电极。所述第二复合电极包含第三和第四导电层以及安置在所述第三与第四导电层之间的第二温度补偿层。所述第四导电层在所述第二温度补偿层的至少一侧上形成与所述第三导电层的第二电接触，且所述第二电接触使所述第二温度补偿层的第二电容组件电短路。所述声学谐振器还包含安置在所述第一复合电极下方的声学反射器。

在另一代表性实施例中，一种声学谐振器装置包含声学谐振器，所述声学谐振器包含衬底和安置在所述衬底上方的第一复合电极。所述第一复合电极包含第一和第二导电层以及安置在所述第一与第二导电层之间的第一温度补偿层。所述声学谐振器还包含安置在所述第一复合电极上方的压电层和安置在所述压电层上方的第二复合电极，所述压电层具有一厚度。所述第二复合电极包含第三和第四导电层以及安置在所述第三与第四导电层之间的第二温度补偿层。所述声学谐振器还包含安置在所述第一复合电极下方的声学反射器。所述第一与第二复合电极关于大体上沿着所述压电层的厚度的中心穿过的对称轴而对称地安置。

附图说明

当结合附图阅读时，可从以下详细描述最佳地理解实例实施例。应强调，各种特征未必是按比例绘制。实际上，尺寸可为了论述清楚起见而任意增大或减少。在适用且实际的情况下，相同参考数字指代相同元件。

图1是说明根据一代表性实施例的声学谐振器装置的横截面图。

图2展示比较已知声学谐振器与根据一代表性实施例的声学谐振器的频率响应的曲线图。

图3A到3G是描绘根据一代表性实施例的声学谐振器装置的说明性制造顺序的横截面图。

图4是说明根据另一代表性实施例的声学谐振器装置的横截面图。

图5A到5E是描绘根据一代表性实施例的声学谐振器装置的说明性制造顺序的横截面图。

具体实施方式

在以下详细描述中，出于解释而非限制的目的，阐述揭示具体细节的代表性实施例以便提供对本发明教示的彻底理解。然而，得益于本发明的所属领域的一般技术人员将显而易见，根据本发明教示的脱离本文揭示的具体细节的其它实施例仍在所附权利要求书的范围内。此外，可省略对熟知设备和方法的描述以免混淆对代表性实施例的描述。此类方法和设备明显属于本发明教示的范围内。

一般来说，应理解，图式和其中描绘的各种元件不是按比例绘制。此外，例如“上方”、“下方”、“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”、“垂直”和“水平”等相对术语用以描述各种元件彼此的关系，如在附图中所说明。应理解，这些相对术语既定还涵盖装置和/或元件除图式中描绘的定向之外的不同定向。举例来说，如果装置相对于图式中的视图翻转，那么例如描述为在另一元件“上方”的元件现在将在所述元件“下方”。同样，如果装置相对于图式中的视图旋转90度，那么例如描述为“垂直”的元件现在将为“水平”。

本发明教示的方面与BAW的组件以及FBAR装置和滤波器、其材料和其制造方法有关。此类装置和对应制造方法的各种细节可例如见于以下美国专利公开案中的一者或一者以上中：颁予拉肯(Lakin)的第6,107,721号美国专利；颁予鲁宾(Ruby)等人的第5,587,620号、第5,873,153号、第6,507,983号、第7,388,454号和第7,629,865号美国专利；颁予冯红军(Hongjun Feng)等人的第7,280,007号美国专利；颁予克罗伊(Choy)等人的第8,248,185号美国专利；颁予杰姆尼拉(Jamneala)等人的第20070205850号美国专利申请公开案；以及颁予克罗伊(Choy)等人的第20100327994号美国专利申请公开案。这些专利和公开的专利申请案的揭示内容特此以引用方式并入。应强调，这些专利和专利申请案中描述的组件、材料和制造方法是代表性的，且涵盖在所属领域的一般技术人员的理解范围内的其它制造方法和材料。

根据各种实施例，一种谐振器装置具有声学堆叠，所述声学堆叠在顶部与底部复合电极之间具有压电层，所述顶部和底部复合电极均具有沉积在导电层之间的温度补偿层，所述温度补偿层可被称为基电极层和导电插入层。所述温度补偿层中的每一者可由例如具有正温度系数的多晶硅或氧化物材料(例如，硼硅酸盐玻璃(BSG))形成，所述正温度系数补偿压电层以及顶部和底部复合电极中的导电材料的负温度系数的至少一部分。所述导电插入层因此形成与顶部和底部复合电极中的每一者中的电极层的DC电连接，从而有效地使相应温度补偿层的电容组件短路且增大谐振器装置的耦合系数kt²。而且，定位在所述温度补偿层与压电层之间的导电插入物呈现防止氧例如扩散到压电层的压电材料中的势垒。

图1是根据一代表性实施例的BAW谐振器装置(且更明确地说，在所描绘的说明性配置中的FBAR)的横截面图，其包含具有内埋式温度补偿层的复合电极。

参看图1，声学谐振器装置100包含形成于衬底110上的声学堆叠105。衬底110可由与半导体工艺兼容的各种类型的半导体材料形成，例如硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等，其可用于集成连接与电子装置，因此减少大小和成本。在所描绘的实施例中，衬底110包含在所描绘的实施例中由代表性空腔115指示的声学反射器，其形成在声学堆叠105下方以提供声学隔离。声学堆叠105悬置在由空腔115形成的空气空间上方以实现机械移动。在替代实施例中，衬底110可以不形成有空腔115，例如使用表面安装谐振器(SMR)技术。举例来说，声学堆叠105可形成于在衬底110上或其中形成的声学镜或布拉格反射器(未图示)上方。所述声学镜或布拉格反射器可具有交替的高与低声学阻抗材料层。声学镜可根据各种技术加以制造，所述技术的实例描述于颁予拉尔森三世(Larson,III)等人的第7,358,831号美国专利中，所述美国专利特此以引用的方式并入。

声学堆叠105包含形成在第一复合电极120与第二复合电极140之间的压电层130。所述第一复合电极120包含在空腔115上方依序堆叠在衬底110上的第一基电极层或第一导电层122、内埋式第一温度补偿层124、和第二导电插入层或第二导电层126。所述第一和第二导电层122和126由导电材料形成，例如与半导体工艺兼容的各种金属，例如包含钨(W)、钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钌(Ru)、铌(Nb)或铪(Hf)。

在各种实施例中，第一导电层122与第二导电层126由不同导电材料形成，其中第一导电层122由具有相对较低的传导性和相对较高的声学阻抗的材料形成，且第二导电层126由具有相对较高的传导性和相对较低的声学阻抗的材料形成。举例来说，第一导电层122可由W形成，且第二导电层126可由Mo形成，但在不脱离本发明教示的范围的情况下可使用其它材料和/或材料组合。此外，在各种实施例中，第一导电层122与第二导电层126可由相同导电材料形成而不脱离本发明教示的范围。

内埋式第一温度补偿层124形成于第一导电层122与第二导电层126之间。内埋式第一温度补偿层124因此通过第二导电层126与压电层130分开或隔离，且通过第二导电层126与第一导电层122之间的连接而另外密封于其中。因此，内埋式第一温度补偿层124有效地内埋于第一复合电极120内。内埋式第一温度补偿层124可由与半导体工艺兼容的具有正温度系数的各种材料形成，例如包含多晶硅、硼硅酸盐玻璃(BSG)、二氧化硅(SiO₂)、铬(Cr)或碲氧化物(TeO_(x))。内埋式第一温度补偿层124的正温度系数补偿声学堆叠105中的其它材料的负温度系数，包含压电层130、第二复合电极140、第一复合电极120的第一导电层122和第二导电层126。

如图1的实施例中所示，内埋式第一温度补偿层124并不沿声学堆叠105的整个宽度延伸。因此，形成于内埋式第一温度补偿层124的顶表面和侧表面上的第二导电层126接触第一导电层122的顶表面，如例如由参考数字128和129所指示。因此，DC电连接形成于第二导电层126与第一导电层122之间。通过与第一导电层122的DC电连接，第二导电层126有效地使内埋式第一温度补偿层124的电容组件“短路”，因此增大声学谐振器装置100的耦合系数(kt²)。另外，第二导电层126在内埋式第一温度补偿层124与压电层130之间提供势垒，例如在内埋式第一温度补偿层124含有氧时防止氧扩散到压电层130中。

而且，在所描绘实施例中，内埋式第一温度补偿层124具有锥形边缘124a，其增强第二导电层126与第一导电层122之间的DC电连接。另外，锥形边缘124a增强第二导电层126与第一导电层122之间的机械连接，此改进密封质量，例如防止内埋式第一温度补偿层124中的氧扩散到压电层130中。在替代实施例中，内埋式第一温度补偿层124的边缘并非锥形，而是可例如大体上垂直于内埋式第一温度补偿层124的顶表面与底表面，而不脱离本发明教示的范围。

压电层130形成于第二导电层126的顶表面上。所述压电层130可由与半导体工艺兼容的薄膜压电材料形成，例如氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、铅锆钛酸盐(PZT)等。压电层130的厚度范围可例如从约1000到约100,000但所述厚度可变化以针对任何特定情形提供独特益处或满足各种实施方案的应用特定设计要求，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。在一实施例中，压电层130可形成于安置在第一复合电极120的上表面上方的晶种层(未图示)上。举例来说，所述晶种层可由Al形成以促进AlN压电层130的生长。所述晶种层可例如具有在约50到约5000的范围内的厚度。

第二复合电极140形成于压电层130的顶表面上。第二复合电极140包含依序堆叠在压电层130上的第二导电插入层或第三导电层142、内埋式第二温度补偿层144、和第二基电极层或第四导电层146。第三和第四导电层142和146由导电材料形成，例如与半导体工艺兼容的各种金属，例如包含W、Mo、Al、Pt、Ru、Nb或Hf。在各种实施例中，第三导电层142与第四导电层146由不同导电材料形成，其中第四导电层146是由具有相对较低传导性和相对较高声学阻抗的材料形成，且第三导电层142是由具有相对较高传导性和相对较低声学阻抗的材料形成。举例来说，第四导电层146可由W形成，且第三导电层142可由Mo形成，但在不脱离本发明教示的范围的情况下可使用其它材料和/或材料组合。此外，在各种实施例中，第三导电层142与第四导电层146可由相同导电材料形成而不脱离本发明教示的范围。第三和第四导电层142和146可由与第一复合电极120的第一和第二导电层122和126相同或不同的材料形成，而不脱离本发明教示的范围。

内埋式第二温度补偿层144形成于第三导电层142与第四导电层146之间。内埋式第二温度补偿层144因此通过第三导电层142与压电层130分开或隔离。因此，内埋式第二温度补偿层144有效地内埋于第二复合电极140内，下文论述的暴露外缘除外。内埋式第二温度补偿层144可由与半导体工艺兼容的具有正温度系数的各种材料形成，包含多晶硅、BSG、SiO₂、Cr或TeO_(x)。内埋式第二温度补偿层144的正温度系数进一步补偿声学堆叠105中的其它材料的负温度系数，包含压电层130、第一复合电极120，以及第二复合电极140的第三和第四导电层142和146。

如图1的实施例中所示，第二复合电极140具有连接边缘141和非连接边缘143。连接边缘141处于第二复合电极140的一侧上，所述侧经配置以电连接到电路(未图示)以提供到和/或来自声学谐振器装置100的电信号。而且，第二复合电极140的朝向连接边缘141延伸的一部分包含在气隙155上方的桥150。所述桥150形成于压电层130的顶表面与第二复合电极140的底表面(更明确地说，第三导电层142的底表面)之间。声学堆叠105包含由短划线指示的有源区域108。有源区域108终止于桥150的开始处和第二复合电极140的非连接边缘143处。桥150有效地分开声学谐振器装置100的失效谐振器区域与有源区域108。应注意，尽管桥150为声学谐振器装置100提供改进的性能(参见例如上文提及的颁予克罗伊(Choy)等人的专利和专利申请案)，但桥150对于声学谐振器装置100来说并非必需的，且本发明教示预期并不包含桥150的声学谐振器。

有源区域108内的声学堆叠105关于横轴109大体上对称，所述横轴109大体上沿压电层130的厚度的中心穿过。值得注意的是，例如制造方法和接种的应用、成批装入和/或钝化层(下文论述)等各种因素可能会在横轴109的任一侧上的结构中引起些微差异，使得声学堆叠105可能并不关于横轴109精确地对称。但，一般来说，有源区域108内的声学堆叠105比仅具有一个复合电极的谐振器装置要更为对称。由于对称性的改善，与已知声学谐振器相比，第二泛音的负效应在根据本发明教示的声学谐振器(例如，声学谐振器装置100)中得以减少或最小化。

举例来说，图2展示比较已知声学谐振器与根据代表性实施例的声学谐振器的频率响应的曲线图。参看图2，横轴描绘以MHz计的频率，且竖轴描绘以欧姆计的阻抗。

轨迹210展示具有一个复合电极的声学谐振器的频率响应。轨迹210包含在约1500MHz(对应于谐振频率)下的第一模式211和在约3500MHz下的第二泛音杂散模式212。比较而言，轨迹220展示具有两个复合电极的声学谐振器(例如根据代表性实施例的声学谐振器装置100)的频率响应。类似于轨迹210，轨迹220包含在约1500MHz(对应于谐振频率)下的第一模式和在约3500MHz下的第二泛音杂散模式222。然而，第二泛音杂散模式222已明显地受到抑制(最小化)。轨迹220还包含在约5600MHz下出现的较高阶杂散模式223，其在轨迹210中看不到。然而，此频率完全处于所关注的频带外部，且因此并不会不利地影响声学谐振器装置100的操作。

一般来说，声学堆叠105关于横轴109越精确地对称，就越能抑制第二泛音杂散模式222，且最终，代表性实施例的声学谐振器装置100的性能就越好。

再次参考图1，形成于内埋式第二温度补偿层144的顶表面上的第四导电层146接触第三导电层142的顶表面，例如由参考数字148所指示。因此，DC电连接形成于第三导电层142与第四导电层146之间。通过与第三导电层142的DC电连接，第四导电层146有效地使内埋式第二温度补偿层144的电容组件“短路”，因此进一步增大声学谐振器装置100的耦合系数(kt²)。另外，第三导电层142在内埋式第二温度补偿层144与压电层130之间提供势垒，例如在内埋式第二温度补偿层144含有氧时防止氧扩散到压电层130中。在所描绘的实施例中，第四导电层146并不在第二复合电极140的非连接边缘143处与第三导电层142连接。因此，内埋式第二温度补偿层144的边缘部分暴露。

而且，在所描绘的实施例中，内埋式第二温度补偿层144具有锥形边缘144a，其增强第三导电层142与第四导电层146之间的DC电连接。另外，所述锥形边缘144a增强第四导电层146与第三导电层142之间的机械连接。在替代实施例中，内埋式第二温度补偿层144的边缘不为锥形，而是可例如大体上垂直于内埋式第二温度补偿层144的顶表面与底表面，而不脱离本发明教示的范围。

第二复合电极140可进一步包含在顶表面上的钝化层(未图示)，所述钝化层可由各种类型的材料形成，包含AlN、碳化硅(SiC)、BSG、SiO₂、SiN、多晶硅及其类似物。钝化层的厚度必须足以使声学堆叠105的所有层与环境绝缘，包含防止受湿气、腐蚀物、污染物、碎片及其类似物影响。第一和第二复合电极120和140可经由接触衬垫(未图示)电连接到外部电路，所述接触衬垫可由例如金、金-锡合金或其类似物等导电材料形成。

在一实施例中，第一复合电极120的总体第一厚度大体上与第二复合电极140的总体第二厚度相同，如图1中所示。举例来说，第一和第二复合电极120和140中的每一者的厚度范围可从约600到约30000但所述厚度可变化以针对任何特定情形提供独特益处或满足各种实施方案的应用特定设计要求，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。

第一和第二复合电极120和140中的每一者的多个层还具有对应厚度。举例来说，第一和第四导电层122和146的厚度范围可从约400到约29,900内埋式第一和第二温度补偿层124和144的厚度范围可从约100到约5000且第二和第三导电层126和142的厚度范围可从约100到约10000第一和第二复合电极120和140的诸层中的每一者可变化以产生关于温度系数和耦合系数的不同特征，而第一和第二复合电极120和140的总体厚度保持大体上相同。举例来说，内埋式第一和第二温度补偿层124和144的厚度可变化以影响声学堆叠105的总体温度系数，且第一到第四导电层122、126、142和146的相对厚度可变化以影响声学谐振器装置100的总体耦合系数。

举例来说，第一到第四导电层122、126、142和146的厚度可变化以便使相应内埋式第一和第二温度补偿层124和144“沉降”到对应第一和第二复合电极120和140中更深(即，进一步移动远离压电层130)。也就是说，虽然第一和第二复合电极120和140的总体厚度保持大体上相同，但第二和第三导电层126和142(导电插入层)的厚度可增大，且第一和第四导电层122和146(基电极插入层)的厚度可减小，使得内埋式第一和第二温度补偿层124和144分别在第一和第二复合电极120和140内埋得更深。而且，内埋式第一和第二温度补偿层124和144的厚度可被设定为较厚(由于它们埋得更深)以帮助维持或最小化线性温度系数。举例来说，将内埋式第一和第二温度补偿层124和144埋得更深会致使声学谐振器装置100的耦合系数将相对较大(其代价为使温度系数变糟)，而使内埋式第一和第二温度补偿层124和144变厚则改善温度系数。

一般来说，在第一和第二复合电极120和140内部的内埋式第一和第二温度补偿层124和144中的每一者的厚度和位置应加以优化，以便针对容许的线性温度系数最大化耦合系数。可例如通过以下操作来实现此优化：使用梅森(Mason)模型对声学堆叠105的等效电路模型化并调整内埋式第一和第二温度补偿层124和144；以及添加更多材料到第二和第三导电层126和142并从第一和第四导电层122和146移除材料，使得第一和第二复合电极120和140的总体厚度保持恒定，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。可例如使用多变量优化技术(例如单纯形法)来根据温度系数与耦合系数之间的权衡形成算法以优化内埋式第一和第二温度补偿层124和144的深度，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。另外，内埋式第一和第二温度补偿层124和144的深度可受到例如最小必需耦合系数和最大容许温度系数等各种约束限制，同样，内埋式第一和第二温度补偿层124和144的厚度可经调整以提供声学谐振器装置100的最优耦合系数和最小总体温度系数。

根据各种实施例，可使用与半导体工艺兼容的各种技术来制造谐振器装置。下文参考图3A到3G论述根据代表性实施例的针对代表性声学谐振器装置100的制造工艺的非限制性实例，图3A到3G为BAW谐振器装置在所述制造工艺的各种阶段中的横截面图。

图3A展示界定空腔115的衬底110，且第一导电层122施加到衬底110的顶表面。在所描绘实施例中，空腔115形成于衬底110中且最初填充有例如磷硅酸盐玻璃(PSG)或多晶硅等牺牲材料117，所述牺牲材料117稍后在制造工艺中(例如，在施加声学堆叠105的层之后)使用合适的蚀刻剂加以释离，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。在替代配置中，空腔115可穿过衬底110以形成背侧开口，所述背侧开口可通过对衬底110的底表面进行背侧蚀刻而形成。背侧蚀刻可包含例如波希(Bosch)工艺等干式蚀刻工艺，但可并入各种替代技术。可通过多种已知方法形成所述空腔，所述方法的实例描述于颁予鲁宾(Ruby)等人的第6,384,697号美国专利中，所述美国专利特此以引用的方式并入。

或者，替代空腔115，例如声学镜或布拉格反射器等声学隔离器可包含在衬底110的顶表面中或形成于其上。可使用与半导体工艺兼容的任何技术在形成声学堆叠105之前形成此类声学隔离器，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。制造用于谐振器装置的声学镜的实例描述于颁予巴博(Barber)等人的第2011/0121916号美国专利申请公开案中，所述美国专利申请公开案特此以引用的方式并入。

在一实施例中，举例来说，衬底110由Si形成，且第一导电层122由W形成，但如上文所论述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。可例如使用旋涂、溅镀、蒸镀、物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)技术来施加第一导电层122，但可并入其它施加方法。

参考图3B，在第一导电层122的顶表面上形成内埋式第一温度补偿层124。在一实施例中，所述内埋式第一温度补偿层124是例如由多晶硅形成，但如上文所论述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。可例如使用旋涂、溅镀、蒸镀、PVD或CVD技术来施加内埋式第一温度补偿层124，但可并入其它施加方法。用于形成温度补偿层的各种说明性技术例如描述于颁予拉尔森三世(Larson,III)等人的第7,561,009号美国专利中，所述美国专利特此以引用的方式并入。

接着将掩模图案(未图示)施加到内埋式第一温度补偿层124，接着将其蚀刻到如图3B中所描绘的所需大小。此包含形成上文所论述的锥形边缘124a。举例来说，可将光致抗蚀剂层(未图示)施加到内埋式第一温度补偿层124的顶表面，且使用与半导体工艺兼容的任何光致抗蚀剂图案化技术加以图案化以形成掩模或光致抗蚀剂图案，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。可通过机械加工或使用光刻来对光致抗蚀剂层进行化学蚀刻来形成光致抗蚀剂图案，但可并入各种替代技术。在蚀刻内埋式第一温度补偿层124之后，例如通过以化学方式释离或使用包含HF蚀刻溶液的湿式蚀刻工艺进行蚀刻来移除所述光致抗蚀剂图案，但可通过各种其它技术移除所述光致抗蚀剂图案而不脱离本发明教示的范围。

在各种实施例中，为获得锥形边缘124a，将氧泄漏到用以蚀刻内埋式第一温度补偿层124的蚀刻机中。氧化物(和/或温度夹盘)致使光致抗蚀剂在经图案化光致抗蚀剂的边缘处更快速地腐蚀且稍微向后拉动。抗蚀剂的此“薄化”形成楔形轮廓，所述楔形轮廓接着在光致抗蚀剂离开时压印到下面的氧化物中。一般来说，通过调整抗蚀剂相对于被蚀刻材料的蚀刻速率来产生楔形，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。同时，在距内埋式第一温度补偿层124的边缘较远处，在整个蚀刻过程中存在足够的光致抗蚀剂覆盖度，以使得不触碰到下伏氧化物材料。当然，可并入获得锥形边缘的其它方法而不脱离本发明教示的范围。

将第二导电层126施加到内埋式第一温度补偿层124的顶表面，如图3C中所示。第二导电层126是例如由Mo形成，但如上文所论述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。可例如使用旋涂、溅镀、蒸镀、PVD或CVD技术来施加第二导电层126，但可并入其它施加方法。接着将掩模图案(未图示)施加到所述结构，接着对其进行蚀刻以移除第一和第二导电层122和126在左侧上的部分以形成所需形状和大小，如图3C中所描绘。接着移除所述掩模。如上文所论述，可并入与半导体工艺兼容的任何掩蔽和蚀刻技术，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。

在替代实施例中，在蚀刻内埋式第一温度补偿层124之前在内埋式第一温度补偿层124的顶表面上形成临时晶种层(未图示)。所述临时晶种层可由与压电层130相同的压电材料形成，例如AlN。所述临时晶种层可形成为例如约300的厚度，且减少或最小化从内埋式第一温度补偿层124到压电层130中的氧化物扩散。通过蚀刻移除所述临时晶种层的外部部分连同内埋式第一温度补偿层124的经蚀刻部分，以暴露第一导电层122顶表面的部分，使得第一导电层122能够在与第二导电层126之间形成电连接。换句话说，在蚀刻之后，所述临时晶种层仅覆盖内埋式第一温度补偿层124的顶表面，使得其定位在内埋式第一温度补偿层124与第二导电层126之间。

参考图3D，在第二导电层126的顶表面上形成压电层130，所述顶表面也是第一复合电极120的顶表面。所述压电层130例如由AlN形成，但如上文所论述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。可使用例如溅镀技术来施加压电层130，但可并入其它施加方法。举例来说，可根据与半导体工艺兼容的各种技术从晶种层生长压电层130，如上文所论述。

在压电层130的顶表面上形成第二复合电极140，如下文所描述。然而，如上文所提及，所述第二复合电极的一部分形成桥150，其终止有源区域108的边缘。为了形成桥150，在压电层130的顶表面上形成牺牲材料157的桥层152，如图3E中所示。所述牺牲材料157可例如为PSG、多晶硅或溅镀非晶硅，其稍后在制造工艺中使用合适的蚀刻剂加以释离，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。接着将掩模图案(未图示)施加到桥层152，接着将其蚀刻到所需大小。举例来说，可将光致抗蚀剂层(未图示)施加到压电层130的顶表面，且使用与半导体工艺兼容的任何光致抗蚀剂图案化技术对其进行图案化以形成掩模或光致抗蚀剂图案，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。在蚀刻桥层152之后，例如通过化学释离或使用湿式蚀刻工艺进行蚀刻而移除所述光致抗蚀剂图案，但可通过各种其它技术移除所述光致抗蚀剂图案而不脱离本发明教示的范围。

参考图3F，通过首先在压电层130和桥层152的顶表面上形成第三导电层142而形成第二复合电极140。第三导电层142是例如由Mo形成，但如上文所论述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。可例如使用旋涂、溅镀、蒸镀、PVD或CVD技术来施加第三导电层142，但可并入其它施加方法。接着将掩模图案(未图示)施加到第三导电层142，接着对其进行蚀刻以形成所需形状，如图3G中所描绘。接着移除所述掩模。如上文所论述，可并入与半导体工艺兼容的任何掩蔽和蚀刻技术，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。

再次参考图3G，以与上文关于内埋式第一温度补偿层124和第二导电层126所论述的大体上相同的方式形成内埋式第二温度补偿层144和第四导电层146。举例来说，第四导电层146由W形成，且内埋式第二温度补偿层144由多晶硅形成，但如上文所论述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。而且，可蚀刻内埋式第二温度补偿层144以包含锥形边缘144a，如上文关于内埋式第一温度补偿层124的锥形边缘124a所论述。值得注意的是，因为内埋式第二温度补偿层144处于压电层130顶部上(与内埋于第一复合电极120中相反)，因此可执行协调的离子铣削以便同时微调第二复合电极140和声学堆叠105的频率。

在施加第三和第四导电层142和146以及内埋式第二温度补偿层144之后，执行垂直蚀刻以形成第二复合电极140的边缘(例如，非连接边缘143)，所述边缘还终止有源区域108的边缘(与由桥150终止的有源区域108的边缘相对)。举例来说，可将光致抗蚀剂层(未图示)施加至第四导电层146的顶表面，且使用与半导体工艺兼容的任何光致抗蚀剂图案化技术加以图案化以形成掩模或光致抗蚀剂图案，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。可通过机械加工或使用光刻来对光致抗蚀剂层进行化学蚀刻来形成光致抗蚀剂图案，但可并入各种替代技术。在蚀刻第三和第四导电层142和146以及内埋式第二温度补偿层144之后，例如通过化学释离或使用湿式蚀刻工艺进行蚀刻来移除所述光致抗蚀剂图案，但可通过各种其它技术移除所述光致抗蚀剂图案而不脱离本发明教示的范围。在各种实施例中，第二复合电极140可进一步包含由BSG、SiO₂、SiN、多晶硅等形成的钝化层(未图示)。

还如图3G中所示，释离空腔115中的牺牲材料117和桥层152的牺牲材料157以分别形成空腔115和桥150(在气隙155上方)。举例来说，当牺牲材料117为多晶硅且牺牲材料157为多晶硅或溅镀非晶硅时，它们各自可使用二氟代氙(XeF₂)在无水释离工艺中释离。用于形成桥的各种说明性技术例如描述于上文提及的颁予克罗伊(Choy)等人的所引用的美国专利和公开的专利申请案中，以及以下各案中：颁予达瑞兹·布拉克(Dariusz Burak)的第20120218056号美国专利申请公开案；颁予达瑞兹·布拉克(DariuszBurak)等人的第20120218055号美国专利申请公开案；颁予克里斯·冯(Chris Feng)等人的第20120161902号美国专利申请公开案；颁予达瑞兹·布拉克(Dariusz Burak)等人的第20120218059号美国专利申请公开案；颁予达瑞兹·布拉克(Dariusz Burak)等人的第20120218058号美国专利申请公开案；颁予达瑞兹·布拉克(Dariusz Burak)等人的第20120218060号美国专利申请案；以及颁予亚历山大·谢拉卡瓦(Alexandre Shirakawa)等人的第13/168,101号美国专利申请案。上文所列的美国专利申请案和美国专利申请公开案的全部揭示内容特定地以引用的方式并入。

在各种实施例中，声学谐振器装置100可制造为晶片的部分。因此，在完成之后，可从所述晶片切割或分离声学谐振器装置100达必要的程度，以便形成单一化的裸片，例如图1和3G中所示。可使用与半导体制造工艺兼容的各种技术来分离声学谐振器装置100，例如刻划和折断。

图4是根据另一代表性实施例的BAW谐振器装置(且更明确地说，在所描绘的说明性配置中的FBAR)的横截面图，所述BAW谐振器装置包含具有内埋式温度补偿层的复合电极。

参考图4，说明性声学谐振器装置400包含形成于衬底110上的声学堆叠405。声学堆叠405包含形成于第一复合电极120与第二复合电极440之间的压电层130。一般来说，第二复合电极440的结构不同于图1中的第二复合电极140的结构。图1与4中的相同参考数字指代相同元件，且因此将不重复对相同元件的对应描述。

在所描绘实施例中，声学堆叠405包含形成于第一复合电极120与第二复合电极440之间的压电层130。在所描绘实施例中，衬底110包含在所描绘实施例中由代表性空腔115指示的声学反射器，其形成于声学堆叠405下方以提供声学隔离。声学堆叠405悬置在由空腔115形成的空气空间上方以实现机械移动。在替代实施例中，衬底110可以不形成有空腔115，例如使用SMR技术。举例来说，声学堆叠405可形成于在衬底110上或其中形成的声学镜或布拉格反射器(未图示)上方，如上文所论述。

第一复合电极120包含依序堆叠在衬底110上的第一基电极层或第一导电层122、内埋式第一温度补偿层124，以及第二导电插入层或第二导电层126。所述第一和第二导电层122和126由导电材料形成，例如与半导体工艺兼容的各种金属，例如包含W、Mo、Al、Pt、Ru、Nb或Hf。内埋式第一温度补偿层124可由与半导体工艺兼容的具有正温度系数的各种材料形成，例如包含多晶硅、BSG、SiO₂、Cr或TeO_(x)。压电层130形成于第二导电层126的顶表面上，且可由与半导体工艺兼容的薄膜压电材料形成，例如AlN、ZnO、PZT等。如上文所论述，第二导电层126接触第一导电层122的顶表面，如例如由参考数字128和129所指示，从而形成DC电连接且由此使内埋式第一温度补偿层124的电容组件短路，且增大声学谐振器装置400的耦合系数(kt²)。

第二复合电极440形成于压电层130的顶表面上。第二复合电极440包含依序堆叠在压电层130上的第二导电插入层或第三导电层442、内埋式第二温度补偿层444，以及第二基电极层或第四导电层446。第三导电层442和第四导电层446由导电材料形成，例如与半导体工艺兼容的各种金属，例如包含W、Mo、Al、Pt、Ru、Nb或Hf。在各种实施例中，第三导电层442与第四导电层446由不同导电材料形成，其中第四导电层446由具有相对较低传导性和相对较高声学阻抗的材料形成，且第三导电层442由具有相对较高传导性和相对较低声学阻抗的材料形成。举例来说，第四导电层446可由W形成，且第三导电层442可由Mo形成，但在不脱离本发明教示的范围的情况下可使用其它材料和/或材料组合。此外，在各种实施例中，第三导电层442与第四导电层446可由相同导电材料形成而不脱离本发明教示的范围。第三和第四导电层442和446可由与第一复合电极的第一和第二导电层122和126相同或不同的材料形成，而不脱离本发明教示的范围。

内埋式第二温度补偿层444形成于第三导电层442与第四导电层446之间。内埋式第二温度补偿层444因此通过第三导电层442与压电层130分开或隔离。因此，内埋式第二温度补偿层444有效地内埋于第二复合电极440内，包含两个边缘，如下文所论述。内埋式第二温度补偿层444可由与半导体工艺兼容的具有正温度系数的各种材料形成，例如包含多晶硅、BSG、SiO₂、Cr或TeO_(x)。内埋式第二温度补偿层444的正温度系数进一步补偿声学堆叠405中的其它材料的负温度系数，包含压电层130、第一复合电极120以及第二复合电极440的第三和第四导电层442和446。

如图4的实施例中所示，第二复合电极440具有连接边缘441和非连接边缘443。连接边缘441处于第二复合电极440的一侧上，所述侧经配置以电连接到电路(未图示)以提供到和/或来自声学谐振器装置400的电信号。而且，第二复合电极440的朝向连接边缘441延伸的一部分包含在气隙455上方的桥450。桥450形成于压电层130的顶表面与第二复合电极440的底表面(更明确地说，第三导电层442的底表面)之间。类似地，第二复合电极440的朝向非连接边缘443延伸的另一部分包含在气隙465上方的悬臂460。悬臂460也形成于压电层130的顶表面与第二复合电极440的底表面(更明确地说，第三导电层442的底表面)之间。值得注意的是，与由桥450形成的气隙455不同，气隙465为端部开放的，使得第二复合电极440的朝向非连接边缘443延伸的所述部分不连接(即，悬架)到压电层130的末端部分。

应注意，尽管桥450和悬臂460各自为声学谐振器装置400提供改进的性能(参见例如上文提及的颁予克罗伊(Choy)等人的专利和专利申请案)，但桥450和悬臂460对于声学谐振器装置400来说并非必需的，且本发明教示预期不包含桥150或悬臂460或两者的声学谐振器。

声学堆叠405包含由短划线指示的有源区域408。有源区域408在桥450的开始处且在第二复合电极440的悬臂460的开始处终止。桥450和悬臂460有效地将声学谐振器装置400的失效的谐振器区域与有源区域408分开。有源区域408内的声学堆叠405关于横轴409大体上对称，如上文关于图1中的有源区域108所论述。横轴409大体上沿压电层130的厚度的中心穿过。值得注意的是，例如制造工艺和接种的应用、成批装入和/或钝化层等各种因素可能会在横轴409的任一侧上的结构中引起些微差异，使得声学堆叠405可能并不关于横轴409精确地对称。但，一般来说，有源区域408内的声学堆叠405比仅具有一个复合电极的谐振器装置要更为对称。由于对称性的改善，第二泛音和较高阶杂散模式的负效应得以最小化。

形成于内埋式第二温度补偿层444的顶表面上的第四导电层446接触第三导电层442的顶表面，例如由参考数字448和449所指示。因此，DC电连接形成于第三导电层442与第四导电层446之间，从而有效地使内埋式第二温度补偿层444的电容组件“短路”，因此进一步增大声学谐振器装置400的耦合系数(kt²)。另外，第三导电层442在内埋式第二温度补偿层444与压电层130之间提供势垒。

在所描绘实施例中，内埋式第二温度补偿层444具有锥形边缘444a，其增强第三导电层442与第四导电层446之间的DC电连接和机械连接。在替代实施例中，内埋式第二温度补偿层444的边缘并非锥形的，而是可例如大体上垂直于内埋式第二温度补偿层444的顶表面和底表面，而不脱离本发明教示的范围。

第二复合电极440可进一步包含在顶表面上的钝化层(未图示)，所述钝化层可由各种类型的材料形成，包含AlN、SiC、BSG、SiO2、SiN、多晶硅及其类似物。钝化层的厚度必须足以将声学堆叠405的所有层与环境绝缘，包含防止受湿气、腐蚀物、污染物、碎片及其类似物影响。第一和第二复合电极120和440可经由接触衬垫(未图示)电连接到外部电路，所述接触衬垫可由例如金、金-锡合金等导电材料形成。

在一实施例中，第一复合电极120的总体第一厚度大体上与第二复合电极440的总体第二厚度相同，如图4中所示。而且，第一到第四导电层122、126、442和446的厚度以及内埋式第一和第二温度补偿层124和444的厚度可相对于彼此变化，以便优化声学谐振器装置400的耦合系数和总体温度系数，如上文参考声学谐振器装置100所论述。同样，上文所论述的说明性厚度还可适用于声学谐振器装置400以针对任何特定情形提供独特益处或满足各种实施方案的应用特定设计要求，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。

根据各种实施例，可使用与半导体工艺兼容的各种技术来制造谐振器装置。下文参考图5A到5E论述根据代表性实施例的针对代表性声学谐振器装置400的制造工艺的非限制性实例，图5A到5E是BAW谐振器装置在制造工艺的各种阶段中的横截面图。

图5A与上文所论述的图3D大体上相同。因此，应理解，产生图5A中所示结构的制造工艺步骤与上文参考图3A到3D所论述的实上相同，且因此将不重复此描述。参考图5A，衬底110包含空腔115，所述空腔115最初已填充有牺牲材料117，例如PSG或多晶硅，所述牺牲材料117稍后在制造工艺中(例如在施加声学堆叠405的层之后)使用合适的蚀刻剂加以释离，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。第一复合电极120已经形成，其包含在空腔115上方依序堆叠在衬底110上的第一导电层122、内埋式第一温度补偿层124和第二导电层126。压电层130已形成于第一复合电极120的顶表面(和衬底110的一部分)上。

参考图5B，第二复合电极440的一部分形成桥450和悬臂460，所述悬臂460终止有源区域408的边缘，如上文所提及。为了形成桥450和悬臂460，在压电层130的顶表面上形成牺牲材料457的牺牲层(未图示)。牺牲材料457可例如为PSG、多晶硅或溅镀非晶硅，其稍后在制造工艺中使用合适的蚀刻剂加以释离，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。接着将掩模图案(未图示)施加到牺牲材料457，接着将其蚀刻到所需大小，从而形成桥层452和悬臂层462。举例来说，可将光致抗蚀剂层(未图示)施加到压电层130的顶表面，且使用与半导体工艺兼容的任何光致抗蚀剂图案化技术对其进行图案化以形成掩模或光致抗蚀剂图案，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。在蚀刻牺牲材料457之后，例如通过以化学方式释离或使用包含HF蚀刻溶液的湿式蚀刻工艺进行蚀刻来移除所述光致抗蚀剂图案，但可通过各种其它技术移除所述光致抗蚀剂图案而不脱离本发明教示的范围。

参考图5C，通过首先在压电层130和桥层452以及悬臂层462的顶表面上形成第三导电层442而形成第二复合电极440。第三导电层442是例如由Mo形成，但如上所述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。可例如使用旋涂、溅镀、蒸镀、PVD或CVD技术来施加第三导电层442，但可并入其它施加方法。

再次参考图5D，以与上文关于内埋式第一温度补偿层124所论述的大体上相同的方式形成内埋式第二温度补偿层444。内埋式第二温度补偿层444例如由多晶硅形成，但可使用不同材料而不脱离本发明教示的范围。而且，可蚀刻内埋式第二温度补偿层444以包含锥形边缘444a，如上文关于内埋式第一温度补偿层124的锥形边缘124a所论述。将掩模图案(未图示)施加到内埋式第二温度补偿层444，接着对其进行蚀刻以形成所需形状，如图5D中所描绘。接着移除所述掩模。如上文所论述，可并入与半导体工艺兼容的任何掩蔽和蚀刻技术，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。

参考图5E，在内埋式第二温度补偿层444的顶表面上形成第四导电层446。第四导电层446是例如由W形成，但如上所述，可使用不同材料，而不脱离本发明教示的范围。可例如使用旋涂、溅镀、蒸镀、PVD或CVD技术来施加第四导电层446，但可并入其它施加方法。在施加第三和第四导电层442和446以及内埋式第二温度补偿层444之后，执行垂直蚀刻以形成第二复合电极440的边缘(例如，非连接边缘143)。与图3G中描绘的实施例不同，举例来说，图5E中的垂直蚀刻并不终止有源区域408的边缘。而是，悬臂460的开始终止有源区域408的边缘，所述边缘与由桥450终止的有源区域408的边缘相对。举例来说，可将光致抗蚀剂层(未图示)施加到第四导电层446的顶表面，且使用与半导体工艺兼容的任何光致抗蚀剂图案化技术加以图案化以形成掩模或光致抗蚀剂图案，如所属领域的一般技术人员将显而易见的。可通过机械加工或使用光刻对光致抗蚀剂层进行化学蚀刻来形成光致抗蚀剂图案，但可并入各种替代技术。在蚀刻第三和第四导电层442和446以及内埋式第二温度补偿层444之后，例如通过以化学方式释离或使用已知湿式蚀刻工艺进行蚀刻来移除所述光致抗蚀剂图案，但可通过各种其它技术移除所述光致抗蚀剂图案而不脱离本发明教示的范围。在各种实施例中，第二复合电极440可进一步包含由BSG、SiO2、SiN、多晶硅等形成的钝化层(未图示)。

还如图5E中所示，空腔115中的牺牲材料117经释离以形成空腔115，且桥层452和悬臂层462的牺牲材料457经释离以分别形成桥450(在气隙455上方)和悬臂460(在气隙465上方)。举例来说，当牺牲材料117为多晶硅或非晶硅且牺牲材料457为溅镀非晶硅时，它们各自可在无水释离工艺中使用XeF₂释离。或者，牺牲材料457和117可为PSG，在此情况下，其可在湿式释离工艺中使用HF释离。

在各种实施例中，声学谐振器装置400可制造为晶片的部分。因此，在完成之后，可从所述晶片切割或分离声学谐振器装置400达必要的程度，以便形成单一化的裸片，例如图4和5E中所示。可使用与半导体制造工艺兼容的各种技术来分离声学谐振器装置400，例如刻划和折断。

根据各种实施例，谐振器装置的声学堆叠具有至少一个复合电极，其包含通过导电插入层与压电层分离的内埋式温度补偿层。所述温度补偿层的温度系数具有与所述声学堆叠中的至少一个其它元件的温度系数相反的正负号，因此补偿了温度系数的效应。此外，所述导电插入层有效地使温度补偿层的电容组件短路，此有效地增大谐振器装置的耦合系数。因此，此例如通过防止通带因温度增大而移位同时防止压电材料被温度补偿层中的材料污染而实现谐振器的更稳定操作。

各种组件、材料、结构和参数仅作为说明和实例而包含在内，且不具有任何限制性意义。鉴于本发明，所属领域的技术人员可在确定其自身的应用和实施这些应用所需要的组件、材料、结构和设备时实施本发明的教示，同时保持在所附权利要求书的范围内。

Claims (17)

1.一种声学谐振器装置，其包括：

衬底；

安置在所述衬底上方的第一复合电极，所述第一复合电极包括第一和第二导电层以及安置在所述第一与第二导电层之间的第一温度补偿层，其中所述第二导电层在所述第一温度补偿层的至少一侧上形成与所述第一导电层的第一电接触，所述第一电接触使所述第一温度补偿层的第一电容组件电短路；

安置在所述第一复合电极上方的压电层；

安置在所述压电层上方的第二复合电极，所述第二复合电极包括第三和第四导电层以及安置在所述第三与第四导电层之间的第二温度补偿层，其中所述第四导电层在所述第二温度补偿层的至少一侧上形成与所述第三导电层的第二电接触，所述第二电接触使所述第二温度补偿层的第二电容组件电短路；以及

安置在所述第一复合电极下方的声学反射器，

其中所述第一温度补偿层、所述第二温度补偿层或其两者具有锥形边缘。

2.根据权利要求1所述的声学谐振器装置，其中所述声学反射器包括安置在所述衬底中的空腔。

3.根据权利要求1所述的声学谐振器装置，其中所述声学反射器包括安置在所述衬底中或其上方的声学镜。

4.根据权利要求1所述的声学谐振器装置，其中所述第一导电层包括形成于所述衬底上的第一金属层，且所述第二导电层包括安置在所述第一温度补偿层上的第二金属层。

5.根据权利要求1所述的声学谐振器装置，其中所述第三导电层包括安置在所述压电层上的第三金属层，且所述第四导电层包括安置在所述第二温度补偿层上的第四金属层。

6.根据权利要求1所述的声学谐振器装置，其中所述第一和第二温度补偿层各自包括多晶硅。

7.根据权利要求4所述的声学谐振器装置，其中所述第一金属层包括钨，且所述第二金属层包括钼。

8.根据权利要求5所述的声学谐振器装置，其中所述第三金属层包括钼，且所述第四金属层包括钨。

9.根据权利要求1所述的声学谐振器装置，其中所述第二复合电极包括经配置以形成电连接的一侧和形成悬臂的至少一个其它侧。

10.根据权利要求9所述的声学谐振器装置，其中形成所述电连接的所述侧包括桥。

11.根据权利要求10所述的声学谐振器装置，其中所述声学谐振器的有源区域终止于所述桥和所述悬臂处。

12.一种声学谐振器装置，其包括：

衬底；

安置在所述衬底上方的第一复合电极，所述第一复合电极包括第一和第二导电层以及安置在所述第一与第二导电层之间的第一温度补偿层；

安置在所述第一复合电极上方的压电层，所述压电层具有一厚度；

安置在所述压电层上方的第二复合电极，所述第二复合电极包括第三和第四导电层以及安置在所述第三与第四导电层之间的第二温度补偿层，以及

安置在所述第一复合电极下方的声学反射器，其中所述第一与第二复合电极关于大体上沿着所述压电层的所述厚度的中心穿过的对称轴而对称地安置，

其中所述第一温度补偿层、所述第二温度补偿层或其两者具有锥形边缘。

13.根据权利要求12所述的声学谐振器装置，其中所述第一导电层包括形成于所述衬底上的第一金属层，且所述第二导电层包括安置在所述第一温度补偿层上的第二金属层。

14.根据权利要求12所述的声学谐振器装置，其中所述第三导电层包括安置在所述压电层上的第三金属层，且所述第四导电层包括安置在所述第二温度补偿层上的第四金属层。

15.根据权利要求12所述的声学谐振器装置，其中所述第二复合电极包括经配置以形成电连接的一侧和形成悬臂的至少一个其它侧。

16.根据权利要求15所述的声学谐振器装置，其中形成所述电连接的所述侧包括桥。

17.根据权利要求16所述的声学谐振器装置，其中所述声学谐振器的有源区域终止于所述桥和所述悬臂处。