JP2017229194A - Memsデバイス、圧電アクチュエーター、及び、超音波モーター - Google Patents
Memsデバイス、圧電アクチュエーター、及び、超音波モーター Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017229194A JP2017229194A JP2016125257A JP2016125257A JP2017229194A JP 2017229194 A JP2017229194 A JP 2017229194A JP 2016125257 A JP2016125257 A JP 2016125257A JP 2016125257 A JP2016125257 A JP 2016125257A JP 2017229194 A JP2017229194 A JP 2017229194A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring
- electrode layer
- piezoelectric
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 42
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 13
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H10N30/708—
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/0005—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing non-specific motion; Details common to machines covered by H02N2/02 - H02N2/16
- H02N2/001—Driving devices, e.g. vibrators
- H02N2/002—Driving devices, e.g. vibrators using only longitudinal or radial modes
- H02N2/0025—Driving devices, e.g. vibrators using only longitudinal or radial modes using combined longitudinal modes
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/02—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing linear motion, e.g. actuators; Linear positioners ; Linear motors
- H02N2/026—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing linear motion, e.g. actuators; Linear positioners ; Linear motors by pressing one or more vibrators against the driven body
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead based oxides
- H10N30/8554—Lead zirconium titanate based
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B21/00—Head arrangements not specific to the method of recording or reproducing
- G11B21/16—Supporting the heads; Supporting the sockets for plug-in heads
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/0005—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing non-specific motion; Details common to machines covered by H02N2/02 - H02N2/16
- H02N2/001—Driving devices, e.g. vibrators
- H02N2/002—Driving devices, e.g. vibrators using only longitudinal or radial modes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/067—Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
Abstract
【解決手段】基板(24)の第1の面(39)側から順に第1の電極層(28)、圧電体層(29)、及び、第2の電極層(30)が積層されたMEMSデバイスであって、基板(24)の第1の面(39)とは反対側の第2の面(40)に第1の配線層(28)が積層され、第1の電極層(28)と第1の配線層(34)とは、基板(24)を貫通する貫通配線(37)を介して接続されたことを特徴とするMEMSデバイス。
【選択図】図6
Description
前記基板の前記第1の面とは反対側の第2の面に第1の配線層が積層され、
前記第1の電極層と前記第1の配線層とは、前記基板を貫通する貫通配線を介して接続されたことを特徴とする。
前記基板の第1の面に、前記第1の電極層、前記圧電体層、及び、前記第2の電極層を覆う樹脂層と、少なくとも前記樹脂層の一部に積層された第2の配線層と、が形成され、
前記第2の電極層と前記第2の配線層とは、前記樹脂層に形成されたコンタクトホールを介して接続されたことを特徴とする。
上記各構成の何れかのMEMSデバイスの構造を有することを特徴とする。
上記構成の圧電アクチュエーターの構造を有することを特徴とする。
Claims (11)
- 基板の第1の面側から順に第1の電極層、圧電体層、及び、第2の電極層が積層されたMEMSデバイスであって、
前記基板の前記第1の面とは反対側の第2の面に第1の配線層が積層され、
前記第1の電極層と前記第1の配線層とは、前記基板を貫通する貫通配線を介して接続されたことを特徴とするMEMSデバイス。 - 前記第1の電極層、前記圧電体層、及び、前記第2の電極層の積層方向において、前記貫通配線は、前記圧電体層と重なることを特徴とする請求項1に記載のMEMSデバイス。
- 前記積層方向において、前記貫通配線は、前記第1の電極層と前記圧電体層と前記第2の電極層とが重なる領域と重なることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のMEMSデバイス。
- 前記第1の配線層の少なくとも一部が、前記基板内に埋設されたことを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載のMEMSデバイス。
- 前記第1の電極層と前記第1の配線層とは、複数の前記貫通配線を介して接続されたことを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載のMEMSデバイス。
- 基板の第1の面側から順に第1の電極層、圧電体層、及び、第2の電極層が積層されたMEMSデバイスであって、
前記基板の第1の面に、前記第1の電極層、前記圧電体層、及び、前記第2の電極層を覆う樹脂層と、少なくとも前記樹脂層の一部に積層された第2の配線層と、が形成され、
前記第2の電極層と前記第2の配線層とは、前記樹脂層に形成されたコンタクトホールを介して接続されたことを特徴とするMEMSデバイス。 - 前記第1の電極層、前記圧電体層、及び、前記第2の電極層の積層方向において、前記コンタクトホールは、前記圧電体層と重なることを特徴とする請求項6に記載のMEMSデバイス。
- 前記第2の配線層の少なくとも一部が、前記樹脂層内に埋設されたことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載のMEMSデバイス。
- 前記第2の電極層と前記第2の配線層とは、複数の前記コンタクトホールを介して接続されたことを特徴とする請求項6から請求項8の何れか一項に記載のMEMSデバイス。
- 前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に電界を形成することにより前記圧電体層を変形させ、前記圧電体層の変形により前記基板を変形させる圧電アクチュエーターであって、
請求項1から請求項9の何れか一項に記載のMEMSデバイスの構造を有することを特徴とする圧電アクチュエーター。 - 前記基板の変形に伴って位置が変動する突起と、前記突起と当接し、前記突起の変動に伴って回転する回転体とを備えた超音波モーターであって、
請求項10に記載の圧電アクチュエーターの構造を有することを特徴とする超音波モーター。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016125257A JP2017229194A (ja) | 2016-06-24 | 2016-06-24 | Memsデバイス、圧電アクチュエーター、及び、超音波モーター |
US15/628,816 US20170373242A1 (en) | 2016-06-24 | 2017-06-21 | Mems device, piezoelectric actuator, and ultrasonic motor |
CN201710481252.4A CN107546320A (zh) | 2016-06-24 | 2017-06-22 | 微机电系统装置、压电致动器、以及超声波电机 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016125257A JP2017229194A (ja) | 2016-06-24 | 2016-06-24 | Memsデバイス、圧電アクチュエーター、及び、超音波モーター |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017229194A true JP2017229194A (ja) | 2017-12-28 |
Family
ID=60677948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016125257A Withdrawn JP2017229194A (ja) | 2016-06-24 | 2016-06-24 | Memsデバイス、圧電アクチュエーター、及び、超音波モーター |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170373242A1 (ja) |
JP (1) | JP2017229194A (ja) |
CN (1) | CN107546320A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113224973A (zh) * | 2020-01-21 | 2021-08-06 | 精工爱普生株式会社 | 压电电机及机器人 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11173258B2 (en) | 2018-08-30 | 2021-11-16 | Analog Devices, Inc. | Using piezoelectric electrodes as active surfaces for electroplating process |
CN114057158B (zh) * | 2021-11-18 | 2024-04-09 | 吉林大学 | 利用粘滑驱动回退现象实现表面复合微纳结构加工的方法 |
US11727957B1 (en) * | 2022-06-10 | 2023-08-15 | Seagate Technology Llc | Data storage drive with a vertically translatable actuator arm |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004248243A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-09-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
JP2007059470A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2009013938A1 (ja) * | 2007-07-20 | 2009-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電共振子及び圧電フィルタ装置 |
WO2010073920A1 (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 超音波探触子及び超音波探触子の作製方法 |
JP2010232806A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子、圧電発振器、電子機器、及び圧電振動子の製造方法 |
JP5663730B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2015-02-04 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
WO2014050235A1 (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動部品 |
US10164602B2 (en) * | 2015-09-14 | 2018-12-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of manufacturing the same |
JP6617509B2 (ja) * | 2015-10-08 | 2019-12-11 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器、及び、移動体 |
KR102460754B1 (ko) * | 2016-03-17 | 2022-10-31 | 삼성전기주식회사 | 소자 패키지 및 그 제조방법 |
-
2016
- 2016-06-24 JP JP2016125257A patent/JP2017229194A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-06-21 US US15/628,816 patent/US20170373242A1/en not_active Abandoned
- 2017-06-22 CN CN201710481252.4A patent/CN107546320A/zh not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113224973A (zh) * | 2020-01-21 | 2021-08-06 | 精工爱普生株式会社 | 压电电机及机器人 |
CN113224973B (zh) * | 2020-01-21 | 2024-01-05 | 精工爱普生株式会社 | 压电电机及机器人 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107546320A (zh) | 2018-01-05 |
US20170373242A1 (en) | 2017-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI254343B (en) | Electronic component, electronic component module and method of manufacturing the electronic component | |
US9049522B2 (en) | Piezoelectric microspeaker and method of fabricating the same | |
JP2017229194A (ja) | Memsデバイス、圧電アクチュエーター、及び、超音波モーター | |
JP5708364B2 (ja) | 超音波アレイセンサーおよびその製造方法 | |
JP7091699B2 (ja) | 超音波センサー、超音波装置、及び超音波センサーの製造方法 | |
US20190237652A1 (en) | Multi-layer piezoelectric ceramic component and piezoelectric device | |
US9872120B2 (en) | Ultrasonic transducers and methods of manufacturing the same | |
KR102184453B1 (ko) | 초음파 변환기 및 초음파 변환기의 제조 방법 | |
US20160365809A1 (en) | Piezoelectric driving device for motor, motor, robot, and pump | |
JP5627279B2 (ja) | 振動発電デバイスおよびその製造方法 | |
KR101149390B1 (ko) | 압전 액추에이터 및 압전 액추에이터의 제조 방법 | |
WO2019172052A1 (ja) | 振動デバイス | |
JP2011182298A (ja) | Memsトランスデューサおよび超音波パラメトリックアレイスピーカー。 | |
JP2016178737A (ja) | 圧電駆動装置、ロボット及びロボットの駆動方法 | |
JP2019165307A (ja) | 超音波センサ | |
JP6729015B2 (ja) | 圧電素子 | |
US11746000B2 (en) | MEMS device | |
JP6641943B2 (ja) | モーター用圧電駆動装置およびその製造方法、モーター、ロボット、ならびにポンプ | |
JP2016096187A (ja) | アクチュエータ | |
JP6413618B2 (ja) | 指関節駆動装置 | |
JP6439422B6 (ja) | 圧電アクチュエータ | |
JP2017118625A (ja) | 圧電駆動装置およびその製造方法、モーター、ロボット、ならびにポンプ | |
JP6834289B2 (ja) | 実装構造体、超音波デバイス、超音波探触子、超音波装置、及び電子機器 | |
JP2017005925A (ja) | モーター用圧電駆動装置、モーター、ロボット、およびポンプ | |
JP5713133B1 (ja) | 圧電アクチュエータ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180226 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20190410 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190507 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200324 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20200525 |