JP2003264445A - 圧電共振子及びその製造方法等、並びに圧電フィルタ等 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】周波数調整を精度良く行なうことができるとと
もに、素子の小型化も図ることのできる圧電共振子また
は圧電フィルタなどを提供する。 【解決手段】少なくとも１つの開口部６，７を有する基
板１と、開口部６，７上に形成されている、少なくとも
１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部３の上下面を少なく
とも一対の上部電極５および下部電極４を対向させて挟
む構造の振動部を主たる構造とする圧電共振子におい
て、開口部６，７の側壁６ｃ，７ｃは、前記支持部に対
して直交ないしほぼ直交する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電共振子及びそ
の製造方法や周波数調整方法、並びに圧電共振子を用い
た圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】圧電共振子並びに複数の圧電共振子が組
み合わされた構成の圧電フィルタは、例えば携帯電話器
などの通信装置の部品として用いられる。

【０００３】その圧電共振子や、圧電フィルタとして
は、次の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すようなものが従
来知られている。

【０００４】（ａ）例えば特公平０１−３１７２８号公
報に開示されているように、圧電共振子において、基板
の振動部を設けた面とは反対側の面に形成した凹部の内
面に周波数調整膜が形成されている。

【０００５】（ｂ）例えば特開２００１−３２６５５３
号公報に開示されているように、ラダーフィルタを構成
する直列側圧電共振子、並列側圧電共振子に対して、振
動部を構成する部分には選択的に膜が設けられる。この
膜によってそれぞれの圧電共振子の共振周波数を変更さ
れるようにしている。

【０００６】（ｃ）例えば図２３に示すように、基板３
１において振動部３２を設けた面とは反対の面側に凹部
３３が形成されるとともに、振動部３２を支持するダイ
ヤフラム３４が構成されている。そして、そのダイヤフ
ラム３４を補強するように凹部３３の底面部に梁３５が
付設されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記（ａ）の従来技術
において、凹部は、その底面部から開口部までにわたる
内周面が外広がりのテーパー面となっている。

【０００８】圧電共振子では、製造上の誤差により振動
部の厚みが適正でないことがある。このため、振動部を
支持する支持部としてのダイヤフラムの肉厚を調整して
共振周波数を適宜調整する場合がある。この場合、例え
ば蒸着などにより凹部の底面部に対して周波数調整膜を
付加していく。この場合、凹部の底面部を基板表面と平
行に形成するようにして、振動部の厚みを均一にするこ
とが望ましい。しかしながら、従来においては、その凹
部の底面部の中央部の膜厚が厚くなる。

【０００９】したがって、従来の構造においては、この
ように周波数調整膜が凹部の底面部に均一に形成されな
いので厚く形成された部分と薄く形成された部分の周波
数シフト量が異なり、所望の周波数となるように調整す
ることが難しいだけでなく、特性が劣化するという問題
があった。

【００１０】また、上記（ａ）の従来技術では、圧電共
振子についての周波数調整のみ示されている。共振子を
用いたラダーフィルタでは、フィルタの中心周波数の調
整だけでなく、フィルタを構成する共振子（例えば直列
圧電共振子、並列圧電共振子）の周波数を個別に調整す
る必要がある。

【００１１】フィルタの中心周波数の調整は、振動部に
膜を付加する上記（ａ）の調整で可能である。しかしな
がら、個々の共振の周波数を調整する場合、従来技術の
延長では不可能である。このような圧電フィルタの従来
における課題について以下に説明する。

【００１２】一般に、配線によるフィルタ特性（挿入損
失、減衰量）の劣化を防ぐため、圧電フィルタを構成す
る個々の圧電共振子間の配線はなるべく短くなるように
レイアウトされる。このため、圧電フィルタを構成する
個々の圧電共振子の間隔は数μｍ〜１００μｍ程度とな
る。そして、共通の凹部で形成されたダイヤフラムに
は、個々の共振子が設けられていた。

【００１３】したがって、基板裏面から個々の圧電共振
子の周波数を膜付加により調整する場合、どちらか一方
の圧電共振子をマスキングする必要がある。複数の圧電
共振子を一つのダイヤフラムを設けただけの圧電フィル
タでは、調整対象以外の圧電共振子をメタルマスクでマ
スキングしても、メタルマスクをとおった粒子はメタル
マスクからダイヤフラムまで飛翔する間に、平面的に広
がってしまう。このため、本来マスキングされるべき共
振子にも膜付加が生じ、所望の周波数調整ができない。
一方、フォトリソグラフィ技術を用いて付加膜をパター
ニングして調整する場合、基板裏面に凹部が形成される
ため、精度の高いパターニングが不可能となり、所望の
周波数調節ができない。

【００１４】上記従来技術の（ｂ）では、圧電フィルタ
の圧電共振子の電極形成時に付加膜を同時形成して調整
する。この場合、フィルタを構成する個々の圧電共振子
のうち、例えば並列圧電共振子の共振周波数のみ調整す
ることが可能となり、フィルタの中心周波数、直列圧電
共振子の調整は不可能である。また、ウェハ単位で膜付
加するため、個別素子にあわせた調整が不可能となる。
このため、歩留まりが低下し、結果としてコストアップ
につながる。

【００１５】上記従来技術の（ｃ）では、圧電フィルタ
３０のダイヤフラム３４を補強するために梁３５を入れ
ている。図２３に示される梁３５は、基板３１の厚さに
比べて非常に薄いものである。このため、基板３１の裏
面側から膜付加による直列あるいは並列圧電共振子を別
々に周波数調整を行なう際、たとえばフィルタ３０を構
成する直列圧電共振子をメタルマスクでマスキングして
もメタルマスクからダイヤフラム３４までその粒子が飛
翔する間に平面的に広がることがある。このことから、
周波数調整膜形成材の粒子が梁３５に遮られることな
く、本来マスキングされるべき直列圧電共振子にも膜付
加が生じるという問題がある。このため、所望の周波数
調整ができないという問題がある。

【００１６】また、素子全体としての小型化を図ること
が望まれていた。

【００１７】本発明は、上記実状に鑑みてなされたもの
において、周波数調整を精度良く行なうことができると
ともに、素子の小型化も図ることのできる圧電共振子及
びその製造方法や周波数調整方法、並びに圧電共振子を
用いた圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置を提供す
ることを解決課題としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
圧電共振子は、少なくとも１つの開口部を有する基板
と、前記開口部上に形成されている、少なくとも１層以
上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対
の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動
部と、前記基板と前記振動部との間に前記開口部を覆う
支持部とを有する圧電共振子において、前記開口部の側
壁は、前記支持部に対して直交ないしほぼ直交すること
を特徴とする。

【００１９】請求項１に係る圧電共振子によれば、開口
部の側壁は、支持部に対して直交ないしほぼ直交するも
のに形成していることから、従来のようにその側壁がテ
ーパー面で形成されるものと比較して、基板の面方向で
開口部が張り出さないものとなる。この張り出しがない
分、基板寸法の小型化を図ることができる。また、開口
部を通して支持部に対して振動周波数の調整を行なうこ
とができる。また、周波数調整膜などを支持部に形成す
る際、膜付加する付加部材が開口部の側壁に付着しない
ようにできる。

【００２０】本発明の請求項２に係る圧電共振子は、請
求項１に記載の圧電共振子において、前記支持部は、前
記振動部の振動周波数を調整する加工が施されているこ
とを特徴とする。

【００２１】請求項２に係る圧電共振子によれば、支持
部に対して振動部を設けた面とは反対側から、膜厚調整
による振動周波数の調整ができるので、簡易に調整でき
るとともに、調整精度が良好なものとなる。

【００２２】本発明の請求項３に係る圧電共振子は、請
求項２に記載の圧電共振子において、前記支持部は、該
支持部の膜厚を増す加工が施されていることを特徴とす
る。

【００２３】請求項３に係る圧電共振子によれば、例え
ば調整膜形成材を蒸着などにより支持部に付加すること
で支持部の膜厚が増すように簡易に調整できる。

【００２４】本発明の請求項４に係る圧電共振子は、請
求項２に記載の圧電共振子において、前記支持部は、該
支持部の膜厚を減じる加工が施されていることを特徴と
する。

【００２５】請求項４に係る圧電共振子によれば、例え
ばレーザ加工などにより膜厚を減じるように支持部を削
ることなどで、その膜構成部材を除去する加工を行なう
ことによって、膜厚調整が簡易に行える。

【００２６】本発明の請求項５に係る圧電共振子は、請
求項１から４のいずれかに記載の圧電共振子において、
前記開口部及び前記振動部が前記基板に複数個形成され
ていることを特徴とする。

【００２７】請求項５に係る圧電共振子によれば、開口
部及び振動部が複数個基板に設けられて、圧電共振子を
単一の基板に複数個形成する場合についても、その圧電
共振子の形成個数の割りに全体的に小型化できる。

【００２８】本発明の請求項６に係る圧電共振子は、前
記圧電薄膜がＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とする請求
項１から５のいずれかに記載の圧電共振子である。

【００２９】請求項６に係る圧電共振子によれば、圧電
薄膜がＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とすることで共振
特性などにおいて優れたものが得られる。

【００３０】本発明の請求項７に係る圧電フィルタは、
請求項１から６のいずれかに記載の圧電共振子を用いて
いることを特徴とする。

【００３１】請求項７に係る圧電フィルタによれば、用
いられている圧電共振子の小型化が図れることから全体
として小型化できるとともに、所望の圧電共振子に対し
て振動周波数の調整が簡易に行える。

【００３２】本発明の請求項８に係る圧電フィルタは、
ラダー構成にしたことを特徴とする請求項７に記載の圧
電フィルタである。

【００３３】請求項８に係る圧電フィルタによれば、ラ
ダー型に構成された圧電フィルタについて小型化できる
とともに、振動周波数の調整を良好に行なうことができ
る。

【００３４】本発明の請求項９に係るデュプレクサは、
請求項１から６のいずれかに記載の圧電共振子ないし請
求項７または８に記載の圧電フィルタを用いていること
を特徴とするデュプレクサである。

【００３５】請求項９に係るデュプレクサによれば、送
信側と受信側とにおける信号伝達の選択及び透過性に優
れたデュプレクサを得ることができる。

【００３６】本発明の請求項１０に係る通信装置は、請
求項１から６のいずれかに記載の圧電共振子ないし請求
項７または８に記載の圧電フィルタを用いていることを
特徴とする通信装置である。

【００３７】請求項１０に係る通信装置によれば、変調
復調などの回路素子として本発明に係る圧電共振子ない
し圧電フィルタを利用することで、高性能の通信装置を
得ることができる。

【００３８】本発明の請求項１１に係る圧電共振子の製
造方法は、少なくとも１つの開口部を有する基板と、前
記開口部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧
電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部
電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部と、前
記基板と前記振動部との間に前記開口部を覆う支持部と
を有する圧電共振子の製造方法において、前記開口部の
側壁は、前記支持部に対して直交ないしほぼ直交する形
状に形成することを特徴とする。

【００３９】請求項１１に係る圧電共振子の製造方法に
よれば、開口部の側壁は、支持部に対して直交ないしほ
ぼ直交する形状に形成することによって、従来のように
その側壁がテーパー面で形成されるものと比較して、基
板の面方向で開口部が張り出さないものとなる。この張
り出しがない分、基板寸法の小型化を図ることができ
る。また、開口部を通して支持部に対して振動周波数の
調整を行なうことができる。また、周波数調整膜などを
支持部に形成する際、膜付加する付加部材が開口部の側
壁に付着しないようにできる。

【００４０】本発明の請求項１２に係る圧電共振子の周
波数調整方法は、少なくとも１つの開口部を有する基板
と、前記開口部上に形成されている、少なくとも１層以
上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対
の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部
と、前記基板と前記振動部との間に前記開口部を覆う支
持部とを有する圧電共振子に対して、マスクを用いて、
前記支持部に対して前記振動部の振動周波数を調整する
加工を施すことを特徴とする。

【００４１】請求項１２に係る圧電共振子の周波数調整
方法によれば、マスクでマスキングした状態で、周波数
調整箇所と調整しない箇所とが開口部の側壁により明確
に仕切られることになって、従来のように、マスキング
しているにもかかわらず、調整しない箇所にまで調整が
及ぶようなことは解消され、周波数調整を良好に行なう
ことができる。

【００４２】本発明の請求項１３に係る圧電共振子の周
波数調整方法は、少なくとも１つの開口部を有する基板
と、前記開口部上に形成されている、少なくとも１層以
上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対
の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部
と、前記基板と前記振動部との間に前記開口部を覆う支
持部とを有する圧電共振子に対して、前記開口部の側壁
をマスクとして、前記支持部に対して前記振動部の振動
周波数を調整する加工を施すことを特徴とする。

【００４３】請求項１３に係る圧電共振子の周波数調整
方法によれば、開口部の側壁をマスクとして利用するこ
とにより、周波数調整箇所と調整しない箇所とが開口部
の側壁により明確に仕切られることになって、従来のよ
うに、マスキングしているにもかかわらず、調整しない
箇所にまで調整が及ぶようなことは解消され、周波数調
整を良好に行なうことができる。

【００４４】本発明の請求項１４に係る圧電共振子の周
波数調整方法は、複数の開口部を有する基板と、前記開
口部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄
膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極
及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部と、前記基
板と前記振動部との間に前記開口部を覆う支持部とを有
し、且つ少なくとも１組の互いに隣り合う前記開口部を
有する圧電共振子に対して、マスクを用いて、前記１組
の互いに隣り合う前記開口部の前記支持部に対して前記
振動部の振動周波数を調整する加工を施すことを特徴と
する。

【００４５】請求項１４に係る圧電共振子の周波数調整
方法によれば、マスクでマスキングした状態で、周波数
調整箇所と調整しない箇所とが開口部の側壁により明確
に仕切られることになって、従来のように、マスキング
しているにもかかわらず、調整しない箇所にまで調整が
及ぶようなことは解消され、周波数調整を良好に行なう
ことができる。なお、マスクは、メタルマスクに限ら
ず、基板に形成した樹脂膜などでも良い。

【００４６】本発明の請求項１５に係る圧電共振子の周
波数調整方法は、複数の開口部を有する基板と、前記開
口部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄
膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極
及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部と、前記基
板と前記振動部との間に前記開口部を覆う支持部とを有
し、且つ少なくとも１組の互いに隣り合う前記開口部を
有する圧電共振子に対して前記開口部の側壁をマスクと
して、前記１組の互いに隣り合う前記開口部の前記支持
部に対して前記振動部の振動周波数を調整する加工を施
すことを特徴とする。

【００４７】請求項１５に係る圧電共振子の周波数調整
方法によれば、開口部の側壁をマスクとして利用するこ
とにより、周波数調整箇所と調整しない箇所とが開口部
の側壁により明確に仕切られることになって、従来のよ
うに、マスキングしているにもかかわらず、調整しない
箇所にまで調整が及ぶようなことは解消され、周波数調
整を良好に行なうことができる。

【００４８】本発明の請求項１６に係る圧電共振子の周
波数調整方法は、前記開口部の側壁は、前記支持部に対
して直交ないしほぼ直交していることを特徴とする請求
項１３ないし１６に記載の圧電共振子の周波数調整方法
である。

【００４９】請求項１６に係る圧電共振子の周波数調整
方法によれば、周波数調整膜などを支持部に形成する
際、膜付加する付加部材が開口部の側壁に付着しないよ
うにできる。

【００５０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図面に示す
実施形態に基づいて説明する。

【００５１】（実施形態１）図１から図５に、本発明に
係る実施形態１を示している。図１は、Ｌ型ラダーフィ
ルタの要部を示す平面図、図２は、図１におけるＡ−Ａ
線断面図、図３は、Ｌ型ラダーフィルタを示す回路図、
図４（ａ）〜（ｅ）、図５（ｆ）〜（ｊ）はラダーフィ
ルタの製造過程を示す要部断面図、図６は、圧電共振子
に周波数調整膜を付加する様子を示す縦断説明図であ
る。

【００５２】図１から図３に、Ｌ型ラダーフィルタとし
て構成された圧電フィルタを示している。図１から図３
において、１は、Ｓｉ等の基板、２は、ＳＯ₂による薄
膜、３は、ＺｎＯを主成分として薄膜層でなる圧電薄
膜、４ａ，４ｂは、Ａｌなどによる下部電極、５は、同
じくＡｌなどによる上部電極である。

【００５３】基板１は、シリコンウェハからなる。この
基板１には、上下に貫通する孔として開口部６，７を形
成している。この２つの開口部６，７のうち一方の開口
部６は、入力電極１３と出力電極１４とに直列に接続さ
れる直列圧電共振子８の振動空間を確保するものとなっ
ている。他方の開口部７は、入力電極１３とグランド電
極１５とに接続された並列圧電共振子９の振動空間を確
保するものとなっている。基板１における開口部６箇所
の薄膜２は、直列圧電共振子８の振動部を支持する支持
部としてのダイヤフラム１６を構成し、基板１における
開口部７箇所の薄膜２は、並列圧電共振子９の振動部を
支持する支持部としてのダイヤフラム１７を構成する。

【００５４】ダイヤフラム１６上には、下部電極４ａが
形成され、ダイヤフラム１７上には、下部電極４ｂが形
成されている。下部電極４ａは、入力側外部電極と接続
される入力電極１３となっている。下部電極４ｂは、グ
ランド電極１５となっている。下部電極４ａと下部電極
４ｂ上には、各ダイヤフラム１６，１７にわたる状態で
ＺｎＯを主成分として少なくとも一つの層をなす圧電薄
膜３を形成している。

【００５５】そして、ダイヤフラム１６の領域において
圧電薄膜３を下部電極４ａと上下で挟んで上下方向で一
部対向するように上部電極５を設けている。この上部電
極５は、また、ダイヤフラム１７の領域において圧電薄
膜３を下部電極４ｂと上下で挟んで上下方向で一部対向
するように上部電極５を設けている。したがって、上部
電極５は、直列圧電共振子８と並列圧電共振子９と共通
の電極となっている。また、この上部電極５は、出力側
外部電極と接続される外部電極と接続される出力電極１
４となっている。

【００５６】下部電極４ａと上部電極５の上下に重なっ
ている形状は、その重なり方向視で矩形状となっている
（図１においてハッチングで示す）。また、下部電極４
ｂと上部電極５の上下に重なっている形状も、その重な
り方向視で矩形状となっている（図１においてハッチン
グで示す）。ここで、下部電極４ａ，４ｂと上部電極５
とこれらで上下に挟み込まれた圧電薄膜３の部分とによ
ってそれぞれ振動部が構成されている。ここで、直列圧
電共振子８を構成する振動部が直列側振動部、並列圧電
共振子９を構成する振動部が並列側振動部である。これ
ら振動部に対して各電極１３，１４，１５を介して電気
信号が与えられることにより、これら振動部は厚み縦振
動することで圧電共振子として機能する。なお、その振
動部の振動モードとしては厚みすべり振動するものでも
良い。

【００５７】図２に示すように、開口部６，７の薄膜２
で覆われている部分、すなわち、基板１において振動部
がある側とは反対側から見た開口部６，７の底面部６
ｂ，７ｂは、薄膜２の下面に一致している。また、各開
口部６，７の基板１の下面で外部に開口している開口箇
所６ａ，７ａから底面部６ｂ，７ｂまでにわたる側壁６
ｃ，７ｃは、支持部を構成しているダイヤフラム１６，
１７の開口部６，７に臨む面、すなわち底面部６ｂ，７
ｂの面に対して直交ないしほぼ直交する状態に形成され
ている。

【００５８】そして、並列圧電共振子９についての共振
周波数を調整するための周波数調整膜１０が、開口部６
の底面部６ｂに成膜形成されている。この周波数調整膜
１０は、後述するように、蒸着形成されているのであっ
て、圧電フィルタとして透過帯域を調整するために設け
られている。

【００５９】この圧電フィルタの製造方法について各工
程を断面図として示す図４及び図５に基づいて以下に説
明する。まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェ
ハの状態で基板１を用意する。図４（ｂ）に示すよう
に、基板１の一方の面（別言すると上面、または表面）
にＳｉＯ₂の薄膜２を形成する。なお、この薄膜２を形
成するには、基板１の表面に対してスパッタリングやＣ
ＶＤ法などによって成膜する。

【００６０】次に、図４（ｃ）に示すように、基板１の
他方の面（別言すると下面、または裏面）からＳｉＯ₂
の薄膜２まで達する開口部６，７をそれぞれ形成する。
これら開口部６，７の形成は、所要の異方性エッチング
や反応性エッチングやレーザ光を利用した加工により形
成されている。詳述すると、基板１に対して裏面側から
側面視形状が長方形状の空洞をそれぞれ形成する。図１
において、破線部分は基板１の表面側から見たそれぞれ
の開口部６，７を構成する空洞の外形線を示す。このよ
うな空洞の形成法は、公知の異方性エッチングの手法で
形成することができる。

【００６１】本発明は、その公知の手法のいずれにも限
定されない。エッチング技術で空洞を形成する場合、ウ
ェットエッチング、ドライエッチングのいずれでも可能
である。ドライエッチングには、プラズマ、イオンビー
ム、イオンミリングなどがあり、これらの手法により空
洞を形成する。

【００６２】この場合、各開口部６，７の開口箇所６
ａ，７ａと底面部６ｂ，７ｂとにわたる側壁６ｃ，７ｃ
は、基板１の振動部を形成している上面並びに下面と直
交ないしほぼ直交する方向に沿う面に形成されている。

【００６３】このようにして、形成された開口部６と開
口部７との間には、これら開口部６，７を仕切る壁部分
１８が形成されることになる。この壁部分１８は、基板
１において開口部６，７を形成したことにより残った部
分であり、壁部分１８の下端は基板１の下面のままであ
る。よって、開口部６，７の間の壁部分１８の厚みは基
板１の厚み分にほぼ相当する。また、この壁部分１８の
開口部６，７の間方向での幅は、隣り合う開口部６，７
が極力近接しながらも後述する周波数調整膜１０を形成
する際のメタルマスク１９で一方の開口部６，７を良好
に外部に臨ませ他方を閉塞できるようにメタルマスク１
９を位置設定する際の設定誤差を吸収できる寸法幅とな
っている。なお、ドライエッチングやレーザ加工の場
合、この壁部分１８の前記幅を小さく加工でき、直列圧
電共振子８と並列圧電共振子９との間隔を狭くでき、コ
ンパクト化が図れる。これにより、両共振子間の接続配
線も短くできるように設定できる。また、このように配
線を短くすることで、フィルタ特性の劣化も極力抑制で
きる。

【００６４】次いで、図４（ｄ）に示すように、薄膜２
の表面にレジスト膜１１をパターン化する。このレジス
ト膜１１は下部電極４ａ，４ｂをパターニングするため
に用いる。

【００６５】次いで、図４（ｅ）に示すように、基板１
全面に真空蒸着またはスパッタリングなどによって、Ａ
ｌなどを材料として電極膜４を形成する。

【００６６】その後、図５（ｆ）に示すように、レジス
ト膜１１をアセトンなどで剥離し、そのレジスト膜１１
上面に形成されていた電極膜４を除去することによっ
て、下部電極４ａ，４ｂを形成する。なお、下部電極４
ａ，４ｂは、Ａｌにかえて、Ａｕ，Ｐｔ，Ｎｂ，１９
ｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ａｇなどを用いても良い。

【００６７】次に、図５（ｇ）に示すように、メタルマ
スク（図示せず）などでマスキングしてＺｎＯを真空蒸
着またはスパッタリングなどにより圧電薄膜３を成膜す
る。

【００６８】その後、図５（ｈ）に示すように、上部電
極パターン形成用のレジスト膜１２を形成する。次い
で、図５（ｉ）に示すように、表面の全面にＡｌを成膜
し、レジスト膜１２をアセトンなどで剥離することによ
って、図５（ｊ）に示すように上部電極５を形成する。

【００６９】さらに、共振周波数の調整を行なうため
に、各電極１３，１４，１５を共振周波数測定用の測定
装置（図示せず）に接続し、各圧電フィルタごとに周波
数特性を予め測定しておく。その測定結果により、並列
圧電共振子による共振周波数が直列共振子による共振周
波数に近づいたものとなっていて、規定周波数よりも高
い周波数となっている場合に、図６に示すように、周波
数調整膜１０を付加することになる。また、規定周波数
よりも低い場合、エッチングにより周波数を調整する。
なお、その測定結果が良好な圧電フィルタの場合は、周
波数調整膜１０を付加しない。

【００７０】詳述すると、図７（ａ）には、この圧電フ
ィルタにおける直列共振子と並列共振子の２つの共振に
よるインピーダンス特性を重ねて表している。また、図
７（ｂ）には、この圧電フィルタのＳパラメータにおけ
る透過係数Ｓ₂₁と周波数との関係を伝送特性として示し
ている。図７（ａ），（ｂ）において、ｆｒ１は並列共
振子の直列共振周波数、ｆａ１はその並列共振周波数、
ｆｒ２は直列共振子の直列共振周波数、ｆａ２はその並
列共振周波数である。ここで、ｆａ１とｆｒ２とをほぼ
等しくし、この２つの直列共振子と並列共振子とをラダ
ー型に接続することで、ｆａ１とｆｒ２とを減衰極と
し、その間を通過帯域とする帯域通過特性が得られる。
このような帯域通過特性を得るには、並列共振子の共振
周波数を直列共振子の共振周波数より低い所望共振周波
数に定める必要がある。ところで、図７（ａ）におい
て、周波数調整前の並列共振子のインピーダンス特性
は、実線で示す特性となっていることがある。この場
合、並列圧電共振子による共振周波数が直列共振子によ
る共振周波数に近づいたものとなっている。そこで、所
望の帯域通過特性に調整するため、並列共振子の共振周
波数を低下させるように、調整膜が付加される。これに
より、並列共振子におけるダイヤフラム１７の膜厚が厚
くなる。その結果、並列共振子のインピーダンス特性
は、その通過帯域が低い側に広がって所望の通過帯域と
なる。その調整後の並列共振子のインピーダンス特性
は、図７（ａ）で破線で示される。同様に、図７（ｂ）
において、周波数調整前の伝送特性は、実線で示され、
周波数調整後の伝送特性は、破線で示されている。

【００７１】以下に、その周波数調整膜１０を付加する
工程について説明する。調整対象の圧電フィルタの各電
極１３，１４，１５を共振周波数測定用の測定装置（図
示せず）に接続する。そして、図６に示すように、基板
１の裏面側にメタルマスク１９をマスキングするために
基板１と位置合わせした状態で付設する。このとき、並
列圧電共振子の開口部７は、メタルマスク１９の貫通孔
１３を通して、外部に臨むようにする。また、直列圧電
共振子の開口部６は外部に臨まないようにメタルマスク
１９で閉塞される。このようにした状態で、真空蒸着法
によって、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕなどの金属、あるいはＳｉ
Ｏ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｎＯ，ＡｌＮなどの絶縁物を蒸着源
２０として、貫通孔１３を通して、開口部６の底面部６
ｂに成膜していく。その成膜の際、前記測定装置により
共振周波数が適正かどうか実時間で測定、あるいは、ネ
ットワークアナライザなどでフィルタ特性を測定し、適
正となったときにその周波数調整膜１０の付加を停止す
る。この場合、側壁を構成する壁部分１８も開口部７に
対するマスクとして機能し、開口部７へ周波数調整用の
蒸着物が入り込まないようにしている。

【００７２】開口部６の側壁６ｃは支持部を構成するダ
イヤフラム１６の下面である底面部６ｂの面に対して直
交ないしほぼ直交する面となっていることから、蒸着材
が側壁６ｃに付きにくくなっている。したがって、この
周波数調整膜１０の成膜は開口部６の底面部６ｂに対し
て主になされることになる。また、底面部６ｂにおける
周波数調整膜１０の膜厚は、ほぼ均一になる。これによ
って、精度良く周波数調整ができる。

【００７３】（実施形態２）次に、本発明に係る圧電共
振子であって、単独の圧電共振子のみで電子部品を構成
するものについて説明する。

【００７４】図８は圧電共振子を示す平面図、図９は図
８におけるＡ−Ａ線断正面図、図１０（ａ）〜（ｅ）、
図１１（ｆ）〜（ｊ）は、圧電共振子の製造過程を示す
要部断面図である。

【００７５】図８および図９において、１は、基板、２
は、ＳｉＯ₂による薄膜、３は、ＺｎＯを主成分として
薄膜層でなる圧電薄膜、４は、Ａｌなどによる下部電
極、５は、同じくＡｌなどによる上部電極である。

【００７６】基板１は、シリコンウェハからなる。この
基板１には、薄膜２を形成した面と対向する反対面側に
１つの開口部６を形成している。この開口部６は、入力
電極Ｉと出力電極Ｏとに接続される圧電共振子８の振動
空間を確保するものとなっている。基板１における開口
部６箇所の薄膜２は、圧電共振子８の支持部としてのダ
イヤフラム１６を構成する。

【００７７】ダイヤフラム１６上には、下部電極４が形
成されている。下部電極４は、入力側外部電極と接続さ
れる入力電極Ｉとなっている。下部電極４上には、ダイ
ヤフラム１６を覆う状態でＺｎＯを主成分として少なく
とも一つの層をなす圧電薄膜３を形成している。

【００７８】そして、ダイヤフラム１６の領域において
圧電薄膜３を下部電極４と挟んで上下方向で対向するよ
うに上部電極５を設けている。下部電極４と上部電極５
の上下に重なっている形状は、その重なり方向視で矩形
状となっている。ここで、下部電極４と上部電極５とこ
れらで上下に挟み込まれた圧電薄膜３の部分とによって
振動部が構成されている。これら振動部に対して各電極
Ｉ，Ｏを介して電気信号が与えられることにより、これ
ら振動部は厚み縦振動することで圧電共振子として機能
する。なお、その振動部の振動モードとしては厚みすべ
り振動するものでも良い。

【００７９】この圧電共振子の製造方法について各工程
を断面図として示す図１０及び図１１に基づいて以下に
説明する。まず、図１０（ａ）に示すように、シリコン
ウェハの状態で基板１を用意する。図１０（ｂ）に示す
ように、基板１の一方の面（別言すると上面、または表
面）にＳｉＯ₂の薄膜２を形成する。なお、この薄膜２
を形成するには、基板１の表面に対してスパッタリング
やＣＶＤ法などによって成膜する。

【００８０】次に、図１０（ｃ）に示すように、基板１
の他方の面（別言すると下面、または裏面）からＳｉＯ
₂の薄膜２まで達する開口部６を形成する。この開口部
６の形成は、所要の異方性エッチングや反応性エッチン
グやレーザ光を利用した加工により形成されている。詳
述すると、基板１に対して裏面側から側面視形状が長方
形状の空洞を形成する。図８において、破線部分は基板
１の表面側から見た開口部６を構成する空洞の外形線を
示す。このような空洞の形成法は、公知の異方性エッチ
ングの手法で形成することができる。本発明は、その公
知の手法のいずれにも限定されない。エッチング技術で
空洞を形成する場合、ウェットエッチング、ドライエッ
チングのいずれでも可能である。ドライエッチングに
は、プラズマ、イオンビーム、イオンミリングなどがあ
り、これらの手法により空洞を形成する。

【００８１】この場合、開口部６の開口箇所６ａと底面
部６ｂとにわたる側壁６ｃは、基板１の振動部を形成し
ている上面並びに下面と直交ないしほぼ直交する方向に
沿う面に形成されている。

【００８２】次いで、図１０（ｄ）に示すように、薄膜
２の表面にレジスト膜１１をパターン化する。このレジ
スト膜１１は下部電極４ａ，４ｂをパターニングするた
めに用いる。

【００８３】次いで、図１０（ｅ）に示すように、基板
１全面に真空蒸着またはスパッタリングなどによって、
Ａｌなどを材料として電極膜４を形成する。

【００８４】その後、図１１（ｆ）に示すように、レジ
スト膜１１をアセトンなどで剥離し、そのレジスト膜１
１上面に形成されていた電極膜４を除去することによっ
て、下部電極４ａ，４ｂを形成する。なお、下部電極４
ａ，４ｂは、Ａｌにかえて、Ａｕ，Ｐｔ，Ｎｂ，１９
ｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ａｇなどを用いても良い。

【００８５】次に、図１１（ｇ）に示すように、メタル
マスク（図示せず）などでマスキングしてＺｎＯを真空
蒸着またはスパッタリングなどにより圧電薄膜３を成膜
する。

【００８６】その後、図１１（ｈ）に示すように、上部
電極パターン形成用のレジスト膜１２を形成する。次い
で、図１１（ｉ）に示すように、表面の全面にＡｌを成
膜し、レジスト膜１２をアセトンなどで剥離することに
よって、図１１（ｊ）に示すように上部電極５を形成す
る。これにより圧電共振子の要部の製造が行われたこと
になる。

【００８７】さらに、共振周波数の調整を行なうため
に、各電極１３，１４を共振周波数測定用の測定装置
（図示せず）に接続し、各圧電共振子ごとに周波数特性
を予め測定しておく。その測定結果により、共振周波数
が所望周波数とずれている場合に、図９に示すように、
周波数調整膜１０を付加することになる。

【００８８】周波数調整膜１０を付加する場合には、前
述した実施形態１と同様に蒸着により付加する。この場
合、圧電共振子については複数の凹部を形成しているも
のでないから、メタルマスク１９を要することなく成膜
可能である。なお、成膜が開口部６の底面部６ｂ以外に
基板１の下面などに形成されないようにするため、メタ
ルマスクなどでマスキングしても構わない。

【００８９】（実施形態３）次に、圧電フィルタの別の
例を示す。図１２には、π型ラダーフィルタの回路図を
示し、図１３には、素子を構成する基板１上での圧電共
振子の配置を示す概略平面図である。

【００９０】図１１及び図１２において、このπ型ラダ
ーフィルタは、入力端子１３と出力端子１４とに、一つ
の直列圧電共振子８の両端子がそれぞれ接続されてい
る。また、入力端子１３とグランド端子１５とに、一つ
の並列圧電共振子９の両端子がそれぞれ接続されてい
る。さらに、出力端子１４とグランド端子１５とに、一
つの並列圧電共振子９の両端子がそれぞれ接続されてい
る。図１２において、基板１の上面に左右に並列圧電共
振子９，９を並べて配置し、これら並列圧電共振子９，
９とは前後に配置した状態で直列圧電共振子８を配置し
ている。

【００９１】そして、直列圧電共振子８の振動空間を形
成するための開口部６と、二つの並列圧電共振子９，９
の振動空間を形成するための開口部７とをそれぞれ形成
している。各開口部６，７は、縦断側面図で図示してい
ないが、その開口部６，７の底面部６ｂ，７ｂから開口
箇所６ａ，７ａにわたる側壁６ｃ，７ｃが基板１の上面
ならびに下面に対して直交ないしほぼ直交する方向に沿
った状態に形成されている。

【００９２】このπ型ラダーフィルタにおいて、共振周
波数の調整を行なう場合、例えば並列圧電共振子９，９
を設けている開口部７の底面部に対して周波数調整膜を
付加する。この場合、二つの並列圧電共振子９，９のそ
れぞれの共振周波数の調整が同時になされることにな
る。

【００９３】上記のような、二つの並列圧電共振子と、
直列圧電共振子との配置のほかに、例えば、図１４に示
すように中央に直列圧電共振子８を配置し、その両側に
並列圧電共振子９，９を配置しても良い。この場合、各
共振子ごとに振動部の振動空間を形成するように凹部が
形成されている。したがって、周波数調整を行なう場合
には、個別の圧電共振子ごとに周波数調整膜を付加して
調整する。

【００９４】このπ型ラダーフィルタの製造工程は、上
述した実施形態１のラダーフィルタと同様である。

【００９５】（実施形態４）次に、さらに別のπ型ラダ
ーフィルタについて説明する。図１５には、π型ラダー
フィルタの回路図を示し、図１６には、素子を構成する
基板１上での圧電共振子の配置を示す概略平面図であ
る。

【００９６】図１５及び図１６において、このπ型ラダ
ーフィルタは、入力端子１３と出力端子１４とに、二つ
のの直列圧電共振子８，８が直列に接続されている。入
力端子１３とグランド端子１５とに、二つの並列圧電共
振子９，９が並列に接続されている。出力端子１４とグ
ランド端子１５とに、二つの並列圧電共振子９，９が並
列に接続されている。さらに、二つの直列圧電共振子
８，８が接続された接続端子とグランド端子Ｇとに、二
つの並列圧電共振子９，９が並列に接続されている。図
１６において、基板１の上面に左右に直列圧電共振子
８，８を並べて配置し、これら直列圧電共振子８，８の
前後両脇箇所にそれぞれ左右に三つずつ並列圧電共振子
９…を配置している。

【００９７】そして、二つの直列圧電共振子８，８の振
動空間を形成するための開口部６と、左右に三つ並んだ
並列圧電共振子の振動空間を形成するための二つの開口
部７，７とをそれぞれ形成している。各開口部６，７，
７は、縦断側面図で図示していないが、その開口部６，
７，７の底面部から開口部にわたる側壁が基板１の上面
ならびに下面に対して直交ないしほぼ直交する方向に沿
った状態に形成されている。

【００９８】このπ型ラダーフィルタにおいて、共振周
波数の調整を行なう場合、例えば並列圧電共振子９を設
けている所望の開口部７の底面部に対して周波数調整膜
を付加する。この場合、三つの並列圧電共振子９，９，
９のそれぞれの共振周波数の調整が同時になされること
になる。

【００９９】このπ型ラダーフィルタの製造工程は、上
述した実施形態１のラダーフィルタと同様である。

【０１００】（実施形態５）次に、圧電共振子を一つの
基板１に複数個アレイ状に形成するものについて説明す
る。

【０１０１】図１７に示すように、基板１には、個別の
圧電共振子２１を構成する振動部が複数個（図１７では
３個であるが、２個以上であればその個数は特に限定さ
れない）左右に並べられて設けられている。各振動部の
構成について説明すると、基板１上面には、絶縁性の薄
膜２が形成されている。基板１の薄膜２が形成されてい
る面とは反対の面側には、各振動部に対応して振動空間
を形成するための開口部６が左右に４個形成されてい
る。各開口部６の底面部６ｂ個所の薄膜２が振動部に対
するダイヤフラム１６となっている。そして、ダイヤフ
ラム１６となっている箇所の薄膜２上には、それぞれ、
個別の入力端子１３に接続される下部電極４が形成され
ている。各下部電極４に共通して、ＺｎＯを主成分とす
る圧電薄膜３が成膜されている。対応する下部電極４と
対向して、圧電薄膜３を挟むように上部電極５が圧電薄
膜３上に形成され、この上部電極５は個別の出力端子１
４に接続されている。下部電極４と上部電極５とにより
挟み込まれた圧電薄膜３部分が各振動部（図１７におい
てクロスハッチングで示している）を構成する。

【０１０２】各開口部６は、図１７（ｂ）に示すよう
に、その開口部６の底面部６ｂから開口箇所６ａにわた
る側壁６ｃが基板１の上面ならびに下面に対して直交な
いしほぼ直交する方向に沿った状態に形成されている。

【０１０３】なお、各圧電共振子２１ごとに開口部６を
設けるものを示したが、一つの開口部６に複数個の圧電
共振子２１を設けても良い。また、その場合、開口部６
は基板１に一つのみ設けられるものでも良い。

【０１０４】（実施形態６）次に、圧電共振子をそれぞ
れ並列接続した構造の圧電フィルタについて、説明す
る。

【０１０５】図１８は、この圧電フィルタの回路図を示
している。この圧電フィルタは、複数（図１８では３個
であるが、２個以上であればその個数は特に限定されな
い）の圧電共振子２１を、入力側端子１３と出力側端子
１４に並列に接続したものである。これによって、この
圧電フィルタは、並列共振のみするものであるから、例
えば図１９に示すグラフのようなインピーダンス特性を
有するフィルタを構成するものである。

【０１０６】その構造について図１８に基づいて説明す
る。図１８（ａ），（ｂ）に示すように、基板１上面に
は、絶縁性の薄膜２が形成されている。基板１の薄膜２
が形成されている面とは反対の面側には、各振動部に対
応して振動空間を形成するための開口部６が左右に４個
形成されている。各開口部６の底面部６ｂ個所の薄膜２
が振動部に対するダイヤフラム１６となっている。そし
て、ダイヤフラム１６となっている箇所の薄膜２上に
は、それぞれ、単一の入力端子１３に共通に接続される
下部電極４が形成されている。各下部電極４に共通し
て、ＺｎＯを主成分とする圧電薄膜３が成膜されてい
る。対応する下部電極４と対向して、圧電薄膜３を挟む
ように上部電極５が圧電薄膜３上に形成され、この上部
電極５は単一の出力端子１４に接続されている。下部電
極４と上部電極５とにより挟み込まれた圧電薄膜３部分
が各振動部（図１８（ａ）においてクロスハッチングで
示している）を構成する。

【０１０７】各開口部６は、図１８（ｂ）に示すよう
に、その開口部６の底面部６ｂから開口箇所６ａにわた
る側壁６ｃが基板１の上面ならびに下面に対して直交な
いしほぼ直交する方向に沿った状態に形成されている。

【０１０８】（実施形態７）次に、上記ラダーフィルタ
とは別のフィルタ構造について図２０に基づいて説明す
る。これら各フィルタの各共振子の振動空間を形成する
凹部は図示しないが、その底面部から開口部にわたる側
壁が基板の上面及び下面と直交ないしほぼ直交する面に
形成されている。

【０１０９】図２０（ａ）に示すラダーフィルタは、二
つの直列圧電共振子８，８が入力端子１３と出力端子１
４との間に直列に接続されているとともに、両直列圧電
共振子８，８間とグランド端子１５との間、並びに、出
力端子１４とグランド端子１５との間に、それぞれ、並
列圧電共振子９，９が接続されている。

【０１１０】図２０（ｂ）に示すラダーフィルタは、実
施形態１のラダーフィルタと異なり、並列圧電共振子９
が出力端子１４とグランド端子１５との間に接続されて
いる。

【０１１１】図２０（ｃ）に示すラダーフィルタは、二
つの直列圧電共振子８，８が入力端子１３と出力端子１
４との間に直列に接続されているとともに、両直列圧電
共振子８，８間とグランド端子１５との間に、並列圧電
共振子９が接続されている。

【０１１２】（実施形態８）次に、本発明に係るデュプ
レクサについて説明する。

【０１１３】図２１に示されるようなデュプレクサ２２
は、アンテナ端子２３、受信側端子２４および送信側端
子２５が設けられている。受信側端子２４および送信側
端子２５と、アンテナ端子２３との間に所要周波数帯域
の通過のみ許す本発明に係る圧電共振子または圧電フィ
ルタを含む構成となっている。

【０１１４】（実施形態９）次に、本発明に係る通信装
置について説明する。図２２に通信装置の簡易なブロッ
ク図を示している。

【０１１５】この通信装置２６は、図２２に示すよう
に、本体に備えられる受信回路２７と、送信回路２８
と、アンテナ２９とを備えている。また、アンテナ２９
と、送信回路２７および受信回路２８とは、上記実施形
態８で説明したようなデュプレクサ２２を介して信号伝
送がなされる。したがって、このデュプレクサ２２に回
路素子として含まれる本発明に係る圧電共振子または圧
電フィルタによって、この通信装置は、その動作特性が
安定したものとなる。

【０１１６】本発明は、上記各実施形態として説明した
ものに限定されるものでなく、例えば次のような変形例
などでも良い。

【０１１７】（１）上記各実施形態では、振動部を構成
する圧電薄膜は主成分をＺｎＯとするものを示したが、
ＡｌＮを主成分とする圧電薄膜で構成しても良い。ま
た、上記各実施形態では、その圧電薄膜を一層に成膜し
たものを示したが、複数層積層するように成膜するもの
でも良い。

【０１１８】（２）上記各実施形態では、圧電共振子の
支持部としてのダイヤフラムの膜厚を調整するのに周波
数調整膜を付加したものを示したが、開口部の底面部に
予め周波数調整膜を付加しておいて、その周波数調整膜
をトリミング、すなわち膜厚を薄くしていく加工をして
いくことによって、周波数調整を行なっても良い。

【０１１９】

【発明の効果】本発明に係る圧電共振子によれば、開口
部の側壁は、支持部に対して直交ないしほぼ直交するよ
うに形成していることから、従来のようにその側壁がテ
ーパー面で形成されるものと比較して、基板の板面に沿
う方向に開口部が張り出さないものとなる。この張り出
しがない分、基板寸法の小型化を図ることができる。ま
た、支持部に対して振動周波数の調整を行なうために、
周波数調整膜などを形成する場合、膜付加する付加部材
が側壁に付着しないようにでき、周波数調整膜は、支持
部にのみ付加されていくので、その膜厚をほぼ均等にで
きるなどの効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施形態１に係る圧電フィルタの要部を示す
平面図

【図２】 図１のＡ−Ａ線断面図

【図３】 実施形態１に係る圧電フィルタの回路図

【図４】 実施形態１に係る圧電フィルタの製造工程を
示す縦断面図

【図５】 実施形態１に係る圧電フィルタの製造工程を
示す縦断面図

【図６】 実施形態１に係る圧電フィルタへの周波数調
整膜を付加する様子を示す説明図

【図７】 実施形態１に係る圧電フィルタの各共振子の
インピーダンス特性を示すグラフ（ａ）と、伝送特性を
示すグラフ（ｂ）

【図８】 実施形態２に係る圧電共振子の要部を示す平
面図

【図９】 図８のＡ−Ａ線断面図

【図１０】 実施形態２に係る圧電共振子の製造工程を
示す縦断面図

【図１１】 実施形態２に係る圧電共振子の製造工程を
示す縦断面図

【図１２】 実施形態３に係る圧電フィルタの回路図

【図１３】 実施形態３に係る圧電フィルタの振動部の
配置構成を示す概略平面図

【図１４】 実施形態３に係る圧電フィルタの振動部の
別の配置構成を示す概略平面図

【図１５】 実施形態４に係る圧電フィルタの回路図

【図１６】 実施形態４に係る圧電フィルタの振動部の
配置構成を示す概略平面図

【図１７】 実施形態５に係る圧電共振子を示す平面図
（ａ）、該平面図（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
（ｂ）、回路図（ｃ）

【図１８】 実施形態６に係る圧電フィルタを示す平面
図（ａ）、該平面図（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
（ｂ）、回路図（ｃ）

【図１９】 実施形態６に係る圧電フィルタのインピー
ダンス特性を示すグラフ

【図２０】 本発明に係る各種形態の圧電フィルタを
（ａ），（ｂ），（ｃ）にそれぞれ示す回路図

【図２１】 本発明に係るデュプレクサを示す概略説明
図

【図２２】 本発明に係る通信装置の一例を示す概略説
明図

【図２３】 従来の圧電フィルタの一例を示す概略平面
図（ａ）と、縦断面図（ｂ）

【符号の説明】

１ 基板 ３ 圧電薄膜 ４ａ，４ｂ 下部電極 ５ 上部電極 ６，７ 凹部 ６ａ，７ａ 開口部 ６ｂ，７ｂ 底面部 ６ｃ，７ｃ 側壁 １６，１７ 支持部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 3/04 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｕ 9/58 41/18 １０１Ｚ 9/70 41/22 Ｚ 41/08 Ｃ (72)発明者 野村 忠志 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 後藤 義彦 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J108 AA02 AA07 BB05 CC04 CC11 DD02 EE03 EE04 HH04 HH06 KK01 KK05 MM08 NA04 NB01 NB05

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも１つの開口部を有する基板
   と、前記開口部上に形成されている、少なくとも１層以
   上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対
   の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動
   部と、前記基板と前記振動部との間に前記開口部を覆う
   支持部とを有する圧電共振子において、 前記開口部の側壁は、前記支持部に対して直交ないしほ
   ぼ直交することを特徴とする圧電共振子。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の圧電共振子において、 前記支持部は、前記振動部の振動周波数を調整する加工
   が施されていることを特徴とする圧電共振子。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の圧電共振子において、 前記支持部は、該支持部の膜厚を増す加工が施されてい
   ることを特徴とする圧電共振子。
4. 【請求項４】 請求項２に記載の圧電共振子において、 前記支持部は、該支持部の膜厚を減じる加工が施されて
   いることを特徴とする圧電共振子。
5. 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載の圧電
   共振子において、 前記開口部及び前記振動部が前記基板に複数個形成され
   ていることを特徴とする圧電共振子。
6. 【請求項６】 請求項１から６のいずれかに記載の圧電
   共振子において、 前記圧電薄膜がＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とするこ
   とを特徴とする圧電共振子。
7. 【請求項７】 請求項１から６のいずれかに記載の圧電
   共振子を用いていることを特徴とする圧電フィルタ。
8. 【請求項８】 ラダー構成にしたことを特徴とする請求
   項７に記載の圧電フィルタ。
9. 【請求項９】 請求項１から６のいずれかに記載の圧電
   共振子ないし請求項７または８に記載の圧電フィルタを
   用いていることを特徴とするデュプレクサ。
10. 【請求項１０】 請求項１から６のいずれかに記載の圧
    電共振子ないし請求項７または８に記載の圧電フィルタ
    を用いていることを特徴とする通信装置。
11. 【請求項１１】 少なくとも１つの開口部を有する基板
    と、前記開口部上に形成されている、少なくとも１層以
    上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対
    の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部
    と、前記基板と前記振動部との間に前記開口部を覆う支
    持部とを有する圧電共振子の製造方法において、 前記開口部の側壁は、前記支持部に対して直交ないしほ
    ぼ直交する形状に形成することを特徴とする圧電共振子
    の製造方法。
12. 【請求項１２】 少なくとも１つの開口部を有する基板
    と、前記開口部上に形成されている、少なくとも１層以
    上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対
    の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部
    と、前記基板と前記振動部との間に前記開口部を覆う支
    持部とを有する圧電共振子に対して、マスクを用いて、
    前記支持部に対して前記振動部の振動周波数を調整する
    加工を施すことを特徴とする圧電共振子の周波数調整方
    法。
13. 【請求項１３】 少なくとも１つの開口部を有する基板
    と、前記開口部上に形成されている、少なくとも１層以
    上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対
    の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部
    と、前記基板と前記振動部との間に前記開口部を覆う支
    持部とを有する圧電共振子に対して、前記開口部の側壁
    をマスクとして、前記支持部に対して前記振動部の振動
    周波数を調整する加工を施すことを特徴とする圧電共振
    子の周波数調整方法。
14. 【請求項１４】 複数の開口部を有する基板と、前記開
    口部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄
    膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極
    及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部と、前記基
    板と前記振動部との間に前記開口部を覆う支持部とを有
    し、前記開口部の側壁は、前記支持部に対して直交ない
    しほぼ直交し、且つ少なくとも１組の互いに隣り合う前
    記開口部を有する圧電共振子に対して、マスクを用い
    て、前記１組の互いに隣り合う前記開口部の前記支持部
    に対して前記振動部の振動周波数を調整する加工を施す
    ことを特徴とする圧電共振子の周波数調整方法。
15. 【請求項１５】 複数の開口部を有する基板と、前記開
    口部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄
    膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極
    及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部と、前記基
    板と前記振動部との間に前記開口部を覆う支持部とを有
    し、且つ少なくとも１組の互いに隣り合う前記開口部を
    有する圧電共振子に対して前記開口部の側壁をマスクと
    して、前記１組の互いに隣り合う前記開口部の前記支持
    部に対して前記振動部の振動周波数を調整する加工を施
    すことを特徴とする圧電共振子の周波数調整方法。
16. 【請求項１６】 前記開口部の側壁は、前記支持部に対
    して直交ないしほぼ直交していることを特徴とする請求
    項１３ないし１６に記載の圧電共振子の周波数調整方
    法。