JP2013201194A - Pztデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも表層に厚さ1μm以上の鉛吸収層を含む基板と,前記鉛吸収層に結合し,互いに離間している複数の電極領域を有する第一電極膜と,前記複数の電極領域の間に露出した前記鉛吸収層と前記第一電極膜とに結合しているPZT膜と,前記第一電極膜と前記PZT膜とに重なり前記PZT膜に結合している第二電極膜と,を備える。
【選択図】図1
Description
本発明によると,複数の電極領域の間のPZTから鉛吸収層に鉛が吸収されることによって,複数の電極領域の間においてPZTの圧電効果が下がる。これにより複数の電極領域の間においてPZTが機能することによるノイズ成分が低減されるため,PZTデバイスのノイズを低減することができる。
図1Aは本発明の一実施例としての圧電トランスデューサー1を示している。圧電トランスデューサー1は,スクリーン印刷技術,半導体製造技術等の厚膜および薄膜形成技術を応用して製造される積層構造体であって、基板100,第一電極膜11,PZT膜12および第二電極膜13を備えている。圧電トランスデューサー1は、圧力センサ、加速度センサ、振動センサ、スピーカー、マイクロフォン等に用いられる。
はじめに図2Aに示すように基板100の表面に第一電極膜11を形成する。第一電極膜11はスクリーン印刷法,スパッタリング法等の薄膜形成技術によって形成される。
図3Aは本発明の第二実施例としての焦電センサ2を示している。焦電センサ2の第二電極膜13互いに離間している複数の対向電極領域13a、13b、13cを備える。対向電極領域13aは、図3Bに示すように、電極領域11aと、対向電極領域13bは電極領域11bと、対向電極領域13cは電極領域11cと、同一のパターンを有し、それぞれ対向している。対向電極領域13a、13b、13cのそれぞれに導線領域13xが接続されている。導線領域13xの端部は図示しない外部回路に接続される。
尚,本発明の技術的範囲は,上述した実施例に限定されるものではなく,本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
たとえば図4に示す圧電トランスデューサー3のように、基板99の表層に鉛吸収層98を含めてもよい。鉛吸収層98は,ジルコニアの他,セラミックス,ガラス,ガラスセラミックス等の鉛を吸収する素材であればよい。基板99の鉛吸収層98以外の部分は鉛を吸収しない素材で構成することができる。電極領域11a,11b,11cの間においてPZT膜12の感度を効果的に低下させるためには,鉛吸収層98の厚さは1μm以上とする必要があり,10μm以上とすることが好ましい。
Claims (5)
- 少なくとも表層に厚さ1μm以上の鉛吸収層を含む基板と,
前記鉛吸収層に結合し,互いに離間している複数の電極領域を有する第一電極膜と,
前記複数の電極領域の間に露出した前記鉛吸収層と前記第一電極膜とに結合しているPZT膜と,
前記第一電極膜と前記PZT膜とに重なり前記PZT膜に結合している第二電極膜と,
を備えるPZTデバイス。 - 前記基板の全部が前記鉛吸収層を構成する,
請求項1に記載のPZTデバイス。 - 前記鉛吸収層はジルコニアからなる,
請求項1又は2に記載のPZTデバイス。 - 前記鉛吸収層の厚さは10μm以上である,
請求項1から3のいずれか一項に記載のPZTデバイス。 - 前記第二電極膜は、互いに離間している複数の対向電極領域を有し、
前記複数の電極領域と前記複数の対向電極領域とが1対1に対向している、
請求項1から4のいずれか一項に記載のPZTデバイス。
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