JP2012227718A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 基板と、振動膜と、前記基板と前記振動膜との間に間隙が形成されるように前記振動膜を支持する振動膜支持部と、から構成されるセルと、前記基板に絶縁物を介して配置された前記セルの引き出し配線と、を有し、
   前記絶縁物は前記振動膜支持部の厚さよりも厚いことを特徴とする電気機械変換装置。
2. 前記基板は第一の電極として機能するシリコン基板であり、前記振動膜は第二の電極として機能する単結晶シリコン振動膜であり、前記引き出し配線は前記単結晶シリコン振動膜と電気的に接続されている請求項１に記載の電気機械変換装置。
3. 前記絶縁物は、熱酸化物である請求項１または２に記載の電気機械変換装置。
4. 前記絶縁物の厚さは、前記振動膜支持部の厚さと前記振動膜の厚さとを合わせた厚さ以上である請求項1乃至３のいずれか１項に記載の電気機械変換装置。
5. 前記セルを複数含む素子の周囲のシリコン層に形成された溝により各素子間の電気的絶縁をする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の静電容量型電気機械変換装置。
6. 基板と、振動膜と、前記基板と前記振動膜との間に間隙が形成されるように前記振動膜を支持する振動膜支持部と、から構成されるセルを有する電気機械変換装置の作製方法であって、
   第一のシリコン基板の一方の表面に絶縁層を形成し、前記間隙となる凹部と前記振動膜支持部となる部分を形成する工程と、
   第二のシリコン基板を前記絶縁層に接合する工程と、
   前記第二のシリコン基板を薄化し少なくとも前記振動膜となる部分を含むシリコン層を形成する工程と、
   前記振動膜となる部分以外のシリコン層の部分の酸化を行う工程と、
   前記酸化工程で生成された酸化物の上に導電層を形成し前記セルの引き出し配線を形成する工程と、を有することを特徴とする電気機械変換装置の作製方法。
7. 前記第二のシリコン基板としてＳＯＩ基板を用いる請求項６に記載の電気機械変換装置の作製方法。
8. 前記酸化工程の前に、前記シリコン層の前記振動膜となる部分を少なくとも保護する保護膜を形成する工程と、
   前記酸化工程の後に、前記保護膜を除去する工程と、をさらに有し、
   前記酸化工程では、前記保護膜を形成した前記振動膜となる部分以外のシリコン層の部分の熱酸化を行うことで、前記酸化物を形成する請求項６又は７に記載の電気機械変換装置の作製方法。
9. 前記保護膜として、窒化シリコン膜を形成する請求項８に記載の電気機械変換装置の作製方法。
10. 前記第二のシリコン基板としてＳＯＩ基板を用い、前記第二のシリコン基板を薄化する際、前記ＳＯＩ基板の酸化シリコン層と表面シリコン層とを残し、
    前記保護膜として、前記酸化シリコン層と、前記酸化シリコン層の上に形成する前記窒化シリコン膜とからなる二層構造を形成する請求項９に記載の電気機械変換装置の作製方法。