JP2012069938A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012069938A5
JP2012069938A5 JP2011183612A JP2011183612A JP2012069938A5 JP 2012069938 A5 JP2012069938 A5 JP 2012069938A5 JP 2011183612 A JP2011183612 A JP 2011183612A JP 2011183612 A JP2011183612 A JP 2011183612A JP 2012069938 A5 JP2012069938 A5 JP 2012069938A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
insulating layer
semiconductor
conductive
insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011183612A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5759833B2 (ja
JP2012069938A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2011183612A priority Critical patent/JP5759833B2/ja
Priority claimed from JP2011183612A external-priority patent/JP5759833B2/ja
Publication of JP2012069938A publication Critical patent/JP2012069938A/ja
Publication of JP2012069938A5 publication Critical patent/JP2012069938A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5759833B2 publication Critical patent/JP5759833B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (6)

  1. 第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上に設けられた第１の半導体層と、
    前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層を露出させて離間して設けられた第２の半導体層と、
    前記第２の半導体層上に設けられた不純物半導体層と、
    前記不純物半導体層上に、少なくとも一部が接するように設けられた第２の導電層と、
    前記第２の導電層上に設けられた第２の絶縁層と、
    前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、前記不純物半導体層、前記第２の導電層、及び前記第２の絶縁層を覆って設けられた第３の絶縁層と、
    少なくとも、前記第３の絶縁層上に設けられた第３の導電層と、を有し、
    前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第１の導電層の一部に達する第１の開口部が設けられており、
    前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第２の導電層の一部に達する第２の開口部が設けられており、
    前記第１の絶縁層の厚さと前記第２の絶縁層の厚さは等しいことを特徴とする半導体装置。
  2. 第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上に設けられた第１の半導体層と、
    前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層を露出させて離間して設けられた第２の半導体層と、
    前記第２の半導体層上に設けられた不純物半導体層と、
    前記不純物半導体層上に、少なくとも一部が接するように設けられた第２の導電層と、
    前記第２の導電層上に設けられた第２の絶縁層と、
    前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、前記不純物半導体層、前記第２の導電層、及び前記第２の絶縁層を覆って設けられた第３の絶縁層と、
    少なくとも、前記第３の絶縁層上に設けられた第３の導電層と、を有し、
    前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第１の導電層の一部に達する第１の開口部が設けられており、
    前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第２の導電層の一部に達する第２の開口部が設けられており、
    前記第１の開口部の深さと前記第２の開口部の深さは等しいことを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記第３の絶縁層は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
  4. 第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層上に、第１の半導体層、第２の半導体層及び不純物半導体層がこの順に積層された薄膜積層体を形成し、
    前記薄膜積層体を覆って、第２の導電層となる導電膜及び第２の絶縁層となる絶縁膜を形成し、
    前記第２の絶縁層となる絶縁膜をエッチングすることで前記第２の絶縁層を形成し、
    前記第２の導電層となる導電膜をエッチングすることで前記第２の導電層を形成し、
    前記第２の導電層と重畳していない部分の前記不純物半導体層及び前記第２の半導体層を除去することで、前記第２の導電層と重畳していない部分の前記第１の半導体層を露出させて半導体素子を形成し、
    前記半導体素子を覆って第３の絶縁層を形成し、
    前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第１の導電層の一部に達する第１の開口部を形成し、
    前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第２の導電層の一部に達する第２の開口部を形成し、
    前記第１の絶縁層の厚さと前記第２の絶縁層の厚さは等しいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層上に、第１の半導体層、第２の半導体層及び不純物半導体層がこの順に積層された薄膜積層体を形成し、
    前記薄膜積層体を覆って、第２の導電層となる導電膜及び第２の絶縁層となる絶縁膜を形成し、
    前記第２の絶縁層となる絶縁膜をエッチングすることで前記第２の絶縁層を形成し、
    前記第２の導電層となる導電膜をエッチングすることで前記第２の導電層を形成し、
    前記第２の導電層と重畳していない部分の前記不純物半導体層及び前記第２の半導体層を除去することで、前記第２の導電層と重畳していない部分の前記第１の半導体層を露出させて半導体素子を形成し、
    前記半導体素子を覆って第３の絶縁層を形成し、
    前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第１の導電層の一部に達する第１の開口部を形成し、
    前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第２の導電層の一部に達する第２の開口部を形成し、
    前記第１の開口部の深さと前記第２の開口部の深さは等しいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項４または請求項５において、
    前記第２の絶縁層と前記第２の導電層は、同一のエッチング工程で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
JP2011183612A 2010-08-26 2011-08-25 半導体装置及びその作製方法 Expired - Fee Related JP5759833B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011183612A JP5759833B2 (ja) 2010-08-26 2011-08-25 半導体装置及びその作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010189916 2010-08-26
JP2010189916 2010-08-26
JP2011183612A JP5759833B2 (ja) 2010-08-26 2011-08-25 半導体装置及びその作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012069938A JP2012069938A (ja) 2012-04-05
JP2012069938A5 true JP2012069938A5 (ja) 2014-07-10
JP5759833B2 JP5759833B2 (ja) 2015-08-05

Family

ID=45695993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011183612A Expired - Fee Related JP5759833B2 (ja) 2010-08-26 2011-08-25 半導体装置及びその作製方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8735231B2 (ja)
JP (1) JP5759833B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5848918B2 (ja) 2010-09-03 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2014017406A1 (ja) * 2012-07-27 2014-01-30 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6705663B2 (ja) * 2015-03-06 2020-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US10186618B2 (en) * 2015-03-18 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN107871705B (zh) * 2017-11-10 2020-02-07 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种高精度超薄THz薄膜电路制作方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0620136B2 (ja) * 1984-02-23 1994-03-16 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ素子およびその製造方法
JPH0764108A (ja) 1993-08-24 1995-03-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPH07307474A (ja) * 1994-05-10 1995-11-21 Sony Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JP3409542B2 (ja) * 1995-11-21 2003-05-26 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP2001217424A (ja) 2000-02-03 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置
JP5337347B2 (ja) * 2007-02-28 2013-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、半導体装置の作製方法
US7897971B2 (en) * 2007-07-26 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5264197B2 (ja) * 2008-01-23 2013-08-14 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ
US9000441B2 (en) 2008-08-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
JP5525224B2 (ja) * 2008-09-30 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP5595003B2 (ja) * 2008-10-23 2014-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2010114160A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Sharp Corp 半導体素子およびその製造方法並びに表示装置
CN102246310B (zh) 2008-12-11 2013-11-06 株式会社半导体能源研究所 薄膜晶体管及显示装置
US9312156B2 (en) 2009-03-27 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor
CN102473735B (zh) * 2009-07-31 2015-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
EP2284891B1 (en) * 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8395156B2 (en) 2009-11-24 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI535028B (zh) 2009-12-21 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜電晶體
US8598586B2 (en) 2009-12-21 2013-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013179122A5 (ja)
JP2012049514A5 (ja)
JP2009111375A5 (ja)
JP2017147443A5 (ja)
JP2012069938A5 (ja)
JP2013038401A5 (ja)
JP2013038399A5 (ja) 半導体装置
JP2011100982A5 (ja)
JP2013251255A5 (ja)
JP2011135063A5 (ja)
JP2014082512A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2013042180A5 (ja)
JP2014143339A5 (ja)
JP2013175718A5 (ja)
JP2011100992A5 (ja)
JP2013102149A5 (ja)
JP2014030014A5 (ja)
JP2011243959A5 (ja)
JP2012084852A5 (ja)
JP2011009723A5 (ja)
JP2013021317A5 (ja)
JP2012033912A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012015496A5 (ja)
JP2015073092A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012099796A5 (ja)