JP2012015496A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられた第１の配線と、
   前記第１の配線上に設けられ、前記第１の配線と略同形状の絶縁膜と、
   前記絶縁膜上に設けられた半導体層と、
   前記半導体層上に設けられた酸化物絶縁層と、
   前記酸化物絶縁層に設けられた開口部を通して、前記半導体層に接続する第２の配線と、
   を有する電界効果トランジスタ。
2. 基板上に第１の導電層を形成する工程と、
   前記第１の導電層上に絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜を所定の形状に加工する工程と、
   前記絶縁膜の形状と略同形状となるように前記第１の導電層を加工する工程と、
   前記絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、
   前記半導体層上に酸化物絶縁層を形成する工程と、
   前記酸化物絶縁層に、前記半導体層に達する開口部を設ける工程と、
   前記酸化物絶縁層を覆って第２の導電層を形成する工程と、
   を有することを特徴とする電界効果トランジスタの作製方法。