JP2010232567A - 半導体集積装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
回路部とセンサ部を同一基板上に形成した半導体集積装置において、非鉛材料を使用した半導体集積装置を提供するとともに、その作製方法を提供する。
【解決手段】
半導体集積装置は、回路部2は、表面に保護層44〜46が成膜されており、センサ部3は、回路部の保護層表面を含む半導体基板表面の全体に成膜された非鉛強誘電体材料31のうち該回路部に成膜された部分を除去した残余部により構成されている。作製方法は、回路部を形成する工程と、半導体基板の表面全体に、シリコン窒化膜を主とする保護層を構築する工程と、センサ部形成領域に積層された保護層を除去する工程と、半導体基板の全体に下部電極層を形成する工程と、下部電極層の表面に非鉛強誘電体材料層を形成する工程と、回路部形成領域に積層される非鉛強誘電体材料層および下部電極層を順次除去する工程と、センサ部に上部電極を形成する工程と、配線電極を形成する工程とを順次実施する。
【選択図】図1
Description
2 回路部(回路部形成領域)
3 センサ部(センサ部形成領域)
21 n−MOSFET
22 n−JFET
31 強誘導体材料
32 下部電極
41 γ−Al2O3膜
42 シリコン窒化膜
43 フィールド酸化膜
44 BPSG層
45 応力緩和層
46 シリコン窒化膜層
47 上部電極
51 配線材料
52 層間絶縁膜
Claims (7)
- 同一半導体基板上に回路部とセンサ部が形成されてなる半導体集積装置であって、前記回路部は、表面に保護層が成膜された回路部であり、前記センサ部は、前記回路部の保護層を含む半導体基板全体に成膜された非鉛強誘電体材料のうち該回路部に成膜された部分を除去した残余部により構成されたセンサ部であることを特徴とする半導体集積装置。
- 前記非鉛強誘電体材料は、アルカリ金属を含む非鉛強誘電体材料である請求項1記載の半導体集積装置。
- 前記アルカリ金属を含む非鉛強誘電体材料は、チタン酸ビスマスナトリウム(NBT)である請求項2記載の半導体集積装置。
- 前記センサ部は、エピタキシャルγ−Al2O3/Si基板上に、導電性酸化物を含む下部電極を積層したうえで、さらに前記非鉛強誘電体材料を成膜してなるセンサ部であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積装置。
- 前記導電性酸化物は、LaNiO3(LNO)またはSrRuO3(SRO)である請求項4記載の半導体集積装置。
- 同一半導体基板上に回路部とセンサ部が形成されてなる半導体集積装置の作製方法であって、
回路部形成領域に回路部を形成するための回路部形成工程と、
回路部形成領域およびセンサ部形成領域の全体に、ボロン・リン添加酸化シリコン(BPSG)層、応力緩和層およびシリコン窒化膜を順次積層する保護層構築工程と、
前記センサ部形成領域に積層されたボロン・リン添加酸化シリコン(BPSG)層、応力緩和層およびシリコン窒化膜を除去する保護層除去工程と、
回路部形成領域およびセンサ部形成領域の全体に下部電極層を形成する下部電極形成工程と、
前記下部電極層の表面に非鉛強誘電体材料層を形成するセンサ部形成工程と、
前記センサ部に上部電極層を形成する上部電極形成工程と、
前記回路部形成領域に積層される上部電極層、非鉛強誘電体材料層および下部電極層を順次除去する除去工程と、
前記回路部形成領域およびセンサ部形成領域に配線電極を形成してなる配線形成工程と、
からなることを特徴とする半導体集積装置の作製方法。 - 前記センサ部形成工程は、チタン酸ビスマスナトリウム(NBT)をゾルゲル法により成膜してなることを特徴とする請求項4記載の半導体集積装置の作製方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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