JPH08274270A - 電子部品 - Google Patents

電子部品

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JPH08274270A
JPH08274270A JP7072677A JP7267795A JPH08274270A JP H08274270 A JPH08274270 A JP H08274270A JP 7072677 A JP7072677 A JP 7072677A JP 7267795 A JP7267795 A JP 7267795A JP H08274270 A JPH08274270 A JP H08274270A
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film
electrode
ferroelectric thin
thin film
conductive oxide
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JP7072677A
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Hiroyuki Kanetani
宏行 金谷
Hiroshi Mochizuki
博 望月
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 強誘電体薄膜の信頼性・耐久性に優れた電子
部品を提供することを目的とする。 【構成】 ドレイン領域13上にドレイン電極15が形
成され、この上に下部電極16・強誘電体薄膜17・上
部電極18が順に積層されている。下部電極16は、P
tSi膜161 ・PtO2 膜162 ・Pt膜163 から
なり、上部電極18はPtO2 膜181 ・Pt膜182
からなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は強誘電体薄膜を備えた電
子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】強誘電体薄膜は、電子部品の高機能化・
小型化・高集積化に伴い、近年、焦電型赤外線センサ・
光スイッチ・ディスプレイデバイス・FET・強誘電体
メモリなどに用いられている。この強誘電体薄膜は通
常、ペロブスカイト型酸化物を用いる場合が多く、Pb
TiO3 、PZT(PbTiO3 とPbZrO3 の固溶
体)、PZLT(PZTにLaを添加したもの)などが
代表的なものとして用いられている。
【0003】ここで例えば強誘電体メモリなどに用いら
れる、強誘電体薄膜を備えた従来の電子部品を図8に示
す。これは特開平2−248089号公報に示されたも
のである。
【0004】図中、1は半導体素子や配線などが既に形
成されているSi基板である。2はSi基板1上に堆積
されたSiO2 からなる絶縁膜であり、3は絶縁膜2上
にRFマグネトロンスパッタリング法により成膜された
MgOからなる酸化物絶縁層である。この酸化物絶縁層
3上にRFマグネトロンスパッタリング法を用いて成
膜、パターニングされたY2 Ba2 Cu37 (YBC
O)膜からなる下部電極4が形成されている。下部電極
4に用いられるYBCOはその結晶がペロブスカイト構
造をとる。さらに下部電極4にRFマグネトロンスパッ
タリング法で成膜、パターニングされたPbTiO3
らなる強誘電体薄膜5が形成されている。また6は強誘
電体薄膜5上に成膜、パターニングされたYBCOから
なる上部電極である。
【0005】この電子部品は以下のような利点を有す
る。絶縁膜2と下部電極4との間に酸化物絶縁層3が介
在されているため、強誘電体薄膜5の結晶化のための高
温熱処理過程において、強誘電体の構成成分であるPb
などが下部電極4を通して絶縁膜2に拡散するのを防止
することができる。また強誘電体薄膜5の組成変動を抑
制することができ、強誘電特性を良好な状態に維持でき
る。
【0006】さらに下部電極4にペロブスカイト型酸化
物を用いているので、この上にペロブスカイト型酸化物
の強誘電体薄膜5を容易に形成でき、強誘電体特性、特
に残留分極特性が良好な強誘電体薄膜を得ることができ
る。
【0007】また電極の材料として、ペロブスカイト型
酸化物の代わりにルチル構造の結晶構造をとるIrO2
を用いる例が電子材料1994年8月号第27頁〜第3
2頁に示されている。この電子部品はSiO2 ではなく
多結晶Si上に電極が形成されている。多結晶Si上に
IrO2 を堆積してその上にPZTを製膜することによ
り、非常に滑らかで膜質の良いPZTを得ることが可能
となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな、電極にペロブスカイト型酸化物やルチル構造のI
rO2 を用いた従来の電子部品には、まだ次のような問
題点があった。すなわちYBCOなどのペロブスカイト
型酸化物は、その形成温度が600〜700℃と決して
低くなく、特に強誘電体薄膜を形成した後の上部電極を
形成する際に、強誘電体薄膜からPbが拡散していき、
強誘電体薄膜の信頼性・耐久性が劣化してしまってい
た。またIrO2 を用いた場合にもその形成温度はペロ
ブカイト型導電性酸化物と同様であり、Pbの拡散の問
題は解決されていなかった。本発明は上記の問題点に鑑
みなされたもので、強誘電体薄膜の信頼性・耐久性に優
れた電子部品を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ため、本発明は請求項1の発明として、半導体基板上
に、Pbを含む強誘電体薄膜を介して形成された1対の
電極を備えた電子部品において、前記電極がV、Cr、
Rh、Ptの少なくとも1種を含むルチル型導電性酸化
物を含有することを特徴とする電子部品を提供する。
【0010】また請求項2の発明として、半導体基板上
に、Pbを含む強誘電体薄膜を介して形成された1対の
電極を備えた電子部品において、前記電極がパイロクロ
ア型導電性酸化物を含有することを特徴とする電子部品
を提供する。
【0011】さらに請求項3の発明として、前記パイロ
クロア型導電性酸化物がTl、Rh、Os、Bi、R
u、Ir、Re、Ru、Tc、Luの少なくとも1種を
含むことを特徴とする請求項2記載の電子部品を提供す
る。
【0012】そして請求項4の発明として、前記ルチル
型導電性酸化物またはパイロクロア型導電性酸化物の比
抵抗が10-3Ω・cm以下であることを特徴とする請求
項1乃至3記載の電子部品を提供する。
【0013】
【作用】本発明によれば、電極にV、Cr、Rh、Pt
の少なくとも1種を含むルチル型導電性酸化物、あるい
はパイロクロア型導電性酸化物を用いているので、その
形成温度をペロブスカイト型導電性酸化物やIrO2
りも低くでき、強誘電対薄膜からのPbの拡散を抑制で
きる。その結果、強誘電対薄膜の信頼性・耐久性が向上
する。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。まず図1に本発明の実施例に用いられる電子部
品としての強誘電体メモリの概略断面図を示す。
【0015】図中、11はSi基板であり、基板11の
表面には所定の距離を隔ててソース領域12・ドレイン
領域13が形成されている。14はソース領域12上に
設けられたソース電極、15はドレイン領域13上に設
けられたドレイン電極である。またドレイン電極15上
には下部電極16・強誘電体薄膜17・上部電極18が
順に積層されている。基板11表面のソース領域12・
ドレイン領域13の外側には素子を他の領域と分離する
ための酸化膜19が形成されている。そしてこれらのソ
ース領域12・ドレイン領域13・酸化膜19を覆うよ
うに酸化膜20が形成されている。ソース電極14・ド
レイン電極15は酸化膜20に埋7込まれた形となって
いる。さらにこの酸化膜20に埋め込まれて、ソース領
域12・ドレイン領域13に挟まれた領域上にゲート電
極21が形成されている。
【0016】図1のAで示す点線で囲った領域の断面図
を図2に示す。図1と同一部分には同一符号を付けてあ
る。以下この部分の製造工程に従って説明する。まずド
レイン領域13上に蒸着法によって多結晶Siからなる
ドレイン電極15を約400nm形成する。このドレイ
ン電極15上にPt膜(不図示)を約30nm蒸着した
後、300℃程度の熱処理を行う。これによりPtSi
膜161が約50nm形成される。PtSi膜161
に、ルチル型導電性酸化物としてPtO2 膜162 を約
50nm形成する。PtO2 膜162 の形成にはRFマ
グネトロンスパッタ法を用いた。このときの形成温度は
550℃程度であった。さらにPtO2 膜162 上に約
100nmのPt膜163 を蒸着した。PtSi膜16
1 ・PtO2 膜162 ・Pt膜163 が下部電極16を
構成する。次にゾルゲル法を用いて強誘電体薄膜17と
して約300nmのPZT膜を堆積する。この際の最高
加熱温度は約700℃であった。その後、上述と同様に
してPtO2膜181 を約50nm形成し、続いて上述
と同様にしてPt膜182 を約100nm堆積して,上
部電極18を形成する。これにより強誘電体薄膜17を
介して下部電極16・上部電極18が形成された構造が
完成する。
【0017】この構造では、スパッタ法によりPtO2
膜を形成する際の温度は500〜600℃程度である。
一方、例えばスパッタ法によりIrO2 膜を形成する場
合の形成温度は600〜700℃程度である。IrO2
膜を形成するよりも形成温度を低くできるため、PtO
2 膜を用いる方が強誘電体薄膜からのPbの拡散を抑制
できる。これはPtの融点が1772℃とIrの融点2
457℃と比較して低いためと予想される。なおIrO
2 の代わりにルチル構造の酸化物としてRuO2 を用い
るものも公知であるが、RuもPtと比較すると融点が
高く、RuO2の形成温度は高くなってしまい、Pbの
拡散は生じやすい。
【0018】ここで、この構造におけるPbの2次イオ
ン強度をSIMS分析法によって測定した。その結果を
図3に示す。図において横軸は素子上面からの深さ、縦
軸は2次イオン強度を示す。
【0019】図から分かるようにPZT膜中からのPb
の拡散が下部電極・上部電極中のPtO2 膜により止ま
っていることが分かる。一方、IrO2 を用いた電極の
場合には、Pbの拡散をある程度止めることはできる
が、図2におけるPtO2 膜に対応した曲線ピークの面
積が大きくなってしまう。このためPtO2 を電極に用
いた場合と比較すると、Pb拡散の抑制度合いが小さく
なってしまい、強誘電体薄膜の比誘電率が低下する。こ
れは特に上部電極の形成の場合に顕著である。そして、
これにより強誘電体薄膜の信頼性・耐久性の低下が起こ
る。
【0020】さらに図4に、図2のような構造の電極に
ついての信頼性・耐久性を表わす特性図を示す。図4は
分極反転回数に対する信号電荷量の変化を表したもので
ある。図中、横軸が分極反転回数、縦軸が信号電荷量で
ある。また図の19で示す線が図2の構造の特性、20
で示す線は、下部電極・上部電極としてPt/Ti膜を
用い、この間に強誘電体薄膜を形成した構造の特性を示
す。
【0021】図から分かるように20で示す線の場合、
分極反転回数が増加し107 回程度よりも大きくなる
と、信号電荷量の減少度合いが大きくなる。これに対し
て19で示す線の場合には、初期値の信号電荷量が20
で示す線よりも大きいと同時に、分極反転回数1012
程度まで信号電荷量が減少せず、信頼性が向上している
ことが分かる。
【0022】またこれらの構造における強誘電体薄膜の
表面粗さRaについての測定結果を図5に示す。図中、
縦軸が表面粗さを表す。21で示す点が図2の構造、2
2で示す点は下部電極・上部電極にPt/Ti膜を用い
た構造を示している。
【0023】図より21で示す点はRaが10〜20A
の間であるのに対し、22で示す点は20A以上と大き
くなってしまっていることが分かる。これより次の結論
が得られる。PtO2 膜とPt膜との整合性が良いた
め、PtO2 膜の平坦性が良く、この平坦性の良さをそ
のままPt膜に引き継ぐことができ、ひいてはPZT膜
の平坦性が良くなる。
【0024】電極にPt以外の金属を用いる場合は、導
電性酸化物との格子整合が良い金属を用いれば、平坦性
を向上させることができる。例えば導電性酸化物に含有
される金属、あるいはこの金属と格子定数が近い金属を
用いれば良い。
【0025】なお多結晶Si上に形成する電極の比抵抗
は通常、10-3Ω・cm程度であるため、PtO2 膜の
比抵抗は10-3Ω・cm以下が好ましい。またPto2
膜の膜厚は、Pbの拡散を抑制することを考えると、あ
る程度厚い方が良い。具体的には50nm以上が好まし
い。
【0026】以上ではルチル型導電性酸化物としてPt
2 を用いたが、VO2 、CrO2、RhO2 を用いて
も同様な効果が得られる。これらも融点が、Vが189
0℃、Crが1890℃、Rhが1963℃とIr、R
uと比較して低いからである。
【0027】次に電極に用いる導電性酸化物としてルチ
ル型導電性酸化物ではなく、パイロクロア型導電性酸化
物のTl2 Os27-Y を用いた例を示す。構造として
は図2のPtO2 膜をTl2 Os27-Y 膜に変えた構
造である。
【0028】このTl2 Os27-Y 膜もスパッタ法に
よる形成温度が500〜600℃と低いため、PtO2
膜を用いたときと同様に強誘電体薄膜からのPbの拡散
を抑制できる。一方、例えばペロブスカイト型導電酸化
物の膜をスパッタ法によって形成する場合、その形成温
度は600〜700℃程度と高く、Pbの拡散を抑制す
ることが困難となる。
【0029】またTl2 Os27-Y 膜はゾルゲル法に
よって形成することも可能である。この場合は形成温度
が400〜500℃程度となる。これに対し、ペロブス
カイト型導電性酸化物の膜をゾルゲル法によって形成す
る場合には、形成温度が約700℃となる。従ってスパ
ッタ法のときと同様にTl2 Os27-Y 膜の方がPb
の拡散を抑制できる。
【0030】ここで、この構造をSIMS分析法によっ
て測定した結果を図6に示す。横軸・縦軸は図3と同様
である。図から分かるようにPZT膜中からのPbの拡
散が、図2の場合と同様に下部電極16・上部電極18
中のTl2 Os27-Y 膜によって止まっていることが
分かる。
【0031】さらに図4と同様に分極反転回数に対する
信号電荷量の変化を図7に示す。図中、19は電極にT
2 Os27-Y 膜を用いた構造、20は電極にPt/
Ti膜を用いた構造である。
【0032】図7より図4と同様な結果が得られている
ことが分かる。なおTl2 Os27-Y 膜の場合も、P
tO2 膜の場合と同様な理由で比抵抗10-3Ω・cm以
下・膜厚50nm以上が望ましい。
【0033】以上ではパイロクロア型導電性酸化物とし
てTl2 Os27-Y を用いたが、パイロクロア型構造
227-Y のAとしてBi、Lu、Tiを、Bとし
てRh、Ru、Ir、Re、Tc、Ir、Osを用いて
も同様な効果が得られる。
【0034】以上に本発明の実施例を説明したが、本発
明の実施例は以上の実施例に限定されるものではない。
例えば、強誘電体薄膜からのPb拡散の抑制ということ
を考えた場合、導電性酸化物の膜を図2に示した位置以
外の、下部電極16・上部電極18中に形成しても良
い。また図1の酸化膜20上にドレイン電極15を延在
させ、延在したドレイン電極15上に下部電極16・強
誘電体薄膜17・上部電極18を形成しても良い。また
強誘電体薄膜としてPZTの他に、PbTiO3、PZ
LTなどのPbを含む強誘電性を持つ物質を使うことも
可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々の変形が可能である。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、強
誘電体薄膜の信頼性・耐久性に優れた電子部品を提供す
ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例に係る電子部品の概略断面
図。
【図2】 本発明の一実施例に係る電子部品の、主とし
て電極部分の断面図。
【図3】 本発明の一実施例に係る電子部品の2次イオ
ン強度を示す特性図。
【図4】 本発明の一実施例に係る電子部品の信号電荷
量の変化を示す特性図。
【図5】 本発明の一実施例に係る電子部品の電極部分
の表面粗さを表わす図。
【図6】 本発明の他の実施例に係る電子部品の2次イ
オン強度を示す特性図。
【図7】 本発明の他の実施例に係る電子部品の信号電
荷量の変化を示す特性図。
【図8】 従来の電子部品の断面図。
【符号の説明】
11;Si基板 13;ドレイン領域 15;ドレイン電極 16;下部電極 161 ;PtSi膜 162 ;PtO2 膜 163 ;Pt膜 17;強誘電体薄膜 181 ;PtO2 膜 182 ;Pt膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/8247 29/788 29/792

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板上に、Pbを含む強誘電体薄
    膜を介して形成された1対の電極を備えた電子部品にお
    いて、 前記電極がV、Cr、Rh、Ptの少なくとも1種を含
    むルチル型導電性酸化物を含有することを特徴とする電
    子部品。
  2. 【請求項2】 半導体基板上に、Pbを含む強誘電体薄
    膜を介して形成された1対の電極を備えた電子部品にお
    いて、 前記電極がパイロクロア型導電性酸化物を含有すること
    を特徴とする電子部品。
  3. 【請求項3】 前記パイロクロア型導電性酸化物がT
    l、Rh、Os、Bi、Ru、Ir、Re、Ru、T
    c、Luの少なくとも1種を含むことを特徴とする請求
    項2記載の電子部品。
  4. 【請求項4】 前記ルチル型導電性酸化物またはパイロ
    クロア型導電性酸化物の比抵抗が10-3Ω・cm以下で
    あることを特徴とする請求項1乃至3記載の電子部品。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1027888A (ja) * 1996-07-12 1998-01-27 Sony Corp 強誘電体容量絶縁膜用積層電極およびこれを用いた強誘電体容量素子
US6201271B1 (en) 1997-07-29 2001-03-13 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device prevented from deterioration due to activated hydrogen
KR100288025B1 (ko) * 1996-12-06 2001-06-01 마찌다 가쯔히꼬 반도체기억장치및그의제조방법
KR100297210B1 (ko) * 1996-12-06 2001-10-24 마찌다 가쯔히꼬 강유전체커패시터및다른커패시터구조체를위한고온전극-배리어
US6333529B1 (en) 1998-02-27 2001-12-25 Fujitsu Limited Capacitor with noble metal electrode containing oxygen
KR100329774B1 (ko) * 1998-12-22 2002-05-09 박종섭 강유전체 기억소자의 캐패시터 형성 방법
US6495412B1 (en) 1998-09-11 2002-12-17 Fujitsu Limited Semiconductor device having a ferroelectric capacitor and a fabrication process thereof
JP2004296923A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Seiko Epson Corp 強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタ、記憶素子、電子素子、メモリ装置及び電子機器
JP2004296735A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Seiko Epson Corp 強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタ、記憶素子、電子素子、メモリ装置及び電子機器
JP2006049749A (ja) * 2004-08-09 2006-02-16 Seiko Epson Corp 強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリの製造方法
JP2007123948A (ja) * 2007-02-15 2007-05-17 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法
DE19825266B4 (de) * 1997-06-19 2009-12-10 LG Semicon Co., Ltd., Cheongju Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für eine Halbleitereinrichtung
JP2013131749A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Imec 金属−絶縁体−金属スタックおよびその製造方法
US20230008075A1 (en) * 2021-07-08 2023-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Capacitor structure and manufacturing method and operating method thereof

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1027888A (ja) * 1996-07-12 1998-01-27 Sony Corp 強誘電体容量絶縁膜用積層電極およびこれを用いた強誘電体容量素子
KR100288025B1 (ko) * 1996-12-06 2001-06-01 마찌다 가쯔히꼬 반도체기억장치및그의제조방법
KR100297210B1 (ko) * 1996-12-06 2001-10-24 마찌다 가쯔히꼬 강유전체커패시터및다른커패시터구조체를위한고온전극-배리어
DE19825266B4 (de) * 1997-06-19 2009-12-10 LG Semicon Co., Ltd., Cheongju Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für eine Halbleitereinrichtung
KR100306198B1 (ko) * 1997-07-29 2001-12-17 마찌다 가쯔히꼬 활성 수소에 의한 열화를 방지한 반도체 메모리 소자
US6201271B1 (en) 1997-07-29 2001-03-13 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device prevented from deterioration due to activated hydrogen
US6333529B1 (en) 1998-02-27 2001-12-25 Fujitsu Limited Capacitor with noble metal electrode containing oxygen
US6495412B1 (en) 1998-09-11 2002-12-17 Fujitsu Limited Semiconductor device having a ferroelectric capacitor and a fabrication process thereof
KR100329774B1 (ko) * 1998-12-22 2002-05-09 박종섭 강유전체 기억소자의 캐패시터 형성 방법
JP2004296735A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Seiko Epson Corp 強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタ、記憶素子、電子素子、メモリ装置及び電子機器
JP4650602B2 (ja) * 2003-03-26 2011-03-16 セイコーエプソン株式会社 強誘電体キャパシタの製造方法
JP2004296923A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Seiko Epson Corp 強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタ、記憶素子、電子素子、メモリ装置及び電子機器
JP2006049749A (ja) * 2004-08-09 2006-02-16 Seiko Epson Corp 強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリの製造方法
JP2007123948A (ja) * 2007-02-15 2007-05-17 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP4659772B2 (ja) * 2007-02-15 2011-03-30 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体素子の製造方法
JP2013131749A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Imec 金属−絶縁体−金属スタックおよびその製造方法
US20230008075A1 (en) * 2021-07-08 2023-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Capacitor structure and manufacturing method and operating method thereof

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