KR100488615B1 - 압전 공진기, 그 제조 방법, 압전 필터, 그 제조 방법,듀플렉서, 및 전자 통신 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 기판;상기 기판 위에 배치되고, 하나 이상의 층들을 갖는 압전 박막; 및상기 압전 박막을 갖는 박막부가, 서로 대향하여 상기 박막부의 상부 및 하부 표면들에 배치된 한 쌍의 상부 전극들 및 하부 전극 사이에 개재 되도록 구성된 복수의 진동부들을 포함하는 압전 공진기에 있어서,상기 진동부들은 진동 특성에 영향을 주는 요소들로부터 λ/2 이상 이격되고, 이때 λ는 진동 파장을 표현하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 개구부 및 오목부를 포함하고, 상기 진동부들은 상기 개구부 및 오목부 중 하나에 위치하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 진동 특성에 영향을 주는 요소들은 상기 개구부 및 오목부 중 하나의 내측 원주를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 진동 특성에 영향을 주는 요소들은 다른 진동부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 진동부들은 상기 하부 전극 아래의 절연막 및 상기 진동부들의 기계적 강도를 향상하기 위하여 상기 절연막의 하부면에 제공된 빔을 포함하고, 이때 상기 진동부들은 상기 빔으로부터 λ/2 이상 이격되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 진동부들은 상기 진동 특성에 영향을 주는 요소들로부터 λ/2 이상 3λ이하만큼 이격되는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 압전 박막은 주성분으로서 산화 아연 및 질화 알루미늄 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기.
- 개구부 및 오목부 중 하나를 갖는 기판을 제공하는 단계;상기 개구부 및 오목부 중 하나 내에 하나 이상의 층들을 갖는 압전 박막을 형성하는 단계;상기 압전 박막을 갖는 박막부가, 서로 대향하여 상기 박막부의 상부 및 하부 표면들에 배치되는 한 쌍의 상부 전극 및 하부 전극 사이에 개재되도록 구성된 복수의 진동부들을 형성하는 단계; 및상기 개구부 및 오목부 중 하나 내에서, 상기 진동부들이 진동 특성에 영향을 주는 요소들로부터 λ/2 이상 이격되도록 형성되는 단계를 포함하고, 이때 λ는 진동 파장을 표현하는 것을 특징으로 하는 압전 공진기의 제조 방법.
- 기판;상기 기판 위에 배치된 하나 이상의 층들을 갖는 압전 박막; 및상기 압전 박막을 갖는 박막부가, 서로 대향하여 상기 박막부의 상부 및 하부 표면들에 배치되는 한 쌍의 상부 전극들 및 하부 전극 사이에 개재되도록 구성된 복수의 진동부들을 포함하는 압전 필터에 있어서,상기 진동부들은 사용 주파수 대역에 대한 필터를 구성하도록 접속되고, 그리고 상기 진동부들은 진동 특성에 영향을 주는 요소들로부터 λ/2 이상 이격되고, 이때 λ는 진동 파장을 표현하는 것을 특징으로 하는 압전 필터.
- 제 9 항에 있어서, 상기 기판은 개구부 및 오목부를 포함하고, 상기 진동부들은 상기 개구부 및 오목부 중 하나에 위치하는 것을 특징으로 하는 압전 필터.
- 제 9 항에 있어서, 상기 개구부 및 오목부 중 하나의 원주가 상기 진동 특성에 영향을 주는 요소들을 구성하는 것을 특징으로 하는 압전 필터.
- 제 9 항에 있어서, 다른 진동부들이 상기 진동 특성에 영향을 주는 요소들을 구성하는 것을 특징으로 하는 압전 필터.
- 제 9 항에 있어서, 상기 진동부들은 상기 하부 전극 아래의 절연막 및 상기 진동부들의 기계적 강도를 향상하기 위하여 상기 절연막의 하부면에 제공된 빔을 포함하고, 이때 상기 진동부들은 상기 빔으로부터 λ/2 이상 이격되는 것을 특징으로 하는 압전 필터.
- 제 9 항에 있어서, 상기 진동부들은 상기 진동 특성에 영향을 주는 요소들로부터 λ/2 이상 3λ이하만큼 이격되는 것을 특징으로 하는 압전 필터.
- 제 9 항에 있어서, 상기 압전 박막은 주성분으로서 산화 아연 및 질화 알루미늄 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 필터.
- 개구부 및 오목부 중 하나를 갖는 기판을 제공하는 단계;상기 개구부 및 오목부 중 하나 내에 하나 이상의 층들을 갖는 압전 박막을 형성하는 단계;상기 압전 박막을 갖는 박막부가, 서로 대향하여 상기 박막부의 상부 및 하부 표면들에 배치되는 한 쌍의 상부 전극들 및 하부 전극 사이에 개재되도록 구성된 복수의 진동부들을 형성하는 단계;상기 진동부들을 배열함으로써 사용 주파수 대역에 대한 필터를 구성하는 단계; 및상기 진동부들이 진동 특성에 영향을 주는 요소들로부터 λ/2 이상 이격되도록 형성되는 단계를 포함하고, 이때 λ는 진동 파장을 표현하는 것을 특징으로 하는 압전 필터의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 진동부들이 서로 직렬/병렬로 연결되어 래더 필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 압전 필터.
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KR100906679B1 (ko) * | 2003-03-14 | 2009-07-08 | 엘지전자 주식회사 | 박막 용적 탄성파 공진기를 이용한 대역 통과 필터 및 그제조 방법 |
WO2006027873A1 (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電薄膜共振子 |
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WO2006062083A1 (ja) | 2004-12-07 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 薄膜弾性波共振子 |
US7417360B2 (en) * | 2005-10-20 | 2008-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric resonator and method for producing the same |
JP5128077B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2013-01-23 | 宇部興産株式会社 | 薄膜圧電共振器とそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
JP4804169B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-11-02 | 日本碍子株式会社 | 圧電薄膜デバイス |
JP4804168B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-11-02 | 日本碍子株式会社 | 圧電薄膜デバイス |
JP4688070B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-05-25 | 宇部興産株式会社 | 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法 |
JP4870541B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2012-02-08 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
US9537465B1 (en) * | 2014-06-06 | 2017-01-03 | Akoustis, Inc. | Acoustic resonator device with single crystal piezo material and capacitor on a bulk substrate |
US9571061B2 (en) * | 2014-06-06 | 2017-02-14 | Akoustis, Inc. | Integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices |
CN111786636A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-10-16 | 苏州汉天下电子有限公司 | 可调式谐振器及其制造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000278078A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
JP2000286668A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
JP2000341072A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Kyocera Corp | 3次オーバートーン型圧電発振子 |
JP2001007679A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電フィルタ |
JP2001156582A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4081769A (en) * | 1976-09-13 | 1978-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Acoustic surface wave resonator with suppressed direct coupled response |
JPS6179316A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動子 |
US5361077A (en) * | 1992-05-29 | 1994-11-01 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Acoustically coupled antenna utilizing an overmoded configuration |
US5646583A (en) * | 1996-01-04 | 1997-07-08 | Rockwell International Corporation | Acoustic isolator having a high impedance layer of hafnium oxide |
JPH10209794A (ja) | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Mitsubishi Materials Corp | 圧電薄膜共振子 |
US5929555A (en) * | 1996-04-16 | 1999-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric resonator and method for fabricating the same |
US5936150A (en) * | 1998-04-13 | 1999-08-10 | Rockwell Science Center, Llc | Thin film resonant chemical sensor with resonant acoustic isolator |
US6496085B2 (en) * | 2001-01-02 | 2002-12-17 | Nokia Mobile Phones Ltd | Solidly mounted multi-resonator bulk acoustic wave filter with a patterned acoustic mirror |
US6601276B2 (en) * | 2001-05-11 | 2003-08-05 | Agere Systems Inc. | Method for self alignment of patterned layers in thin film acoustic devices |
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2002
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000278078A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
JP2000286668A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
JP2000341072A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Kyocera Corp | 3次オーバートーン型圧電発振子 |
JP2001007679A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電フィルタ |
JP2001156582A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
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