KR20030032534A - 박막 벌크 어쿠스틱 공진기와 이를 이용한 밴드패스필터및 듀플렉서 구조 - Google Patents

박막 벌크 어쿠스틱 공진기와 이를 이용한 밴드패스필터및 듀플렉서 구조 Download PDF

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Abstract

본 발명은 박막 벌크 어쿠스틱 공진기 및 이를 이용한 대역통과필터와 듀플렉서 구조에 관한 것으로, 종래에는 그 TFBAR의 공진주파수를 변경하기 위해서는 압전층의 두께를 변경해야 하며, 일단 제조된 TFBAR은 그 공진주파수를 변경하는 것이 불가능하여 수율이 저하되는 문제점과 아울러 그 TFBAR을 이용한 밴드패스필터 및 듀플렉서는 공진주파수가 각기 다른 복수의 TFBAR을 사용해야 함으로써, 하나의 기판상에 제조할 수 없어 그 크기가 증가하며, 제조비용이 증가함과 아울러 각 TFBAR의 튜닝이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 지지층과; 상기 지지층의 하측 주변부에 위치하는 기판과; 상기 지지층 상에 순차적층되어 위치하는 하부전극, 압전층, 상부전극과; 상기 하부전극에 대향하는 지지층 저면에 위치하는 전극으로 TFBAR을 구성하여 그 전극의 두께를 이용하여 TFBAR의 공진주파수를 조절하며, 그 TFBAR을 이용하여 동일한 기판상에 대역통과필터와 듀플렉서를 구성하여, TFBAR의 공진주파수를 용이하게 설정 및 튜닝할 수 있으며, 이를 이용한 대역통과필터 및 듀플렉서를 동일 기판상에 실장함으로써, 다른 회로와의 집적이 가능해져 제조비용을 절감하고, 전체 크기를 줄일 수 있는 효과와 아울러 그 회로의 튜닝을 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.

Description

박막 벌크 어쿠스틱 공진기와 이를 이용한 밴드패스필터 및 듀플렉서 구조{THINFILM BULK ACOUSTIC RESONATOR AND BANDPASS FILTER/DUPLEXER USING THE THINFILM BULK ACOUSTIC RESONATOR}
본 발명은 박막 벌크 어쿠스틱 공진기와 이를 이용한 밴드패스필터 및 듀플렉서 구조에 관한 것으로, 특히 동일 기판 상에 밴드패스필터 및 듀플렉서를 형성함과 아울러 각 박막 벌크 어쿠스틱 공진기의 튜닝을 용이하게 실시할 수 있도록 하는 박막 벌크 어쿠스틱 공진기 및 이를 이용한 밴드패스필터 및 듀플렉서 구조에 관한 것이다.
RF 무선이동통신 부품 중 필터는 핵심 수동부품 가운데 하나로 무수히 많은 공중파중 이용자가 필요로하는 신호를 선택하거나 전송하고자 하는 신호를 걸러주는 기능을 한다. 박막 벌크 어쿠스틱공진기를 이용한 필터는 반도체 기판인 실리콘 이나 갈륨비소 기판에 제작이 가능하며, 유전체 필터 및 집중 정수(LC) 필터 보다 수백분의 1이하 크기로 소형화가 가능하고 탄성파 소자보다 삽입손실이 매우작은 장점이 있다. 특히 MMIC(MONOLITHIC MICROWAVE INTERGRATED CIRCUIT)와 집적이 가능하여 소형의 장치에 적용이 용이한 장점이 있다.
도1은 종래 박막 벌크 어쿠스틱 공진기의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 금속인 하부전극(3)과, 압전물질층인 압전층(4), 금속인 상부전극(5)이 순차적으로 적층된 형태를 보인다.
이와 같은 박막 벌크 어쿠스틱 공진기의 공진주파수를 변경하기 위해서는 상기 압전물질층인 압전층(4)의 두께를 조절한다.
도2는 상기 도1에 도시한 박막 벌크 어쿠스틱 공진기의 등가회로도서, 이에 도시한 바와 같이 인덕터(Lm), 저항(Rm), 커패시터(Cm)이 직렬접속되고, 상호 직렬접속되며, 상기 인덕터(Lm), 저항(Rm), 커패시터(Cm)와는 병렬접속되는 저항(Rp)과 커패시터(Cp)로 구성된다.
이와 같은 회로성분에서 특성이 우수한 공진기를 획득하기 위해서는 인덕터(Lm)와 커패시터(Cm)의 값을 크게 하고, 저항(Rm, Rp)과 커패시터(Cp)의 값을 최대한 줄여야 한다.
상기의 등가회로에서 나타난 회로성분의 특성을 만족시키기 위해서 상기 도1의 기본적인 구조에서 그 구조를 변형하였으며, 이를 도3과 도4에 도시하였다.
도3은 박막 벌크 어쿠스틱 공진기(이하, TFBAR)의 일실시 단면도인 멤브레인형 TFBAR의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 기판(1)의 상부전면에 절연막(2)이 위치하고, 그 절연막(2) 상에 하부전극(3), 압전층(4), 상부전극(5)이 적층된 TFBAR이 위치하며, 상기 TFBAR의 하측 기판(1)을 선택적으로 제거한 구조로서, 상기 TFBAR의 탄성파가 기판(1)을 통해 손실되는 것을 방지하는 구조를 나타낸다.
이러한 멤브레인형 TFBAR은 소자를 제작하는 방법이 간단하지만 소자를 절단하는 과정에서 멤브레인으로 인한 소자 자체의 강도가 약해 불량이 발생하는 점과 멤브레인에 의한 음파 에너지의 손실로 공징특성이 저하되며, 기판을 식각하는 시간이 길다는 단점이 있으나, 제작이 용이하여 현재 가장 많이 사용하는 구조이다.
또한, 도4는 에어갭형의 TFBAR의 단면도로서, 기판(1) 상에 일부가 접하고, 그 중앙부는 이격된 절연막(2)과 상기 기판(1)과 이격된 절연막(2) 영역의 상부에하부전극(3), 압전층(4), 상부전극(5)이 적층된 TFBAR로 구성된다.
이는 기판(1)으로의 탄성파 손실을 방지하기 위해 절연막 등의 희생층을 사용하여 절연막(2)에 에어갭을 형성한 구조를 가진다. 이러한 구조는 마이크로머시닝 기술을 이용, 기판(1)의 표면에 희생층을 형성하고, 에어갭을 만든 것이며, 이는 멤브레인법에서 기판의 식각시간에 비해 공정 시간이 짧고 소자의 면적을 줄일 수 있으나, 희생층 상에 소자를 제작하므로 공정 조건인 온도와 식각의 선택도 등이 제한적이어서 수율이 감소할 수 있다.
상기 예시한 종래의 TFBAR의 구조는 모두 압전층(4)의 두께를 이용하여 TFBAR의 공진주파수를 조절하는 것이다.
이러한 종래의 TFBAR을 이용하여 밴드패스필터를 구현하는 방법은 다수의 TFBAR을 직렬연결하고, 그 직렬연결된 TFBAR의 입력단측에 일측이 연결되며 타측은 공통전압을 인가받은 다수의 병렬접속된 TFBAR로 구성된다. 이때 밴드패스필터의 특징은 상기 직렬연결된 TFBAR의 공진주파수와 병렬연결된 TFBAR의 공진주파수가 다르다는 것이며, 이에 의해 종래에는 상기 직렬연결된 TFBAR과 병렬연결된 TFBAR을 서로다른 기판상에 구현하고, 이를 전기적으로 연결하여 사용하였다.
이에 따라 서로다른 기판을 사용함으로써, 다른 회로와의 집적이 불가능해져 그 크기가 커짐과 아울러 제조비용이 증가하고, 직렬연결된 TFBAR과 병렬연결된 TFBAR의 튜닝이 용이하지 않은 문제점이 발생한다.
이는 서로다른 중심 주파수를 가지는 두 밴드패스필터의 조합으로 구성되는 듀플렉서의 구성에서도 나타나는 현상이며, 그 듀플렉서의 제조를 위해서는 서로다른 공진주파수를 가지는 4 종류의 TFBAR을 사용해야 함으로써, 동일기판상에 제조할 수 없어 위의 문제점이 심화되어 나타나게 된다.
상기한 바와 같이 종래 TFBAR과 그 TFBAR을 이용한 밴드패스필터 및 듀플렉서는 그 TFBAR의 공진주파수를 변경하기 위해서는 압전층의 두께를 변경해야 하며, 일단 제조된 TFBAR은 그 공진주파수를 변경하는 것이 불가능하여 수율이 저하되는 문제점과 아울러 그 TFBAR을 이용한 밴드패스필터 및 듀플렉서는 공진주파수가 각기 다른 복수의 TFBAR을 사용해야 함으로써, 하나의 기판상에 제조할 수 없어 그 크기가 증가하며, 제조비용이 증가함과 아울러 각 TFBAR의 튜닝이 용이하지 않은 문제점이 있었다.
이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 TFBAR의 공진주파수를 용이하게 설정 및 튜닝하며, 이를 이용하여 하나의 기판상에 밴드패스필터와 듀플렉서 각각을 제조할 수 있는 박막 벌크 어쿠스틱 공진기와 이를 이용한 밴드패스필터 및 듀플렉서 구조를 제공함에 그 목적이 있다.
도1은 종래 박막 벌크 어쿠스틱 공진기의 단면도.
도2는 종래 박막 벌크 어쿠스틱 공진기의 등가회로도.
도3과 도4는 종래 박막 벌크 어쿠스틱 공진기의 다른 실시예도.
도5a 내지 도5d는 각각 본 발명 박막 벌크 어쿠스틱 공진기의 일실시 단면도.
도6은 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 듀플랙서의 회로도.
도7a 및 도7b는 각각 본 발명 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역통과필터의 일실시 단면도.
도8은 본 발명 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역통과필터의 일실시 단면도.
도9는 도8의 상세 구성도.
도10은 본 발명 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 듀플렉서의 일실시 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1:기판2:지지층
3:하부전극4:압전층
5:상부전극6:전극
상기와 같은 목적은 지지층과; 상기 지지층의 하측 주변부에 위치하는 기판과; 상기 지지층 상에 순차적층되어 위치하는 하부전극, 압전층, 상부전극과; 상기 하부전극에 대향하는 지지층 저면에 위치하는 전극으로 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 구현하고, 이를 이용하여 대역통과필터와 듀플랙서를 구현함으로써 달성되는 것으로, 이와 같은 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도5a 내지 도5d는 각각 본 발명 TFBAR의 일실시예도로서, 이에 도시한 바와 같이 압전층(4)의 두께는 고정시키고, 하부전극(3) 또는 상부전극(5)의 두께를 변경하거나(도5a), 상기 압전층(4)의 두께는 고정시키고, 하부전극(3) 또는 상부전극(5)의 물성을 변화시키거나(도5b), 압전층(4)과 하부전극(3) 및 상부전극(5)의 두께 및 물성은 고정시키고, 하부전극(3)의 하부측에 위치하는 절연층인 지지층(2)의 두께를 변경하여 그 공진주파수를 변경시키거나(도5c), 상기 지지층(2)으로 부터 상부전극(5) 까지의 적층구조를 변화시키지 않고, 상기 지지층(2)의 하측에 전극(6)을 더 포함시킴으로써, TFBAR의 공진주파수를 변경할 수 있게 된다.
상기 도5a 내지 도5d에 나타낸 바와 같이 전극의 두께 및 물성의 변화, 지지층(2)의 두께변화, 지지층(2) 하부에 전극의 추가 등을 실시하는 경우에는 상기 도2의 등가회로도에서 나타난 소자의 값이 변경되며, 이에 따라 TFBAR의 공진주파수가 변경된다.
도6은 듀플렉서의 회로도로서, 이에 도시한 바와 같이 안테나(ANT)를 통해 송수신 되는 송수신신호를 각각 필터링하는 두 밴드패스 필터인 수신 밴드패스필터(Rx)와 송신 밴드패스필터(Tx)로 구성되며, 상기 수신 밴드패스 필터는 수신포트(Rx PORT)와 안테나(ANT) 사이에 직렬연결된 복수의 TFBAR(TFBAR1~TFBAR3)와; 상기 TFBAR(TFBAR1~3)의 접속점과 안테나(ANT)와 수신포트(Rx PORT)와의 접속점에 각각의 일측이 순차적으로 접속되고, 타측에 공통전압을 인가받은 다수의 TFBAR(TFBAR4~TFBAR7)로 구성되며, 송신 밴드패스필터(Tx)는 안테나(ANT)와 송신포트(Tx PORT) 사이에 직렬접속된 TFBAR(TFBAR8~TFBAR11)와; 상기 안테나(ANT)와 TFBAR(TFBAR8)의 접속점, TFBAR(TFBAR8,6)의 접속점에 일측이 접속되며, 타측에 공통전압이 인가되는 TFBAR(TFBAR12,TFBAR13)으로 구성된다.
상기 복수의 TFBAR(TFBAR1~TFBAR3, TFBAR4~TFBAR7, TFBAR8~TFBAR11, TFBAR12~TFBAR13) 각각은 서로 다른 공진주파수를 가지며, 이에 따라 상기 수신 밴드패스필터(Rx)와 송신 밴드패스필터(Tx)는 그 중심주파수가 다르게 되어 원하는 주파수의 신호를 필터링하여 송수신 할 수 있게 된다.
도7a와 도7b는 각각 본 발명의 TFBAR을 이용한 밴드패스 필터의 일실시 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 하나의 기판(1)상에 지지층(2)을 형성하고, 그 지지층(2) 상에 독립적인 하부전극(3)을 형성한 후, 그 하부전극(3) 상에 압전층(4)을 형성한 후, 상기 밴드패스필터에서 직렬연결된 TFBAR(S-TFBAR)과 병렬연결된 TFBAR(P-TFBAR)의 상부전극(5,5')의 두께를 다르게 형성하고, 상기 기판(1)의 하부측의 일부를 식각하여 상기 TFBAR의 하부측 지지층(2)을 노출시킨다.
이와 같이 상기 상부전극(5,5')의 두께를 다르게 증착 또는 증착후 식각공정을 통해 설정함으로써, 서로 공진주파수가 다른 직렬연결 TFBAR(S-TFBAR)과 병렬연결 TFBAR(P-TFBAR)을 동일한 기판(1) 상에 형성할 수 있게 된다.
또한, 도7b에 도시한 실시예는 상부전극(5) 또는 하부전극(3)의 물성을 직렬연결된 TFBAR(S-TFBAR)과 병렬연결된 TFBAR(P-TFBAR) 각각에 대하여 다른 물질을 증착하여 형성함으로써, 서로 다른 공진주파수의 두 종류의 TFBAR을 동일 기판상에 형성할 수 있게 된다.
도8은 본 발명 TFBAR을 이용한 대역통과필터의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 중앙부가 식각된 기판(1)과; 상기 기판(1)의 상부와 그 기판(1)의 사이에 노출된 지지층(2)과; 상기 기판(1)의 사이에 위치하는 지지층(2) 상에 위치하는 직렬접속된 TFBAR(S-TFBAR) 및 병렬접속된 TFBAR(P-TFBAR)과; 상기 기판(1)의 사이에서 하부측이 노출된 지지층(2) 중 직렬연결된 TFBAR(S-TFBAR)의 하부에 위치하는 지지층(2)의 저면에 위치하는 전극(6)으로 구성된다.
이하, 상기와 같이 구성된 본 발명 TFBAR을 이용한 대역통과 필터의 제조방법을 좀 더 상세히 설명한다.
먼저, 실리콘 또는 갈륨비소 기판(1)의 상부에 ONO막 또는 저응력 질화막을 증착하여 지지층(2)을 형성한다.
그 다음, 상기 지지층(2)의 상부에 금속을 증착하고, 패터닝하여 하부전극(3)을 형성한다. 상기 도8에서는 직렬연결되는 TFBAR(S-TFBAR)과 병렬접속되는 TFBAR(P-TFBAR)을 각각 하나씩만 도시하였지만, 실제로는 상기 도6에 도시한 바와 같이 다수개의 TFBAR을 형성한다.
그 다음, 상기 구조의 상부전면에 ZnO, AlN, PZT 등을 증착하고, 패터닝하여 상기 하부전극의 상부측에 위치하는 압전층(4)을 형성한다.
그 다음, 상기 구조의 상부전면에 금속을 증착하고 패터닝하여 상부전극(5)을 형성한다.
그 다음, 상기 기판(1)의 하부일부를 식각하여 상기 TFBAR이 위치하는 영역의 하부측 지지층(2)의 저면을 노출시킨다.
이와 같이 제조된 실제 대역통과필터의 구조를 도9에 도시하였다.
상기의 제조공정을 통해 제조된 대역통과필터는 직렬접속된 TFBAR과 병렬접속된 TFBAR의 공진주파수가 모두 동일하여 그 대역통과필터로서 사용하기는 적합하지 않다.
그 다음, 상기 기판(1)의 하부측으로 증착마스크를 장착하여, 상기 직렬접속된 TFBAR(S-TFBAR)측의 지지층(2) 하부만을 선택적으로 노출시킨다.
그 다음, 상기 노출된 TFBAR(S-TFBAR)의 하부측 지지층(2)의 저면에 금속을 증착하여 전극(6)을 형성한다.
이와 같이 상기 전극(6)을 형성하면, 상기 직렬접속된 TFBAR(S-TFBAR)은 공진주파수가 달라지게 된다.
상기한 바와 같이 본 발명 TFBAR을 이용한 대역통과필터 제조방법은 동일기판상에 동일한 프로세스를 통해 동일한 공진주파수를 가지는 직렬 및 병렬 접속되는 TFBAR을 형성하고, 그 TFBAR 중 특정한 TFBAR의 하부 지지층(2)의 저면에 전극을 형성함으로써 공진주파수를 변경함으로써, 동일 기판상에 대역통과필터를 용이하게 제조할 수 있게 된다.
도6은 본 발명 TFBAR을 이용한 듀플렉서의 일실시 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 상호 소정거리 이격된 기판(1)과; 상기 기판(1)의 상부측과 상기 기판(1)의 이격된 부분에 위치하는 지지층(2)과; 상기 지지층(2) 상에 위치하는 송신측 직렬연결된 TFBAR(Tx-S-TFBAR), 송신측 병렬연결된 TFBAR(Tx-P-TFBAR), 수신측 직렬연결된 TFBAR(Rx-S-TFBAR), 수신측 병렬연결된 TFBAR(Rx-P-TFBAR)과; 상기송신측 TFBAR(Tx-S-TFBAR),(Tx-P-TFBAR)이 위치하는 지지층(2)의 하부에 위치하는 전극(6)으로 구성된다.
이하, 상기와 같은 본 발명 TFBAR을 이용한 듀플렉서 제조방법을 좀 더 상세히 설명한다.
먼저, 실리콘 또는 갈륨비소 기판(1)의 상부와 하부에 저응력 질화막 또는 ONO막을 증착하여 지지층(2)을 형성한다.
그 다음, 상기 기판(1)의 상부에 형성된 지지층(2) 상에 금속을 증착하고, 그 금속을 패터닝하여 복수의 하부전극(3)을 형성한다.
그 다음, 상기 구조의 상부전면에 압전층(4)을 증착하고, 사진식각공정을 통해 상기 증착된 압전층(4)을 패터닝하여 수신 대역통과필터(Rx)와 송신 대역통과필터(Tx) 형성영역 각각에 직렬연결과 병렬연결이 가능하도록 압전층(4) 패턴을 형성한다.
즉, 수신 대역통과필터(Rx)와 송신 대역통과필터(Tx) 영역 각각에 상기 도6에서 보여지는 박막 벌크 어쿠스틱 공진기의 연결구조를 실현하기 위하여, 병렬연결되는 TFBAR(Rx-P-TFBAR),(Tx-P-TFBAR)을 공통전압(Vcom)에 일측이 접속되는 TFBAR의 상부측에는 하부전극(3)과 그 하부전극(3)의 사이에 위치하는 지지층(2)의 상부에 위치하는 압전층(4)을 패턴을 형성하고, 상호 직렬접속되는 TFBAR(Rx-S-TFBAR, Tx-S-TFBAR)은 상부전극과 하부전극 간의 연결이 가능하도록, 하부전극(3)의 좌측상부일부를 노출시키는 형태로 압전층(4) 패턴을 형성한다.
그 다음, 상기 구조의 상부전면에 금속을 증착하고 패터닝하여 수신 대역통과필터(Rx)과 송신 대역통과필터(Tx) 영역에 형성된 압전층(4) 상에 선택적으로 상부전극(5)을 형성한다.
이때 상기 직렬연결된 TFBAR(Tx-S-TFBAR, Rx-S-TFBAR)과 병렬연결된 TFBAR(Tx-P-TFBAR, Rx-P-TFBAR)의 상부에 증착되는 상부전극(5)의 두께는 서로 다르게 하거나, 그 상부전극(5)의 물성에 차이를 두어서 상기 직렬연결된 TFBAR(Tx-S-TFBAR, Rx-S-TFBAR)과 병렬연결된 TFBAR(Tx-P-TFBAR, Rx-P-TFBAR)의 공진주파수를 다르게 형성한다.
그 다음, 사진식각공정을 통해 상기 기판(1)의 일부를 식각하여, 상기 수신 대역통과필터(Rx) 영역과 송신 대역통과필터(Tx) 영역의 TFBAR이 형성된 영역의 지지층(2) 하부를 노출시킨다.
이와 같은 공정으로 수신 대역통과필터와 송신 대역통과필터가 제조되나, 상기 수신 대역통과필터와 송신 대역통과필터는 동일한 공정과정 및 조건으로 제조되어 그 중심주파수가 동일한 값이되며, 이를 바로 송수신장치에 적용할 수 없다.
상기 중심주파수를 변경하기 위해서, 상기 기판(1)의 하부측에 상기 송신 대역통과필터 영역의 하부측 지지층(2) 하부를 선택적으로 노출시키는 마스크를 부착한다.
그 다음, 금속증착공정을 통해 상기 노출된 송신 대역통과필터 영역의 하부측에 노출된 지지층(2)의 하부에 전극(6)을 형성하여, 상기 수신 대역통과필터 영역(Rx)과 송신 대역통과필터 영역(Tx)의 중심주파수를 서로 다르게 설정한다.
이와 같이 본 발명 TFBAR과 이를 이용한 대역통과필터 및 듀플렉서 구조는,지지층의 하부측에 선택적으로 전극을 형성함으로써, TFBAR의 공진주파수를 변경하여, TFBAR의 공진주파수 변경을 용이하게 할 수 있고, 이를 이용한 대역통과필터 및 듀플렉서의 구조에서 중심주파수의 변경이 용이하도록 하여 하나의 기판에 대역통과필터와 듀플렉서를 실장할 수 있게 된다.
상기한 바와 같이 본 발명은 지지층의 하부측에 전극을 형성하여, TFBAR의 공진주파수를 용이하게 설정 및 튜닝할 수 있으며, 이를 이용한 대역통과필터 및 듀플렉서를 동일 기판상에 실장함으로써, 다른 회로와의 집적이 가능해져 제조비용을 절감하고, 전체 크기를 줄일 수 있는 효과와 아울러 그 회로의 튜닝을 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 지지층과; 상기 지지층의 하측 주변부에 위치하는 기판과; 상기 지지층 상에 순차적층되어 위치하는 하부전극, 압전층, 상부전극과; 상기 하부전극에 대향하는 지지층 저면에 위치하는 전극으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 박막 벌크 어쿠스틱 공진기.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 전극은 공진주파수에 따라 그 두께가 변화되는 것을 특징으로 하는 박막 벌크 어쿠스틱 공진기.
  3. 지지층과; 상기 지지층의 하측 주변부에 위치하는 기판과; 상기 지지층 상에 위치하는 다수의 상호 직렬접속된 공진기와; 상기 지지층 상에 위치하는 다수의 상호 병렬접속된 공진기와; 상기 상호 직렬접속된 공진기의 하측에 대향하는 지지층 하부에 위치하는 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 밴드 패스 필터.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 전극은 공진주파수에 따라 그 두께가 변화되는 것을 특징으로 하는 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 밴드 패스 필터.
  5. 지지층과; 상기 지지층의 하측 주변부에 위치하는 기판과; 상기 지지층 상에위치하며, 상호 공진주파수가 다른 복수의 직렬연결된 박막 벌크 어쿠스틱 공진기와, 복수의 병렬 연결된 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 포함하는 수신 대역통과필터와; 상기 지지층 상에 위치하며, 상호 공진주파수가 다른 복수의 직렬연결된 박막 벌크 어쿠스틱 공진기와, 복수의 병렬 연결된 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 포함하는 송신 대역통과필터와; 상기 송신 대역통과필터의 하측에 대향하는 지지층의 저면에 위치하는 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 듀플렉서.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 전극은 송신 대역통과필터의 중심주파수의 값에 따라 그 두께가 조절되는 것을 특징으로 하는 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 듀플렉서.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 수신 대역통과필터와 송신 대역통과필터 각각에 구비된 직렬연결된 박막 벌크 어쿠스틱 공진기와 병렬연결된 박막 벌크 어쿠스틱 공진기는 상부전극 또는 하부전극의 두께를 다르게 하거나, 그 물성에 차이를 두어 공진주파수를 다르게 설정하는 것을 특징으로 하는 박막 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 듀플렉서.
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