KR20040011035A - 실리콘 등방성 에칭을 이용한 ｆｂａｒ 듀플렉서 - Google Patents

실리콘 등방성 에칭을 이용한 ｆｂａｒ 듀플렉서 Download PDF

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KR20040011035A KR1020020044113A KR20020044113A KR20040011035A KR 20040011035 A KR20040011035 A KR 20040011035A KR 1020020044113 A KR1020020044113 A KR 1020020044113A KR 20020044113 A KR20020044113 A KR 20020044113A KR 20040011035 A KR20040011035 A KR 20040011035A
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Abstract

본 발명은 이동 통신용 단말기의 듀플렉서의 제작에 사용되는 FBAR 및 필터에 관한 것으로서, 건식 식각을 이용해 수직 에칭을 함으로써 공진기의 면적을 줄일 수 있는 FBAR 및 필터에 관한 것이다.
본 발명은 기판의 상하면 모두에 형성되는 지지층과, 상기 상부 지지층상에 형성되는 하부 전극과, 상기 하부 전극상에 형성되는 사다리형 받침대의 압전층과,상기 사다리형 받침대의 모든 압전층 상에 형성되는 상부 전극과, 상기 사다리형 받침대의 층상 구조중 양 외측상의 층상 구조의 상부 전극상에 형성되는 공진 주파수 조정층을 포함하며; 상기 기판의 등방성 수직 식각을 통해 필터 구성시 공진기 각각에 캐비티를 형성시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서와 그 제조 방법을 제공한다.

Description

실리콘 등방성 에칭을 이용한 ＦＢＡＲ 듀플렉서{FBAR DUPLEXER UTILIZING SILICON ISOTROPIC ETCHING}
본 발명은 이동 통신용 단말기의 듀플렉서(duplexer)의 제작에 사용되는 FBAR 및 필터에 관한 것으로서, 건식 식각을 이용해 수직 에칭을 함으로써 공진기의 면적을 줄일 수 있는 FBAR 및 필터에 관한 것이다.
FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)박막형 필터는 반도체 기판에 산화아연(ZnO)과 질화알루미늄(AlN)과 같은 압전 유전체 물질을 RF 스퍼터링으로 증착해 압전 특성으로 인한 공진을 유발하는 박막 형태의 소자를 필터로 구현한 것이다. 따라서, 기존의 유전체 필터에서 구현하기 어려운 소형화 및 MMIC(Microwave Monolithic integrated circuit)화를 이룰 수 있는 장점을 가지고 있고, 표면 탄성파(Surface Acoustic Wave; SAW) 필터에서 불가능하게 여겨지는 초고주파 영역에서의 구동이 가능하다.
또한, 이들 이상의 우수한 필터 특성을 나타낼 수 있으므로 무선 통신 분야에서 요구되는 차세대 필터 기술이다.
현재까지 FBAR의 구조는 멤브레인 타입(membrane type), SMR(Solidlymounted resonator) 또는 브래그 반사기 타입(Bragg reflector type), 에어갭 타입(air-gap type)등이 보고되어 있다.
도 1a는 멤브레인 타입의 FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)의 기본 구조를 나타낸 도면이다.
도 1a를 참조하면, 멤브레인 타입의 FBAR는 하부 전극(3), 압전층(Piezolayer: 4), 상부 전극(5)이 순차적으로 증착되어 다층구조를 이루며 진동되는 공기막과, 상기 공기막을 지지하는 지지층(support layer: 2)과, 상기 지지층(2)을 지지하는 실리콘 등의 기판(1)으로 구성되어 있다.
이와 같은 구조의 멤브레인 타입은 공정 과정이 복잡하다는 점과 지지층의 식각으로 인해 기계적인 안정성이 떨어진다는 단점을 지니고 있으며, 또한, 기존에 알려진 수산화칼륨(KOH)을 이용한 습식 식각(wet-etching) 방식은 실제 원하는 면적을 에칭하기 위해서 보다 넓은 면적을 에칭해야 하므로 전체 크기가 증가할 수 밖에 없다.
이를 보완하기 위해 SMR 타입과 에어 갭 타입이 제안되었다.
이하에서 SMR 타입과 에어 갭 타입의 FBAR의 기본 구조를 살펴본다.
도 1b는 SMR 타입의 FBAR의 기본 구조를 나타낸 도면이다.
도 1b를 참조하면, SMR 타입의 FBAR의 기본 구조는 기판(1)상에 브래그 반사기(6), 지지층(2), 하부전극(3), 압전층(4), 상부 전극(5)이 순차적으로 성장하여 다층 구조를 이룬다. 즉, SMR 타입의 FBAR는 기판(1), 하부 전극(3), 압전층(4), 상부 전극(5)의 공기막과, 상기 기판(1)상에 상기 공기막을 지지하는 지지층(2)으로 구성되는 종래의 멤브레인 타입의 FBAR과 달리 상기 지지층(2)과 기판(1)상에 브래기 반사기(6)를 형성하는 점에 특징이 있다.
또한, 이러한 브래그 반사기(6)와 상기 브래그 반사기(6)상에 성장되는 지지층(2)의 2층 구조는 적어도 하나 이상을 가질수 있다.
이와 같이 SMR 타입은 기판위에 어쿠스틱 임피던스 차이가 큰 물질을 격층으로 쌓아 브래그 반사를 일으켜 음파의 손실을 최소로 하게 되는데 이는 구조적으로 안정하고 공정방법도 간단한 장점을 갖지만, 전술한 멤브레인 타입에 비해 기계적 진동이 약해지므로 효율이 감소하는 단점도 있다.
도 1c는 에어 갭 타입의 FBAR의 기본 구조를 나타낸 도면이다.
도 1c를 참조하면, 에어 갭 타입의 FBAR 공진기는 기판(1)상에 육교형 지지층(2), 하부전극(3), 압전층(4), 상부 전극(5)이 순차적으로 성장하며 상기 기판(1)과 육교형 지지층(2) 사이에 에어갭(Air-gap: 7)을 형성하는 다층 구조를 이룬다.
이와 같이 에어 갭 타입은 멤브레인 타입에서 요구되는 후면 식각(backside etching) 대신 희생층을 이용한 표면 마이크로머시닝(surface micromachining)을 이용하므로 공정 과정을 간단하게 할 수 있다.
이 같은 방법으로 제조된 FBAR는 래더(Ladder)형 필터, 모노리틱 크리스털(Monolithic Crystal)형 필터, 스택트(Stacked)형 필터, 래티스(Lattice)형 필터로 단일칩(One Chip) 형태의 박막형 필터 구현이 가능하다.
이중 가장 널리 사용되는 래더형 필터에 대해 살펴보면 다음과 같다.
도 2는 래더형 필터의 평면도이다.
도 2를 참조하면, 래더형 필터는 공진주파수가 다른 두 종류의 공진기(TFR1과 TFR2)를 각각 직렬-병렬로 연결하여 구성되어 있음을 알수 있다.
도 3은 도 2와 같이 공진 주파수가 다른 두 종류의 공진기를 각각 직렬-병렬로 연결한 래더형 필터의 임피던스 응답을 나타내는 그래프이다.
도 4는 공진기를 이용한 대역 통과 필터(bandpass filter)의 개략도이다.
도 4를 참조하면, 도 2와 같이 공진 주파수가 다른 두 종류의 공진기를 각각 직렬-병렬로 연결한 래더형 필터가 대역통과 필터의 특성을 가지게 됨을 알수 있다.
대역 통과 필터란 수신기에서 특정범위의 주파수에 존재하는 신호는 통과시키고 이범위를 벗어난 신호는 제거하는 회로를 말하며, 현재 SAW 필터가 가장 널리 사용되고 있다.
또한, 대역 통과 필터는 이동통신, 위성통신, 및 위성 방송에 사용되는 핵심 소자 및 핵심 부품(멀티플레서, 믹서등)을 구성하는 가장 중요한 소자로서, 이를 개발하기 위해서는 고온초전도 에피택셜 박막 성장 기술, 마이크로파 소자의 설계 및 최적화 기술, 고온 초전도 소자 제조기술, 제조된 소자의 특성을 측정하고 평가하는 기술들이 핵심기술로서 필요하다.
도 5는 인덕터 노치(inductor notch)를 이용한 래더형 필터의 회로도이다.
대역 통과 필터의 경우, 저지대역(stopband)에서의 감쇠(attenuation)가 수직에 가깝게 떨어지는 것이 필터의 특성을 나타내는 중요한 요소가 되므로, 저지대역(stopband) 부근에 노치(notch)를 주기 위해 도 5와 같이 병렬(shunt) 공진기에 인덕터를 달아주는 경우가 있다.
도 6a 내지 6f는 종래의 FBAR 듀플렉서의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 6a는 실리콘등의 기판(1)의 상하면 모두에 지지층(2)이 형성됨을 보여준다.
도 6b는 상기 기판(1)의 상하면에 지지층(2)이 형성된 후 상부 지지층(2)상에 하부 전극(3)이 형성됨을 보여준다.
도 6c는 상기 하부 전극(3)상에 3개의 사다리형 받침대의 압전층(Piezolayer: 4)이 형성됨을 보여 준다.
도 6d는 상기 3개의 모든 압전층(4) 상에 상부 전극(5)이 형성됨을 보여준다.
도 6e는 각각의 압전층(4) 상에 상부 전극(5)이 형성된 후, 3개의 사다리형 받침대의 층상 구조중 양 외측상의 층상 구조의 상부 전극(5)상에 공진 주파수 조정층(8)이 형성됨을 보여준다.
도 6f는 공진 주파수 조정층(8)이 형성된 양 외측상의 사다리형 받침대 층상 구조는 통과 대역(pass band: tp1, tp2)을 나타내고 가운데의 공진 주파수 조정층(8)이 형성되지 않은 사다리형 받침대 층상 구조는 저지 대역(stop band: ts1)을 나타내며, 또한, 하부 지지층이 식각됨을 보여준다.
특히, 도 6는 수산화칼륨을 이용한 습식 식각의 경우 실리콘 기판(1)에 대한 비등방성 식각 선택성에 의해 수직 식각이 아닌 경사면 식각이 일어남을 보여준다.
전술한 바와 같이. 벌크 마이크로머시닝(bulk micromachining)을 이용한 멤브레인 타입의 공진기는 지지층의 윗면에 소자를 제작한 후 벌크 실리콘(bulk silicon)을 수산화칼륨을 이용한 습식 식각 방식으로 제거하여 공진 특성을 개선시킨다.
이와 같이 수산화칼륨을 이용한 습식 식각의 경우 실리콘 기판(1)에 대한 비등방성 식각 선택성에 의해 수직 식각이 아닌 경사면 식각이 일어난다.
경사면 식각에 의해 실리콘 기판은 수평면에 대해 54.74도의 경사를 이루므로 에치 오픈(etch open)되는 면의 면적은 실제 유효한 면적인 에치 바톰(etch bottom)보다 필요이상으로 커지게 된다.
따라서, 멤브레인 타입의 공진기는 에치 오픈되는 면적에 의해 크기가 결정될 수 밖에 없으므로 유효면적 만큼만 에칭시킬 수 있는 방법이 요구된다.
본 발명은 이동 통신용 단말기의 듀플렉서(DPX) 제작에 사용되는 FBAR 및 필 터에 관한 것으로서, 기존에 사용되던 실리콘 습식 식각을 이용한 벌크 마이크로머시닝 방법이 공진기의 크기를 유효면적보다 크게 할 수 밖에 없는 단점을 해결하고자 건식 식각을 이용해 수직 에칭을 함으로써 공진기의 면적을 줄이는 것을 목적으로 한다.
도 1a 내지 1c는 각각 멤브레인 타입, SMR 타입, 에어 갭 타입의 FBAR의 기본 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 래더형 필터의 평면도이다.
도 3은 도 2와 같이 공진 주파수가 다른 두 종류의 공진기를 각각 직렬-병렬로 연결한 래더형 필터의 임피던스 응답을 나타내는 그래프이다.
도 4는 공진기를 이용한 대역 통과 필터의 개략도이다.
도 5는 인덕터 노치(inductor notch)를 이용한 래더형 필터의 회로도이다.
도 6a 내지 6f는 종래의 FBAR 듀플렉서의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 7의 a, b는 식각 방식에 따른 후면 공동 면적 차이를 나타내는 도면이다.
도 8a 내지 8f는 본 발명에 따른 FBAR 듀플렉서의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 9a 내지 9c는 본 발명에 따른 FBAR 듀플렉서의 제조 방법과 튜닝 방법을 나타내는 도면이다.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
1: 기판2: 지지층
3: 하부 전극4: 압전층
5: 상부 전극6: 브래그 반사기
7: 에어 갭8: 공진 주파수 조정층
9: 중심 주파수 튜닝용 애드업 층
본 발명에 따른 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서는, 기판의 상하면 모두에 형성되는 지지층과, 상기 상부 지지층상에 형성되는 하부 전극과, 상기 하부 전극상에 형성되는 사다리형 받침대의 압전층과, 상기 사다리형 받침대의 모든 압전층 상에 형성되는 상부 전극과, 상기 사다리형 받침대의 층상 구조중 양 외측상의 층상 구조의 상부 전극상에 형성되는 공진 주파수 조정층을 포함하며; 상기 기판의 등방성 수직 식각을 통해 필터 구성시 공진기 각각에 캐비티를 형성시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서의 제조 방법은, 기판의 상하면 모두에 지지층이 형성되는 단계와, 상기 기판의 상하면에 지지층이 형성된 후 상부 지지층상에 하부 전극이 증착되는 단계와, 상기 하부 전극상에 사다리형 받침대의 압전층이 형성되는 단계와, 상기 압전층 상 모두에 상부 전극이 형성되는 단계와, 각각의 압전층 상에 상부 전극이 형성된 후 상기 사다리형 받침대의 층상 구조중 양 외측상의 층상 구조의 상부 전극상에 공진 주파수 조정층이 형성되는 단계와, 상기 기판의 등방성 수직 식각을 통해 필터 구성시 공진기 각각에 캐비티를 형성시킬 수 있는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판을 식각한 후 지지층을 남겨 놓을 수도 있거나 상기 지지층을 제거해 버릴 수도 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 여러개의 하부전극중에서 양 외측의 하부 전극이 동일하고 가운데의 하부 전극이 다른 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 상부 지지층에 주파수 튜닝용 물질을 증착한 것을 특징으로 한다.
또한, SF6와 CF4와 같은 플루오르 계열의 기체를 이용한 DEEP-RIE(reactive ion etching) 건식 식각을 하는 것을 특징으로 한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.
도 7의 a, b는 식각 방식에 따른 후면 공동(backside cavity)면적 차이를 나타내는 도면이다.
도 7의 a, b를 참조하면, 각각 비등방성 식각과 등방성 식각을 한 경우 같은 유효면적의 캐비티를 갖기 위해서는 에치 오픈되는 면적의 크기가 상당한 차이가 난다는 것을 알 수 있으며 수직 식각의 경우 공진기의 다이싱 크기(dicing size)를 줄일 수 있으며 이를 이용한 필터 구성시 전체 면적이 감소될 수 있다.
특히, SF6와 CF4와 같은 플루오르 계열의 기체를 이용한 DEEP-RIE(reactive ion etching) 건식 식각을 하면 수산화칼륨을 이용한 습식 식각과 같이 비등방성 식각이 아니라 수직 방향 식각이 일어나도록 할 수 있다. 이것은 플루오르의 반응성이 매우 크기 때문에 이온 어시스턴스(ion assistance) 없이도 실리콘과 반응하여 등방성 식각이 가능하기 때문이다.
또한, 수직 식각을 하게 되면 필터 구성시 공진기 각각 캐비티를 만들어 줄 수 있으므로 필터의 후면 면적을 넓게 식각하지 않아도 되기 때문에 구조가 보다 안정적이다.
도 8a 내지 8f는 본 발명에 따른 FBAR 듀플렉서의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 8a는 실리콘등의 기판(1)의 상하면 모두에 지지층(2)이 형성됨을 보여준다.
도 8b는 기판의 상하면에 지지층(2)이 형성된 후 상부 지지층상에 하부 전극(3)이 형성됨을 보여준다.
도 8c는 상기 하부 전극(3)상에 3개의 사다리형 받침대의 압전층(Piezolayer: 4)가 형성됨을 보여 준다.
도 8d는 상기 3개의 모든 압전층(4) 상에 상부 전극(5)이 형성됨을 보여준다.
도 8e는 각각의 압전층(4) 상에 상부 전극(5)이 형성된 후, 3개의 사다리형 받침대의 층상 구조중 양 외측상의 층상 구조의 상부 전극(5)상에 공진 주파수 조정층(8)이 형성됨을 보여준다.
도 8f는 공진 주파수 조정층(8)이 형성된 양 외측상의 사다리형 받침대 층상 구조는 통과 대역(pass band: tp1, tp2)을 나타내고 가운데의 공진 주파수 조정층이 형성되지 않은 사다리형 받침대 층상 구조는 저지 대역(stop band: ts1)을 나타내며, 또한, 하부 지지층이 식각됨을 보여준다.
특히, 도 8f는 종래의 수산화칼륨을 이용한 습식 식각과 달리, SF6와 CF4와 같은 플루오르 계열의 기체를 이용한 DEEP-RIE(reactive ion etching) 건식 식각을하면 비등방성 식각이 아니라 수직 방향 식각이 일어나도록 할 수 있다. 이것은 플루오르의 반응성이 매우 크기 때문에 이온 어시스턴스(ion assistance) 없이도 실리콘과 반응하여 등방성 식각이 가능하기 때문이다.
이와 같이등방성 식각을 한 경우 공진기의 다이싱 크기(dicing size)를 줄일 수 있으며 이를 이용한 필터 구성시 전체 면적이 감소될 수 있게 한다.
또한, 수직 식각을 하게 되면 필터 구성시 공진기 각각 캐비티를 만들어 줄 수 있으므로 필터의 후면 면적을 넓게 식각하지 않아도 되기 때문에 구조가 보다 안정적이다.
도 9a 내지 9c는 본 발명에 따른 FBAR 듀플렉서의 제조 방법과 튜닝 (tuning)방법을 나타내는 도면이다.
도 9a는 도 8a내지 8f의 공정에 따라 제조된 FBAR 듀플렉서에서 상부 지지층이 식각된 경우를 보여준다.
이는 벌크 실리콘을 식각한 후 지지층을 남겨 놓을 수도 있으나(도 8f 참조), 지지층을 제거해 버릴 수도 있는 것(도 9a 참조)을 보여준다.
이와 같이 벌크 실리콘 기판 식각후 지지층을 남겨 놓거나 제거해버릴 수 있는데, 지지층의 유무에 상관없이 증착 또는 식각에 의한 주파수 튜닝이 가능하게 한다.
도 9b는 본 발명에 따른 FBAR 듀플렉서의 하부전극이 다른 경우를 나타낸다.
도 9b를 참조하면, 기판(1)의 상하면에 지지층(2)이 형성되고 상부 지지층상에 3개의 하부 전극이 형성되는데 그중 양 외측의 하부전극(3)은 동일하나 가운데에는 다른 하부전극(3-1)을 형성함을 보여준다.
또한, 각각의 하부 전극(3 또는 3-1)상에 3개의 사다리형 받침대의 압전층(Piezolayer: 4)이 형성되고, 상기 3개의 모든 압전층(4) 상에 상부 전극(5)이 형성됨을 보여준다.
도 9c는 도 8a내지 8f의 공정에 따라 제조된 FBAR 듀플렉서에서 상부 지지층에 주파수 튜닝용 물질을 증착한 경우를 보여준다.
도 9c를 참조하면, 상부 지지층은 식각되지 않은 상태에서 상부 지지층의 하부면에 중심 주파수 튜닝용 애드업 층(add-up layer: 9)이 증착되었음을 알수 있다.
본 발명은 기존의 벌크 마이크로머시닝 기술에서 비등방성 식각에 의한 공진기 및 필터 크기 증가에 따른 문제점을 해결하고자 건식 식각 장비인 DEEP-RIE와 플루오르 계열의 식각액(etchant)을 사용하여 등방성 식각이 가능하게 하였다.
따라서, 실제 소자의 특성 구현에 필요한 부분과 동일한 면적을 에치 오픈 할 수 있으므로 불필요한 면적 증가를 감소시킬 수 있어 소자의 크기를 줄일 수 있으며 기계적인 안정성도 증가시킬 수 있다.
또한, 기존 벌크 마이크로머시닝으로 제작한 소자의 경우 지지층이 있어야 구조가 안정적인데 반해 이 방법은 필터내에서도 각 공진기 별로 캐비티를 만들 수 있으므로 지지층을 없앤 프리스탠딩(free-standing)구조(하부 전극-압전층-상부 전극)를 만들기가 용이해진다.
건식 식각은 수산화칼륨을 이용한 습식 식각 방식에 비해 공정면에서 안정적이므로 소자 제작시 유리하다는 장점이 있다.
이와 같은 방법으로 제작된 공진기 및 필터는 제작 후 주파수 튜닝이 가능하다. 벌크 실리콘을 식각한 후 지지층을 남겨놓을 수도 있고 제거해 버릴 수도 있는데 지지층의 유무에 상관없이 증착 또는 식각에 의한 튜닝을 할 수 있다.
지지층이 있는 경우, 지지층을 식각하면 일정한 두께 변화에 따른 주파수 이동이 가능하며 지지층을 식각하여 하부전극이 드러난 상태에서도 하부전극을 식각함으로써 중심 주파수를 높일 수 있다.
또한, 지지층의 유무에 상관없이 절연층, 압전층, 금속 물질을 증착해도 중심 주파수를 낮출 수 있다.
필터 구성시 직렬 공진기와 병렬 공진기의 주파수를 일정한 간격으로 시프트(shift)시켜야 하는데, 하부 전극의 종류를 식각 선택성이 있는 물질로 다르게 구성하면 지지층을 제거한 후 하부전극이 드러나면 선택적 식각이 가능하므로 주파수 튜닝이 가능해진다.
또한, 같은 재질의 전극을 사용하더라도 그 두께를 다르게 하여 주파수 시프트를 할 수 있으며, 이 방법도 하부 전극을 드러나게 하여 식각을 함으로써 중심 주파수를 튜닝할 수 있다.

Claims (12)

  1. 기판의 상하면 모두에 형성되는 지지층과,
    상기 상부 지지층상에 형성되는 하부 전극과,
    상기 하부 전극상에 형성되는 사다리형 받침대의 압전층과,
    상기 사다리형 받침대의 모든 압전층 상에 형성되는 상부 전극과,
    상기 사다리형 받침대의 층상 구조중 양 외측상의 층상 구조의 상부 전극상에 형성되는 공진 주파수 조정층을 포함하며;
    상기 기판의 등방성 수직 식각을 통해 필터 구성시 공진기 각각에 캐비티를 형성시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공진 주파수 조정층이 형성된 양 외측상의 사다리형 받침대 층상 구조는 통과 대역을 나타내고 가운데의 상기 공진 주파수 조정층이 형성되지 않은 사다리형 받침대 층상 구조는 저지 대역을 나타내는 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 식각한 후 지지층을 남겨 놓을 수도 있거나 상기 지지층을 제거해 버릴 수도 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서.
  4. 제 1 항에 있어서,
    여러개의 하부전극중에서 양 외측의 하부 전극이 동일하고 가운데의 하부 전극이 다른 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 지지층에 주파수 튜닝용 물질을 증착한 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서.
  6. 제 1 항에 있어서,
    SF6와 CF4와 같은 플루오르 계열의 기체를 이용한 DEEP-RIE(reactive ion etching) 건식 식각을 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서.
  7. 기판의 상하면 모두에 지지층이 형성되는 단계와,
    상기 기판의 상하면에 지지층이 형성된 후 상부 지지층상에 하부 전극이 증착되는 단계와,
    상기 하부 전극상에 사다리형 받침대의 압전층이 형성되는 단계와,
    상기 압전층 상 모두에 상부 전극이 형성되는 단계와,
    각각의 압전층 상에 상부 전극이 형성된 후 상기 사다리형 받침대의 층상 구조중 양 외측상의 층상 구조의 상부 전극상에 공진 주파수 조정층이 형성되는 단계와,
    상기 기판의 등방성 수직 식각을 통해 필터 구성시 공진기 각각에 캐비티를 형성시킬 수 있는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 공진 주파수 조정층이 형성된 양 외측상의 사다리형 받침대 층상 구조는 통과 대역을 나타내고 가운데의 공진 주파수 조정층이 형성되지 않은 사다리형 받침대 층상 구조는 저지 대역을 나타내는 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서의 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판을 식각한 후 지지층을 남겨 놓을 수도 있거나 상기 지지층을 제거해 버릴 수도 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서의 제조 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    여러개의 하부전극중에서 양 외측의 하부 전극이 동일하고 가운데의 하부 전극이 다르게 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서의 제조 방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 상부 지지층에 주파수 튜닝용 물질을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서의 제조 방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    SF6와 CF4와 같은 플루오르 계열의 기체를 이용한 DEEP-RIE 건식 식각을 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 등방성 에칭을 이용한 FBAR 듀플렉서의 제조 방법.
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