JP2003087086A - 圧電共振子、圧電共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造方法、デュプレクサおよび電子通信機器 - Google Patents
圧電共振子、圧電共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造方法、デュプレクサおよび電子通信機器Info
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
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Abstract
(57)【要約】
【課題】各振動部どうしが互いの共振特性に対する影響
を軽減する一方で、全体の寸法の小型化を図ること。 【解決手段】基板２と、前記基板２に形成されている、
少なくとも１層以上の圧電薄膜１４を有する薄膜部の上
下面を少なくとも一対の上部電極１１，１２及び下部電
極１３を対向させて挟む構造の振動部４，５を複数、有
する圧電共振子１において、前記振動部４，５が、その
振動特性に影響する要素７〜１０から少なくともλ／２
(ただし、λは、振動波長)離されている。
を軽減する一方で、全体の寸法の小型化を図ること。 【解決手段】基板２と、前記基板２に形成されている、
少なくとも１層以上の圧電薄膜１４を有する薄膜部の上
下面を少なくとも一対の上部電極１１，１２及び下部電
極１３を対向させて挟む構造の振動部４，５を複数、有
する圧電共振子１において、前記振動部４，５が、その
振動特性に影響する要素７〜１０から少なくともλ／２
(ただし、λは、振動波長)離されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電共振子、圧電
共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造
方法、デュプレクサおよび電子通信機器に関する。この
圧電共振子は、より詳しくは、フィルタや発振子などに
使用されて、ＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯、さらにそれ以上の超
高周波帯において厚み縦振動するもので、ダイヤフラム
上に振動部を備えたものである。
共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造
方法、デュプレクサおよび電子通信機器に関する。この
圧電共振子は、より詳しくは、フィルタや発振子などに
使用されて、ＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯、さらにそれ以上の超
高周波帯において厚み縦振動するもので、ダイヤフラム
上に振動部を備えたものである。
【０００２】
【従来の技術】従来におけるこの種の圧電共振子の構造
を説明する。一様な肉厚の基板に設けられた開口を覆う
形態で該基板上に薄膜状のダイヤフラムが設けられる。
そのダイヤフラムの上面に、上下の電極間に薄膜とされ
た圧電膜を介装してなる積層体が搭載される。該積層体
は、前記両電極間に電圧信号の印加によりダイヤフラム
上で共振動作する振動部となる。このような圧電共振子
は、圧電膜が薄膜とされて超高周波帯域で共振応答可能
となる。
を説明する。一様な肉厚の基板に設けられた開口を覆う
形態で該基板上に薄膜状のダイヤフラムが設けられる。
そのダイヤフラムの上面に、上下の電極間に薄膜とされ
た圧電膜を介装してなる積層体が搭載される。該積層体
は、前記両電極間に電圧信号の印加によりダイヤフラム
上で共振動作する振動部となる。このような圧電共振子
は、圧電膜が薄膜とされて超高周波帯域で共振応答可能
となる。
【０００３】かかるタイプの圧電共振子の場合、振動部
が所要の振動を行うことができるようにダイヤフラム固
定端から所要の距離を隔てて設けられる。
が所要の振動を行うことができるようにダイヤフラム固
定端から所要の距離を隔てて設けられる。
【０００４】また、ダイヤフラムに複数の振動部を複数
設けた圧電共振子の場合、ダイヤフラム上において各振
動部がそれぞれにおける共振特性を相互に影響しないよ
うに所要の距離を隔てて設けられている。
設けた圧電共振子の場合、ダイヤフラム上において各振
動部がそれぞれにおける共振特性を相互に影響しないよ
うに所要の距離を隔てて設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そして、このような圧
電共振子では、その小型化を図るため、振動部をダイヤ
フラム固定端や他の振動部などに近付けて設けることが
考えられる。この場合、振動部をダイヤフラム固定端や
他の振動部などに近付けすぎると小型化は達成できるも
のの、その振動特性がそれらにより影響される。また、
振動部をダイヤフラム固定端や他の振動部などから離し
すぎると、その振動特性に対するそれらの影響は軽減な
いしは無くなるとしてもその寸法が大型化する。このよ
うにしてダイヤフラム上における振動部の設置に際して
は、その振動部の高精度な位置決めはきわめて難しい。
そのため、圧電共振子などの性能の低下あるいはその生
産性の低下を招来する。
電共振子では、その小型化を図るため、振動部をダイヤ
フラム固定端や他の振動部などに近付けて設けることが
考えられる。この場合、振動部をダイヤフラム固定端や
他の振動部などに近付けすぎると小型化は達成できるも
のの、その振動特性がそれらにより影響される。また、
振動部をダイヤフラム固定端や他の振動部などから離し
すぎると、その振動特性に対するそれらの影響は軽減な
いしは無くなるとしてもその寸法が大型化する。このよ
うにしてダイヤフラム上における振動部の設置に際して
は、その振動部の高精度な位置決めはきわめて難しい。
そのため、圧電共振子などの性能の低下あるいはその生
産性の低下を招来する。
【０００６】もちろん、このような不具合は、これら圧
電共振子の複数を組み合わせたフィルタにおけるフィル
タ特性についても同様である。
電共振子の複数を組み合わせたフィルタにおけるフィル
タ特性についても同様である。
【０００７】２重モードフィルタとラダーフィルタは、
それぞれ、隣の共振子の振動が干渉しないようにある一
定の距離をあけなければならない。２重モードフィルタ
の場合、共振子の距離については、広げすぎることで特
性が悪くなることは特にない。しかし、ラダーフィルタ
の場合、ある共振子の上部電極（あるいは下部電極）
は、隣の共振子の上部電極（あるいは下部電極）と一体
的に形成されており、電気的に導通していることが必要
である。このため、振動の干渉を防ぐために間隔を３λ
よりも広げると、共振子間の配線が長くなり、配線抵
抗、配線によるインダクタ成分が共振子と共振子の間に
入ることになり、この結果、特性劣化が発生する。特
に、直列側共振子間に配線抵抗が入ると、挿入損失の増
加につながってしまう。
それぞれ、隣の共振子の振動が干渉しないようにある一
定の距離をあけなければならない。２重モードフィルタ
の場合、共振子の距離については、広げすぎることで特
性が悪くなることは特にない。しかし、ラダーフィルタ
の場合、ある共振子の上部電極（あるいは下部電極）
は、隣の共振子の上部電極（あるいは下部電極）と一体
的に形成されており、電気的に導通していることが必要
である。このため、振動の干渉を防ぐために間隔を３λ
よりも広げると、共振子間の配線が長くなり、配線抵
抗、配線によるインダクタ成分が共振子と共振子の間に
入ることになり、この結果、特性劣化が発生する。特
に、直列側共振子間に配線抵抗が入ると、挿入損失の増
加につながってしまう。
【０００８】したがって、本発明は、各振動部どうしが
互いの共振特性に対する影響を軽減する一方で、全体の
寸法の小型化を図ることを解決すべき課題としている。
互いの共振特性に対する影響を軽減する一方で、全体の
寸法の小型化を図ることを解決すべき課題としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】（１）本発明の圧電共振
子は、基板と、前記基板に形成されている、少なくとも
１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくと
も一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の
振動部を複数、有する圧電共振子において、前記振動部
が、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２
(ただし、λは、振動波長)離されていることを特徴とす
る。
子は、基板と、前記基板に形成されている、少なくとも
１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくと
も一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の
振動部を複数、有する圧電共振子において、前記振動部
が、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２
(ただし、λは、振動波長)離されていることを特徴とす
る。
【００１０】本発明によると、振動部が、例えば開口部
端部や他の振動部など、その振動特性に影響する要素か
ら少なくともλ／２離されているから、振動部を開口部
端部などに近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対
する不当な影響を開口部端部などの要素から受けること
がなくなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型
化が図れた圧電共振子構造となっている。
端部や他の振動部など、その振動特性に影響する要素か
ら少なくともλ／２離されているから、振動部を開口部
端部などに近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対
する不当な影響を開口部端部などの要素から受けること
がなくなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型
化が図れた圧電共振子構造となっている。
【００１１】上記本発明の圧電共振子の場合、前記基板
は開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部
上に前記振動部が形成されていてもよい。前記開口部も
しくは凹部の周縁や他の振動部が、前記要素となる。
は開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部
上に前記振動部が形成されていてもよい。前記開口部も
しくは凹部の周縁や他の振動部が、前記要素となる。
【００１２】上記本発明の圧電共振子の場合、前記振動
部は前記下部電極の下に絶縁膜を有し、かつ前記絶縁膜
の下面に前記振動部の機械的強度を補強する梁が設けら
れており、前記振動部は、前記梁を前記要素として該梁
から少なくともλ／２離されている圧電共振子でもよ
い。こうすることによって、振動部を、前記梁を前記要
素としてその梁から少なくともλ／２離すようにして
も、そのような構造の圧電共振子に対しても、上記と同
様に圧電共振子などの性能の維持を図りつつその小型化
を図ることができるものとなる。
部は前記下部電極の下に絶縁膜を有し、かつ前記絶縁膜
の下面に前記振動部の機械的強度を補強する梁が設けら
れており、前記振動部は、前記梁を前記要素として該梁
から少なくともλ／２離されている圧電共振子でもよ
い。こうすることによって、振動部を、前記梁を前記要
素としてその梁から少なくともλ／２離すようにして
も、そのような構造の圧電共振子に対しても、上記と同
様に圧電共振子などの性能の維持を図りつつその小型化
を図ることができるものとなる。
【００１３】上記本発明の圧電共振子の場合、振動部
は、前記要素から３λ以内の距離で離されていることが
好ましい。
は、前記要素から３λ以内の距離で離されていることが
好ましい。
【００１４】上記本発明の圧電共振子の場合、前記圧電
薄膜がＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とすることが好ま
しい。
薄膜がＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とすることが好ま
しい。
【００１５】（２）本発明の圧電共振子の製造方法は、
開口部もしくは凹部を有する基板と、前記開口部もしく
は凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電
薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電
極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数と
を、有する圧電共振子の製造方法であって、前記振動部
を、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２
(ただし、λは、振動波長)離して前記開口部もしくは凹
部上に設ける工程を含むことを特徴とする。
開口部もしくは凹部を有する基板と、前記開口部もしく
は凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電
薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電
極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数と
を、有する圧電共振子の製造方法であって、前記振動部
を、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２
(ただし、λは、振動波長)離して前記開口部もしくは凹
部上に設ける工程を含むことを特徴とする。
【００１６】本発明によると、振動部を、例えば開口部
端部や他の振動部などその振動特性に影響する要素から
少なくともλ／２離すから、開口部端部などに近付けす
ぎてその振動特性がそれに影響されるようなことがなく
なり、近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対する
不当な影響を開口部端部などの要素から受けることがな
くなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型化が
図れた圧電共振子を製造することができる。
端部や他の振動部などその振動特性に影響する要素から
少なくともλ／２離すから、開口部端部などに近付けす
ぎてその振動特性がそれに影響されるようなことがなく
なり、近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対する
不当な影響を開口部端部などの要素から受けることがな
くなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型化が
図れた圧電共振子を製造することができる。
【００１７】（３）本発明の圧電フィルタは、基板と、
前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電
薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電
極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数有
し、前記振動部は、所要の周波数帯域に対するフィルタ
を構成するように接続され、かつ、前記振動部は、その
振動特性に影響する要素から少なくともλ／２(ただ
し、λは、振動波長)離されていることを特徴とする。
前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電
薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電
極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数有
し、前記振動部は、所要の周波数帯域に対するフィルタ
を構成するように接続され、かつ、前記振動部は、その
振動特性に影響する要素から少なくともλ／２(ただ
し、λは、振動波長)離されていることを特徴とする。
【００１８】本発明によると、振動部を、例えば開口部
端部や他の振動部などその振動特性に影響する要素から
少なくともλ／２離すから、開口部端部などに近付けす
ぎてその振動特性がそれに影響されるようなことがなく
なり、近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対する
不当な影響を開口部端部などの要素から受けることがな
くなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型化が
図れたフィルタ構造となっている。
端部や他の振動部などその振動特性に影響する要素から
少なくともλ／２離すから、開口部端部などに近付けす
ぎてその振動特性がそれに影響されるようなことがなく
なり、近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対する
不当な影響を開口部端部などの要素から受けることがな
くなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型化が
図れたフィルタ構造となっている。
【００１９】上記圧電フィルタの場合、基板は開口部も
しくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上に前記振
動部が形成されている構成でもよい。
しくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上に前記振
動部が形成されている構成でもよい。
【００２０】上記圧電フィルタの場合、前記基板は開口
部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上に前
記振動部が形成されていてもよい。この開口部もしくは
凹部の周縁や他の振動部が、前記要素となる。
部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上に前
記振動部が形成されていてもよい。この開口部もしくは
凹部の周縁や他の振動部が、前記要素となる。
【００２１】上記圧電フィルタの場合、ダイヤフラム下
面に該ダイヤフラムの機械的強度を補強する梁を設け、
振動部を、その梁から少なくともλ／２離すようにして
も、そのような構造の圧電フィルタに対しても、上記と
同様に圧電フィルタなどの性能の維持を図りつつその小
型化を図ることができるものとなる。
面に該ダイヤフラムの機械的強度を補強する梁を設け、
振動部を、その梁から少なくともλ／２離すようにして
も、そのような構造の圧電フィルタに対しても、上記と
同様に圧電フィルタなどの性能の維持を図りつつその小
型化を図ることができるものとなる。
【００２２】上記圧電フィルタの場合、前記振動部は、
前記要素から３λ以内の距離で離されていることが好ま
しい。
前記要素から３λ以内の距離で離されていることが好ま
しい。
【００２３】上記圧電フィルタの場合、前記圧電薄膜が
ＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とすることが好ましい。
ＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とすることが好ましい。
【００２４】上記圧電フィルタの場合、前記振動部をラ
ダー構成にすることが好ましい。
ダー構成にすることが好ましい。
【００２５】（４）本発明の圧電フィルタの製造方法
は、開口部もしくは凹部を有する基板と、前記開口部も
しくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の
圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上
部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複
数有し、前記振動部は、所要の周波数帯域に対するフィ
ルタを構成するように接続されてなる圧電フィルタの製
造方法において、前記振動部を、その振動特性に影響す
る要素からλ／２（ただし、λは、振動波長）離して設
ける工程を含む。ことを特徴とする。
は、開口部もしくは凹部を有する基板と、前記開口部も
しくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の
圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上
部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複
数有し、前記振動部は、所要の周波数帯域に対するフィ
ルタを構成するように接続されてなる圧電フィルタの製
造方法において、前記振動部を、その振動特性に影響す
る要素からλ／２（ただし、λは、振動波長）離して設
ける工程を含む。ことを特徴とする。
【００２６】本発明によると、振動部を、例えば開口部
端部や他の振動部などその振動特性に影響する要素から
少なくともλ／２離すから、開口部端部などに近付けす
ぎてその振動特性がそれに影響されるようなことがなく
なり、近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対する
不当な影響を開口部端部などの要素から受けることがな
くなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型化が
図れた圧電共振子を製造することができる。
端部や他の振動部などその振動特性に影響する要素から
少なくともλ／２離すから、開口部端部などに近付けす
ぎてその振動特性がそれに影響されるようなことがなく
なり、近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対する
不当な影響を開口部端部などの要素から受けることがな
くなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型化が
図れた圧電共振子を製造することができる。
【００２７】（５）本発明のデュプレクサは、本発明の
圧電フィルタを用いていることを特徴とする。これによ
り、信号切り換えなどを良好に行えるデュプレクサが得
られる。
圧電フィルタを用いていることを特徴とする。これによ
り、信号切り換えなどを良好に行えるデュプレクサが得
られる。
【００２８】（６）本発明の通信電子機器は、本発明の
圧電共振子を電子通信動作に使用することを特徴とす
る。また、本発明の通信電子機器は、本発明の圧電フィ
ルタを電子通信動作に使用することを特徴とする。変調
復調などの信号処理機能に優れた通信電子機器が得られ
る。
圧電共振子を電子通信動作に使用することを特徴とす
る。また、本発明の通信電子機器は、本発明の圧電フィ
ルタを電子通信動作に使用することを特徴とする。変調
復調などの信号処理機能に優れた通信電子機器が得られ
る。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図面に示す
実施の形態に基づいて説明する。本実施の形態に係る圧
電フィルタはラダーフィルタに適用して説明するが、こ
れに限定されるものではない。
実施の形態に基づいて説明する。本実施の形態に係る圧
電フィルタはラダーフィルタに適用して説明するが、こ
れに限定されるものではない。
【００３０】図１ないし図６は、本発明の実施形態に係
り、図１は、本実施の形態の圧電共振子により構成され
た圧電フィルタとしてのラダーフィルタの要部平面図、
図２は、図１のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１のＢ−Ｂ
線断面図、図４は、図１のＣ−Ｃ線の断面図、図５は、
図１のラダーフィルタの電気的な等価回路図、図６は、
図１のラダーフィルタの電気的特性を示す図である。
り、図１は、本実施の形態の圧電共振子により構成され
た圧電フィルタとしてのラダーフィルタの要部平面図、
図２は、図１のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１のＢ−Ｂ
線断面図、図４は、図１のＣ−Ｃ線の断面図、図５は、
図１のラダーフィルタの電気的な等価回路図、図６は、
図１のラダーフィルタの電気的特性を示す図である。
【００３１】これらの図を参照して、本実施の形態のラ
ダーフィルタ１は、基板２と、ダイヤフラム３と、第１
および第２振動部４、５とを有する。
ダーフィルタ１は、基板２と、ダイヤフラム３と、第１
および第２振動部４、５とを有する。
【００３２】この場合、基板２と、ダイヤフラム３と、
第１の振動部４とで１つの圧電共振子が、また、基板２
と、ダイヤフラム３と、第２の振動部５とでもう１つの
圧電共振子が、それぞれ、構成されていることにもな
る。これら両圧電共振子は、厚み縦振動モード型であっ
て、基板２と、ダイヤフラム３とを共有するものであ
り、共に、同一のダイヤフラム３で構成されている。
第１の振動部４とで１つの圧電共振子が、また、基板２
と、ダイヤフラム３と、第２の振動部５とでもう１つの
圧電共振子が、それぞれ、構成されていることにもな
る。これら両圧電共振子は、厚み縦振動モード型であっ
て、基板２と、ダイヤフラム３とを共有するものであ
り、共に、同一のダイヤフラム３で構成されている。
【００３３】基板２は、Ｓｉなどの材料からなる基板で
あり、エッチング技術などで形成された開口６を有す
る。
あり、エッチング技術などで形成された開口６を有す
る。
【００３４】ダイヤフラム３は、所要の成膜技術その他
により形成されたＳｉＯ２薄膜やその他の薄膜からなる
ものであり、基板２の開口６を覆うように該基板２上に
設けられている。
により形成されたＳｉＯ２薄膜やその他の薄膜からなる
ものであり、基板２の開口６を覆うように該基板２上に
設けられている。
【００３５】基板２の開口６は、平面視縦長とされた矩
形形状であり、その内周縁は、前記両振動部それぞれの
振動特性に影響する要素(以下、振動影響要素という)と
してダイヤフラム３を固定するダイヤフラム固定端７〜
１０とされる。
形形状であり、その内周縁は、前記両振動部それぞれの
振動特性に影響する要素(以下、振動影響要素という)と
してダイヤフラム３を固定するダイヤフラム固定端７〜
１０とされる。
【００３６】各振動部４、５は、それぞれ、所要の成膜
技術その他によりダイヤフラム３の上面に設けられ、か
つ、左右一対の上側電極１１、１２と単一の下側電極１
３との間に少なくとも１層のＺｎＯ薄膜などからなる圧
電薄膜１４を介装して構成されている。
技術その他によりダイヤフラム３の上面に設けられ、か
つ、左右一対の上側電極１１、１２と単一の下側電極１
３との間に少なくとも１層のＺｎＯ薄膜などからなる圧
電薄膜１４を介装して構成されている。
【００３７】この振動部４、５においては、圧電薄膜１
４に加えて他の薄膜を適宜、１つないしそれ以上に積層
したものや、その他の形態があるが、本実施の形態の振
動部４、５は、単に、その一例を示したにすぎず、実施
形態に限定されるものではない。また、各振動部４、５
の成膜方法は公知の手法でよく、その説明は省略する。
４に加えて他の薄膜を適宜、１つないしそれ以上に積層
したものや、その他の形態があるが、本実施の形態の振
動部４、５は、単に、その一例を示したにすぎず、実施
形態に限定されるものではない。また、各振動部４、５
の成膜方法は公知の手法でよく、その説明は省略する。
【００３８】これら振動部４、５は、互いに協働して所
要の周波数帯域に対してフィルタリング動作する図５で
示すようなラダーフィルタ１を構成するように相互に接
続されている。
要の周波数帯域に対してフィルタリング動作する図５で
示すようなラダーフィルタ１を構成するように相互に接
続されている。
【００３９】第１振動部４の上側電極１１は、一定の電
極幅でその左側面１１ａは左ダイヤフラム固定端７から
平行に距離ｄ１＝λ／２(振動波長の半分の波長のこと
で、λは振動波長)以上離され、その下端側は基板２上
に延ばされてラダーフィルタ１の電気信号の入力部(Ｉ
Ｎ)１１ｃとされている。
極幅でその左側面１１ａは左ダイヤフラム固定端７から
平行に距離ｄ１＝λ／２(振動波長の半分の波長のこと
で、λは振動波長)以上離され、その下端側は基板２上
に延ばされてラダーフィルタ１の電気信号の入力部(Ｉ
Ｎ)１１ｃとされている。
【００４０】第２振動部５の上側電極１２は、一定の電
極幅でその右側側面１２ａは右側ダイヤフラム固定端９
から平行に距離ｄ２＝λ／２以上離され、その上端側は
基板２上に延ばされてラダーフィルタ１の電気的な接地
部(ＧＮＤ)１２ｃとされている。
極幅でその右側側面１２ａは右側ダイヤフラム固定端９
から平行に距離ｄ２＝λ／２以上離され、その上端側は
基板２上に延ばされてラダーフィルタ１の電気的な接地
部(ＧＮＤ)１２ｃとされている。
【００４１】両振動部４、５それぞれの下側電極１３
は、共通に接続されているとともに、その上側側面１３
ａは、上側ダイヤフラム固定端８から平行に距離ｄ３＝
λ／２以上離され、その下側側面１３ｂは、下側ダイヤ
フラム固定端１０から平行に距離ｄ４＝λ／２以上離さ
れ、その右側端は基板２上に延ばされてラダーフィルタ
１の電気信号の出力部(ＯＵＴ)１３ｄとされている。
は、共通に接続されているとともに、その上側側面１３
ａは、上側ダイヤフラム固定端８から平行に距離ｄ３＝
λ／２以上離され、その下側側面１３ｂは、下側ダイヤ
フラム固定端１０から平行に距離ｄ４＝λ／２以上離さ
れ、その右側端は基板２上に延ばされてラダーフィルタ
１の電気信号の出力部(ＯＵＴ)１３ｄとされている。
【００４２】また、両振動部４、５それぞれ同士は、互
いが自身の振動特性に影響を及ぼす振動影響要素となる
から、互いに対して平行に距離ｄ５＝λ／２以上離され
ている。
いが自身の振動特性に影響を及ぼす振動影響要素となる
から、互いに対して平行に距離ｄ５＝λ／２以上離され
ている。
【００４３】以上のような構造を有するラダーフィルタ
１は、電気的には、図５で示すように構成されている。
すなわち、第１振動部４は、図５の第１フィルタ素子４
であり、第２振動部５は、第２フィルタ素子５となる。
そのラダーフィルタ１の入力部ＩＮは、第１振動部４に
おける入力部１１ｃに対応する。ラダーフィルタ１の出
力部ＯＵＴは、第２振動部５における出力部１３ｄに対
応する。ラダーフィルタ１の接地部ＧＮＤは、第２振動
部５における接地部１２ｃに対応する。
１は、電気的には、図５で示すように構成されている。
すなわち、第１振動部４は、図５の第１フィルタ素子４
であり、第２振動部５は、第２フィルタ素子５となる。
そのラダーフィルタ１の入力部ＩＮは、第１振動部４に
おける入力部１１ｃに対応する。ラダーフィルタ１の出
力部ＯＵＴは、第２振動部５における出力部１３ｄに対
応する。ラダーフィルタ１の接地部ＧＮＤは、第２振動
部５における接地部１２ｃに対応する。
【００４４】このようにして本実施の形態では、例え
ば、第１振動部４からみると、前記振動影響要素から少
なくともλ／２離されている。その結果、第１振動部４
の振動特性は、横軸に周波数、縦軸にインピーダンスで
あらわす図６で示すように、振動特性が他の振動影響要
素であるダイヤフラム固定端や他の振動部の影響を受け
ることなく、その振動特性を発揮することができるよう
になる。つまり、特性線は、振動影響要素からの離間
距離が０．４８λの場合であり、これはλ／２以下であ
るから、スプリアスが生じている。特性線は、振動影
響要素からの離間距離が１．０λの場合であり、これは
λ／２以上であるから、スプリアスが生じていない。特
性線は、振動影響要素からの離間距離が４．０λの場
合であり、これはλ／２以上であるから、スプリアスが
全く生じていない。
ば、第１振動部４からみると、前記振動影響要素から少
なくともλ／２離されている。その結果、第１振動部４
の振動特性は、横軸に周波数、縦軸にインピーダンスで
あらわす図６で示すように、振動特性が他の振動影響要
素であるダイヤフラム固定端や他の振動部の影響を受け
ることなく、その振動特性を発揮することができるよう
になる。つまり、特性線は、振動影響要素からの離間
距離が０．４８λの場合であり、これはλ／２以下であ
るから、スプリアスが生じている。特性線は、振動影
響要素からの離間距離が１．０λの場合であり、これは
λ／２以上であるから、スプリアスが生じていない。特
性線は、振動影響要素からの離間距離が４．０λの場
合であり、これはλ／２以上であるから、スプリアスが
全く生じていない。
【００４５】また、第１振動部４と振動影響要素との離
間距離は、好ましくは、上記のように少なくともλ／２
であるが、より好ましくは、前記振動影響要素から少な
くとも１λ離される。第２振動部５も第１振動部４と同
様である。
間距離は、好ましくは、上記のように少なくともλ／２
であるが、より好ましくは、前記振動影響要素から少な
くとも１λ離される。第２振動部５も第１振動部４と同
様である。
【００４６】したがって、本実施の形態による場合、ダ
イヤフラム３を小さくしても、振動部４、５を振動影響
要素の影響を受けることなくダイヤフラム３上に設置で
きるから、その小型化を図ることに大きく貢献すること
ができる。
イヤフラム３を小さくしても、振動部４、５を振動影響
要素の影響を受けることなくダイヤフラム３上に設置で
きるから、その小型化を図ることに大きく貢献すること
ができる。
【００４７】また、第１振動部４と振動影響要素との離
間距離は、より好ましくは、前記振動影響要素から３λ
以内の距離で離される。第２振動部５も第１振動部と同
様である。
間距離は、より好ましくは、前記振動影響要素から３λ
以内の距離で離される。第２振動部５も第１振動部と同
様である。
【００４８】第１振動部４もしくは第２振動部５と振動
影響要素との離間距離を３λ以内とすることで、共振子
と共振子との間での配線抵抗、配線によるインダクタ成
分の発生と、それによる特性劣化を防止することができ
る。
影響要素との離間距離を３λ以内とすることで、共振子
と共振子との間での配線抵抗、配線によるインダクタ成
分の発生と、それによる特性劣化を防止することができ
る。
【００４９】振動の干渉を防ぐために間隔を３λよりも
広げると、共振子間の配線が長くなり、配線抵抗、配線
によるインダクタ成分が共振子と共振子との間に入って
しまい、この結果、特性劣化が発生する。特に、直列共
振子間に配線抵抗が入ると、挿入損失の増加につながっ
てしまう。
広げると、共振子間の配線が長くなり、配線抵抗、配線
によるインダクタ成分が共振子と共振子との間に入って
しまい、この結果、特性劣化が発生する。特に、直列共
振子間に配線抵抗が入ると、挿入損失の増加につながっ
てしまう。
【００５０】なお、本発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく種々な応用や変形が考えられる。
れるものではなく種々な応用や変形が考えられる。
【００５１】（１）図７は、本発明の他の実施形態に係
る圧電フィルタとしてのラダーフィルタの平面図、図８
は、図７のＤ−Ｄ線に沿う断面図、図９は図７のＥ−Ｅ
線に沿う断面図である。これらの図に示される実施形態
の場合、ダイヤフラム３下面に該ダイヤフラム３の機械
的強度を補強する梁１５が設けられている。このような
梁１５は、両振動部４、５にとり、振動影響要素とな
る。つまり、振動部４における上側電極１１の右側側面
１１ｂは、梁１５の左側側面１５ａから平行に距離ｄ６
＝λ／２以上離され、振動部５における上側電極１２の
左側側面１２ｂは、梁１５の左側側面１５ａから平行に
距離ｄ７＝λ／２以上離されている。
る圧電フィルタとしてのラダーフィルタの平面図、図８
は、図７のＤ−Ｄ線に沿う断面図、図９は図７のＥ−Ｅ
線に沿う断面図である。これらの図に示される実施形態
の場合、ダイヤフラム３下面に該ダイヤフラム３の機械
的強度を補強する梁１５が設けられている。このような
梁１５は、両振動部４、５にとり、振動影響要素とな
る。つまり、振動部４における上側電極１１の右側側面
１１ｂは、梁１５の左側側面１５ａから平行に距離ｄ６
＝λ／２以上離され、振動部５における上側電極１２の
左側側面１２ｂは、梁１５の左側側面１５ａから平行に
距離ｄ７＝λ／２以上離されている。
【００５２】梁１５の形成手法は、基板２に開口６をエ
ッチングで形成するときに、その梁１５のところを残す
ようにするなど、種々に考えられる。
ッチングで形成するときに、その梁１５のところを残す
ようにするなど、種々に考えられる。
【００５３】（２）図１０は、本発明のさらに他の実施
形態に係る圧電フィルタとしてのラダーフィルタの平面
図、図１１は、図１０のＡ−Ａ線に沿う断面図、図１２
は、図１０のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図１２は、図１０
のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
形態に係る圧電フィルタとしてのラダーフィルタの平面
図、図１１は、図１０のＡ−Ａ線に沿う断面図、図１２
は、図１０のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図１２は、図１０
のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【００５４】これらの図を参照して、この実施の形態の
ラダーフィルタ２１は、基板２２と、第１および第２振
動部２４，２５とを有する。
ラダーフィルタ２１は、基板２２と、第１および第２振
動部２４，２５とを有する。
【００５５】この場合、基板２２と、第１の振動部２４
とで１つの圧電共振子が、また、基板２２と、第２の振
動部２５とでもう１つの圧電共振子が、それぞれ、構成
されていることにもなる。
とで１つの圧電共振子が、また、基板２２と、第２の振
動部２５とでもう１つの圧電共振子が、それぞれ、構成
されていることにもなる。
【００５６】基板２２は、Ｓｉなどの材料からなる基板
であり、エッチング技術などで形成された凹部２６を有
する。
であり、エッチング技術などで形成された凹部２６を有
する。
【００５７】基板２２の凹部２６は、平面視縦長とされ
た矩形形状であり、その内周縁は、前記両振動部それぞ
れの振動特性に影響する要素(以下、振動影響要素とい
う)とされる。なお、図中、２３は、酸化珪素などの絶
縁層である。
た矩形形状であり、その内周縁は、前記両振動部それぞ
れの振動特性に影響する要素(以下、振動影響要素とい
う)とされる。なお、図中、２３は、酸化珪素などの絶
縁層である。
【００５８】各振動部２４、２５は、それぞれ、所要の
成膜技術その他により凹部２６を覆う状態で基板２２上
面に設けられ、かつ、左右一対の上側電極３１、３２と
単一の下側電極３３との間に少なくとも１層のＺｎＯ薄
膜などからなる圧電薄膜３４を介装して構成されてい
る。
成膜技術その他により凹部２６を覆う状態で基板２２上
面に設けられ、かつ、左右一対の上側電極３１、３２と
単一の下側電極３３との間に少なくとも１層のＺｎＯ薄
膜などからなる圧電薄膜３４を介装して構成されてい
る。
【００５９】この振動部２４、２５においては、圧電薄
膜３４に加えて他の薄膜を適宜、１つないしそれ以上に
積層したものや、その他の形態があるが、この実施の形
態の振動部２４、２５は、単に、その一例を示したにす
ぎず、実施形態に限定されるものではない。また、各振
動部２４、２５の成膜方法は公知の手法でよく、その説
明は省略する。
膜３４に加えて他の薄膜を適宜、１つないしそれ以上に
積層したものや、その他の形態があるが、この実施の形
態の振動部２４、２５は、単に、その一例を示したにす
ぎず、実施形態に限定されるものではない。また、各振
動部２４、２５の成膜方法は公知の手法でよく、その説
明は省略する。
【００６０】これら振動部２４、２５は、互いに協働し
て所要の周波数帯域に対してフィルタリング動作する図
１４で示すようなラダーフィルタ２１を構成するように
相互に接続されている。
て所要の周波数帯域に対してフィルタリング動作する図
１４で示すようなラダーフィルタ２１を構成するように
相互に接続されている。
【００６１】第１振動部２４の上側電極３１は、一定の
電極幅でその左側面３１ａは凹部２６の左側上端縁から
平行に距離ｄ１＝λ／２(振動波長の半分の波長のこと
で、λは振動波長)以上離され、その下端側は基板２２
上に延ばされてラダーフィルタ１の電気信号の入力部
(ＩＮ)３１ｃとされている。
電極幅でその左側面３１ａは凹部２６の左側上端縁から
平行に距離ｄ１＝λ／２(振動波長の半分の波長のこと
で、λは振動波長)以上離され、その下端側は基板２２
上に延ばされてラダーフィルタ１の電気信号の入力部
(ＩＮ)３１ｃとされている。
【００６２】第２振動部２５の上側電極３２は、一定の
電極幅でその右側側面３２ａは凹部の右側上端縁から平
行に距離ｄ２＝λ／２以上離され、その上端側は基板２
上に延ばされてラダーフィルタ２１の電気的な接地部
(ＧＮＤ)３２ｃとされている。
電極幅でその右側側面３２ａは凹部の右側上端縁から平
行に距離ｄ２＝λ／２以上離され、その上端側は基板２
上に延ばされてラダーフィルタ２１の電気的な接地部
(ＧＮＤ)３２ｃとされている。
【００６３】両振動部２４、２５それぞれの下側電極３
３は、共通に接続されているとともに、その上側側面３
３ａは、凹部２６の上側上端縁２８から平行に距離ｄ３
＝λ／２以上離され、その下側側面１３ｂは、凹部２６
の下側上端縁３０から平行に距離ｄ４＝λ／２以上離さ
れ、その右側端は基板２上に延ばされてラダーフィルタ
１の電気信号の出力部(ＯＵＴ)３３ｄとされている。
３は、共通に接続されているとともに、その上側側面３
３ａは、凹部２６の上側上端縁２８から平行に距離ｄ３
＝λ／２以上離され、その下側側面１３ｂは、凹部２６
の下側上端縁３０から平行に距離ｄ４＝λ／２以上離さ
れ、その右側端は基板２上に延ばされてラダーフィルタ
１の電気信号の出力部(ＯＵＴ)３３ｄとされている。
【００６４】また、両振動部２４、２５それぞれ同士
は、互いが自身の振動特性に影響を及ぼす振動影響要素
となるから、互いに対して平行に距離ｄ５＝λ／２以上
離されている。
は、互いが自身の振動特性に影響を及ぼす振動影響要素
となるから、互いに対して平行に距離ｄ５＝λ／２以上
離されている。
【００６５】以上のような構造を有するラダーフィルタ
１は、電気的には、図１４で示すように構成されてい
る。すなわち、第１振動部２４は、図１４の第１フィル
タ素子２４であり、第２振動部２５は、第２フィルタ素
子２５となる。そのラダーフィルタ２１の入力部ＩＮ
は、第１振動部２４における入力部３１ｃに対応する。
ラダーフィルタ２１の出力部ＯＵＴは、第２振動部２５
における出力部３３ｄに対応する。ラダーフィルタ２１
の接地部ＧＮＤは、第２振動部２５における接地部３２
ｃに対応する。
１は、電気的には、図１４で示すように構成されてい
る。すなわち、第１振動部２４は、図１４の第１フィル
タ素子２４であり、第２振動部２５は、第２フィルタ素
子２５となる。そのラダーフィルタ２１の入力部ＩＮ
は、第１振動部２４における入力部３１ｃに対応する。
ラダーフィルタ２１の出力部ＯＵＴは、第２振動部２５
における出力部３３ｄに対応する。ラダーフィルタ２１
の接地部ＧＮＤは、第２振動部２５における接地部３２
ｃに対応する。
【００６６】このようにして本実施の形態では、第１振
動部２４や第２振動部２５からみると、振動影響要素か
ら少なくともλ／２離されている。その結果、第１振動
部２４や第２振動部２５は、振動影響要素である凹部上
端縁や他の振動部の影響を受けることなく、その振動特
性を発揮することができるようになる。
動部２４や第２振動部２５からみると、振動影響要素か
ら少なくともλ／２離されている。その結果、第１振動
部２４や第２振動部２５は、振動影響要素である凹部上
端縁や他の振動部の影響を受けることなく、その振動特
性を発揮することができるようになる。
【００６７】また、第１振動部２４と振動影響要素との
離間距離は、より好ましくは、前記振動影響要素から３
λ以内の距離に離される。第２振動部２５も第１振動部
と同様である。
離間距離は、より好ましくは、前記振動影響要素から３
λ以内の距離に離される。第２振動部２５も第１振動部
と同様である。
【００６８】第１振動部２４もしくは第２振動部２５
と、振動影響要素との離間距離を３λ以内とすること
で、共振子と共振子との間での配線抵抗、配線によるイ
ンダクタ成分の発生と、それによる特性劣化を防止する
ことができる。
と、振動影響要素との離間距離を３λ以内とすること
で、共振子と共振子との間での配線抵抗、配線によるイ
ンダクタ成分の発生と、それによる特性劣化を防止する
ことができる。
【００６９】振動の干渉を防ぐために間隔を３λよりも
広げると、共振子間の配線が長くなり、配線抵抗、配線
によるインダクタ成分が共振子と共振子との間に入って
しまい、この結果、特性劣化が発生する。特に、直列側
共振子間に配線抵抗が入ると、挿入損失の増加につなが
ってしまう。
広げると、共振子間の配線が長くなり、配線抵抗、配線
によるインダクタ成分が共振子と共振子との間に入って
しまい、この結果、特性劣化が発生する。特に、直列側
共振子間に配線抵抗が入ると、挿入損失の増加につなが
ってしまう。
【００７０】（３）上述の実施形態の場合、圧電フィル
タとしてラダーフィルタの一例を示したが、図１５
（ａ）で示されるπ型フィルタや、図１５（ｂ）で示さ
れるＴ型フィルタ、図１５（ｃ）で示される２連のＬ型
フィルタのラダーフィルタなどに対しても同様に、基板
２上における振動部の配置や個数およびそれぞれの振動
部が備える電極の接続を変更することで、振動部を、振
動影響要素である例えばダイヤフラム固定端や、凹部上
端縁や、他の振動部などから少なくともλ／２離すこと
で適用することができる。
タとしてラダーフィルタの一例を示したが、図１５
（ａ）で示されるπ型フィルタや、図１５（ｂ）で示さ
れるＴ型フィルタ、図１５（ｃ）で示される２連のＬ型
フィルタのラダーフィルタなどに対しても同様に、基板
２上における振動部の配置や個数およびそれぞれの振動
部が備える電極の接続を変更することで、振動部を、振
動影響要素である例えばダイヤフラム固定端や、凹部上
端縁や、他の振動部などから少なくともλ／２離すこと
で適用することができる。
【００７１】（４）本発明にかかるデュプレクサについ
て説明する。図１６に示されるようなデュプレクサ５０
は、アンテナ端子５１、受信側端子５２および送信側端
子５３が設けられている。受信側端子５２および送信側
端子５３と、アンテナ端子５１との間に所要周波数帯域
の通過のみ許す本発明にかかる圧電共振子または圧電フ
ィルタを含む構成となっている。
て説明する。図１６に示されるようなデュプレクサ５０
は、アンテナ端子５１、受信側端子５２および送信側端
子５３が設けられている。受信側端子５２および送信側
端子５３と、アンテナ端子５１との間に所要周波数帯域
の通過のみ許す本発明にかかる圧電共振子または圧電フ
ィルタを含む構成となっている。
【００７２】（５）上述した各実施形態に係る圧電共振
子やフィルタ１を携帯電話や無線ＬＡＮやその他、あら
ゆる各種電子通信機器に搭載することで、当該電子通信
機器の電子通信動作に使用することができる。その電子
通信機器５４の概略が図１７に示されている。この電子
通信機器５４は、本体に備えられる受信回路５５と、送
信回路５６と、アンテナ５７とを備えている。また、ア
ンテナ５７と送信回路５６および受信回路５５とは、上
記（４）で示したようなデュプレクサ５０を介して振動
伝送がなされる。
子やフィルタ１を携帯電話や無線ＬＡＮやその他、あら
ゆる各種電子通信機器に搭載することで、当該電子通信
機器の電子通信動作に使用することができる。その電子
通信機器５４の概略が図１７に示されている。この電子
通信機器５４は、本体に備えられる受信回路５５と、送
信回路５６と、アンテナ５７とを備えている。また、ア
ンテナ５７と送信回路５６および受信回路５５とは、上
記（４）で示したようなデュプレクサ５０を介して振動
伝送がなされる。
【００７３】（６）上述の各実施形態における振動影響
要素は、ダイヤフラム固定端や凹部上端縁や他の振動部
であったが、本発明は、このような振動影響要素に限定
されるものではなく、要するに、任意の振動部の振動特
性に影響を及ぼし得るものであれば、そのすべてを含
む。
要素は、ダイヤフラム固定端や凹部上端縁や他の振動部
であったが、本発明は、このような振動影響要素に限定
されるものではなく、要するに、任意の振動部の振動特
性に影響を及ぼし得るものであれば、そのすべてを含
む。
【００７４】（７）なお、上述した圧電共振子やフィル
タは、前記振動部４や５を、その振動特性に影響する要
素であるダイヤフラム固定端７〜１０や他の振動部から
少なくともλ／２離してダイヤフラム３上に設ける工程
により製造するようにしてもよい。
タは、前記振動部４や５を、その振動特性に影響する要
素であるダイヤフラム固定端７〜１０や他の振動部から
少なくともλ／２離してダイヤフラム３上に設ける工程
により製造するようにしてもよい。
【００７５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板と、基板に形成されている、少なくとも１層以上の
圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上
部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複
数、有する圧電共振子や圧電フィルタにおいて、振動部
が、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２
(ただし、λは、振動波長)離されていることから、振動
部を例えば開口部端部などに近付け過ぎた場合のように
その振動特性に対する不当な影響を開口部端部などの要
素から受けることがなくなり、容易にその振動特性を保
持しつつその小型化が図れた圧電共振子や圧電フィルタ
にすることができる。
基板と、基板に形成されている、少なくとも１層以上の
圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上
部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複
数、有する圧電共振子や圧電フィルタにおいて、振動部
が、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２
(ただし、λは、振動波長)離されていることから、振動
部を例えば開口部端部などに近付け過ぎた場合のように
その振動特性に対する不当な影響を開口部端部などの要
素から受けることがなくなり、容易にその振動特性を保
持しつつその小型化が図れた圧電共振子や圧電フィルタ
にすることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る圧電フィルタとして
のラダーフィルタの構造の要部を示す平面図
のラダーフィルタの構造の要部を示す平面図
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図、
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図
【図４】図１のＣ−Ｃ線断面図
【図５】図１のラダーフィルタの電気的等価回路図
【図６】図１のラダーフィルタの電気的特性を示す図
【図７】本発明の他の実施形態に係る圧電フィルタとし
てのラダーフィルタの構造の要部を示す平面図
てのラダーフィルタの構造の要部を示す平面図
【図８】図７のＤ−Ｄ線に沿う断面図
【図９】図７のＥ−Ｅ線に沿う断面図
【図１０】本発明の他の実施形態に係る圧電フィルタと
してのラダーフィルタの構造の要部を示す平面図
してのラダーフィルタの構造の要部を示す平面図
【図１１】図１０のＡ−Ａ線に沿う断面図
【図１２】図１０のＢ−Ｂ線に沿う断面図
【図１３】図１０のＣ−Ｃ線に沿う断面図
【図１４】図１０のラダーフィルタの電気的等価回路図
【図１５】本発明の他の実施形態に係る圧電フィルタと
してのπ型フィルタ（ａ），Ｔ型フィルタ（ｂ），２連
のＬ型フィルタの電気的等価回路図
してのπ型フィルタ（ａ），Ｔ型フィルタ（ｂ），２連
のＬ型フィルタの電気的等価回路図
【図１６】本発明のデュプレクサの概略説明図
【図１７】本発明の電子通信機器の一例を示す概略説明
図
図
１ ラダーフィルタ
２ 基板
４ 第１振動部
５ 第２振動部
７〜１０ 要素
１１〜１３ 電極
１４ 圧電薄膜
フロントページの続き
(72)発明者 後藤 義彦
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
(72)発明者 野村 忠志
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
Ｆターム(参考） 5J108 AA07 BB07 CC11 EE03 EE04
FF04 KK02
Claims (20)
- 【請求項１】基板と、前記基板に形成されている、少な
くとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少
なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む
構造の振動部を複数、有する圧電共振子において、 前記振動部が、その振動特性に影響する要素から少なく
ともλ／２(ただし、λは、振動波長)離されている、こ
とを特徴とする圧電共振子。 - 【請求項２】請求項１に記載の圧電共振子において、 前記基板は開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もし
くは凹部上に前記振動部が形成されている、ことを特徴
とする圧電共振子。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の圧電共振子にお
いて、 前記要素が、前記開口部もしくは凹部の周縁である、こ
とを特徴とする圧電共振子。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電
共振子において、 前記要素が、他の振動部である、ことを特徴とする圧電
共振子。 - 【請求項５】請求項１ないし４いずれかに記載の圧電共
振子において、 前記振動部は前記下部電極の下に絶縁膜を有し、かつ前
記絶縁膜の下面に前記振動部の機械的強度を補強する梁
が設けられており、前記振動部は、前記梁を前記要素と
して該梁から少なくともλ／２離されている、ことを特
徴とする圧電共振子。 - 【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電
共振子において、 前記振動部は、前記要素から３λ以内の距離で離されて
いる、ことを特徴とする圧電共振子。 - 【請求項７】請求項１ないし６のいずれかに記載の圧電
共振子において、 前記圧電薄膜がＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とする、
ことを特徴とする圧電共振子。 - 【請求項８】開口部もしくは凹部を有する基板と、前記
開口部もしくは凹部上に形成されている、少なくとも１
層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも
一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振
動部を複数とを、有する圧電共振子の製造方法であっ
て、 前記振動部を、その振動特性に影響する要素から少なく
ともλ／２(ただし、λは、振動波長)離して前記開口部
もしくは凹部上に設ける工程を含む、ことを特徴とする
圧電共振子の製造方法。 - 【請求項９】基板と、前記基板に形成されている、少な
くとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少
なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む
構造の振動部を複数有し、前記振動部は、所要の周波数
帯域に対するフィルタを構成するように接続され、か
つ、前記振動部は、その振動特性に影響する要素から少
なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離されてい
る、ことを特徴とする圧電フィルタ。 - 【請求項１０】請求項９に記載の圧電フィルタにおい
て、 前記基板は開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もし
くは凹部上に前記振動部が形成されている、ことを特徴
とする圧電フィルタ。 - 【請求項１１】請求項９または１０に記載の圧電フィル
タにおいて、 前記要素が前記開口部もしくは凹部の周縁である、こと
を特徴とする圧電フィルタ。 - 【請求項１２】請求項９ないし１１のいずれかに記載の
圧電フィルタにおいて、 前記要素が、他の振動部である、ことを特徴とする圧電
フィルタ。 - 【請求項１３】請求項９ないし１２のいずれかに記載の
圧電フィルタにおいて、 前記振動部は前記下部電極の下に絶縁膜を有し、かつ前
記絶縁膜の下面に振動部の機械的強度を補強する梁が設
けられており、前記振動部は、前記梁を前記要素として
該梁から少なくともλ／２離されている、ことを特徴と
する圧電フィルタ。 - 【請求項１４】請求項９ないし１３のいずれかに記載の
圧電フィルタにおいて、 前記振動部は、前記要素から３λ以内の距離で離されて
いる、ことを特徴とする圧電フィルタ。 - 【請求項１５】請求項９ないし１４のいずれかに記載の
圧電フィルタにおいて、 前記圧電薄膜がＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とする、
ことを特徴とする圧電フィルタ。 - 【請求項１６】開口部もしくは凹部を有する基板と、前
記開口部もしくは凹部上に形成されている、少なくとも
１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくと
も一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の
振動部を複数有し、前記振動部は、所要の周波数帯域に
対するフィルタを構成するように接続されてなる圧電フ
ィルタの製造方法において、前記振動部を、その振動特
性に影響する要素からλ／２（ただし、λは、振動波
長）離して設ける工程を含む、ことを特徴とする圧電フ
ィルタの製造方法。 - 【請求項１７】請求項９ないし１５のいずれかに記載の
圧電フィルタにおいて、前記振動部をラダー構成にして
いる、ことを特徴とする圧電フィルタ。 - 【請求項１８】請求項９ないし１５のいずれか、および
請求項１７に記載の圧電フィルタを用いていることを特
徴とするデュプレクサ。 - 【請求項１９】請求項１ないし７のいずれかに記載の圧
電共振子を備え、それらの圧電共振子を電子通信動作に
使用する、ことを特徴とする電子通信機器。 - 【請求項２０】請求項９ないし１５のいずれか、および
請求項１７に記載の圧電フィルタを備え、それらの圧電
フィルタを電子通信動作に使用する、ことを特徴とする
電子通信機器。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2002163026A JP3903848B2 (ja) | 2001-07-02 | 2002-06-04 | 圧電共振子、圧電共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造方法、デュプレクサおよび電子通信機器 |
| US10/175,088 US6737940B2 (en) | 2001-07-02 | 2002-06-20 | Piezoelectric resonator, manufacturing method for the same, piezoelectric filter, manufacturing method for the same, duplexer, and electronic communication device |
| EP02014331A EP1274168B1 (en) | 2001-07-02 | 2002-06-27 | Piezoelectric resonator, manufacturing method for the same, piezoelectric filter, manufacturing method for the same, duplexer, and electronic communication device |
| DE60239577T DE60239577D1 (de) | 2001-07-02 | 2002-06-27 | Piezoelektrischer Resonator, piezoelektrisches Filter, entsprechende Herstellungsverfahren, Duplexer und elektronisches Kommunikationsgerät |
| KR10-2002-0037880A KR100488615B1 (ko) | 2001-07-02 | 2002-07-02 | 압전 공진기, 그 제조 방법, 압전 필터, 그 제조 방법,듀플렉서, 및 전자 통신 장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001200771 | 2001-07-02 | ||
| JP2001-200771 | 2001-07-02 | ||
| JP2002163026A JP3903848B2 (ja) | 2001-07-02 | 2002-06-04 | 圧電共振子、圧電共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造方法、デュプレクサおよび電子通信機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003087086A true JP2003087086A (ja) | 2003-03-20 |
| JP3903848B2 JP3903848B2 (ja) | 2007-04-11 |
Family
ID=26617982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6737940B2 (ja) |
| EP (1) | EP1274168B1 (ja) |
| JP (1) | JP3903848B2 (ja) |
| KR (1) | KR100488615B1 (ja) |
| DE (1) | DE60239577D1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003073611A1 (fr) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Tdk Corporation | Duplexeur et son procede de fabrication |
| JP2007228341A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜デバイス |
| JP2007227998A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Ube Ind Ltd | 薄膜圧電共振器とそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
| JP2007228340A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜デバイス |
| JP2008153797A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
| US7446455B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film elastic wave resonator |
| JPWO2007119643A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2009-08-27 | 宇部興産株式会社 | 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法 |
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Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100906679B1 (ko) * | 2003-03-14 | 2009-07-08 | 엘지전자 주식회사 | 박막 용적 탄성파 공진기를 이용한 대역 통과 필터 및 그제조 방법 |
| JP4432972B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2010-03-17 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜共振子 |
| US7417360B2 (en) * | 2005-10-20 | 2008-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric resonator and method for producing the same |
| US9537465B1 (en) * | 2014-06-06 | 2017-01-03 | Akoustis, Inc. | Acoustic resonator device with single crystal piezo material and capacitor on a bulk substrate |
| US9571061B2 (en) * | 2014-06-06 | 2017-02-14 | Akoustis, Inc. | Integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices |
| CN111786636A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-10-16 | 苏州汉天下电子有限公司 | 可调式谐振器及其制造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4081769A (en) * | 1976-09-13 | 1978-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Acoustic surface wave resonator with suppressed direct coupled response |
| JPS6179316A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動子 |
| US5361077A (en) * | 1992-05-29 | 1994-11-01 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Acoustically coupled antenna utilizing an overmoded configuration |
| US5646583A (en) * | 1996-01-04 | 1997-07-08 | Rockwell International Corporation | Acoustic isolator having a high impedance layer of hafnium oxide |
| JPH10209794A (ja) | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Mitsubishi Materials Corp | 圧電薄膜共振子 |
| DE69723148T2 (de) * | 1996-04-16 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Piezoelektrischer Resonator und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US5936150A (en) * | 1998-04-13 | 1999-08-10 | Rockwell Science Center, Llc | Thin film resonant chemical sensor with resonant acoustic isolator |
| JP2000278078A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
| JP2000286668A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
| JP3330102B2 (ja) * | 1999-05-31 | 2002-09-30 | 京セラ株式会社 | ３次オーバートーン型圧電発振子 |
| JP2001007679A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電フィルタ |
| JP2001156582A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
| US6496085B2 (en) * | 2001-01-02 | 2002-12-17 | Nokia Mobile Phones Ltd | Solidly mounted multi-resonator bulk acoustic wave filter with a patterned acoustic mirror |
| US6601276B2 (en) * | 2001-05-11 | 2003-08-05 | Agere Systems Inc. | Method for self alignment of patterned layers in thin film acoustic devices |
-
2002
- 2002-06-04 JP JP2002163026A patent/JP3903848B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-20 US US10/175,088 patent/US6737940B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-27 DE DE60239577T patent/DE60239577D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-27 EP EP02014331A patent/EP1274168B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-02 KR KR10-2002-0037880A patent/KR100488615B1/ko active IP Right Grant
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003073611A1 (fr) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Tdk Corporation | Duplexeur et son procede de fabrication |
| US7078984B2 (en) | 2002-02-27 | 2006-07-18 | Tdk Corporation | Duplexer and method of manufacturing same |
| US7446455B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film elastic wave resonator |
| US7667558B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-02-23 | Panasonic Corporation | Thin film elastic wave resonator |
| JP2007227998A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Ube Ind Ltd | 薄膜圧電共振器とそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
| JP2007228341A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜デバイス |
| JP2007228340A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜デバイス |
| JPWO2007119643A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2009-08-27 | 宇部興産株式会社 | 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法 |
| JP4688070B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-05-25 | 宇部興産株式会社 | 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法 |
| JP2008153797A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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