JP2009130478A - 圧電振動子およびその製造方法 - Google Patents
圧電振動子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009130478A JP2009130478A JP2007301114A JP2007301114A JP2009130478A JP 2009130478 A JP2009130478 A JP 2009130478A JP 2007301114 A JP2007301114 A JP 2007301114A JP 2007301114 A JP2007301114 A JP 2007301114A JP 2009130478 A JP2009130478 A JP 2009130478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- load film
- piezoelectric vibrator
- vibrator
- load
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 25
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 25
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 25
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 175
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0514—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
- H03H9/0519—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps for cantilever
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
- H03H2003/0428—Modification of the thickness of an element of an electrode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】圧電体1の両主面上に第1電極と第2電極を備えて第1の圧電振動子を形成し、第3電極と第4電極を備えて第2の圧電振動子を形成する。第1の圧電振動子の周波数を調整するため、第1電極と第2電極の最表面上には、第1負荷膜と第2負荷膜が形成され、第2の圧電振動子の周波数を調整するため、第3電極と第4電極の最表面上には、第3負荷膜と第4負荷膜が形成される。
【選択図】図1
Description
fa=fr√(1+C1/C0)
前記第1の圧電振動子は、
前記圧電体の前記第1の領域の一方の主面上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に形成された第1の負荷膜と、
前記圧電体の前記第1の領域の他方の主面上に形成された第2の電極と、
前記第2の電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に形成された第2の負荷膜と、
を備え、
前記第2の圧電振動子は、
前記圧電体の前記第2の領域の一方の主面上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に形成された第1の負荷膜と、
前記圧電体の前記第2の領域の他方の主面上に形成された第2の電極と、
前記第2の電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に形成された第2の負荷膜と、
を備え、
前記第1の圧電振動子と前記第2の圧電振動子のそれぞれの前記第1の負荷膜と前記第2の負荷膜とによって前記第1と第2の圧電振動子の共振周波数を調整し、前記第1の圧電振動子の共振周波数と前記第2の圧電振動子の共振周波数とを異ならせたことを特徴とする。
前記圧電体の前記第1の領域を挟持する第1の圧電振動子を構成する工程には、
前記圧電体の前記第1の領域の一方の主面上に上部電極を形成する工程と、
前記圧電体の前記第1の領域の他方の主面上に下部電極を形成する工程と、
前記上部電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に第1の負荷膜を形成する工程と、
前記下部電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に第2の負荷膜を形成する工程と、
を含み、
前記圧電体の前記第2の領域を挟持する第2の圧電振動子を構成する工程には、
前記圧電体の前記第2の領域の一方の主面上に上部電極を形成する工程と、
前記圧電体の前記第2の領域の他方の主面上に下部電極を形成する工程と、
前記上部電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に第1の負荷膜を形成する工程と、
前記下部電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に第2の負荷膜を形成する工程と、
を含み、
前記第1の圧電振動子と、前記第2の圧電振動子とのそれぞれにおいて、前記第1の負荷膜と前記第2の負荷膜の厚みを調整し、前記第1の圧電振動子の共振周波数と前記第2の圧電振動子の共振周波数とを異ならせる工程と、
を含むことを特徴とする。
また、前記第1の負荷膜と前記第2の負荷膜が同じ材料の場合、前記第1の負荷膜と前記第2の負荷膜の厚みは等しいことが好ましい。
また、前記第1の圧電振動子の前記第1の負荷膜と前記第2の圧電振動子の前記第1の負荷膜の厚みが等しく、かつ前記第1の圧電振動子の前記第2の負荷膜と前記第2の圧電振動子の前記第2の負荷膜の厚みを異ならせることもできる。
前記基板と前記第1と第2の圧電振動子の間には、空洞部を形成してもよい。その空洞部は転写工法により形成してもよい。
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る圧電フィルタの構造例を示す断面図である。図1(b)は、図1(a)に示した圧電フィルタに含まれる圧電振動子の断面図とその振動モードを示す図である。図1(c)は、図1(b)に示した圧電振動子の上下負荷膜の厚みの割合を変更した場合の結合係数を計算した結果を示すグラフである。ただし、一例として、上下負荷膜の材料は同じものとして計算している。本実施形態に係る圧電フィルタは、図1(a)に示すような断面構造を有する。すなわち、圧電体1の一方の領域に対して、下部に下部電極2、更にその下部に第1の負荷膜5が形成され、上部に上部電極3、更にその上部に第2の負荷膜6が形成されて第1の圧電振動子9が構成されている。また、圧電体1の上記領域とは異なる領域に対して、下部に下部電極2、更にその下部に第3の負荷膜7が形成され、上部に上部電極4、更にその上部に第4の負荷膜8が形成されて第2の圧電振動子10が構成されている。すなわち圧電体1のそれぞれ異なる領域を挟持して第1及び第2の圧電振動子9、10が構成されている。
図1(b)に示すように、圧電振動子20は、圧電体21の両主面上に下部電極22と上部電極23が形成され、更に下部電極22の下部に負荷膜25、上部電極の上部に負荷膜26が形成されている。この場合、上下電極22、23の材料、厚みが等しく、且つ上下負荷膜25、26の材料、厚みが等しい場合、その振動モードは厚み方向に対して対称になる。すなわち、振動モードの節は、圧電体21の厚み方向の中心に位置し、結合係数は最大となる。
(a)まず、圧電体21の音速をvp、厚みをTpとした場合、圧電体の共振波長λpはvp/fとなる。
(b)次に、上下電極22、23の音速をve、厚みをTeとした場合、電極の共振波長λeはve/fとなる。
(c)上下負荷膜25、26の音速をvd、厚みをTdとした場合、負荷膜の共振波長λdはvd/fとなる。
(d)したがって、圧電体ではTp/λp倍の共振波長を有し、各電極ではTe/λe倍の共振波長を有し、各負荷膜では、Td/λd倍の共振波長を有するため、
Tp/λp+Te/λe×2+Td/λd×2=1/2
となるように、共振周波数fが決定される。
尚、自由空間中と同様の振動を確保する手段として、基板17と負荷膜15間に音響ミラー層を形成する構造でも構わない。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る圧電フィルタの構成を示す断面図である。本発明の第1の実施形態における図1(c)に示したように、圧電振動子の上下面に負荷膜を形成することで、従来構造よりも結合係数を改善することができる。図6に示すように、第1の負荷膜5上に下部電極2が形成され、下部電極2上に圧電体1が設けられ、圧電体1上に上部電極3が形成され、上部電極3上に第2の負荷膜6が形成されて第1の圧電振動子9が構成される。この場合、第1の負荷膜5と第2の負荷膜6の厚みが異なっても構わない。また、第3の負荷膜7上に下部電極2が形成され、下部電極2上に圧電体1が設けられ、圧電体1上に上部電極4が形成され、上部電極4上に第4の負荷膜8が形成されて第2の圧電振動子10が構成される。この場合、第3の負荷膜7と第4の負荷膜8の厚みが異なっても構わない。このとき、圧電体1の各領域について一方の面の負荷膜同士、例えば第2の負荷膜6と第4の負荷膜8の膜厚を同じ材料、同じ膜厚とし、同一工程で形成することにより、工程数を削減することができる。
尚、自由空間中と同様の振動を確保する手段として、基板17と負荷膜15間に音響ミラー層を形成する構造でも構わない。
(a)図9(a)に示すように、基板34上に、上部電極33、圧電体1、下部電極2を順次成膜し、下部電極2をパターニングする。
(b)次に、図9(b)に示すように、第1の負荷膜15を形成する。
(c)次に、図9(c)、図9(d)に示すように、第1、第2の圧電振動子9、10が形成されるそれぞれの領域に形成された第1の負荷膜15の厚みを第1、第2の圧電振動子9、10のそれぞれで異なる厚さとなるようにエッチング等により調整する。
(d)次に、図9(e)に示すように、第1の負荷膜15上に第1の支持部31を形成する。
(e)次に、図9(f)に示すように、別の基板17上に第2の支持部32を形成する。
(f)次に、図10(a)に示すように、図9(e)、図9(f)で作製した2つの基板を第1の支持部31と第2の支持部32で接合する。このとき、2つの基板間には、空洞部18、19が形成される。
(g)次に、図10(b)に示すように、基板34を除去し、下部電極2、圧電体1、上部電極33からなる薄膜構造体を転写する。
(h)更に、図10(c)に示すように、空洞部18、19に対向する領域を残すように上部電極3、4を形成することで、下部電極2、圧電体1、上部電極3、4からなる第1、第2の圧電振動子9、10がそれぞれ形成される。
(i)次に、図10(d)に示すように、第1、第2の圧電振動子をそれぞれ覆うように第2の負荷膜16が形成され、図10(e)に示すように第1、第2の圧電振動子9、10上の第2の負荷膜16の厚みを一括で同量を調整する。
図11は、本発明の第3の実施形態に係る圧電フィルタの支持構造を示す断面図である。基板上の第1、第2の圧電振動子9、10が形成される構造に関しては、第2の実施形態と同様である。図11に示すように、基板17上に、第1の負荷膜35が形成され、第1の負荷膜35上に下部電極2、圧電体1、上部電極3、4、第2の負荷膜16が形成される。ここで、第2の負荷膜16の厚みは、第1、第2の圧電振動子9、10において同じとされる。また、図9、図10の転写工法のように、第1、第2の圧電振動子9、10が形成される領域の第1の負荷膜35の厚みは、別基板上で事前にエッチングにより調整され、その後基板17に接合される。第1の負荷膜35はエッチングにより調整された後、基板17に直接接合されるためエッチングにより削減された領域を空洞部18、19として基板17と第1の負荷膜35間に形成することができる。これにより、本発明の第2の実施形態に示した転写工法における第1、第2の支持部を形成する工程を削減することができる。また、基板17上の第1、第2の圧電振動子9、10が形成される構造に関しては、第2の実施形態と同様であるため、同様に結合係数の劣化を改善し、転写工法の歩留まりを低減することができる。
図12は、本発明の第4の実施形態に係る高周波回路部品を示すブロック図である。本発明の各実施形態における圧電フィルタは、図12に示すアンテナ共用器47に用いることができる。同図のアンテナ共用器47は、送信端子41、受信端子42、およびアンテナ端子43を有し、送信端子41と受信端子42間には送信フィルタ44、移相回路45、および受信フィルタ46が順に配置されている。送信フィルタ44と移相回路45間にアンテナ端子43が接続されている。送信フィルタ44又は受信フィルタ46の少なくとも一方は、上記いずれかの実施形態に係る圧電フィルタを具備する。
2、22、62、82、97 下部電極
3、4、23、33、63、83、84 上部電極
5、6、7、8、15、16、25、26、35、85、98 負荷膜
9、10、20、60、89、90 圧電振動子
17、34、65、93、96 基板
18、19、64 空洞部
31、32、94、95 支持部
41 送信端子
42 受信端子
43 アンテナ端子
44 送信フィルタ
45 移相回路
46 受信フィルタ
47 共用器
51 送信端子
52 ベースバンド部
53 パワーアンプ
54 アンテナ
55 LNA
56 受信端子
57 通信機器
71 直列圧電共振器
72 並列圧電共振器
Claims (14)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1の負荷膜と、
前記第1の負荷膜上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電体と、
前記圧電体上に形成された上部電極と、
前記上部電極上に形成された第2の負荷膜と、
をそれぞれ備えた第1と第2の圧電振動子とを電気的に接続することで構成される圧電フィルタであって、
前記第1の圧電振動子の前記圧電体と、前記第2の圧電振動子の前記圧電体とは同一の圧電体のそれぞれ異なる領域であって、
前記第1の圧電振動子と前記第2の圧電振動子のそれぞれの前記第1の負荷膜と前記第2の負荷膜とによって前記第1と第2の圧電振動子の共振周波数を調整し、前記第1と第2の圧電振動子の共振周波数を異ならせたことを特徴とする圧電フィルタ。 - 圧電体の第1の領域を挟持して構成された第1の圧電振動子と、前記圧電体の第2の領域を挟持して構成された第2の圧電振動子とを電気的に接続して構成される圧電フィルタであって、
前記第1の圧電振動子は、
前記圧電体の前記第1の領域の一方の主面上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に形成された第1の負荷膜と、
前記圧電体の前記第1の領域の他方の主面上に形成された第2の電極と、
前記第2の電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に形成された第2の負荷膜と、
を備え、
前記第2の圧電振動子は、
前記圧電体の前記第2の領域の一方の主面上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に形成された第1の負荷膜と、
前記圧電体の前記第2の領域の他方の主面上に形成された第2の電極と、
前記第2の電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に形成された第2の負荷膜と、
を備え、
前記第1の圧電振動子と前記第2の圧電振動子のそれぞれの前記第1の負荷膜と前記第2の負荷膜とによって前記第1と第2の圧電振動子の共振周波数を調整し、前記第1の圧電振動子の共振周波数と前記第2の圧電振動子の共振周波数とを異ならせたことを特徴とする圧電フィルタ。 - 前記第1の圧電振動子の前記第1の負荷膜と、前記第2の圧電振動子の前記第1の負荷膜とが同じ材料で形成されることを特徴とした請求項1又は2に記載の圧電フィルタ。
- 前記第1の圧電振動子の前記第2の負荷膜と、前記第2の圧電振動子の前記第2の負荷膜とが同じ材料で形成されることを特徴とした請求項1から3のいずれか一項に記載の圧電フィルタ。
- 前記第1の圧電振動子の前記第1の負荷膜の厚みと、前記第2の圧電振動子の前記第1の負荷膜の厚みとが等しく、且つ、
前記第1の圧電振動子の前記第2の負荷膜の厚みと、前記第2の圧電振動子の前記第2の負荷膜の厚みとが異なることを特徴とした請求項1から4のいずれか一項に記載の圧電フィルタ。 - 前記第1と第2の圧電振動子の前記第1の負荷膜の厚みをTa、前記第1の圧電振動子の前記第2の負荷膜の厚みをTb、前記第2の圧電振動子の前記第2の負荷膜の厚みをTc、前記第1の負荷膜の音速をva、前記第2の負荷膜の音速をvbとしたとき、下記式を満たすことを特徴とする請求項5に記載の圧電フィルタ。
Tb×va/vb<Ta<Tc×va/vb - 前記第1と第2の圧電振動子の前記第1の負荷膜と、前記第1と第2の圧電振動子の前記第2の負荷膜とが同じ材料で形成されることを特徴とした請求項6に記載の圧電フィルタ。
- 前記第1と第2の圧電振動子の前記第1の負荷膜と、前記第1と第2の圧電振動子の前記第2の負荷膜とが異なる材料で形成されることを特徴とした請求項6に記載の圧電フィルタ。
- 前記第1の圧電振動子と前記第2の圧電振動子とを支持する基板をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の圧電フィルタ。
- 前記基板と、前記第1及び第2の圧電振動子との間には、空洞部を有することを特徴とした請求項1又は9に記載の圧電フィルタ。
- 前記空洞部は、転写工法により形成されたことを特徴とした請求項10に記載の圧電フィルタ。
- 圧電体の第1の領域を挟持して構成された第1の圧電振動子と、前記圧電体の第2の領域を挟持して構成された第2の圧電振動子とを含む圧電フィルタを製造する方法であって、
前記圧電体の前記第1の領域を挟持する第1の圧電振動子を構成する工程には、
前記圧電体の前記第1の領域の一方の主面上に上部電極を形成する工程と、
前記圧電体の前記第1の領域の他方の主面上に下部電極を形成する工程と、
前記上部電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に第1の負荷膜を形成する工程と、
前記下部電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に第2の負荷膜を形成する工程と、
を含み、
前記圧電体の前記第2の領域を挟持する第2の圧電振動子を構成する工程には、
前記圧電体の前記第2の領域の一方の主面上に上部電極を形成する工程と、
前記圧電体の前記第2の領域の他方の主面上に下部電極を形成する工程と、
前記上部電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に第1の負荷膜を形成する工程と、
前記下部電極の前記圧電体と接する面と対向する面上に第2の負荷膜を形成する工程と、
を含み、
前記第1の圧電振動子と、前記第2の圧電振動子とのそれぞれにおいて、前記第1の負荷膜と前記第2の負荷膜の厚みを調整し、前記第1の圧電振動子の共振周波数と第2の圧電振動子の共振周波数とを異ならせる工程と、
を含むことを特徴とする圧電フィルタの製造方法。 - 請求項1から11のいずれか一項に記載の前記圧電フィルタを備えた高周波回路部品。
- アンテナ、送信回路および受信回路を備えた通信機器であって、
前記アンテナと前記送信回路または前記受信回路との接続部、もしくは、前記送信回路および前記受信回路の少なくともいずれか一方に、請求項13に記載の前記高周波回路部品を備えた通信機器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007301114A JP5054491B2 (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | 圧電振動子およびその製造方法 |
PCT/JP2008/003377 WO2009066448A1 (ja) | 2007-11-21 | 2008-11-19 | 圧電フィルタおよびその製造方法 |
US12/523,798 US8049581B2 (en) | 2007-11-21 | 2008-11-19 | Piezoelectric filter and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007301114A JP5054491B2 (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | 圧電振動子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009130478A true JP2009130478A (ja) | 2009-06-11 |
JP5054491B2 JP5054491B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=40667282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007301114A Expired - Fee Related JP5054491B2 (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | 圧電振動子およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8049581B2 (ja) |
JP (1) | JP5054491B2 (ja) |
WO (1) | WO2009066448A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011105313A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
JP2018110379A (ja) * | 2017-01-03 | 2018-07-12 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | 質量調整構造付きバルク音響波共振装置の製造方法 |
JP2018207375A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5054491B2 (ja) | 2007-11-21 | 2012-10-24 | パナソニック株式会社 | 圧電振動子およびその製造方法 |
JP2013051673A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-03-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子及び水晶発振器 |
US9577603B2 (en) * | 2011-09-14 | 2017-02-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Solidly mounted acoustic resonator having multiple lateral features |
KR102588798B1 (ko) * | 2016-02-17 | 2023-10-13 | 삼성전기주식회사 | 음향파 필터 장치 및 그 제조방법 |
CN113497596B (zh) * | 2020-04-08 | 2023-05-12 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备 |
US11800293B2 (en) * | 2020-06-15 | 2023-10-24 | Lg Display Co., Ltd. | Sound apparatus |
CN111934643B (zh) * | 2020-07-13 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 压电层双侧设置质量负载的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223479A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 薄膜バルク共振子、薄膜バルク共振子フィルタ、および薄膜バルク共振子の製造方法 |
JP2006013839A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Ube Ind Ltd | 薄膜圧電共振器と薄膜圧電フィルタ |
JP2007082218A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd | 周波数温度係数調節式共振器 |
JP2007143125A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電共振器及び圧電共振器の製造方法 |
WO2007119556A1 (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電共振子及び圧電フィルタ |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000076295A (ko) | 1998-01-16 | 2000-12-26 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 박막 압전 소자 |
US6441539B1 (en) * | 1999-11-11 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator |
EP1170862B1 (en) * | 2000-06-23 | 2012-10-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator and piezoelectric filter using the same |
JP3979073B2 (ja) * | 2000-12-06 | 2007-09-19 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、圧電フィルタおよびデュプレクサ |
US6617249B2 (en) | 2001-03-05 | 2003-09-09 | Agilent Technologies, Inc. | Method for making thin film bulk acoustic resonators (FBARS) with different frequencies on a single substrate and apparatus embodying the method |
JP4039322B2 (ja) * | 2002-07-23 | 2008-01-30 | 株式会社村田製作所 | 圧電フィルタ、デュプレクサ、複合圧電共振器および通信装置、並びに、圧電フィルタの周波数調整方法 |
JP2004147246A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子、それを用いたフィルタ及び圧電振動子の調整方法 |
US7400217B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-07-15 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Decoupled stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwith |
JP4223428B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2009-02-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | フィルタおよびその製造方法 |
US7408429B2 (en) * | 2005-06-17 | 2008-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Coupled FBAR filter |
US7417360B2 (en) * | 2005-10-20 | 2008-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric resonator and method for producing the same |
JP5054491B2 (ja) | 2007-11-21 | 2012-10-24 | パナソニック株式会社 | 圧電振動子およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-11-21 JP JP2007301114A patent/JP5054491B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-19 WO PCT/JP2008/003377 patent/WO2009066448A1/ja active Application Filing
- 2008-11-19 US US12/523,798 patent/US8049581B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223479A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 薄膜バルク共振子、薄膜バルク共振子フィルタ、および薄膜バルク共振子の製造方法 |
JP2006013839A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Ube Ind Ltd | 薄膜圧電共振器と薄膜圧電フィルタ |
JP2007082218A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd | 周波数温度係数調節式共振器 |
JP2007143125A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電共振器及び圧電共振器の製造方法 |
WO2007119556A1 (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電共振子及び圧電フィルタ |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011105313A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
JP2011176644A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
JP2018110379A (ja) * | 2017-01-03 | 2018-07-12 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | 質量調整構造付きバルク音響波共振装置の製造方法 |
JP2018207375A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5054491B2 (ja) | 2012-10-24 |
US20100052476A1 (en) | 2010-03-04 |
WO2009066448A1 (ja) | 2009-05-28 |
US8049581B2 (en) | 2011-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5054491B2 (ja) | 圧電振動子およびその製造方法 | |
US7893793B2 (en) | Film bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same | |
JP4691163B2 (ja) | 周波数可変音響薄膜共振器、フィルタ、及びそれを用いた通信装置 | |
JP5187597B2 (ja) | 弾性波素子 | |
JP2005117641A (ja) | 圧電体共振器、それを用いたフィルタ及び共用器 | |
JP4625260B2 (ja) | 薄膜バルク共振子の製造方法 | |
WO2007000929A1 (ja) | 圧電共振器、圧電フィルタ、それを用いた共用器及び通信機器 | |
JP5519326B2 (ja) | フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置 | |
US7439825B2 (en) | Integrated filter including FBAR and saw resonator and fabrication method therefor | |
JPWO2006134959A1 (ja) | 多重モード薄膜弾性波共振器フィルタ | |
US7623007B2 (en) | Device including piezoelectric thin film and a support having a vertical cross-section with a curvature | |
JPWO2007004435A1 (ja) | 音響共振器及びフィルタ | |
JP2004320784A (ja) | 基板接合を利用して製造されたエアギャップ型fbarおよびデュプレクサとその製造方法 | |
EP1533896A2 (en) | Piezoelectric element, composite piezoelectric element, and filter, duplexer and communication equipment using the same | |
WO2006062082A1 (ja) | 薄膜弾性波共振子 | |
JP4836748B2 (ja) | バルク音響波共振子及びフィルタ装置並びに通信装置 | |
JP5617523B2 (ja) | 積層型圧電薄膜フィルタの製造方法 | |
JP2008079294A (ja) | 薄膜弾性波共振器およびその製造方法 | |
CN102273073B (zh) | 滤波元件、分波器以及电子装置 | |
JP2003087086A (ja) | 圧電共振子、圧電共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造方法、デュプレクサおよび電子通信機器 | |
JP3941592B2 (ja) | 圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品 | |
JPWO2006062083A1 (ja) | 薄膜弾性波共振子 | |
JP2008005443A (ja) | 音響波共振子およびフィルタならびに通信装置 | |
JP2005176332A (ja) | 圧電素子、および複合圧電素子、ならびにそれらを用いたフィルタ、共用器、通信機器 | |
JP2005160056A (ja) | 圧電デバイス及びアンテナ共用器並びにそれらに用いられる圧電共振器の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120613 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120703 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |