CN115225057B - 一种谐振器、制造方法及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子领域。本发明公开了一种载体、制造方法及其应用，载体的制造方法包括在所述载体上刻蚀形成第一刻蚀部，所述第一刻蚀部的侧壁与所述第一刻蚀部的底面构成的夹角大于90度小于180度；刻蚀所述第一刻蚀部的下表面，形成第二刻蚀部，所述第二刻蚀部的侧壁与所述第二刻蚀部的底面构成的夹角小于所述第一刻蚀部的侧壁与所述第一刻蚀部的底面构成的夹角；所述第一刻蚀部的高度大于或等于平坦化工艺中设定的研磨量、平坦化工艺的平坦度的范围值以及平坦化后剩余的所述第一刻蚀部的高度值的总和，且所述平坦化后剩余的所述第一刻蚀部的高度值小于所述第二刻蚀部的高度值。
Description
技术领域
本公开涉及电子领域，具体而言，涉及一种载体、载体的制作方法、谐振器、半导体装置以及微机电系统装置。
背景技术
载体可以用于各种各样的半导体装置、微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)装置中。随着半导体装置和微机电系统装置物理结构复杂性的增加，在载体上形成有空腔，以及在空腔中填充有填充材料在实际的各种装置制备中经常使用。
以谐振器为例，比如：薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic resonator，FBAR)，图1为现有谐振器的结构示意图。如图1中所示，谐振器包括载体101、形成在载体101中的空腔102、下电极103、上电极105以及夹在上下电极(即下电极103与上电极105)之间的压电层104，其中上下电极和压电层形成“三明治”结构。
在制备谐振器的过程中，“三明治”结构先覆盖在填充有牺牲材料106的空腔102中，完成后续制造工序后，再去除牺牲材料106，以释放空腔102。在填充牺牲材料106时，通常牺牲材料106覆盖了载体101的全部上表面，因此填充后需要进行诸如化学机械抛光(chemical-mechanical polishing，CMP)的平坦化工序，以去除空腔102以外的载体表面上的牺牲材料102。
然而由于牺牲材料106与载体101的材料的不同以及研磨液和研磨压力的选择设定，导致在化学机械抛光工序中，牺牲材料106与载体材料101的研磨速率不一致，进而使得空腔102中牺牲材料106的上表面凸出载体101上表面或者低于载体101上表面，产生如图2所示的凸起或凹陷。这种载体结构的缺陷会在不同层中累积，进而不利于后续结构层的生长以及后期的器件工作。
发明内容
本公开针对上述技术问题，设计出了一种新颖的、具有空腔结构的载体，其能有利于后续薄膜生长，满足器件工作需求，避免器件电性性能恶化，提高产品良率。
在下文中将给出关于本公开的简要概述，以便提供关于本公开某些方面的基本理解。应当理解，此概述并不是关于本公开的穷举性概述。它并不是意图确定本公开的关键或重要部分，也不是意图限定本公开的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
根据本公开的一方面提供一种载体的制造方法，包括：提供一载体；在所述载体上刻蚀形成第一刻蚀部，所述第一刻蚀部的侧壁与所述第一刻蚀部的底面构成的夹角大于90度小于180度；刻蚀所述第一刻蚀部的下表面，形成第二刻蚀部，所述第二刻蚀部的侧壁与所述第二刻蚀部的底面构成的夹角小于所述第一刻蚀部的侧壁与所述第一刻蚀部的底面构成的夹角；所述第一刻蚀部的高度大于或等于平坦化工艺中设定的研磨量、平坦化工艺的平坦度的范围值以及平坦化后剩余的所述第一刻蚀部的高度值的总和，且所述平坦化后剩余的所述第一刻蚀部的高度值小于所述第二刻蚀部的高度值。
进一步的，所述第一刻蚀部的各侧壁与所述第一刻蚀部的底面形成的夹角相同或不同；所述第二刻蚀部的各侧壁与所述第二刻蚀部的底面形成的夹角相同或不同。
进一步的，所述第一刻蚀部和第二刻蚀部的侧壁形成选自如下任一种及其组合的形貌：具有单一的斜率的倾斜面，渐变或非渐变的斜率倾斜面、阶梯型或曲面型。
进一步的，所述第一刻蚀部的顶面和第二刻蚀部的顶面设置为几何相似图形。
进一步的，还包括对所述第一刻蚀部和所述第二刻蚀部的侧壁交界处进行圆化处理。
进一步的，所述第二刻蚀部的侧壁与所述第二刻蚀部的底面构成的夹角约90度。
进一步的，所述载体为基板或者基板上具有介质层的复合载体。
进一步的，所述第二刻蚀部形成在基板中、介质层中，或者形成在介质层和基板中。
进一步的，所述第一刻蚀部形成在基板中、介质层中，或者形成在介质层和基板中。
根据本公开的另一方面提供一种谐振器的制造方法，包括：提供如上述任一项制造方法制备的载体；在所述载体上形成下电极；在所述下电极上形成压电层；在所述压电层上形成上电极。
进一步的，所述上电极在所述载体上表面的投影落在所述第二刻蚀部在所述载体上表面的投影的范围内。
进一步的，平坦化后剩余的所述第一刻蚀部的高度值和所述第二刻蚀部的高度值的总和等于所述谐振器正常工作所需要的高度。
进一步的，形成下电极前先形成种子层。
根据本公开的再一方面提供一种载体，包括：一空腔，所述空腔至少具有第一部分和第二部分，所述第一部分的底面同时构成所述第二部分的顶面，第一部分的侧壁与所述第一部分的底面构成的夹角大于所述第二部分的侧壁与所述第二部分的底面构成的夹角，所述第一部分的侧壁与所述第一部分的底面构成的夹角设置在大于90度小于180度；所述第一部分具有第一高度，所述第二部分具有第二高度，所述第一高度至少大于或等于所述载体进行平坦化工艺的平坦度的范围值且所述第一高度小于第二高度。
进一步的，所述第一部分的各侧壁与所述第一部分的底面形成的夹角相同或不同；所述第二部分的各侧壁与所述第二部分的底面形成的夹角相同或不同。
进一步的，所述第一部分和第二部分的侧壁形貌选自如下任一种及其组合：具有单一的斜率的倾斜面，渐变或非渐变的斜率倾斜面、阶梯型或曲面型。
进一步的，所述第一部分的顶面和第二部分的顶面设置为相似的图形。
进一步的，所述第一部分和第二部分侧壁的交界处具有圆化处理后的结构。
进一步的，所述第二部分的各侧壁与所述第二部分的底面形成的夹角约90度。
进一步的，所述平坦度的范围值为0-1000埃。
进一步的，所述载体为基板或者基板上具有介质层的复合载体。
进一步的，所述空腔形成在基板中、介质层中，或者形成在介质层和基板中。
根据本公开的再一方面提供一种谐振器，包括：上述任一项所述的载体；在所述载体上形成的下电极；在所述下电极上形成的压电层；在所述压电层上形成的上电极。
进一步的，所述上电极在所述载体上表面的投影落在所述空腔的第二部分在所述载体上表面的投影的范围内。
进一步的，所述第一高度和第二高度的总和等于所述谐振器正常工作所需要的高度。
根据本公开的再一方面提供一种半导体装置，包括上述任一项所述的载体。
根据本公开的再一方面提供一种微机电系统装置，包括上述任一项所述的谐振器。
本公开的方案至少能有助于实现如下效果之一：有利于后续器件薄膜生长的同时，满足器件工作需求，避免器件电性性能恶化，提高功率容量，产品良率等。
附图说明
参照附图下面说明本公开的具体内容，这将有助于更加容易地理解本公开的以上和其他目的、特点和优点。附图只是为了示出本公开的原理。在附图中不必依照比例绘制出单元的尺寸和相对位置。
图1示出现有技术中的谐振器的结构示意图；
图2示出现有技术中的具有空腔的谐振器载体上牺牲材料研磨后的缺陷示意图；
图3示出根据本公开的谐振器载体结构示意图；
图4为示出第一比较例中具有空腔载体的正视剖面图；
图5为第二比较例中具有空腔载体的正视剖面图；
图6示出第二比较例中具有空腔的谐振器载体上牺牲材料研磨后的缺陷示意图；
图7为本公开中具有复合空腔载体的正视剖面图；
图8示出本公开中具有空腔的谐振器载体上牺牲材料研磨后的缺陷示意图；
图9示出本公开具有空腔的谐振器的第一刻蚀部形成示意图；
图10示出本公开具有空腔的谐振器的第二刻蚀部形成示意图；
图11示出本公开具有空腔的谐振器的牺牲材料填充示意图；
图12示出本公开具有空腔的谐振器结构的制造工艺示意图。
具体实施方式
在下文中将结合附图对本公开的示例性公开内容进行描述。为了清楚和简明起见，在说明书中并未描述实现本公开的所有特征。然而，应该了解，在开发任何这种实现本公开的过程中可以做出很多特定于本公开的决定，以便实现开发人员的具体目标，并且这些决定可能会随着本公开的不同而有所改变。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本公开，在附图中仅仅示出了与根据本公开的方案密切相关的器件结构，而省略了与本公开关系不大的其他细节。
应理解的是，本公开并不会由于如下参照附图的描述而只限于所描述的实施形式。本文中，在可行的情况下，不同实施方案之间的特征可替换或借用、以及在一个实施方案中可省略一个或多个特征。应理解的是，本公开的制造步骤在实施例中为示例性的，其顺序步骤可调。
图3示出本公开载体结构的具体实施方案，其中相同的附图标记表示相同的部件。
本实施方案中以谐振器(比如：FBAR)的载体为例，对载体的结构及制作方法进行说明。本领域技术人员可以理解的是，本公开的方案不限于谐振器，只要具有在空腔结构的载体上生长薄膜层的各种器件，本方案皆能适用。
如图3所示，谐振器包括：一载体1000，在载体1000中形成有空腔1100。本领域技术人员可以理解的是，载体1000示例性的可以是由基板构成，基板可以是例如硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、玻璃、蓝宝石、氧化铝、SiC等与半导体工艺兼容的材料；或者，载体1000也可以是由在基板上形成有诸如介质层的复合件，介质层可以是单层或多层，介质层的材质示例性的可以是二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、二氧化硅/氮化硅/二氧化硅(ONO)、氧化铝(Al2O3)等材料构成。
进一步地，空腔1100可以通过刻蚀在载体1000上形成。当载体1000为复合件时，空腔1100可以形成在基板中、介质层中或者同时形成在基板和介质层中。
在载体1000上形成一完全覆盖空腔1100的下电极2000，下电极2000可以为单层或多层，下电极2000可以由一种或多种导电材料形成，例如包括钨(W)、钼(Mo)、铱(Ir)、铝(Al)，铂(Pt)、钌(Ru)、铌(Nb)或铪(Hf)等与半导体工艺兼容的各种金属。然后，在下电极2000上形成压电层3000，压电层3000可以由例如氮化铝(AlN)、掺杂氮化铝或锆酸钛酸盐(PZT)等与半导体工艺兼容的任何压电材料形成。然后，在压电层3000上形成上电极4000，上电极4000可以由一种或多种导电材料形成，例如包括钨、钼、铱、铝、铂、钌、铌或铪等与半导体工艺兼容的各种金属。上电极4000与下电极2000的材料可以相同或不同。在上电极4000上还可以形成有保护层5000。
由于谐振器工作时电信号施加在上电极4000与下电极2000之间，逆向压电效应使得压电层3000由于压电材料的极化而机械地膨胀或收缩。载体1000上的空腔1100需要预留一定的高度，以防止压电层3000的振动产生的声波传播到载体1000，进而防止声波泄漏。
如图4所示，图4为第一比较例中具有的空腔载体的正视剖面图，载体中的空腔具有侧面和底部，其内可填充有填充材料，空腔的侧面与空腔的底部之间的夹角例如为约90度；可以理解的是，将空腔的侧面与空腔的底部之间的夹角设为90度时，基于工艺和量测的容差存在，通常无法达到完美的90度，此处“约90度”代表以90度为理想值，涵盖了工艺和量测导致的90度的容差范围，本文中“约”均代表涵盖了工艺和量测导致的容差范围的情形。空腔具有谐振器正常工作所需要的高度。空腔的上表面可以是规则或不规则的多边形形状，例如四边形、不规则的五边形、三角形、八边形等等。
如图5所示，图5为第二比较例中具有的空腔载体的正视剖面图，载体中的空腔具有侧面和底部，空腔的侧面与空腔的底部之间具有的夹角例如约120度，空腔具有谐振器正常工作所需要的高度。空腔的上表面可以是规则或不规则的多边形形状，例如不规则的五边形、三角形、四边形、八边形等等。将第二比较例中的空腔上表面的图形设定为与第一比较例的空腔上表面的图形为相似多边形。
对于第一比较例中的空腔结构而言，由于空腔的侧面与空腔的底部之间具有的夹角例如为约90度，因此空腔的侧面的边长与高度相同，使得由侧面限定出的空腔的上表面的面积最小，但此种空腔结构填充了填充材料后再进行化学机械掩模时容易产生背景技术中的凸起和凹陷，进而使得后续的下电极/压电层/上电极的生长在凸起或凹陷的端部容易产生裂纹，恶化诸如功率容量等器件的电性性能。
对于第二比较例中的空腔结构而言，由于空腔的侧面与空腔的底部之间具有的夹角例如为约120度，当空腔具有的高度与第一比较例中的空腔高度相同时，第二比较例中空腔的侧面的边长将大于第一比较例中空腔的侧面边长。第二比较例中空腔的侧面与空腔的底部的夹角的角度越大，空气的侧面的边长也就越大于第一比较例中空腔的侧面边长，进而使得第二比较例中空腔上表面的表面积越大于第一比较例中空腔上表面的表面积。进一步地，如图6所示，第二比较例中的空腔结构在填充材料填充空腔后进行的化学机械研磨平坦化工序中形成的凸起和凹陷的弧度相对于第一比较例要平缓许多，更加有利于后续的下电极/压电层/上电极的生长，然而这种空腔结构不利于后期的器件工作。
本公开实施方案设计出一种具有复合空腔结构的载体，如图7所示，图7是本公开谐振器中具有复合空腔的载体正面剖视图。由图7可知，复合空腔至少具有第一部分1110和第二部分1120，第一部分1110的底面同时构成第二部分1120的顶面。第一部分1110的顶面和第二部分1120的顶面为相似的图形，可以理解的是，第一部分1110的顶面和第二部分1120的顶面也可以设置为不相似的图形，为便于比较，本公开实施方案中的复合空腔的上表面的图形设定为与第一比较例和第二比较例的空腔上表面的图形为相似多边形。
如图7所示，本公开中第一部分1110的侧壁与第一部分1110的底面构成的夹角(记作第一夹角)大于第二部分1120的侧壁与第二部分1120的底面构成的夹角(记作第二夹角)。较优的，第一夹角的角度设置在大于90度小于180度；第二夹角的角度设置在约90度。第一部分1110具有第一高度，第二部分1120具有第二高度，第一高度和第二高度的总和为谐振器正常工作所需要的高度，第一高度至少大于或等于化学机械研磨工艺中均匀性或称为平坦度(Uniformity)的范围值，例如0-1000埃，更优的，范围值为0-600埃，同时第一高度的高度值小于第二高度的高度值。
进一步可以理解的是，第一部分1110的各侧壁与第一部分1110的底面形成的夹角相同或不同；第二部分1120的各侧壁与第二部分1120的底面形成的夹角相同或不同。
进一步可以理解的是，第一部分1110侧壁的倾斜面斜率和第二部分1120侧壁的倾斜面斜率可以是单一的斜率、渐变的或非渐变的多种斜率，第一部分1110侧壁和第二部分1120侧壁也可以是阶梯型、曲面型的形貌。进一步的，第一部分1110的侧壁和第二部分1120的侧壁可以是上述任意一种形貌或上述任一种形貌的组合。
进一步可以理解的是，第一部分1110和第二部分1120侧壁的交界处可以进行圆化处理，以进一步改善器件电性能和避免空腔中填充材料填充时出现空洞。
进一步可以理解的是，可以将图3中上电极层4000在载体1000上表面的投影落在空腔1100在载体1000上表面的投影的范围内，最优的，将上电极层4000在载体1000上表面的投影落在空腔1100的第二部分1120在载体1000上表面的投影的范围内，从而利于后期的器件工作。
本公开通过对空腔的第一部分的角度值与第一部分的高度值的设定，使得本公开的空腔结构在填充材料填充空腔后进行的化学机械研磨平坦化工序中形成的如图8所示的凸起和凹陷的弧度相对于第一比较例要平缓许多，不影响后续薄膜的生长，避免薄膜裂纹的产生，以及避免恶化电性性能，但同时相对于第二比较例而言，又不影响后期的器件工作。
基于本公开实施方案的器件结构，如图9-12所示，下面对其制作方法做进一步的详述。
如图9所示，提供一载体1000，示例性的，载体1000为基板，基板材料的选择如前，在此不再赘述。基板主要起到支撑载体1000的作用，以Si基板为例，其机械鲁棒性较好，可保证在加工和封装过程中比较坚固可靠。
在基板上形成一第一光刻胶，以第一光刻胶为掩模刻蚀基板，以形成第一刻蚀部1111，第一刻蚀部1111的侧壁与第一刻蚀部1111的底面构成的夹角设置在大于90度小于180度；其中，基板被刻蚀的高度(即第一刻蚀部1111的高度)大于或等于设定的研磨量、化学机械研磨平坦度的范围值以及化学机械研磨后剩余的第一刻蚀部1111的高度值的总和，设定的研磨量为后续填满填充材料后为了彻底去除空腔1100以外的基板表面上的填充材料而设定的研磨量。
如图10所示，去除第一光刻胶，接着进一步形成一第二光刻胶，以第二光刻胶为掩模进一步向下刻蚀第一刻蚀部1111的部分下表面以形成第二刻蚀部1121，然后去除第二光刻胶。可以理解的是，进一步向下刻蚀第一刻蚀部1111的部分下表面是以约90度的角度向下垂直刻蚀；进一步刻蚀的高度(即第二刻蚀部1121的高度)为谐振器正常工作所需要的高度减去第一刻蚀部1111的剩余高度值；第一刻蚀部1111研磨后剩余的部分形成空腔1100的第一部分，第二刻蚀部1121形成空腔1100的第二部分，第一刻蚀部1111剩余的高度值小于第二刻蚀部1121的高度值。
还应当理解的是，也可以在基板上形成介质层，进而在介质层上形成一第一光刻胶，以第一光刻胶为掩模刻蚀介质层，以形成第一刻蚀部。其中，第一刻蚀部1111的高度大于或等于设定的研磨量、化学机械研磨平坦度的范围值以及化学机械研磨后剩余的第一刻蚀部1111的高度值的总和，设定的研磨量为后续填满填充材料后为了彻底去除空腔1100以外的介质层表面上的填充材料而设定的研磨的值。然后去除第一光刻胶，进一步形成一第二光刻胶，以第二光刻胶为掩模进一步向下刻蚀介质层中第一刻蚀部1111的部分下表面以形成第二刻蚀部1121，或者进一步刻蚀介质层/基板中第一刻蚀部1111的部分下表面以形成第二刻蚀部1121；然后去除第二光刻胶，以形成空腔1100的第二部分。可以理解的是，进一步向下刻蚀第一刻蚀部1111的部分下表面是以约90度的角度向下垂直刻蚀，介质层或者介质层/基板进一步刻蚀的量为谐振器正常工作所需要的高度减去第一刻蚀部1111的剩余高度值。
进一步的，通过倾斜蚀刻或者湿法蚀刻的方式对空腔1100的第一部分和第二部分的侧壁的交界处进行圆化处理，以进一步提高器件性能。
然后，如图11所示，在空腔1100中填充一牺牲层1200，牺牲层1200用于支撑上面薄膜的沉积。牺牲层1200可选自磷硅玻璃、二氧化硅、非晶硅等能兼容后续薄膜的沉积温度，不污染工艺系统，有良好刻蚀选择性和化学抛光性的薄膜材料即可。
接着，对载体1000进行平坦化工艺，例如：化学机械研磨工艺，设定研磨高度以去除掉部分载体1000的表面的牺牲材料，为研磨干净，可以对牺牲材料进行过研磨以部分去除部分载体1000。
然后，如图12所示，在平坦化的载体1000上形成下电极2000，应当理解的是，下电极2000的材料具有高声阻抗和高声速的电极材料即可。还可以理解的是下电极2000可以刻蚀形成分立的形式，也可以在基板上形成连续的形式。
进一步可以理解的是，还可以在形成下电极2000之前，利用诸如原子层沉积技术在载体1000的表面上形成一种子层，以促进下电极2000的生长。
然后，如图12所示，在下电极2000上沉积形成一压电层3000，压电层3000的材料选择满足无线移动通信收发信号的带宽需求的材料即可，如前，优选考虑与半导体工艺兼容的材料例如氮化铝(AlN)或锆酸钛酸盐(PZT)。
在压电层3000上沉积一上电极材料层，刻蚀形成上电极4000，以及制备薄膜谐振器的其他结构如保护层5000等。当空腔1100中填充了牺牲材料作为填充材料时，进一步释放牺牲材料，进而使得最后形成如图12所示的薄膜谐振器结构。
本公开中利用载体制备的谐振器可以组成滤波器，滤波器可以用于手机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、个人穿戴设备、电子游戏设备等便携式通信设备领域中，滤波器可以包括本公开的声波谐振器中的任一种。
进一步的，本公开的载体结构和制备方法可以应用在各种半导体装置中。
进一步的，本公开的谐振器结构和制备方法可以应用在各种微机电系统装置中。
以上结合具体的实施方案对本公开进行了描述，但本领域技术人员应该清楚，这些描述都是示例性的，并不是对本公开的保护范围的限制。本领域技术人员可以根据本公开的精神和原理对本公开做出各种变型和修改，这些变型和修改也在本公开的范围内。
Claims (24)
1.一种谐振器的制造方法，其特征在于，包括：
提供一载体；
在所述载体上刻蚀形成第一刻蚀部，所述第一刻蚀部的侧壁与所述第一刻蚀部的底面构成的夹角大于90度小于180度；
刻蚀所述第一刻蚀部的下表面，形成第二刻蚀部，所述第二刻蚀部的侧壁与所述第二刻蚀部的底面构成的夹角小于所述第一刻蚀部的侧壁与所述第一刻蚀部的底面构成的夹角；
所述第一刻蚀部的高度大于或等于平坦化工艺中设定的研磨量、平坦化工艺的平坦度的范围值以及平坦化后剩余的所述第一刻蚀部的高度值的总和，且所述平坦化后剩余的所述第一刻蚀部的高度值小于所述第二刻蚀部的高度值；
在所述载体上形成下电极；
在所述下电极上形成压电层；
在所述压电层上形成上电极。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀部的各侧壁与所述第一刻蚀部的底面形成的夹角相同或不同；所述第二刻蚀部的各侧壁与所述第二刻蚀部的底面形成的夹角相同或不同。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀部和第二刻蚀部的侧壁形成选自如下任一种及其组合的形貌：具有单一的斜率的倾斜面，渐变或非渐变的斜率倾斜面、阶梯型或曲面型。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀部的顶面和第二刻蚀部的顶面设置为几何相似图形。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，还包括对所述第一刻蚀部和所述第二刻蚀部的侧壁交界处进行圆化处理。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀部的侧壁与所述第二刻蚀部的底面构成的夹角约90度。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述载体为基板或者基板上具有介质层的复合载体。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀部形成在基板中、介质层中，或者形成在介质层和基板中。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀部形成在基板中、介质层中，或者形成在介质层和基板中。
10.如权利要求1-9中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述上电极在所述载体上表面的投影落在所述第二刻蚀部在所述载体上表面的投影的范围内。
11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，平坦化后剩余的所述第一刻蚀部的高度值和所述第二刻蚀部的高度值的总和等于所述谐振器正常工作所需要的高度。
12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，形成下电极前先形成种子层。
13.一种谐振器，其特征在于，包括：
一载体，所述载体具有一空腔；
所述空腔至少具有第一部分和第二部分，所述第一部分的底面同时构成所述第二部分的顶面，第一部分的侧壁与所述第一部分的底面构成的夹角大于所述第二部分的侧壁与所述第二部分的底面构成的夹角，所述第一部分的侧壁与所述第一部分的底面构成的夹角设置在大于90度小于180度；所述第一部分具有第一高度，所述第二部分具有第二高度，所述第一高度至少大于或等于所述载体进行平坦化工艺的平坦度的范围值且所述第一高度小于第二高度；
在所述载体上形成的下电极；
在所述下电极上形成的压电层；
在所述压电层上形成的上电极。
14.如权利要求13所述的谐振器，其特征在于，所述第一部分的各侧壁与所述第一部分的底面形成的夹角相同或不同；所述第二部分的各侧壁与所述第二部分的底面形成的夹角相同或不同。
15.如权利要求13所述的谐振器，其特征在于，所述第一部分和第二部分的侧壁形貌选自如下任一种及其组合：具有单一的斜率的倾斜面，渐变或非渐变的斜率倾斜面、阶梯型或曲面型。
16.如权利要求13所述的谐振器，其特征在于，所述第一部分的顶面和第二部分的顶面设置为相似的图形。
17.如权利要求16所述的谐振器，其特征在于，所述第一部分和第二部分侧壁的交界处具有圆化处理后的结构。
18.如权利要求17所述的谐振器，其特征在于，所述第二部分的各侧壁与所述第二部分的底面形成的夹角约90度。
19.如权利要求18所述的谐振器，其特征在于，所述平坦度的范围值为0-1000埃。
20.如权利要求19所述的谐振器，其特征在于，所述载体为基板或者基板上具有介质层的复合载体。
21.如权利要求20所述的谐振器，其特征在于，所述空腔形成在基板中、介质层中，或者形成在介质层和基板中。
22.如权利要求13-21中任一项所述的谐振器，其特征在于，所述上电极在所述载体上表面的投影落在所述空腔的第二部分在所述载体上表面的投影的范围内。
23.如权利要求22所述的谐振器，其特征在于，所述第一高度和第二高度的总和等于所述谐振器正常工作所需要的高度。
24.一种微机电系统装置，其特征在于，包括权利要求13-23中任一项所述的谐振器。
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