CN111162746B - 一种体声波谐振器的平坦压电层结构及制作工艺 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 52
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 44
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 241000208967 Polygala cruciata Species 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/027—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the microelectro-mechanical [MEMS] type
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Abstract
本发明公开了一种体声波谐振器的平坦压电层结构及制作工艺，通过在衬底上形成空腔；在空腔中填充牺牲材料；在被填充后的空腔上制作底电极层；在底电极层周围依次施加阻挡层和介质层以使得阻挡层和介质层构成的复合层的表面与底电极层的表面保持平坦；以及在复合层和底电极层的表面上制作压电层以使得压电层不接触衬底。提高压电层的应力一致性，减小压电层的应力影响，使器件的机电耦合系数控制在最佳范围，提高谐振器品质因素、器件良率和器件成品的一致性和可靠性，并且使有效谐振面积更大更接近空腔但不超出空腔，可以减小器件尺寸。通过设置种子层和钝化层可以保护底电极层和顶电极层，并且将底电极层制作在谐振器的内部，并保持机械稳定性。
Description
技术领域
本申请涉及通信器件领域，主要涉及一种体声波谐振器的平坦压电层结构及制作工艺。
背景技术
随着电磁频谱的日益拥挤、无线通讯设备的频段与功能增多，无线通讯使用的电磁频谱从500MHz到5GHz以上高速增长，也对性能高、成本低、功耗低、体积小的射频前端模块的需求日益增多。滤波器是射频前端模块之一，可改善发射和接收信号，主要由多个谐振器通过拓扑网络结构连接而成。Fbar(Thin film bulk acoustic resonator)是一种体声波谐振器，由它组成的滤波器具有体积小、集成能力强、高频工作时保证高品质因素Q、功率承受能力强等优点而作为射频前端的核心器件。
Fbar的基本结构是上下电极和夹在上下电极间的压电层。压电层实现了电能与机械能的转化。当Fbar的上下电极施加电场时，压电层产生机械能，这些机械能是以声波的形式存在。声波可分为横波和纵波，Fbar需要的是沿压电层Z轴方向传播的纵波，而不是带走谐振器能量使品质因素Q值衰减的横波。纵波以一定速度在谐振器的谐振区域内传播，在上下电极与空气的交界处反射回谐振区域，以保证谐振器工作。下电极与空气的交界通过空腔来实现。空腔在释放牺牲层材料过程中易受上层薄膜应力影响，谐振区域的膜层可能导致开裂、鼓膜、塌膜、弯曲等缺陷，影响谐振器性能。
现有的体声波谐振器的压电层覆盖在底电极上，在底电极边缘的压电层处于弯曲状态，容易受外界或自身应力影响。或者空腔在衬底上方由支撑层构成，容易受应力影响，最终影响谐振器性能。
因此，本发明旨在设计改进的体声波谐振器的平坦压电层结构，从而提高压电层的应力一致性，可以提高器件的一致性、可靠性和良率。
发明内容
针对上述提到的体声波谐振器谐振区域的膜层容易受外界或自身应力影响，可能导致开裂、鼓膜、塌膜、弯曲等缺陷，压电层的应力变化会导致压电层的机电耦合系数的变化，使谐振器组成的滤波器带宽发生变化，从而导致器件性能的差异，影响谐振器性能等问题。本申请提出了一种体声波谐振器的平坦压电层结构及制作工艺来解决上述存在的问题。
在第一方面，本申请提出了一种体声波谐振器的平坦压电层结构的制作工艺，包括以下步骤：
S1，在衬底上形成空腔；
S2，在空腔中填充牺牲材料；
S3，在被填充后的空腔上制作底电极层；
S4，在底电极层周围依次施加阻挡层和介质层以使得阻挡层和介质层构成的复合层的表面与底电极层的表面保持平坦；以及
S5，在复合层和底电极层的表面上制作压电层以使得压电层不接触衬底。
在一些实施例中，步骤S4具体包括以下步骤：通过CVD工艺在底电极层及其周围生长阻挡层，在阻挡层上生长介质层，通过CMP工艺研磨介质层直至底电极层上的阻挡层被露出，以及通过光刻和蚀刻去除底电极层上的阻挡层。通过阻挡层保护底电极层不被后续的CMP工艺损伤，通过介质层使复合层的表面与底电极层的表面保持平坦，提高压电层的应力一致性，使器件的机电耦合系数控制在最佳范围内。
在一些实施例中，经过研磨后介质层的顶部和底电极层的顶部在同一平面上。此时复合层的表面与底电极层的表面在同一个平面上，使得压电层形貌变化影响小，受应力影响小。
在一些实施例中，阻挡层采用氮化硅材料，并且介质层采用二氧化硅材料。阻挡层和介质层的材料的选择有利于后续的研磨和蚀刻等加工工艺，并且能够有效保护底电极层。
在一些实施例中，底电极层在垂直于衬底的方向上的截面整体呈矩形形状。底电极层的形状呈矩形可避免尖端放电效应，并且使器件具有良好的可靠性。
在一些实施例中，底电极层的边缘相对于衬底具有一定倾斜度，同时边缘的末端被蚀刻有缺角从而未形成尖端。此时可以减少尖端放电效应，从而减少工艺过程中静电导致的工艺缺陷。
在一些实施例中，该方法还包括步骤S6：在压电层上制作顶电极层。顶电极层通过溅镀、光刻与蚀刻工艺制作，与底电极层和压电层构成有效谐振区域。
在一些实施例中，该方法还包括步骤S7：在顶电极层和底电极层旁边制作释放孔，释放孔从顶部穿透延伸到空腔内的牺牲材料。释放孔用于将空腔内的牺牲材料去除掉。
在一些实施例中，该方法还包括步骤S8：制作钝化层，钝化层覆盖顶电极层并且覆盖释放孔的侧壁。钝化层可以有效保护介质层不被空腔释放时使用的蚀刻剂HF所腐蚀，并且可以用来调频。
在一些实施例中，该方法在步骤S2和S3之间还包括：在衬底上制作由氮化铝材料构成的种子层。此时种子层可以用于保护底电极层不被空腔释放时使用的蚀刻剂HF所腐蚀，并且使底电极在衬底上的投影区域完全位于空腔内。
在一些实施例中，底电极层在衬底上的投影区域完全位于空腔内。此时由于有种子层的存在，可以将底电极层制作在空腔内，且上底电极层周围膜层的粘附力作用，底电极层不会塌陷在空腔内。
在一些实施例中，种子层通过溅镀工艺制成，并且具有10-50nm的厚度。种子层溅镀后覆盖在衬底和牺牲材料上以保护底电极层。
在一些实施例中，该方法还包括步骤S9：通过光刻和蚀刻去除释放孔内的钝化层。将释放孔底部的钝化层清除，便于后续去除空腔内的牺牲材料。
在一些实施例中，通过蚀刻去除空腔内的牺牲材料。去除牺牲材料后才能制作成体声波谐振器。
在第二方面，本申请还提出了一种利用上述提到的制造工艺制成的体声波谐振器。
在第三方面，本申请还提出了一种具有平坦压电层结构的体声波谐振器，包括具有空腔的衬底以及依次在衬底上层叠形成的底电极层、压电层和顶电极层，底电极层周围形成有毗邻的阻挡层和介质层并且阻挡层和介质层的表面与底电极层的表面保持平坦，压电层形成在阻挡层、介质层和底电极层的表面上使得压电层不接触衬底。
在一些实施例中，阻挡层采用氮化硅材料，并且介质层采用二氧化硅材料。阻挡层和介质层的材料的选择有利于后续的研磨和蚀刻等加工工艺，并且能够有效保护底电极层。
在一些实施例中，还包括释放孔，释放孔在不穿过底电极层和顶电极层的情况下延伸到空腔内。释放孔用于将空腔内的牺牲材料去除掉。
在一些实施例中，谐振器的顶部制作有钝化层，钝化层至少覆盖顶电极层并且填充释放孔的侧壁。钝化层可以有效保护介质层不被空腔释放时使用的蚀刻剂HF所腐蚀，并且可以用来调频。
在一些实施例中，在底电极层和衬底之间形成有种子层。种子层溅镀后覆盖在衬底和牺牲材料上以保护底电极层。
在一些实施例中，底电极层在衬底上的投影区域完全位于空腔内。由于有种子层的存在，可以将底电极层制作在空腔内，而不至于塌陷在空腔内。
本申请提出了一种体声波谐振器的制作工艺，通过在衬底上形成空腔；在空腔中填充牺牲材料；在被填充后的空腔上制作底电极层；在底电极层周围依次施加阻挡层和介质层以使得阻挡层和介质层构成的复合层的表面与底电极层的表面保持平坦；以及在复合层和底电极层的表面上制作压电层以使得压电层不接触衬底。提高压电层的应力一致性，减小压电层的应力影响，使器件的机电耦合系数控制在最佳范围，提高谐振器品质因素、器件良率和器件成品的一致性和可靠性，并且使有效谐振面积更大更接近空腔但不超出空腔，可以减小器件尺寸约5％。通过设置种子层和钝化层可以保护底电极层和顶电极层，并且将底电极层制作在谐振器的内部，保持可靠性。
附图说明
包括附图以提供对实施例的进一步理解并且附图被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与描述一起用于解释本发明的原理。将容易认识到其它实施例和实施例的很多预期优点，因为通过引用以下详细描述，它们变得被更好地理解。附图的元件不一定是相互按照比例的。同样的附图标记指代对应的类似部件。
图1示出了压电层材料的应力与压电层材料AlN和ScAlN(掺钪Sc的AlN)机电耦合系数的变化关系图；
图2示出了根据本发明的实施例的体声波谐振器的平坦压电层结构的工艺方法的流程图；
图3a-3n示出了根据本发明的实施例的体声波谐振器的平坦压电层结构的制作工艺制作的平坦压电层结构以及体声波谐振器的结构示意图；
图4示出了现有技术中底电极层周围不作工艺加工的体声波谐振器的结构示意图；
图5示出了根据本发明的实施例一的体声波谐振器的平坦压电层结构的制作工艺制作的体声波谐振器的剖面图；
图6示出了根据本发明的实施例一的体声波谐振器的平坦压电层结构的制作工艺制作的体声波谐振器的俯视图；
图7示出了根据本发明的实施例二的体声波谐振器的平坦压电层结构的制作工艺制作的体声波谐振器的剖面图；
图8示出了根据本发明的实施例二的体声波谐振器的平坦压电层结构的制作工艺制作的体声波谐振器的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。应当注意到，附图中的部件的尺寸以及大小并不是按照比例的，可能会为了明显示出的原因突出显示了某些部件的大小。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
如图1所示，压电层材料的应力变化会导致压电层材料AlN和ScAlN(掺钪Sc的AlN)机电耦合系数的变化，使谐振器组成的滤波器带宽发生变化，从而导致器件性能的差异，因此压电层材料应力的控制变得非常关键。因此本申请提出了一种体声波谐振器的平坦压电层结构及制作工艺，以减小体声波谐振器中压电层的结构对压电层的应力受外界或自身影响。
本发明提出了一种体声波谐振器的平坦压电层结构的制作工艺，如图2所示，包括以下步骤：
S1，在衬底1上形成空腔2；
S2，在空腔2中填充牺牲材料3；
S3，在被填充后的空腔2上制作底电极层4；
S4，在底电极层4周围依次施加阻挡层5和介质层6以使得阻挡层5和介质层6构成的复合层7的表面与底电极层4的表面保持平坦；以及
S5，在复合层7和底电极层4的表面上制作压电层8以使得压电层8不接触衬底1。
在具体的实施例中，步骤S1中在衬底1上蚀刻出空腔2，空腔2的剖面图如图3a所示。在优选的实施例中，衬底1材料为Si，空腔2的高度为3-4μm。具体的空腔2高度可以根据器件的要求进行调整。
在具体的实施例中，步骤S2中沉积的牺牲材料3为PSG(掺杂P的SiO2)或SiO2。在优选的实施例中，工艺方法还包括在步骤S2和S3之间的以下步骤：对填充牺牲材料3的衬底1表面进行化学机械抛光(CMP)。如图3b所示，通过化学机械抛光后可以清除衬底1表面的牺牲材料3，使衬底1和牺牲材料3的表面平坦化，在优选的实施例中，经过化学机械抛光后空腔2的高度为2μm。
在具体的实施例中，在步骤S2和S3之间还包括：在衬底1上制作种子层9。在优选的实施例中，种子层9采用氮化铝材料。在经过化学机械抛光后的衬底1和牺牲材料3的表面制作种子层9，种子层9通过溅镀工艺制成，具有10-50nm的厚度。
在具体的实施例一中，如图3c和3d所示，种子层9将空腔2全部覆盖，底电极层4形成于种子层9内。此时底电极层4的一侧在空腔2内，另一侧在空腔2的外侧。种子层9溅镀后覆盖在衬底1和牺牲材料3上以保护底电极层4，保护底电极层4不被空腔2释放时使用的蚀刻剂HF所腐蚀。
在具体的实施例二中，如图7所示，底电极层4还可以形成于种子层9内并且完全位于空腔2的区域范围内。此时底电极层4在衬底1上的投影区域完全位于空腔2内。即使在后续工艺中牺牲材料3被去除后，由于有种子层9存在，虽然底电极层4在衬底1上的投影区域完全位于空腔2内，底电极层4也不会失去支撑，塌陷在空腔2里面，而是在种子层9的支撑下，在保持谐振器机械稳定性的前提下，可以将底电极层4制作在空腔2内部。
在具体的实施例中，通过溅镀、光刻与蚀刻工艺在腔体2上方制作底电极层4，其中底电极层4的材料为Mo。如图3d所示，底电极层4在垂直于衬底1的方向上的截面整体呈矩形形状。因此可以有效减小尖端放电效应，减少制备工艺上由静电给器件带来的缺陷。在另外一个优选的实施例中，如图3e所示，底电极层4的边缘相对于衬底1具有一定倾斜度，同时底电极层4的边缘的末端被蚀刻有缺角从而未形成尖端。若底电极层4的边缘加工成与衬底1呈锐角，会由于锐角导致小角度放电，因此需要将锐角的尖端切除。
在具体的实施例中，如图3f-3h所示，步骤S4具体包括以下步骤：通过CVD工艺在底电极层4及其周围生长阻挡层5，在阻挡层5上生长介质层6，通过CMP工艺研磨介质层6直至底电极层4上的阻挡层5被露出为止，在优选的实施例中，经过研磨后介质层6的顶部和底电极层4的顶部在同一平面上。如图3i所示，再通过光刻和蚀刻工艺去除底电极层4上的阻挡层5。在优选的实施例中，蚀刻工艺为湿法蚀刻，蚀刻剂为BOE(HF与NH3F的混合液)，此时复合层7的表面与底电极层4的表面在同一个平面上，使得压电层8形貌变化影响小，受应力影响小。并且通过阻挡层5保护底电极层4不被后续的CMP工艺损伤，通过介质层6使复合层7的表面与底电极层4的表面保持平坦，提高压电层8的应力一致性，使器件的机电耦合系数控制在最佳范围内。在优选的实施例中，阻挡层5的材料为氮化硅，介质层6的材料为二氧化硅。阻挡层5的设计和阻挡层5的材料的选择有利于后续的研磨和蚀刻等加工工艺，并且能够有效保护底电极层4不被损伤。
在具体的实施例中，步骤S5中通过溅镀、光刻与蚀刻工艺在复合层7和底电极层4的表面上制作压电层8，其中压电层8材料为AlN。制作压电层8后的器件结构如图3j所示，对比图4中的器件在底电极层4周围不作工艺处理，使压电层8沿着底电极层4生长并与衬底1接触。两者的压电层8形貌上有所不同，图4中器件的压电层8在底电极层4边缘和衬底1接触的相对应位置的形貌发生变化，此时A1和A3区域为应力变化区域，易引发机电耦合系数变化，导致谐振器组成的滤波器带宽变化，影响器件性能。A2为谐振器的有效区域，受A1与A3区域影响，实际有效谐振区域相对A2区域往里收缩，使有效区域面积减小。但是如图3j所示的本申请的实施例中的压电层8相对平坦，压电层8形貌变化影响小，其有效区域面积更大更接近空腔2但不超出空腔2。因此，本申请的实施例在一定程度上可达到减小器件尺寸的效果，将器件尺寸减小约5％。
在具体的实施例中，该方法还包括步骤S6：在压电层8上制作顶电极层10。如图3k所示，通过溅镀、光刻与蚀刻工艺在压电层8上制作顶电极层10，顶电极层10的材料可以为Mo。顶电极层10与底电极层4和压电层8构成有效谐振区域。
在具体的实施例中，该方法还包括步骤S7：在顶电极层10和底电极层4旁边制作释放孔11，如图3l所示，通过光刻、干法蚀刻工艺制作释放孔11，释放孔11从顶部穿透延伸到空腔2内的牺牲材料3。释放孔11用于将空腔2内的牺牲材料3去除掉。
在具体的实施例中，该方法还包括步骤S8：制作钝化层12，钝化层12覆盖顶电极层10并且覆盖释放孔11的侧壁。如图3m所示，通过CVD工艺制作钝化层12，钝化层12覆盖在顶电极层10、压电层8和释放孔11的两侧。在优选的实施例中，钝化层12的材料为氮化铝。如图3n所示，该方法还包括步骤S9：通过光刻和蚀刻去除释放孔11内的钝化层12。此时释放孔11的侧壁被钝化层12所覆盖，因此钝化层12可以有效保护介质层6(SiO2)不被空腔2释放时使用的蚀刻剂HF所腐蚀，钝化层12还可以用来调频。将释放孔11底部的钝化层12清除干净，便于后续去除空腔2内的牺牲材料3。最后通过干法蚀刻或湿法蚀刻去除空腔2内的牺牲材料3，其中蚀刻剂可以为HF，最终得到如图5和图6所示的体声波谐振器，其中图5为图6中A-A位置切割的剖面图。根据上述同样的工艺制作出实施例二的体声波谐振器结构如图7和图8所示，其中图7为图8中A-A位置切割的剖面图。
本申请的实施例中还提出了一种利用上述提到的制造工艺制成的体声波谐振器。
本申请还提出了一种具有平坦压电层结构的体声波谐振器，如图5所示，包括具有空腔2的衬底1以及依次在衬底1上层叠形成的底电极层4、压电层8和顶电极层10，底电极层4周围形成有毗邻的阻挡层5和介质层6并且阻挡层5和介质层6的表面与底电极层4的表面保持平坦，压电层8形成在阻挡层5、介质层6和底电极层4的表面上使得压电层8不接触衬底1。因为阻挡层5和介质层6的表面与底电极层4的表面保持平坦，所以制作在阻挡层5、介质层6和底电极层4的表面的压电层8可以具有较小的形貌变化，应力保持一致，使器件的机电耦合系数控制在最佳范围内，提高谐振器品质因素、器件良率和器件成品一致性和可靠性，而且压电层8相对平坦，其有效区域面积更大更接近空腔2但不超出空腔2，在一定程度上可以减小器件尺寸，约5％左右。
在具体的实施例中，阻挡层5采用氮化硅材料，并且介质层6采用二氧化硅材料。阻挡层5有利于后续的研磨和蚀刻等加工工艺，并且能够有效保护底电极层4。
在具体的实施例中，该体声波谐振器还包括释放孔11，释放孔11在不穿过底电极层4和顶电极层10的情况下延伸到空腔2内。释放孔11用于将空腔2内的牺牲材料3去除掉。并且在体声波谐振器的顶部制作有钝化层12，钝化层12至少覆盖顶电极层10并且覆盖释放孔11的侧壁。钝化层12可以有效保护介质层6不被空腔2释放时使用的蚀刻剂HF所腐蚀，并且钝化层12还可以用来调频。
在具体的实施例中，在底电极层4和衬底1之间形成有种子层9，种子层9完全覆盖衬底1上的空腔2。如图6所示，底电极层4在衬底1上的投影区域一侧在空腔2内，另一侧在空腔2外。此时种子层9可以用于保护底电极层4不被空腔2释放时使用的蚀刻剂HF所腐蚀。在另外一个实施例中，如图8所示，在保持谐振器机械稳定性的前提下，底电极层4在衬底1上的投影区域完全位于空腔2内。此时底电极层4在种子层9的支撑下可以完全位于空腔2内，且上底电极层周围膜层的粘附力作用，不会导致塌陷。
本申请提出了一种体声波谐振器的平坦压电层结构的制作工艺，通过在衬底上形成空腔；在空腔中填充牺牲材料；在被填充后的空腔上制作底电极层；在底电极层周围依次施加阻挡层和介质层以使得阻挡层和介质层构成的复合层的表面与底电极层的表面保持平坦；以及在复合层和底电极层的表面上制作压电层以使得压电层不接触衬底。提高压电层的应力一致性，减小压电层的应力影响，使器件的机电耦合系数控制在最佳范围，提高谐振器品质因素、器件良率和器件成品的一致性和可靠性，并且使有效谐振面积更大更接近空腔但不超出空腔，可以减小器件尺寸约5％。通过设置种子层和钝化层可以保护底电极层和顶电极层，并且将底电极层制作在谐振器的内部，并保持可靠性。
以上描述了本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。措词‘包括’并不排除在权利要求未列出的元件或步骤的存在。元件前面的措词‘一’或‘一个’并不排除多个这样的元件的存在。在相互不同从属权利要求中记载某些措施的简单事实不表明这些措施的组合不能被用于改进。在权利要求中的任何参考符号不应当被解释为限制范围。
Claims (21)
1.一种体声波谐振器的平坦压电层结构的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在衬底上刻蚀形成空腔；
S2，在所述空腔中填充牺牲材料；
S3，在被填充后的所述空腔上制作底电极层；
S4，在底电极层周围依次施加阻挡层和介质层以使得所述阻挡层和所述介质层构成的复合层的表面与所述底电极层的表面保持平坦；
其中，S4具体包括以下步骤：
在所述底电极层及其周围生长阻挡层，
在所述阻挡层上生长介质层；以及
S5，在所述复合层和所述底电极层的表面上制作压电层以使得所述压电层保持平坦且不接触所述衬底。
2.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述步骤S4具体包括以下步骤：
通过CVD工艺在所述底电极层及其周围生长阻挡层，
在所述阻挡层上生长介质层，
通过CMP工艺研磨所述介质层直至所述底电极层上的阻挡层被露出为止，以及
通过光刻和蚀刻去除所述底电极层上的阻挡层。
3.根据权利要求2所述的制作工艺，其特征在于，经过研磨后所述介质层的顶部和所述底电极层的顶部在同一平面上。
4.根据权利要求2所述的制作工艺，其特征在于，所述阻挡层采用氮化硅材料，并且所述介质层采用二氧化硅材料。
5.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述底电极层在垂直于所述衬底的方向上的截面整体呈矩形形状。
6.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述底电极层的边缘相对于所述衬底具有倾斜度，同时所述边缘的末端被蚀刻有缺角从而未形成尖端。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的制作工艺，其特征在于，所述制作工艺还包括步骤S6：在所述压电层上制作顶电极层。
8.根据权利要求7所述的制作工艺，其特征在于，所述制作工艺还包括步骤S7：在所述顶电极层和所述底电极层旁边制作释放孔，所述释放孔从顶部穿透延伸到所述空腔内的牺牲材料。
9.根据权利要求8所述的制作工艺，其特征在于，所述制作工艺还包括步骤S8：制作钝化层，所述钝化层覆盖所述顶电极层并且覆盖所述释放孔的侧壁。
10.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述制作工艺在步骤S2和S3之间还包括：在所述衬底上制作由氮化铝材料构成的种子层。
11.根据权利要求10所述的制作工艺，其特征在于，所述底电极层在所述衬底上的投影区域完全位于所述空腔内。
12.根据权利要求10所述的制作工艺，其特征在于，所述种子层通过溅镀工艺制成，并且具有10-50nm的厚度。
13.根据权利要求9所述的制作工艺，其特征在于，所述制作工艺还包括步骤S9：通过光刻和蚀刻去除所述释放孔内的所述钝化层。
14.根据权利要求13所述的制作工艺，其特征在于，通过蚀刻去除所述空腔内的牺牲材料。
15.一种利用权利要求1-14中任一项所述的制作工艺制成的体声波谐振器。
16.一种具有平坦压电层结构的体声波谐振器，包括具有空腔的衬底以及依次在所述衬底上层叠形成的底电极层、压电层和顶电极层，其特征在于，所述底电极层周围形成有毗邻的阻挡层和介质层并且所述阻挡层和介质层的表面与所述底电极层的表面保持平坦，所述压电层形成在所述阻挡层、所述介质层和所述底电极层的表面上使得所述压电层保持平坦且不接触所述衬底；其中所述阻挡层和所述介质层通过以下工艺形成：在所述底电极层及其周围生长阻挡层，在所述阻挡层上生长介质层。
17.根据权利要求16所述的平坦压电层结构的体声波谐振器，其特征在于，所述阻挡层采用氮化硅材料，并且所述介质层采用二氧化硅材料。
18.根据权利要求17所述的具有平坦压电层结构的体声波谐振器，其特征在于，还包括释放孔，所述释放孔在不穿过所述底电极层和顶电极层的情况下延伸到所述空腔内。
19.根据权利要求18所述的具有平坦压电层结构的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器的顶部制作有钝化层，所述钝化层至少覆盖所述顶电极层并且覆盖所述释放孔的侧壁。
20.根据权利要求16-19中任一项所述的具有平坦压电层结构的体声波谐振器，其特征在于，在所述底电极层和所述衬底之间形成有种子层。
21.根据权利要求20所述的具有平坦压电层结构的体声波谐振器，其特征在于，所述底电极层在所述衬底上的投影区域完全位于所述空腔内。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010056383.XA CN111162746B (zh) | 2020-01-18 | 2020-01-18 | 一种体声波谐振器的平坦压电层结构及制作工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010056383.XA CN111162746B (zh) | 2020-01-18 | 2020-01-18 | 一种体声波谐振器的平坦压电层结构及制作工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111162746A CN111162746A (zh) | 2020-05-15 |
| CN111162746B true CN111162746B (zh) | 2021-11-19 |
Family
ID=70564045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010056383.XA Active CN111162746B (zh) | 2020-01-18 | 2020-01-18 | 一种体声波谐振器的平坦压电层结构及制作工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111162746B (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111669141B (zh) * | 2020-05-29 | 2021-11-02 | 见闻录(浙江)半导体有限公司 | 一种体声波谐振器的电极结构及制作工艺 |
| CN111755591A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-10-09 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种压电薄膜体及其制备方法、空腔型器件及其制备方法 |
| CN111865256B (zh) * | 2020-07-23 | 2021-05-25 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声波谐振器及其制备方法 |
| CN112383286B (zh) * | 2020-08-04 | 2021-09-21 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器组件及其制造方法、滤波器及电子设备 |
| CN112151511A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-12-29 | 中国科学院微电子研究所 | 一种半导体结构及其制备方法 |
| CN113381722A (zh) * | 2021-06-20 | 2021-09-10 | 深圳市封神微电子有限公司 | 一种抑制能量泄露和寄生的高q值薄膜体声波谐振器 |
| CN113965181B (zh) * | 2021-12-21 | 2022-03-01 | 深圳新声半导体有限公司 | 用于电极结构制作的方法、电极结构和体声波谐振器 |
| CN114640322B (zh) * | 2022-03-25 | 2023-05-12 | 电子科技大学 | 一种调控fbar滤波器中心频率的方法 |
| CN114894229B (zh) * | 2022-04-26 | 2024-05-03 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种薄膜体声波传感器及其制备方法 |
| CN116318029B (zh) * | 2023-05-16 | 2023-07-21 | 深圳新声半导体有限公司 | 体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法 |
| CN117040478B (zh) * | 2023-10-08 | 2024-01-30 | 深圳新声半导体有限公司 | Baw滤波器及其制备方法、集成电路及电子设备 |
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| CN107800402A (zh) * | 2016-09-01 | 2018-03-13 | 三星电机株式会社 | 体声波滤波器装置及制造体声波滤波器装置的方法 |
| CN108123695A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 三星电机株式会社 | 体声波谐振器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11476826B2 (en) * | 2017-01-17 | 2022-10-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator |
| US10700660B2 (en) * | 2017-10-25 | 2020-06-30 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave resonator |
| CN110289825B (zh) * | 2019-07-29 | 2024-03-12 | 苏州汉天下电子有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法、滤波器以及双工器 |
-
2020
- 2020-01-18 CN CN202010056383.XA patent/CN111162746B/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111162746A (zh) | 2020-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
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|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |