CN107800402A - 体声波滤波器装置及制造体声波滤波器装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种体声波滤波器装置及制造体声波滤波器装置的方法，所述体声波滤波器装置包括：基板，包括由第一凹槽和与所述第一凹槽相邻的第二凹槽形成的通孔；膜层，与所述基板形成腔；滤波器，包括设置在所述膜层上的下电极、被设置为覆盖所述下电极的部分的压电层以及形成为覆盖所述压电层的部分的上电极；以及电极连接构件，设置在所述基板中，并且连接到所述下电极和所述上电极中的任一个，其中，所述电极连接构件包括设置在所述第一凹槽中的插入电极以及连接到所述插入电极并设置在所述第二凹槽的内周表面和所述基板的表面上的过孔电极。

Description

体声波滤波器装置及制造体声波滤波器装置的方法
本申请要求分别于2016年9月1日和于2016年12月5日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0112762号和第10-2016-0164443号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
下面的描述涉及一种体声波滤波器装置及制造体声波滤波器装置的方法。
背景技术
谐振器是其能量在特定频率下产生谐振的装置并且主要用于例如滤波器、振荡器和频率计数器。虽然存在使用谐振器进行谐振的各种结构，但近来使用声波的谐振结构已经流行。
与市场中广泛使用的使用表面声波的谐振器不同，为了使用厚度方向上的声波，其中具有高的声阻抗的电极设置在背对侧并且压电材料设置在电极之间的体声波谐振器近来在于高频率应用下的滤波器的市场中已变得更流行。
在近来几年，已增大用作体声波谐振器中的基板的晶圆的厚度来提高刚度。然而，随着晶圆的厚度增大，在形成用于电极的连接的诸如硅通孔(TSV)的连接构件时，可能会出现缺陷。
发明内容
提供本发明内容以按照简化形式介绍构思的选择，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要技术特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种体声波滤波器装置包括：基板，包括由第一凹槽和与所述第一凹槽相邻的第二凹槽形成的通孔；膜层，与所述基板形成腔；滤波器，包括设置在所述膜层上的下电极、被设置为覆盖所述下电极的部分的压电层以及形成为覆盖所述压电层的部分的上电极；以及电极连接构件，设置在所述基板中，并且连接到所述下电极和所述上电极中的任一个，其中，所述电极连接构件包括设置在所述第一凹槽中的插入电极以及连接到所述插入电极并设置在所述第二凹槽的内周表面和所述基板的表面上的过孔电极。
所述第一凹槽的直径可小于所述第二凹槽的直径。
所述插入电极可设置在所述第一凹槽中并且可具有圆柱形状。
所述过孔电极可通过电镀形成。
所述体声波滤波器装置还可包括设置在所述过孔电极上并且被构造为连接到主基板的焊球。
所述基板可包括设置在所述通孔的内周表面上的种子层。
所述上电极可包括框架部。
所述滤波器还可包括设置在所述上电极和所述下电极上的金属焊盘。
所述滤波器还可包括形成在所述上电极的其上未设置所述金属焊盘的区域上的钝化层。
所述通孔可具有台阶式直径构造。
在另一总的方面中，一种用于制造体声波滤波器装置的方法包括：在基板中形成第一凹槽；在所述第一凹槽中形成插入电极；在所述基板上形成滤波器；在所述基板中形成第二凹槽；以及在所述第二凹槽中形成过孔电极，其中，所述过孔电极连接到所述插入电极。
所述过孔电极可形成在所述第二凹槽的内周表面和所述基板的表面上。
所述过孔电极可通过电镀形成。
所述滤波器可包括下电极和上电极，所述插入电极可连接到所述下电极和所述上电极中的任一个。
所述第一凹槽的直径可小于所述第二凹槽的直径。
所述方法还可包括在所述过孔电极上设置焊球。
所述方法还可包括在形成所述滤波器之后将盖构件结合到所述基板。
所述第一凹槽和所述第二凹槽彼此相邻设置以形成通孔。
通过下面的具体实施方式、附图以及权利要求，其他特征和方面将显而易见。
附图说明
图1是示出根据实施例的体声波滤波器装置的示意性截面图。
图2至图8是示出根据实施例的制造图1的体声波滤波器装置的方法的工艺图。
图9是示出根据另一实施例的体声波滤波器装置的示意性截面图。
图10至图16是示出根据实施例的制造图9的体声波滤波器装置的方法的工艺图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明以及方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容之后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可在理解了本申请的公开内容之后做出显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域中公知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅为了示出在理解了本申请的公开内容之后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的多种可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件、“结合到”另一元件、“在”另一元件“上方”或“覆盖”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件、“结合到”另一元件、“在”另一元件“上方”或“覆盖”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件、“直接结合到”另一元件、“直接在”另一元件“上方”或“直接覆盖”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括所列相关项中的任何一个和任何两个或更多个的任何组合。
虽然诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语可在此用于描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中的涉及到的第一构件、组件、区域、层或部分还可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。
为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”的空间相关术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相关术语意于包含除了附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”另一元件“之上”或“上方”的元件将随后“在”另一元件“之下”或“下方”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方向包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以另外的方式被定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并且可对在此使用的空间相关术语做出相应的解释。
在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被用来限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意于包含复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于生产技术和/或公差，可发生附图中所示出的形状的变化。因此，在此描述的示例并不限于附图中示出的特定的形状，而是包括制造过程中发生的形状的变化。
在此描述的示例的特征可以以在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种构造，但是在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的其他构造也是可行的。
图1是示出根据实施例的体声波滤波器装置100的示意性截面图。
参照图1，体声波滤波器装置100包括例如基板110、盖120、膜层130、滤波器140和电极连接构件160。
基板110是其上层叠有硅的基板。例如，硅晶圆用作基板110。此外，通孔112以台阶式直径构造形成在基板110中。通孔112包括第一凹槽112a和连接到第一凹槽112a的第二凹槽112b。例如，第一凹槽112a具有比第二凹槽112b的直径小的直径。第一凹槽112a被构造为容纳电极连接构件160的插入电极162，第二凹槽112b被构造为容纳电极连接构件160的过孔电极164。
基板保护层114形成在基板110的上表面上。基板保护层114防止当去除稍后将描述的牺牲层190时基板110被蚀刻。
种子层116形成在基板110的通孔112的内周表面上。例如，种子层116由氮化铝(AlN)材料形成。
盖120通过结合单元180结合到并安装在基板110的上部中，并且密封基板110的其中设置滤波器140的部分。例如，结合单元180设置在基板110和盖120中，并且可由相同的材料或不同的材料形成。例如，结合单元180由金(Au)和锡(Sn)中的任一种或金(Au)和锡(Sn)中的任一种的合金形成。
盖120包括被构造为与基板110一起形成内部空间的凹槽122。
膜层130与基板110一起形成腔S。腔S例如通过去除稍后将描述的牺牲层190而形成。膜层130防止当去除牺牲层190时下电极142被蚀刻。
滤波器140形成在基板110上，并且滤波器140包括下电极142、压电层144和上电极146。
下电极142形成在膜层130上，并且下电极142的部分形成在腔S上。此外，下电极142连接到电极连接构件160。
例如，下电极142使用诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)或铂(Pt)或者钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)或铂(Pt)的合金的导电材料形成。
下电极142可用作输入电极和输出电极中的任一个，以施加诸如射频(RF)信号的电信号。例如，当下电极142为输入电极时，上电极146为输出电极。可选地，当下电极142为输出电极时，上电极146为输入电极。
压电层144覆盖下电极142的至少一部分。此外，压电层144将从下电极142或上电极146输入的电信号转换为声波。
例如，当随时间变化的电场被诱导到上电极146中时，压电层144将输入到上电极146的电信号转换为物理振动。此外，压电层144将物理振动转换为声波。
压电层144可通过在下电极142的上部上沉积氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅而形成。
上电极146覆盖压电层144的至少一部分。例如，上电极146使用与下电极142的材料相似的诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)或铂(Pt)或者钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)或铂(Pt)的合金的导电材料形成。
上电极146可用作输入电极和输出电极中的任一个，以施加诸如射频(RF)信号的电信号。
上电极146包括框架部146a。例如，框架部146a设置在压电层144的中部的外部区域中，并不设置在压电层144的中部中。框架部146a将谐振过程中产生的横波反射到滤波器140的有效区域中，以将谐振能量限定至有效区域。
此外，滤波器140包括电连接到下电极142和上电极146中的每个的金属焊盘148。
此外，滤波器140包括形成在上电极146的其上未设置金属焊盘148的区域上的钝化层150。钝化层150覆盖上电极146的未被金属焊盘148覆盖的部分，从而防止上电极146在工艺过程中被损坏。此外，可在最后的工艺中通过蚀刻调节钝化层150的厚度以控制谐振频率。换句话说，钝化层150的厚度可在最后的工艺中被减小。
电极连接构件160形成在基板110中，并且可连接到下电极142或上电极146。例如，两个电极连接构件160形成在基板110中，并且两个电极连接构件160分别连接到下电极142和上电极146。
电极连接构件160包括：插入电极162，插入到并设置在第一凹槽112a中，并且通过基板110的一个表面而暴露；以及过孔电极164，连接到插入电极162，并且形成在第二凹槽112b的内周表面和基板110的与基板110的所述一个表面背对的另一表面上。
例如，插入电极162填充在第一凹槽112a中使得插入电极162通过基板110的一个表面而暴露，并且具有圆柱形状。此外，插入电极162可由铜(Cu)或钛(Ti)材料或者包含Cu或Ti的材料形成。
过孔电极164以薄膜的形式形成在基板110的第二凹槽112b的内周表面以及基板110的与基板110的所述一个表面背对的另一表面中。过孔电极164可由与插入电极162的材料相似的Cu或Ti材料或者包含Cu或Ti的材料形成。另外，过孔电极164可通过电镀形成。
此外，用于与主基板(未示出)连接的焊球101形成在过孔电极164上。
如上所述，因为电极连接构件160由插入电极162和过孔电极164形成，所以即使当基板110的厚度增大时，也可防止电极连接构件160与下电极142之间的连接失败以及电极连接构件160与上电极146之间的连接失败。
换句话说，如果基板110的厚度增大，并且电极连接构件160仅包括通过电镀形成的过孔电极164，则通孔112的下部中可能不会形成电极连接构件160。
然而，在所公开的实施例中，电极连接构件160由插入电极162和过孔电极164形成，因此，可防止发生通孔112的下部中不形成电极连接构件160的缺陷。
此外，形成在基板110中的种子层116的形成限制可被减少。换句话说，当基板110的厚度增大时，通孔112的深度更深。此外，如果在单个工艺中形成种子层116，则通孔112的一侧上可能不会形成种子层116。然而，通孔112由第一凹槽112a和第二凹槽112b形成，并且在与形成通孔112的工艺分开的单个工艺中形成种子层116，因此可容易地形成种子层116。
此外，由于电极连接构件160的插入电极162的直径被调节，因此滤波器140的布局可自由地改变。
此外，当外部冲击通过插入电极162施加时，可防止对滤波器140的损坏。换句话说，由于插入电极162，施加到滤波器140的冲击通过插入电极162被转移，因此可防止对滤波器140的损坏。
此外，由于电极连接构件160由插入电极162和过孔电极164形成，因此可防止由热变形导致的对基板110的损坏。
图1仅作为示例示出了电极连接构件160仅连接到下电极142的情况。然而，公开不限于该示例。电极连接构件160可被设置为多个电极连接构件，并且电极连接构件160中的至少一个可连接到上电极146。
图2至图8是示出根据实施例的制造体声波滤波器装置100的方法的工艺图。
如图2所示，制备基板110，并且在基板110上形成基板保护层114。
然后，如图3所示，在基板110中形成第一凹槽112a，并且在第一凹槽112a中形成插入电极162。例如，由Cu或Ti或者包含Cu或Ti的材料形成插入电极162。例如，在第一凹槽112a的内周表面上形成种子层116，并且将Cu或Ti或者包含Cu或Ti的材料填充在第一凹槽112a中来形成插入电极162。此外，当形成插入电极162时，插入电极162的端部可形成为从基板110突出。
如图4所示，由于化学机械抛光(CMP)工艺的结果，插入电极162可最终具有圆柱形状，并且通过基板110的一个表面而暴露。然而，插入电极162不限于具有圆柱形状，插入电极162的形状可按照各种方式改变。
此外，当完成在CMP工艺中形成插入电极162时，在基板保护层114上形成牺牲层190。
然后，如图5所示，形成膜层130以覆盖牺牲层190，然后执行蚀刻工艺以去除膜层130的部分，由此使插入电极162向外暴露。例如，蚀刻工艺可以为干蚀刻工艺。
然后，如图6所示，形成下电极142，以覆盖插入电极162和牺牲层190。
然后，如图7所示，形成滤波器140。当完成滤波器140的形成时，将盖120与基板110结合。例如，通过结合单元180将盖120附着到基板110。
然后，如图8所示，在基板110中形成第二凹槽112b。然后在第二凹槽112b的内周表面以及基板110的与基板110的所述一个表面背对的另一表面上形成过孔电极164，使得过孔电极164连接到插入电极162。
例如，过孔电极164形成为薄膜的形式。此外，过孔电极164可按照与形成插入电极162的方式相似的方式由Cu或Ti材料或者包含Cu或Ti的材料形成。例如，在第二凹槽112b的内周表面上形成种子层116，使Cu或Ti或者包含Cu或Ti的材料形成在第二凹槽112b中，以形成过孔电极164。
过孔电极164可通过电镀形成。
然后，在过孔电极164上形成用于与主基板(未示出)连接的焊球101。
如上所述，因为形成插入电极162，然后在后来的工艺中形成过孔电极164并且过孔电极164连接到插入电极162，所以即使当基板110的厚度增大时，也可防止电极连接构件160与下电极142的连接失败以及电极连接构件160与上电极146的连接失败。
换句话说，如果基板110的厚度增大，并且设置仅由通过电镀而简单形成的过孔电极164形成的电极连接构件160，则通孔112的下部中可能不会形成电极连接构件160，由此导致连接失败。
然而，因为电极连接构件160由插入电极162和过孔电极164形成，所以可防止发生通孔112的下部中不形成电极连接构件160的缺陷。
此外，所公开的实施例解决了形成在基板110中的种子层116的形成限制。换句话说，当基板110的厚的增大时，通孔112的深度变得更深。此外，如果在单个工艺中于通孔112中形成种子层116，则通孔112的一侧上可能不会形成种子层116。然而，在所公开的实施例中，因为通孔112由第一凹槽112a和第二凹槽112b形成，并且在与形成通孔112的工艺分开的工艺中形成种子层116，从而可容易地形成种子层116，所以种子层116可容易地形成在通孔112的两侧上。
此外，由于插入电极162的直径被调节，因此滤波器140的布局可自由地改变。
此外，当外部冲击通过插入电极162施加时，可防止对滤波器140的损坏。换句话说，由于插入电极162，施加到滤波器140的冲击可通过插入电极162被转移，因此可防止对滤波器140的损坏。
此外，由于电极连接构件160由插入电极162和过孔电极164形成，因此可防止由于热变形对基板110的损坏。
图9是示出根据另一实施例的体声波滤波器装置200的示意性截面图。
参照图9，体声波滤波器装置200包括例如基板210、盖220、膜层230、滤波器240和电极连接构件260。
基板210是例如其上层叠有硅的基板。例如，硅晶圆用作基板210。此外，通孔212以台阶式直径构造形成在基板110中。通孔212包括第一凹槽212a和连接到第一凹槽212a的第二凹槽212b。例如，第一凹槽212a具有比第二凹槽212b的直径小的直径。
种子层216形成在基板210的通孔212的内周表面上。例如，种子层216由氮化铝(AlN)材料形成。
盖220通过结合单元280结合到并安装在基板210的上部上，并且密封基板210的其中设置滤波器240的部分。结合单元280设置在基板210和盖220中，并且可由相同的材料或不同的材料形成。例如，结合单元280由金(Au)和锡(Sn)中的任一种或金(Au)和锡(Sn)中的任一种的合金形成。
膜层230与基板210一起形成腔S。腔S通过去除稍后将描述的牺牲层290而形成。为此，膜层230中形成有腔形成凹槽232，以当去除牺牲层290时形成腔S。蚀刻停止层234设置在膜层230上，并且覆盖腔S。换句话说，蚀刻停止层234防止当牺牲层290被去除时下电极242被损坏。
滤波器240形成在基板210上，并且滤波器240包括下电极242、压电层244和上电极246。
下电极242形成在膜层230上，并且下电极242的部分形成在腔S上。此外，下电极242连接到电极连接构件260。
例如，下电极242使用诸如Mo、Ru、W、Ir或Pt或者Mo、Ru、W、Ir或Pt的合金的导电材料形成。
下电极242可用作输入电极和输出电极中的一个，以施加诸如RF信号的电信号。例如，当下电极242为输入电极时，上电极246为输出电极。可选地，当下电极242为输出电极时，上电极246为输入电极。
压电层244覆盖下电极242的至少一部分。此外，压电层244将从下电极242或上电极246输入的电信号转换为声波。
例如，当随时间变化的电场被诱导到上电极246中时，压电层244将输入到上电极246中的电信号转换为物理振动。此外，压电层244将已被转换的物理振动转换为声波。
压电层244可通过在下电极242的上部上沉积氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅而形成。
上电极246覆盖压电层244的至少一部分。例如，上电极246由与下电极242的材料相似的诸如Mo、Ru、W、Ir或Pt或者Mo、Ru、W、Ir或Pt的合金的导电材料形成。
上电极246可用作输入电极和输出电极中的一个，以施加诸如RF信号的电信号。
上电极246包括框架部246a。例如，框架部246a设置在压电层244的中部的外部区域中，并不设置在压电层244的中部中。此外，框架部246a将谐振过程中产生的横波反射到滤波器240的有效区域中，以将谐振能量限定在有效区域中。
此外，滤波器240包括电连接到下电极242和上电极246中的每个的金属焊盘248。
此外，滤波器240包括形成在上电极246的其上未设置金属焊盘248的区域上的钝化层250。钝化层250覆盖上电极246，由此防止在工艺过程中上电极246被损坏。此外，可在最后的工艺中通过蚀刻调节钝化层250的厚度，以控制谐振频率。换句话说，钝化层250的厚度可在最后的工艺中被减小。
电极连接构件260形成在基板210中，并且连接到下电极242或上电极246。例如，两个电极连接构件260形成在基板210中，两个电极连接构件260分别连接到下电极242和上电极246。
电极连接构件260包括：插入电极262，插入到并设置在第一凹槽212a中，并且通过基板210的一个表面而暴露；以及过孔电极264，连接到插入电极262，并且形成在第二凹槽212b的内周表面和基板210的与基板210的所述一个表面背对的另一表面上。
例如，插入电极262填充在第一凹槽212a中以通过基板210的一个表面暴露，并且具有圆柱形状。此外，插入电极262可由Cu或Ti材料或者包含Cu或Ti的材料形成。
过孔电极264可形成在第二凹槽212b的内周表面以及基板210的与基板210的所述一个表面背对的另一表面上。另外，过孔电极264可由与插入电极262的材料相似的Cu或Ti材料或者包含Cu或Ti的材料形成。
过孔电极264可通过电镀形成。
此外，用于与主基板(未示出)连接的焊球201形成在过孔电极264上。
如上所述，因为电极连接构件260由插入电极262和过孔电极264形成，所以即使当基板210的厚度增大时，也可防止电极连接构件260与下电极242之间的连接失败以及电极连接构件260与上电极246之间的连接失败。
换句话说，如果基板210的厚度增大，并且电极连接构件260仅包括通过电镀形成的过孔电极264，则通孔212的下部中可能不会形成电极连接构件260。
然而，在所公开的实施例中，电极连接构件260由插入电极262和过孔电极264形成，因此，可防止发生通孔212的下部中不形成电极连接构件260的缺陷。
此外，形成在基板210中的种子层216的形成限制可被减少。换句话说，当基板210的厚度增大时，通孔212的深度变得更深。此外，当在单个工艺中形成种子层216时，通孔212的一侧上可能不会形成种子层216。然而，在所公开的实施例中，通孔212由第一凹槽212a和第二凹槽212b形成，并且在与形成通孔212的工艺分开的工艺中形成种子层216，因此可容易地形成种子层216。
此外，由于插入电极262的直径被调节，因此滤波器240的布局可自由地改变。
此外，当外部冲击通过插入电极262施加时，可防止对滤波器240的损坏。换句话说，由于插入电极262，施加到滤波器240的冲击通过插入电极262被转移，因此可防止对滤波器240的损坏。
此外，因为电极连接构件260由插入电极262和过孔电极264形成，所以可防止由于热变形对基板210的损坏。
图10至图16是示出根据实施例的制造体声波滤波器装置200的方法的工艺图。
如图10所示，在基板210上形成膜层230。
然后，如图11所示，在基板210中形成第一凹槽212a，并且在第一凹槽212a中形成插入电极262。可由Cu或Ti材料或者包含Cu或Ti的材料形成插入电极262。例如，在第一凹槽212a的内周表面上形成种子层216，并且将Cu或Ti或者包含Cu或Ti的材料填充在第一凹槽212a中。当形成插入电极262时，插入电极262的端部可形成为从基板210突出。
如图12所示，由于CMP工艺的结果，插入电极262可最终具有圆柱形状。此外，在CMP工艺之后，在膜层230中形成腔形成凹槽232，并且将牺牲层290插入到腔形成凹槽232中。
然后，如图13所示，形成蚀刻停止层234以覆盖牺牲层290，然后执行蚀刻工艺，以使插入电极262向外暴露。例如，蚀刻工艺为干蚀刻工艺。
然后，如图14所示，在膜层230上以及腔S和插入电极262的上方形成下电极242。
然后，如图15所示，在基板210上形成滤波器240(也就是说，压电层244、上电极246、金属焊盘248和钝化层250)，并且将盖220与基板210结合。滤波器240可具有平坦的形状。换句话说，可在膜层230中形成腔S。
然后，如图16所示，在基板210中形成第二凹槽212b，然后形成过孔电极264并使过孔电极264连接到插入电极262。此外，过孔电极264以与形成插入电极262的方式相似的方式由Cu或Ti材料或者包含Cu或Ti的材料形成。此外，过孔电极264可通过电镀形成。例如，在第二凹槽212b的内周表面上形成种子层216，使Cu或Ti或者包含Cu或Ti的材料形成在第二凹槽212b中，以形成过孔电极264。
此外，在延伸到基板210的底表面的过孔电极264上形成焊球201。
如上所述，根据实施例，可减少缺陷的发生。
此外，可防止由于热变形对基板的损坏。
虽然本公开包括特定的示例，但是在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种变化。在此所描述的示例将仅被视为描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或者电路中的组件和/或用其他组件或者它们的等同物进行替换或者补充描述的系统、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为包含于本公开中。

Claims (18)

1.一种体声波滤波器装置，包括：
基板，包括由第一凹槽和与所述第一凹槽相邻的第二凹槽形成的通孔；
膜层，与所述基板形成腔；
滤波器，包括设置在所述膜层上的下电极、被设置为覆盖所述下电极的部分的压电层以及形成为覆盖所述压电层的部分的上电极；以及
电极连接构件，设置在所述基板中，并且连接到所述下电极和所述上电极中的任一个，
其中，所述电极连接构件包括设置在所述第一凹槽中的插入电极以及连接到所述插入电极并设置在所述第二凹槽的内周表面和所述基板的表面上的过孔电极。
2.如权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述第一凹槽的直径小于所述第二凹槽的直径。
3.如权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述插入电极设置在所述第一凹槽中并且具有圆柱形状。
4.如权利要求3所述的体声波滤波器装置，其中，所述过孔电极通过电镀形成。
5.如权利要求1所述的体声波滤波器装置，还包括设置在所述过孔电极上并且被构造为连接到主基板的焊球。
6.如权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述基板包括设置在所述通孔的内周表面上的种子层。
7.如权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述上电极包括框架部。
8.如权利要求7所述的体声波滤波器装置，其中，所述滤波器还包括设置在所述上电极和所述下电极上的金属焊盘。
9.如权利要求8所述的体声波滤波器装置，其中，所述滤波器还包括形成在所述上电极的其上未设置所述金属焊盘的区域上的钝化层。
10.如权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述通孔包括台阶式直径构造。
11.一种用于制造体声波滤波器装置的方法，所述方法包括：
在基板中形成第一凹槽；
在所述第一凹槽中形成插入电极；
在所述基板上形成滤波器；
在所述基板中形成第二凹槽；以及
在所述第二凹槽中形成过孔电极，其中，所述过孔电极连接到所述插入电极。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述过孔电极形成在所述第二凹槽的内周表面和所述基板的表面上。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述过孔电极通过电镀形成。
14.如权利要求11所述的方法，其中，所述滤波器包括下电极和上电极，所述插入电极连接到所述下电极和所述上电极中的任一个。
15.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一凹槽的直径小于所述第二凹槽的直径。
16.如权利要求11所述的方法，还包括：在所述过孔电极上设置焊球。
17.如权利要求11所述的方法，还包括：在形成所述滤波器之后将盖构件结合到所述基板。
18.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽彼此相邻设置以形成通孔。
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