TWI656669B - 一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法 - Google Patents

Abstract

一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，包括以下步驟：形成一犧牲結構台面於一基板之上，其中犧性結構台面係分成複數個區部；蝕刻犧牲結構台面使得任兩相鄰之複數個區部具有不同之高度，其中犧牲結構台面之一最高區部所具有之一最高台面頂表面係與一台面頂延伸平面重合；形成一絕緣層於犧牲結構台面以及基板之上；研磨絕緣層以形成一拋光表面；於拋光表面之上形成一體聲波共振結構，包括一底電極層、一壓電層以及一頂電極層；以及蝕刻犧牲結構台面以形成一空腔；其中介於拋光表面以及台面頂延伸平面之間之絕緣層形成一頻率調諧結構，其中介於台面頂延伸平面以及空腔之間之絕緣層形成一質量調整結構。

Description

一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法

本發明係有關一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，尤指一種具有質量調整結構以及頻率調諧結構之體聲波共振器之製造方法。

請參閱第8圖，其係為習知技術之體聲波共振器之一具體實施例之剖面示意圖。聲波共振器包括一基板90、一底電極91、一壓電層92、一頂電極93、一空腔94以及一環狀壓電層凹槽95。其中底電極91係形成於基板90之上；壓電層92係形成於底電極91之上；頂電極93係形成於壓電層92之上；空腔94係形成於底電極91之下基板90之上。其中頂電極93、壓電層92以及底電極91重疊之部分係為體聲波共振器之共振膜。其中，沿著體聲波共振器之共振膜之周邊圍繞一圈將壓電層92之材料移除，而形成環狀壓電層凹槽95。藉由環狀壓電層凹槽95之形成，使得體聲波共振器之共振膜之周邊之邊界條件改變。由於體聲波共振器之共振膜之周邊之邊界條件改變，當入射波於體聲波共振器之共振膜之周邊反射時，反射波與入射波之比例 會有所改變。藉由設計適當之寬度、深度之環狀壓電層凹槽95，可以調整反射波與入射波之比例，進而增強體聲波共振器之品質因子(Q Factor)。

由於體聲波共振器之共振膜之寬度通常遠大於空腔94之深度，因此在體聲波共振器之共振膜係由頂電極93、壓電層92以及底電極91所構成之情況下，尤其是金屬所構成之頂電極93以及底電極91，使得體聲波共振器之共振膜受到應力影響時較易向下彎曲，因而有可能使底電極91之底部接觸到基板90(空腔94之一底部)，影響到體聲波共振器之特性。移除壓電層92之材料以形成環狀壓電層凹槽95，會影響到體聲波共振器之共振膜之機械結構強度，使得體聲波共振器之共振膜受到應力影響時更易向下彎曲，此外體聲波共振器之共振膜之機械強度不足，甚至可能會造成體聲波共振器之共振膜塌陷。

由於聲波係在體聲波共振器之共振膜內傳導共振，因此，體聲波共振器之共振膜之頂電極93、壓電層92以及底電極91之整體平整度良好與否將直接影響到體聲波共振器之共振特性。在另一習知技術之體聲波共振器之實施例中，係於底電極91之上表面之邊緣形成一凸起結構，藉由此凸起結構使得體聲波共振器之共振膜之周邊之邊界條件改變，進而使得反射波與入射波之比例改變。藉由設計適當之此凸起結構之尺寸，可以調整反射波與入射波之比例，進而增強體聲波共振器之品質因子。然而，將此凸起結構形成於底電極91之上表面之邊緣，在製程當中，會使得壓電層92之平整度變差，進而影響到體聲波共振器之共振膜整體之平整度，因此聲波在體聲波共振器之共振膜內傳導之特性會受到影響，使得體聲波共振器之共振特性受到不利之影響。

有鑑於此，發明人開發出簡便組裝的設計，能夠避免上述的缺點，安裝方便，又具有成本低廉的優點，以兼顧使用彈性與經濟性等考量，因此遂有本發明之產生。

本發明所欲解決之技術問題在於增強體聲波共振器之共振膜之機械結構強度，避免影響到聲波共振器之共振膜之整體平整度，並同時抑制體聲波共振器之寄生模態。

為解決前述問題，以達到所預期之功效，本發明提供一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，包括以下步驟：步驟D1：形成一犧牲結構台面於一基板之上，其中犧牲結構台面係分成複數個區部；步驟D2：蝕刻犧牲結構台面使得犧牲結構台面之複數個區部之任兩相鄰者具有不同之高度，其中犧牲結構台面之一最高區部具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面係與最高台面頂表面重合；步驟D3：形成一絕緣層於犧牲結構台面以及基板之上；步驟D4：以一化學機械平坦化製程研磨絕緣層以形成一拋光表面；步驟D5：形成一體聲波共振結構於拋光表面之上，其中體聲波共振結構係位於犧牲結構台面之上方，其中步驟D5包括以下步驟：步驟D51：形成一底電極層於拋光表面之上；步驟D52：形成一壓電層於底電極層之上；以及步驟D53：形成一頂電極層於壓電層之上；以及步驟D6：蝕刻犧牲結構台面以形成一空腔，其中空腔係位於體聲波共振結構之下方；其中在步驟D4中，(1)絕緣層係被研磨至使得犧牲結構台面未露出，其中位於體聲波共振結構之下、空腔之上，且介於拋光表面以及 台面頂延伸平面之間之絕緣層形成一頻率調諧結構，其中位於體聲波共振結構之下且介於台面頂延伸平面以及空腔之間之絕緣層形成一質量調整結構；或(2)絕緣層係被研磨至使得犧牲結構台面露出，其中位於體聲波共振結構之下且介於拋光表面以及空腔之間之絕緣層形成一質量調整結構。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中於步驟D4之後，犧牲結構台面之複數個區部具有一幾何構形；其中犧牲結構台面之幾何構形係相關於質量調整結構之一幾何構形；從而藉由調整犧牲結構台面之幾何構形以調整質量調整結構之幾何構形，以增強體聲波共振器之一品質因子。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中基板係為一半導體基板，其中構成犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中基板係為一化合物半導體基板，其中步驟D1包括以下步驟：步驟D11：形成一犧牲結構於基板之上；以及步驟D12：蝕刻犧牲結構以形成犧牲結構台面。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中(1)基板係由砷化鎵所構成，犧牲結構包括一砷化鎵層；或(2)基板係由磷化銦所構成，犧牲結構包括一砷化銦鎵層。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其更包括以下之一步驟：形成一底蝕刻終止層於基板之上，其中犧牲結構係形成於底蝕刻終止層之上；其中(1)底蝕刻終止層係由磷化 銦鎵所構成；或(2)底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。

此外，本發明更提供一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，包括以下步驟：步驟E1：形成一犧牲結構台面於一基板之上；步驟E2：形成一絕緣層於犧牲結構台面以及基板之上；步驟E3：以一預先化學機械平坦化製程研磨絕緣層以形成一預先拋光表面，使得犧牲結構台面露出，其中犧牲結構台面係分成複數個區部；步驟E4：蝕刻犧牲結構台面使得犧牲結構台面之複數個區部之任兩相鄰者具有不同之高度，其中犧牲結構台面之一最高區部具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面係與最高台面頂表面重合；步驟E5：形成一體聲波共振結構，其中體聲波共振結構係位於犧牲結構台面之上方，其中步驟E5包括以下步驟：步驟E51：形成一第二次研磨層於犧牲結構台面以及絕緣層之上，其中構成第二次研磨層之材料係為絕緣體；步驟E52：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層以形成一拋光表面，使得犧牲結構台面未露出；步驟E53：形成一底電極層於拋光表面之上；步驟E54：形成一壓電層於底電極層之上；以及步驟E55：形成一頂電極層於壓電層之上；以及步驟E6：蝕刻犧牲結構台面以形成一空腔，其中空腔係位於體聲波共振結構之下方；其中位於體聲波共振結構之下、空腔之上，且介於拋光表面以及台面頂延伸平面之間之第二次研磨層形成一頻率調諧結構，其中位於體聲波共振結構之下且介於台面頂延伸平面以及空腔之間之第二次研磨層形成一質量調整結構。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中於步驟E52之後，犧牲結構台面之複數個區部具有一幾何構形；其中犧牲結構台面之幾何構形係相關於質量調整結構之一幾何構形； 從而藉由調整犧牲結構台面之幾何構形以調整質量調整結構之幾何構形，以增強體聲波共振器之一品質因子。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中基板係為一半導體基板，其中構成犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中基板係為一化合物半導體基板，其中步驟E1包括以下步驟：步驟E11：形成一犧牲結構於基板之上；以及步驟E12：蝕刻犧牲結構以形成犧牲結構台面。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中(1)基板係由砷化鎵所構成，犧牲結構包括一砷化鎵層；或(2)基板係由磷化銦所構成，犧牲結構包括一砷化銦鎵層。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其更包括以下之一步驟：形成一底蝕刻終止層於基板之上，其中犧牲結構係形成於底蝕刻終止層之上；其中(1)底蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。

此外，本發明更提供一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，包括以下步驟：步驟F1：形成一犧牲結構台面於一基板之上；步驟F2：形成一絕緣層於犧牲結構台面以及基板之上；步驟F3：以一預先化學機械平坦化製程研磨絕緣層以形成一預先拋光表面，使得犧牲結構台面露出，其中犧牲結構台面係分成複數個區部；步驟F4：蝕刻犧牲結構台面使得犧牲結構台面之複數個區部之任兩相鄰者具有不同之高度，其中犧 牲結構台面之一最高區部具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面係與最高台面頂表面重合；步驟F5：形成一體聲波共振結構，其中體聲波共振結構係位於犧牲結構台面之上方，其中步驟F5包括以下步驟：步驟F51：形成一第二次研磨層於犧牲結構台面以及絕緣層之上，其中構成第二次研磨層之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；步驟F52：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層以形成一拋光表面，使得犧牲結構台面未露出；步驟F53：圖形化第二次研磨層；步驟F54：形成一壓電層於第二次研磨層之拋光表面以及絕緣層之預先拋光表面之上；以及步驟F55：形成一頂電極層於壓電層之上；以及步驟F6：蝕刻犧牲結構台面以形成一空腔，其中空腔係位於體聲波共振結構之下方；其中位於壓電層之下、空腔之上，且介於拋光表面以及台面頂延伸平面之間之第二次研磨層形成體聲波共振結構之一底電極層；其中位於體聲波共振結構之下且介於台面頂延伸平面以及空腔之間之第二次研磨層形成一質量調整結構。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中於步驟F52之後，犧牲結構台面之複數個區部具有一幾何構形；其中犧牲結構台面之幾何構形係相關於質量調整結構之一幾何構形；從而藉由調整犧牲結構台面之幾何構形以調整質量調整結構之幾何構形，以增強體聲波共振器之一品質因子。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中基板係為一半導體基板，其中構成犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之 製造方法，其中基板係為一化合物半導體基板，其中步驟F1包括以下步驟：步驟F11：形成一犧牲結構於基板之上；以及步驟F12：蝕刻犧牲結構以形成犧牲結構台面。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中(1)基板係由砷化鎵所構成，犧牲結構包括一砷化鎵層；或(2)基板係由磷化銦所構成，犧牲結構包括一砷化銦鎵層。

在一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其更包括以下之一步驟：形成一底蝕刻終止層於基板之上，其中犧性結構係形成於底蝕刻終止層之上；其中(1)底蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。

為進一步了解本發明，以下舉較佳之實施例，配合圖式、圖號，將本發明之具體構成內容及其所達成的功效詳細說明如下。

1‧‧‧體聲波共振器/第一體聲波共振器

1’‧‧‧第二體聲波共振器

1”‧‧‧第三體聲波共振器

10‧‧‧基板

11‧‧‧絕緣層

12‧‧‧蝕刻保護層

13‧‧‧化合物半導體基板

20‧‧‧底蝕刻終止層

21‧‧‧犧牲結構

22‧‧‧第一蝕刻終止層

23‧‧‧第一精細調諧層

24‧‧‧第二蝕刻終止層

25‧‧‧第二精細調諧層

26‧‧‧頂蝕刻終止層

27‧‧‧犧牲磊晶層

28‧‧‧犧牲磊晶結構

3‧‧‧體聲波共振結構/第一體聲波共振結構

3’‧‧‧第二體聲波共振結構

3”‧‧‧第三體聲波共振結構

30‧‧‧底電極層

31‧‧‧壓電層

32‧‧‧頂電極層

40‧‧‧空腔/第一空腔

40’‧‧‧第二空腔

40”‧‧‧第三空腔

41‧‧‧拋光表面

42‧‧‧預先拋光表面

43‧‧‧延伸平面

44‧‧‧台面頂延伸平面

50‧‧‧頻率調諧結構/第一頻率調諧結構

50’‧‧‧第二頻率調諧結構

50”‧‧‧第三頻率調諧結構

51‧‧‧第二次研磨層

6‧‧‧犧牲結構台面/第一犧牲結構台面

6’‧‧‧第二犧牲結構台面

6”‧‧‧第三犧牲結構台面

60‧‧‧犧牲磊晶結構台面

7‧‧‧區部

70‧‧‧中央區部

71‧‧‧邊緣區部/第一邊緣區部

72‧‧‧第二邊緣區部

8‧‧‧質量調整結構

81‧‧‧邊緣質量調整結構/第一邊緣質量調整結構

82‧‧‧第二邊緣質量調整結構

90‧‧‧基板

91‧‧‧底電極

92‧‧‧壓電層

93‧‧‧頂電極

94‧‧‧空腔

95‧‧‧環狀壓電層凹槽

a-a’‧‧‧剖面線

ET1‧‧‧第一蝕刻終止層之厚度

FT1‧‧‧第一精細調諧層之厚度

FT2‧‧‧第二精細調諧層之厚度

HD1‧‧‧第一高度差

HD2‧‧‧第二高度差

T‧‧‧厚度

T2‧‧‧第二頻率調諧結構之厚度

T3‧‧‧第三頻率調諧結構之厚度

TD1‧‧‧第一厚度差

TD2‧‧‧第二厚度差

X1‧‧‧寬度

X2‧‧‧寬度

Y1‧‧‧高度差

第1A~1F圖係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第1G、1H圖係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第1I圖係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之一具體實施例之磊晶結構之剖面示意圖。

第1J、1K圖係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之另一具體實 施例之製程步驟之剖面示意圖。

第1L圖係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。

第2A~2F圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第2G、2H圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第2I、2J圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之兩個具體實施例之剖面示意圖。

第2K~2N圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第3A~3G圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第3H、3I圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第3J、3K圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第3L圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。

第4A~4D圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第4E、4F圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法 之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第4G、4H圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第4I圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。

第4J~4M圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第5A~5C圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第5D圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之剖面示意圖。

第5E~5G圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第5H~5K圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第5L、5M圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第5N、5O圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第5P圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。

第6A~6C圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法 之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第6D~6F圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之三個具體實施例之剖面示意圖。

第6G圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之局部放大剖面示意圖。

第6H圖係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之局部放大剖面示意圖。

第7A~7C圖係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第7D~7E圖係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第7F~7H圖係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第7I~7K圖係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第7L~7M圖係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第7N~7O圖係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第7P~7Q圖係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。

第7R圖係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之一 具體實施例之剖面示意圖。

第7S圖係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之一具體實施例之電極形狀俯視示意圖。

第8圖係為習知技術之體聲波共振器之一具體實施例之剖面示意圖。

請參閱第1A~1F圖，其係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法包括以下步驟：步驟A1：(如第1B圖所示)形成一犧牲磊晶結構台面60(28)於一化合物半導體基板13之上，包括：(如第1A圖所示)形成一犧牲磊晶結構28於化合物半導體基板13之上以及(如第1B圖所示)蝕刻犧性磊晶結構28以形成犧牲磊晶結構台面60(28)；步驟A2：(如第1C圖所示)形成一絕緣層11於犧牲磊晶結構台面60以及化合物半導體基板13之上，其中構成絕緣層11之材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化矽(Silicon Nitride，SiNx)、氧化矽(SiO₂)以及聚合物(Polymer)；步驟A3：(如第1D圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨絕緣層11以形成一拋光表面41；步驟A4：(如第1E圖所示)形成一體聲波共振結構3於拋光表面41之上，其中體聲波共振結構3係位於犧牲磊晶結構台面60之上方，其中步驟A4包括以下步驟：步驟A41：形成一底電極層30於拋光表面41之上；步驟A42：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟A43：形成一頂電極層32於壓電層31之上；以及步驟A5：(如第1F圖所示)蝕刻犧牲磊晶結構台面60以形成一空腔40，其中空腔40係位於體聲波共振結構3之下方。其中於步驟A3當 中，絕緣層11係被研磨至使得犧牲磊晶結構台面60未露出，其中介於底電極層30以及犧牲磊晶結構台面60之間之絕緣層11形成一頻率調諧結構50，其中頻率調諧結構50具有一厚度T，體聲波共振結構3具有一共振頻率F，從而藉由調整頻率調諧結構50之厚度T，係可調諧體聲波共振結構3之共振頻率F。當頻率調諧結構50之厚度T越大，體聲波共振結構3之共振頻率F則越小。反之，當頻率調諧結構50之厚度T越小，體聲波共振結構3之共振頻率F則越大。本發明之一種形成體聲波共振器之空腔之方法其特點在於使用化合物半導體基板13，以犧牲磊晶結構28來作為犧牲層，再配合上化學機械平坦化製程研磨絕緣層11。其優點在於，有助於精確控制調整頻率調諧結構50之厚度T，亦即有助於精確調諧體聲波共振結構3之共振頻率F之大小。其中頻率調諧結構50之厚度T若太厚，則會影響到體聲波共振結構3之共振膜態，因此頻率調諧結構50之厚度T需小於1000nm。在一些較佳之實施例中，頻率調諧結構50之厚度T係等於或小於300nm。

請參閱第1G、1H圖，其係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。形成第1H圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第1F圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟A3當中，絕緣層11係被研磨至使得犧牲磊晶結構台面60露出(如第1G圖所示)；再於拋光表面41之上形成體聲波共振結構3,並蝕刻犧牲磊晶結構台面60以形成空腔40(如第1H圖所示)。其中體聲波共振結構3並不具有如第1F圖所示之頻率調諧結構50。

請參閱第1I圖，其係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之一具體實施例之磊晶結構之剖面示意圖。第1I圖之實施例之磊晶結 構之主要結構係與第1A圖所示之實施例之磊晶結構大致相同，惟，其中於化合物半導體基板13之一下表面形成一蝕刻保護層12。蝕刻保護層12之功能在於保護化合物半導體基板13之下表面，以避免製程中之蝕刻(尤其是濕蝕刻之蝕刻劑)傷害到化合物半導體基板13之下表面。其中構成蝕刻保護層12之材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO₂)、氮化鋁(AlN)以及光阻(Photoresist)。其中，構成蝕刻保護層12之較佳材料係為氮化矽(SiNx)。通常於步驟A5之後，會將蝕刻保護層12去除，以利於進行基板薄化製程。在本發明之其他所有實施例中，不論基板為一半導體基板或一化合物半導體基板，皆可應用形成蝕刻保護層12以保護半導體基板或化合物半導體基板之下表面。

請參閱第1J、1K圖，其係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。第1J圖之實施例之磊晶結構係與第1A圖所示之實施例之磊晶結構大致相同，惟，其中更包括一底蝕刻終止層20，其中底蝕刻終止層20係形成於化合物半導體基板13之上，犧牲磊晶結構28係形成於底蝕刻終止層20之上。當蝕刻犧牲磊晶結構28以形成犧牲磊晶結構台面60時，犧牲磊晶結構台面60四周之犧牲磊晶結構28被蝕刻，且蝕刻係終止於底蝕刻終止層20。而犧牲磊晶結構台面60之下則為底蝕刻終止層20。第1K圖之實施例是由第1J圖之實施例之磊晶結構所製造而成之體聲波共振器。第1K圖之實施例之主要結構係與第1F圖所示之實施例之主要結構大致相同，惟，其中更包括一底蝕刻終止層20，其中底蝕刻終止層20係形成於化合物半導體基板13之上。在步驟A2中，形成絕緣層11係形成於犧牲磊晶結構台面60以及底蝕刻終止層20之上。故，當犧牲磊晶結 構台面60於步驟A5中被蝕刻之後，空腔40亦位於底蝕刻終止層20之上。在一些實施例中，化合物半導體基板13係由砷化鎵(GaAs)所構成；犧牲磊晶結構28係由一犧牲磊晶層所構成，犧牲磊晶層係由砷化鎵(GaAs)所構成，其中犧牲磊晶層具有一厚度，係介於50nm以及5000nm之間；底蝕刻終止層20係由磷化銦鎵(InGaP)所構成，其中底蝕刻終止層20具有一厚度，係介於20nm以及500nm之間。在另一些實施例中，化合物半導體基板13係由磷化銦(InP)所構成；犧牲磊晶結構28係由一犧牲磊晶層所構成，犧牲磊晶層係由砷化銦鎵(InGaAs)所構成，其中犧牲磊晶層具有一厚度，係介於50nm以及5000nm之間；底蝕刻終止層20係由磷化銦(InP)所構成，其中底蝕刻終止層20具有一厚度，係介於20nm以及500nm之間。

請參閱第1L圖，其係為本發明一種形成體聲波共振器之空腔之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。第1L圖之實施例亦是由第1J圖之實施例之磊晶結構所製造而成之體聲波共振器。第1L圖之實施例之主要結構係與第1K圖所示之實施例之主要結構大致相同，惟，其中於步驟A3當中，絕緣層11係被研磨至使得犧牲磊晶結構台面60露出；再於拋光表面41之上形成體聲波共振結構3，並蝕刻犧牲磊晶結構台面60以形成空腔40(相似於第1G圖、第1H圖)，也因此體聲波共振結構3並不具有如第1K圖所示之頻率調諧結構50。

此外，請參閱第2A~2F圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。如第2F圖所示，此實施例之結構包括形成於一基板10之上之至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’。在此實施例中，至少 一第一體聲波共振器1係可為一串聯共振器(Series Resonator)；而至少一第二體聲波共振器1’係可為一分路共振器(Shunt Resonator)。其中至少一第一體聲波共振器1包括至少一第一體聲波共振結構3、一第一頻率調諧結構50以及至少一第一空腔40；至少一第二體聲波共振器1’包括至少一第二體聲波共振結構3’、一第二頻率調諧結構50’以及至少一第二空腔40’。本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法包括以下步驟：步驟B1：(如第2B圖所示)形成複數個犧牲結構台面於基板10之上，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，其中至少一第一犧牲結構台面6之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度，其中至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’係具有一第一高度差HD1；在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構；步驟B2：(如第2C圖所示)形成一絕緣層11於複數個犧牲結構台面以及基板10之上，其中構成絕緣層11之材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO₂)以及聚合物(Polymer)；步驟B3：(如第2D圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨絕緣層11以形成一拋光表面41；步驟B4：(如第2E圖所示)形成複數個體聲波共振結構於拋光表面41之上(在本發明之所有體聲波濾波器之實施例當中，複數個體聲波共振結構皆形成於一延伸平面43之上；而在此實施例中，延伸平面43係與拋光表面41相重合)，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’係分別位於至少一第一 犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之上方，其中步驟B4包括以下步驟：步驟B41：形成一底電極層30於拋光表面41之上；步驟B42：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟B43：形成一頂電極層32於壓電層31之上；以及步驟B5：(如第2F圖所示)蝕刻複數個犧牲結構台面以形成複數個空腔，其中複數個空腔係分別位於複數個體聲波共振結構之下，其中複數個空腔包括至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’，至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’係分別位於至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之下方。其中於步驟B3當中，絕緣層11係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’未露出，藉此位於拋光表面41之下且分別位於至少一第一體聲波共振結構3之下以及至少一第二體聲波共振結構3’之下之絕緣層11分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50以及至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’。其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，且第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1。其中由於第一頻率調諧結構50會使得至少一第一體聲波共振結構3之第一共振頻率F1降低，且第二頻率調諧結構50’會使得至少一第二體聲波共振結構3’之第二共振頻率F2降低。但由於第二頻率調諧結構50’之厚度比第一頻率調諧結構50之厚度更厚，因此使得至少一第二體聲波共振結構3’之第二共振頻率F2降低得比至少一第一體聲波共振結構3之第一共振頻率F1更低。因此，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’具有一第一共振頻率差FD1，而此第一共振頻率差FD1係與第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1相關，亦即此第 一共振頻率差FD1係與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1相關，從而藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。由於基板10之尺寸係遠大於體聲波共振器之尺寸，當進行化學機械平坦化製程研磨絕緣層11時，常會使得位於靠近基板10中心位置的絕緣層11被研磨的量與位於遠離基板10中心位置的絕緣層11被研磨的量不一樣多。然而鄰近的體聲波共振器，尤其是同一個體聲波濾波器內的複數個體聲波共振器，其相對應之絕緣層11被研磨的量是幾乎相同的。本發明之特點在於，同一個體聲波濾波器內之第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1，不會隨所在的位置是靠近基板10的中心或遠離基板10的中心而有所差異。換句話說，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，並不會隨所在的位置是靠近或遠離基板10的中心而有所差異。至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，只與第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1相關，當然亦與構成第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之材料種類相關。藉由調整第一高度差HD1，或選用不同種類的材料之第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。此外，本發明之至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，並不會隨所在的位置是靠近或遠離基板10的中心而有所差 異，是本發明的特色之一，對於稍後之修整(Trimming)製程有很大的幫助。由於一整片晶元(Wafer)上，每個區域的至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1都能精準控制，且不會隨所在之位置而改變，因此可以大幅降低修整製程所需耗費之時間成本。在一些實施例中，前述之基板10係可為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構；且其中前述步驟B1係包括以下步驟：步驟B11：(如第2A圖所示)形成一犧牲結構21於基板10之上；步驟B12：蝕刻犧牲結構21以形成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6(21)以及至少一第二犧牲結構台面6’(21)，並使得複數個犧牲結構台面具有相同之高度；以及步驟B13：(如第2B圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’或蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1。

請參閱第2G、2H圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第2H圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第2F圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟B3當中，絕緣層11係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6露出且至少一第二犧牲結構台面6’未露出(如第2G圖所示)，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之絕緣層11形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻 率調諧結構50’。如第2H圖所示，其中第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係等於第一高度差HD1。在此實施例中，並無第2F圖所示之實施例中之第一頻率調諧結構50。因此，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，係與第二頻率調諧結構50’之厚度T2相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1相關。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。

請參閱第2I圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。其中第2I圖之實施例之主要結構係與第2F圖所示之實施例大致相同，惟，其中更包括一底蝕刻終止層20，其中底蝕刻終止層20係形成於基板10之上，絕緣層11係形成於底蝕刻終止層20之上，至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’亦位於底蝕刻終止層20之上。形成第2I圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第2F圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟B11之前，更包括一形成一底蝕刻終止層20於基板之上之步驟。其中步驟B11係為形成犧牲結構21於底蝕刻終止層之上。其中在步驟B2當中，絕緣層11係形成於複數個犧牲結構台面以及底蝕刻終止層20之上。在此實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面(犧牲結構21)之材料係為一磊晶結構。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵所構成；犧牲結構21係由一犧牲磊晶層所構成，犧牲磊晶層係由砷化鎵所構成，其中犧牲磊晶層具有一厚度，係介於50nm以及5000nm之間；底蝕刻終止層20係由磷化銦鎵所構成， 其中底蝕刻終止層20具有一厚度，係介於20nm以及500nm之間。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦所構成；犧牲結構21係由一犧牲磊晶層所構成，犧牲磊晶層係由砷化銦鎵所構成，其中犧牲磊晶層具有一厚度，係介於50nm以及5000nm之間；底蝕刻終止層20係由磷化銦所構成，其中底蝕刻終止層20具有一厚度，係介於20nm以及500nm之間。

請參閱第2J圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。其中基板10係為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構。其中第2J圖之實施例之主要結構係與第2I圖所示之實施例大致相同，惟，其中於步驟B3當中，絕緣層11係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6露出且至少一第二犧牲結構台面6’未露出(相似於第2G圖)，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之絕緣層11形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’。

請參閱第2K~2N圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。其中在第2K圖所示之實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。第2K圖之實施例之磊晶結構係與第2A圖所示之實施例之磊晶結構大致相同，惟，其中犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧層23。其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第一蝕刻終止層22係形成於犧牲磊晶層27之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上。如第2L圖所示，犧牲結構21被蝕刻成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一 犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，並使得複數個犧牲結構台面具有相同之高度(步驟B12)。如第2M圖所示，其中第一精細調諧層23具有一厚度FT1。蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’之第一精細調諧層23，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1(步驟B13)。第2N圖，係緊接著進行了步驟B2、步驟B3以及步驟B4之示意圖。將第2N圖中之至少一第一犧性結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’蝕刻去除(步驟B5)，即可得如第2F圖所示之實施例。其中第一高度差HD1係由第一精細調諧層23之厚度FT1所決定，如此有助於精確調整第一高度差HD1，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵(GaAs)所構成；犧牲磊晶層27係由砷化鎵(GaAs)所構成；第一蝕刻終止層22係由砷化鋁(AlAs)或磷化銦鎵(InGaP)所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層23係由砷化鎵(GaAs)所構成，其中第一精細調諧層23之厚度FT1係介於1nm以及300nm之間。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦(InP)所構成；犧牲磊晶層27係由砷化銦鎵(InGaAs)所構成；第一蝕刻終止層22係由磷化銦(InP)所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層23係由砷化銦鎵(InGaAs)所構成，其中第一精細調諧層23之厚度FT1係介於1nm以及300nm之間。

請參閱第3A~3G圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。以本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法，形成至少一 第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’(如第3G圖所示)，包括以下步驟：步驟C1：形成複數個犧性結構台面於一基板10之上，其中複數個犧牲結構台面具有相同之高度，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構；步驟C2：(如第3A圖所示)形成一絕緣層11於複數個犧牲結構台面以及基板10之上；步驟C3：(如第3B圖所示)以一預先化學機械平坦化製程研磨絕緣層11以形成一預先拋光表面42，使得複數個犧牲結構台面露出；步驟C4：(如第3C圖所示)蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有一第一高度差HD1，其中至少一第一犧牲結構台面6之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度；步驟C5：(如第3D~3F圖所示)形成複數個體聲波共振結構，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’，其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’係分別位於至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之上方，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51：形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨層51之材料係為絕緣體，其中構成第二次研磨層51之絕緣體材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO₂)、氮化鋁(AlN)以及氧化鋅(ZnO)；步驟C52：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’未露出，藉此位 於拋光表面41之下且分別位於至少一第一體聲波共振結構3之下以及至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50以及至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，且第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1；步驟C53：形成一底電極層30於拋光表面41之上(如前述，複數個體聲波共振結構係形成於一延伸平面43之上，在此實施例中延伸平面43係與拋光表面41相重合)；步驟C54：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟C55：形成一頂電極層32於壓電層31之上；以及步驟C6：(如第3G圖所示)蝕刻複數個犧牲結構台面以形成複數個空腔，其中複數個空腔係分別位於複數個體聲波共振結構之下，其中複數個空腔包括至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’。其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’具有一第一共振頻率差FD1，第一共振頻率差FD1係與第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1相關，亦即與第一高度差HD1相關；從而藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。在一些實施例中，前述之基板10係可為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構；且其中前述步驟C1係包括以下步驟：步驟C11：形成一犧牲結構21於基板10之上；以及步驟C12：蝕刻犧牲結構21以形成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面具有相同之高度。

請參閱第3H、3I圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波 器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第3I圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3G圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中在步驟C52當中，第二次研磨層51係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6露出且至少一第二犧牲結構台面6’未露出(如第3H圖所示)，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’(如第3I圖所示)。其中第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係等於第一高度差HD1。在此實施例中，並無第3G圖所示之實施例中之第一頻率調諧結構50。因此，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，係與第二頻率調諧結構50’之厚度T2相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1相關。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。在此實施例中，構成第二次研磨層51之材料係可包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。

請參閱第3J、3K圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第3K 圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3G圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟C5當中，複數個體聲波共振結構係形成於一延伸平面43之上，其中延伸平面43係與預先拋光表面42相重合，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51’：(如第3D圖所示)形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；在一較佳之實施例中，構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：釕、鈦、鉬、鉑、金、鋁以及鎢；步驟C52’：(如第3E圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得複數個犧牲結構台面未露出；步驟C53’：(如第3J圖所示)圖形化第二次研磨層51；步驟C54’：形成一壓電層31於拋光表面41之上；以及步驟C55’：形成一頂電極層32於壓電層31之上。再進行步驟C6蝕刻去除複數個犧牲結構台面之後，即形成如第3K圖所示之實施例。其中於步驟C4當中，至少一第二犧牲結構台面6’被蝕刻。其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且位於至少一第一體聲波共振結構3之下之第二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’。其中第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係等於第一高度差HD1。藉由調整第一高度差HD1，係可 調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。

請參閱第3L圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第3L圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3G圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51”：(如第3D圖所示)形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體；步驟C52”：(如第3E圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’未露出；步驟C53”：(如第3J圖所示)圖形化第二次研磨層51；步驟C54”：形成一底電極層30於拋光表面41(延伸平面43)之上；步驟C55”：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟C56”：形成一頂電極層32於壓電層31之上。經步驟C6而形成如第3L圖所示之實施例，藉此位於拋光表面41之下且分別位於至少一第一體聲波共振結構3之下以及至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50以及至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以 及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。

在第3G圖以及第3I圖之實施例中，於步驟C2當中(如第3A圖所示)，係先形成很厚的一層絕緣層11，其中絕緣層11之厚度必須要高過複數個犧牲結構台面之高度。於步驟C3當中(如第3B圖所示)，一預先化學機械平坦化製程必須要研磨絕緣層11之厚度係至少大於或等於複數個犧牲結構台面之高度。然而化學機械平坦化製程存在一個缺點，就是當所需研磨之厚度過厚，則研磨出來之拋光表面之均勻度會變差。在此實施例中，由於所需研磨絕緣層11之厚度很厚，會使得經研磨後之預先拋光表面42之均勻度之變差。然而之後於步驟C51所形成之第二次研磨層51，其厚度則非常薄(相對於絕緣層11之厚度而言)，僅需高過第一高度差HD1。因此，於步驟C52當中之化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51之後所形成之拋光表面41，其均勻度不會變差。因此，於拋光表面41上形成至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’之底電極層30，將有助於提升至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’之共振特性。類似地，第3L圖之實施例中，亦是如此。而於第3K圖之實施例中，則是於拋光表面41上形成至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’之壓電層31，同樣地有助於提升至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’之共振特性。

前述第3G圖、第3I圖、第3K圖以及第3L圖之實施例，也可以由如類似第2K圖之磊晶結構來形成，其中基板10係為一化合物半導體基板，其中犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧層23，其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第一蝕刻終止層22 係形成於犧牲磊晶層27之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上，其中第一精細調諧層23具有一厚度FT1；其中於步驟C4當中，至少一第二犧牲結構台面6’之第一精細調諧層23被蝕刻，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1，從而第一高度差HD1係由第一精細調諧層23之厚度FT1所決定，如此有助於精確調整第一高度差HD1，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。

請參閱第4A~4D圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。形成第4D圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3G圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C4係為：(如第4A圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有一第一高度差，其中至少一第一犧牲結構台面6之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度。經步驟C51(如第4B圖所示)、步驟C52(如第4C圖所示)、步驟C53~步驟C55以及步驟C6，而形成如第4D圖所示之實施例，其中構成第二次研磨層51之材料係為絕緣體。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。

請參閱第4E、如圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之 材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第4F圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第4D圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟C52當中，(如第4E圖所示)其中第二次研磨層51係被研磨至至少使得拋光表面41(延伸平面43)係與預先拋光表面42重合或使得拋光表面41低於預先拋光表面42，且其中至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧性結構台面6’未露出。在第4F圖之實施例中，構成第二次研磨層51之材料係可包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。

請參閱第4G、4H圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第4H圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3K圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C4係為：(如第4A圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有一第一高度差，其中至少一第一犧牲結構台面6之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度；於步驟C5當中，複數個體聲波共振結構係形成於一延伸平面43之上，其中延伸平面43係與預先拋光表面42相重合；經步驟C53’：(如第4G圖所示)圖形化第二次研磨層51，以及步驟C54’、步驟C55’以及步驟C6之後(如第4H圖所示)，其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且位於至少一第一體聲波共振結構3之下之第二次研磨層51形成至少一 第一體聲波共振結構3之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且位於至少一第一體聲波共振結構3之下之第二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’；其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；在一較佳之實施例中，構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：釕、鈦、鉬、鉑、金、鋁以及鎢。

請參閱第4I圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第4I圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3L圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C4係為：(如第4A圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有一第一高度差，其中至少一第一犧牲結構台面6之一 高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度；且其中於步驟C52”當中，第二次研磨層51係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’未露出，再經步驟C53”(如第4G圖所示)圖形化第二次研磨層51，以及步驟C54”~步驟C56”以及步驟C6之後(如第4I圖所示)，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且分別位於至少一第一體聲波共振結構3之下以及至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50以及至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。在此實施例中，構成第二次研磨層51之材料係可包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。

請參閱第4J~4M圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。其中在第4J圖所示之實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。第4J圖之實施例之磊晶結構係與第2L圖所示之實施例之磊晶結構大致相同，惟，其中犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第一蝕刻終止層22、一第一精細調諧層23以及一頂蝕刻終止層26。其中步驟C1包括以下步驟：步驟C11：形成一犧牲結構21於基板10之上；以及步驟C12：蝕刻犧牲結構21以形成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面具有相同之高度，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台 面6以及至少一第二犧牲結構台面6’。其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第一蝕刻終止層22係形成於犧牲磊晶層27之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上，頂蝕刻終止層26係形成於第一精細調諧層23之上。經過步驟C2以及步驟C3之後，形成如第4K圖所示之結構。其中步驟C4包括以下步驟：步驟C41：(如第4L圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之頂蝕刻終止層26；以及步驟C42：(如第4M圖所示)蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’之第一精細調諧層23，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1。其中第一精細調諧層23具有一厚度FT1，從而第一高度差HD1係由第一精細調諧層23之厚度FT1所決定，如此有助於精確調整第一高度差HD1，亦即有助於精確調整第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。由第4M圖係可形成如第4D、4F、4H或4I圖所示之實施例。以第4M圖之磊晶結構來形成第4D、4F、4H或4I圖所示之實施例時，其中於步驟C3當中，絕緣層11係被研磨至使得複數個犧牲結構台面露出。由於實際研磨時，位於靠近基板10的中心之複數個犧牲結構台面與位於遠離基板10的中心之複數個犧性結構台面常無法同時露出。舉例來說，當位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面先露出時，為了要讓位於靠近基板10的中心之複數個犧牲結構台面也露出，則必須繼續研磨。因此會造成位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面被研磨過頭了，也因此位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度會被研磨至比位於接近基板10的中心之複數 個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度薄。為避免位於接近基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23與位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23被研磨成不一樣的厚度，係可藉由頂蝕刻終止層26，使得位於接近基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度能維持等於位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵所構成；犧牲磊晶層27係由砷化鎵所構成；第一蝕刻終止層22係由砷化鋁或磷化銦鎵所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層23係由砷化鎵所構成，其中第一精細調諧層23之厚度FT1係介於1nm以及300nm之間；頂蝕刻終止層26係由磷化銦鎵所構成，頂蝕刻終止層26具有一厚度，係介於50nm以及300nm之間。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦所構成；犧牲磊晶層27係由砷化銦鎵所構成；第一蝕刻終止層22係由磷化銦所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層23係由砷化銦鎵所構成，其中第一精細調諧層23之厚度FT1係介於1nm以及300nm之間；頂蝕刻終止層26係由磷化銦所構成，頂蝕刻終止層26具有一厚度，係介於50nm以及300nm之間。

前述以本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法所形成之至少一第一體聲波共振器1以及至少一第二體聲波共振器1’之實施例(如第2F圖、第2H圖、第2I圖、第2J圖、第3G圖、第3I圖、第3K圖、第3L圖、第4D圖、第4F圖、第4H圖以及第4I圖之實施例)皆具有一共同之特徵，其任一體聲波共振結構(3或3’)之底電極層30皆形成於一延伸平面43之上。這些實施例之共同結構包括：一絕緣層11，係形成於一基板 10之上，其中絕緣層11具有複數個空腔；複數個體聲波共振結構，複數個體聲波共振結構係分別位於複數個空腔之上，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’，複數個空腔包括至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’係分別對應於至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’，其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’具有一第一共振頻率差FD1，其中複數個體聲波共振結構之每一者包括：一底電極層30，係形成於一延伸平面43之上；一壓電層31，係形成於底電極層30之上；以及一頂電極層32，係形成於壓電層31之上；以及一可調諧頻率結構；而這些實施例之不同處在於：(1)在第2H圖，第2J圖，第3I圖以及第3K圖之實施例中，前述可調諧頻率結構包括結構A：絕緣層11具有經拋光之一上表面，延伸平面43係與絕緣層11之上表面相重合；其中至少一第二體聲波共振結構3’具有一第二頻率調諧結構50’，第二頻率調諧結構50’係形成於延伸平面43之下介於至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30以及第二空腔40’之間，其中至少一第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，厚度T2係與至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1相關；(2)在第2F圖，第2I圖，第4F圖以及第4H圖之實施例中，前述可調諧頻率結構包括結構B：絕緣層11具有經拋光之一上表面，延伸平面43係與絕緣層11之上表面相重合；其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’分別具有一第一頻率調諧結構50以及一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50係形成於延伸平面43之下介於至少一第一體聲波共振結構3之底電極 層30以及第一空腔40之間，第二頻率調諧結構50’係形成於延伸平面43之下介於至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30以及第二空腔40’之間，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係與至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1相關；(3)在第3G圖，第3L圖，第4D圖以及第4I圖之實施例中，前述可調諧頻率結構包括結構C：一第二次研磨層51係形成於絕緣層11以及複數個空腔之上，其中第二次研磨層51具有經拋光之一上表面，延伸平面43係與第二次研磨層51之上表面相重合；其中於延伸平面43之下介於至少一第一體聲波共振結構3之底電極層30以及第一空腔40之間之第二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50，其中於延伸平面43之下介於至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30以及第二空腔之間40’之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係與至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1相關。其中，在本發明之第2F圖、第2I圖、第3G圖、第3L圖、第4D圖、第4F圖、第4H圖以及第4I圖之實施例中，其共通之處在於：至少一第一體聲波共振結構3之底電極層30以及至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30係皆形成於延伸平面43之上；第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’係皆形成於延伸平面43之下。其中，在本發明之第2H圖、第2J圖、第3I圖以及第3K圖之實施例中，其共通之處在於：至少一第一體聲波共振結構3之底電極層30以及至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30係皆形 成於延伸平面43之上；第二頻率調諧結構50’係皆形成於延伸平面43之下。

請參閱第5A~5C圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第5C圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第2F圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中係形成至少一第一體聲波共振器1、至少一第二體聲波共振器1’以及至少一第三體聲波共振器1”於基板10之上；其中於步驟B1中，(如第5B圖所示)複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”；其中至少一第一犧牲結構台面6之一高度係大於至少一第二犧牲結構台面6’之一高度，其中至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’係具有一第一高度差HD1；其中至少一第一犧牲結構台面6之高度係大於至少一第三犧牲結構台面6”之一高度，其中至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”係具有一第二高度差HD2；於步驟B4當中，複數個體聲波共振結構係形成於拋光表面41(延伸平面43)之上，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”，其中至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”係分別位於至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”之上方；於步驟B5當中，蝕刻複數個犧牲結構台面以形成複數個空腔，其中複數個空腔包括至少一第一空腔40、至少一第二 空腔40’以及至少一第三空腔40”，其中至少一第一空腔40、至少一第二空腔40’以及至少一第三空腔40”係分別位於至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”之下方。其中於步驟B3當中，絕緣層11係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出，藉此位於拋光表面41之下且分別位於至少一第一體聲波共振結構3之下、至少一第二體聲波共振結構3’之下以及至少一第三體聲波共振結構3”之下之絕緣層11分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50、至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”。其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，且第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1；且其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，且第二厚度差TD2係等於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第二共振頻率差FD2。在一些實施例中，前述之基板10係可為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構；且其中前述步驟B1係包括以下步驟：步驟B11：(如第5A圖所示)形成一犧牲結構21於基板10之上；步驟B12：蝕刻犧牲結構21以形成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6(21)、至少一第二犧牲結構台面6’(21)以及至少一第三犧牲結構台面6”(21)，並 使得複數個犧牲結構台面具有相同之高度；以及步驟B13：(如第5B圖所示)蝕刻至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”或蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1，且使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”具有第二高度差HD2。

請參閱第5D圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第5D圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第5C圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟B3當中，絕緣層11係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6露出，且至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之絕緣層11形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’；且位於拋光表面41之下且位於至少一第三體聲波共振結構3”之下之絕緣層11形成至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”。其中第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係等於第一高度差HD1；其中第三頻率調諧結構50”具有一厚度T3，第三頻率調諧結構50”之厚度T3係等於第二高度差HD2。在此實施例中，並無第5C圖所示之實施例中之第一頻率調諧結構50。因此，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率 差FD1，係與第二頻率調諧結構50’之厚度T2相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1相關；至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2，係與第三頻率調諧結構50”之厚度T3相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”之第二高度差HD2相關。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1；藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。

請參閱第5E~5G圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。其中在第5E圖所示之實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。第5E~5G圖之實施例之磊晶結構係與第5A~5B圖所示之實施例之磊晶結構大致相同，惟，其中犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第二蝕刻終止層24、一第二精細調諧層25、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧層23。其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第二蝕刻終止層24係形成於犧牲磊晶層27之上，第二精細調諧層25係形成於第二蝕刻終止層24之上，第一蝕刻終止層22係形成於第二精細調諧層25之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上。如第5F圖所示，犧牲結構21被蝕刻成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”，並使得複數個犧牲結構台面具有相同之高度。如第5G圖所 示，其中第一精細調諧層23具有一厚度FT1，第一蝕刻終止層22具有一厚度ET1，第二精細調諧層25具有一厚度FT2。蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’之第一精細調諧層23，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1；蝕刻至少一第三犧牲結構台面6”之第一精細調諧層23、第一蝕刻終止層22以及第二精細調諧層25，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”具有第二高度差HD2。由第5G圖之結構，可以形成如第5C圖之實施例；其中第一高度差HD1係由第一精細調諧層23之厚度FT1所決定，如此有助於精確調整第一高度差HD1，亦即有助於精確調整第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。其中第二高度差HD2係由第一精細調諧層23之厚度FT1、第一蝕刻終止層22之厚度ET1以及第二精細調諧層25之厚度FT2所決定，如此有助於精確調整第二高度差HD2，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。由第5G圖之結構，亦可以形成如第5D圖之實施例；其中第一高度差HD1係由第一精細調諧層23之厚度FT1所決定，如此有助於精確調整第一高度差HD1，亦即有助於精確調整第二頻率調諧結構50’之厚度T2，亦即有助於精確調整至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。其中第二高度差HD2係由第一精細調諧層23之厚度FT1、第一蝕刻終止層22之厚度ET1以及第二精細調諧層25之厚度FT2所決定，如此有助於精確調整第二高度差HD2，亦即有助於精確調整第三頻率調諧結構50”之厚度T3，亦即有助於精確調整至 少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵所構成；犧牲磊晶層27係由砷化鎵所構成；第一蝕刻終止層22係由砷化鋁或磷化銦鎵所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層23係由砷化鎵所構成，其中第一精細調諧層23之厚度FT1係介於1nm以及300nm之間；第二蝕刻終止層24係由砷化鋁或磷化銦鎵所構成，其中第二蝕刻終止層24具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第二精細調諧層25係由砷化鎵所構成，其中第二精細調諧層25之厚度FT2係介於1nm以及300nm之間。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦所構成；犧牲磊晶層27係由砷化銦鎵所構成；第一蝕刻終止層22係由磷化銦所構成，其中第一蝕刻終止層22具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第一精細調諧層23係由砷化銦鎵所構成，其中第一精細調諧層23之厚度FT1係介於1nm以及300nm之間；第二蝕刻終止層24係由磷化銦所構成，其中第二蝕刻終止層24具有一厚度，係介於1nm以及50nm之間；第二精細調諧層25係由砷化銦鎵所構成，其中第二精細調諧層25之厚度FT2係介於1nm以及300nm之間。

請參閱第5H~5K圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。第5K圖所示之實施例係由第5E圖所示之磊晶結構所形成。形成第5K圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第3G圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中係形成至少一第一體聲波共振器1、至少一第二體聲波共振器1’以及至少一第三體聲波共振器1”於基板10之上；其中 步驟C1包括以下步驟：步驟C11：(如第5E圖所示)形成一犧牲結構21於基板10之上，其中犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第二蝕刻終止層24、一第二精細調諧層25、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧層23。其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第二蝕刻終止層24係形成於犧牲磊晶層27之上，第二精細調諧層25係形成於第二蝕刻終止層24之上，第一蝕刻終止層22係形成於第二精細調諧層25之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上；以及步驟C12：(如第5F圖所示)蝕刻犧牲結構21以形成複數個犧牲結構台面，其中複數個犧牲結構台面具有相同之高度，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”。經由步驟C2以及步驟C3，形成如第5H圖之結構。其中步驟C4：(如第5I圖所示)蝕刻至少一第二犧牲結構台面6’之第一精細調諧層23，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有第一高度差HD1；蝕刻至少一第三犧牲結構台面6”之第一精細調諧層23、第一蝕刻終止層22以及第二精細調諧層25，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”具有第二高度差HD2。其中第一精細調諧層23具有一厚度FT1，第一蝕刻終止層22具有一厚度ET1，第二精細調諧層25具有一厚度FT2。其中於步驟C5：形成複數個體聲波共振結構，其中複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”；其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51、步驟C52、步驟C53、步驟C54以及步驟C55。經由步驟C51以及步驟C52，形成如第5J圖之結構，其中第二次研磨層51係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以 及至少一第三犧牲結構台面6”未露出，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且分別位於至少一第一體聲波共振結構3之下、至少一第二體聲波共振結構3’之下以及至少一第一體聲波共振結構3”之下之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50、至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”。其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，且第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1。其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，且第二厚度差TD2係等於第二高度差HD2。再經由步驟C53、步驟C54、步驟C55以及步驟C6形成如第5K圖之結構，其中複數個空腔包括至少一第一空腔40、至少一第二空腔40’以及至少一第三空腔40”。其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’具有一第一共振頻率差FD1，第一共振頻率差FD1係與第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’之第一厚度差TD1相關，亦即與第一高度差HD1相關；從而藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。其中至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”具有一第二共振頻率差FD2，第二共振頻率差FD2係與第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”之第二厚度差TD2相關，亦即與第二高度差HD2相關；從而藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。其中構成第二次研磨層51之材料係為絕緣體。

請參閱第5L、5M圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。形成第5M圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第5K圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中在步驟C52當中，第二次研磨層51係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6露出，且至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出(如第5L圖所示)，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’；位於拋光表面41之下且位於至少一第三體聲波共振結構3”之下之第二次研磨層51形成至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”。如第5L圖所示，其中第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係等於第一高度差HD1；其中第三頻率調諧結構50”具有一厚度T3，第三頻率調諧結構50”之厚度T3係等於第二高度差HD2。在此實施例中，並無第5K圖所示之實施例中之第一頻率調諧結構50。因此，至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1，係與第二頻率調諧結構50’之厚度T2相關，亦即與至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’之第一高度差HD1相關。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1；且至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2，係與第三頻率調諧結構50”之厚度T3相關，亦即與至少一第一犧牲結 構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”之第二高度差HD2相關。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。在此實施例中，構成第二次研磨層51之材料係可包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。

請參閱第5N、5O圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。形成第5O圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第5K圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟C5當中，複數個體聲波共振結構係形成於一延伸平面43之上，其中延伸平面43係與預先拋光表面42相重合，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51’：形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；在一較佳之實施例中，構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：釕、鈦、鉬、鉑、金、鋁以及鎢；步驟C52’：(如第5J圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得複數個犧牲結構台面未露出；步驟C53’：(如第5N圖所示)圖形化第二次研磨層51；步驟C54’：形成一壓電層31於拋光表面41之上；以及步驟C55’：形成一頂電極層32於壓電層31之上。於步驟C6蝕刻去除複數個犧牲結構台面之後，即形成如第5O圖所示之實施例。其中於步驟C4當中，至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”被蝕刻；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且位於至少一第一體聲波共振結構3之下之第二次 研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第二頻率調諧結構50’具有一厚度T2，第二頻率調諧結構50’之厚度T2係等於第一高度差HD1；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且位於至少一第三體聲波共振結構3”之下之第二次研磨層51形成至少一第三體聲波共振結構3”之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且位於至少一第三體聲波共振結構3”之下之第二次研磨層51形成至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”，其中第三頻率調諧結構50”具有一厚度T3，第三頻率調諧結構50”之厚度T3係等於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1；藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之第二共振頻率差FD2。

請參閱第5P圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。形成第5P圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第5K圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51”：形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中基板10係為一化合物半導體基 板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構；其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體；步驟C52”：(如第5J圖所示)以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出；步驟C53”：(如第5N圖所示)圖形化第二次研磨層51；步驟C54”：形成一底電極層30於拋光表面41(延伸平面43)之上；步驟C55”：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟C56”：形成一頂電極層32於壓電層31之上。經步驟C6而形成如第5P圖所示之實施例，藉此位於拋光表面41之下且分別位於至少一第一體聲波共振結構3之下、至少一第二體聲波共振結構3’之下以及至少一第三體聲波共振結構3”之下之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50、至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”；其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1；其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，第二厚度差TD2係等於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第二共振頻率差FD2。

前述第5K圖、第5M圖、第5O圖以及第5P圖等實施例，亦可由如第5A圖之結構所形成(其中基板10係為一半導體基板；構成複數個犧 牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構)。

請參閱第6A~6C圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。其中第6A圖之結構係與第3B圖所示之結構大致相同，惟，其中複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”。形成第6C圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第4D圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中係形成至少一第一體聲波共振器1、至少一第二體聲波共振器1’以及至少一第三體聲波共振器1”；其中於步驟C1當中，複數個犧牲結構台面包括至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”；其中於步驟C4當中，至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”被蝕刻，使得至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第二犧牲結構台面6’具有一第一高度差HD1，至少一第一犧牲結構台面6以及至少一第三犧牲結構台面6”具有一第二高度差HD2(如圖6B所示)；其中於步驟C5當中，複數個體聲波共振結構包括至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”，至少一第一體聲波共振結構3、至少一第二體聲波共振結構3’以及至少一第三體聲波共振結構3”係分別位於至少一第一犧牲結構台面6之上、至少一第二犧牲結構台面6’之上以及至少一第三犧牲結構台面6”之 上；於步驟C52當中，第二次研磨層51係被研磨至使得至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出，藉此位於拋光表面41(延伸平面43)之下且分別位於至少一第一體聲波共振結構3之下、至少一第二體聲波共振結構3’之下以及至少一第一體聲波共振結構3”之下之第二次研磨層51係分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50、至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”；其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1；其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，第二厚度差TD2係等於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第二共振頻率差FD2。其中構成第二次研磨層51之材料係為絕緣體。

請參閱第6D圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第6D圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第6C圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟C52當中，第二次研磨層51係被研磨至至少使得拋光表面41(延伸平面43)係與預先拋光表面42重合或使得拋光表面41低於預先拋光表 面42，且其中至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出。在此實施例中，構成第二次研磨層51之材料係可包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體。

請參閱第6E圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之再一具體實施例之剖面示意圖。在此實施例中，基板10係可為一半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。形成第6E圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第6C圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟C5當中，複數個體聲波共振結構係形成於一延伸平面43之上，其中延伸平面43係與預先拋光表面42相重合，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51’：形成一第二次研磨層51於複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；在一較佳之實施例中，構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：釕、鈦、鉬、鉑、金、鋁以及鎢；步驟C52’：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得複數個犧牲結構台面未露出；步驟C53’：圖形化第二次研磨層51；步驟C54’：形成一壓電層31於拋光表面41之上；以及步驟C55’：形成一頂電極層32於壓電層31之上。於步驟C6蝕刻去除複數個犧牲結構台面之後，即形成如第6E圖所示之實施例。其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且位於至少一第一體聲波共振結構3之下之第二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且位於至少一第一體聲波共振結構3之下之第 二次研磨層51形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且位於至少一第二體聲波共振結構3’之下之第二次研磨層51形成至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’，其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之上、拋光表面41之下、且位於至少一第三體聲波共振結構3”之下之第二次研磨層51形成至少一第三體聲波共振結構3”之一底電極層30；其中位於預先拋光表面42(延伸平面43)之下且位於至少一第三體聲波共振結構3”之下之第二次研磨層51形成至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”，其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，第二厚度差TD2係等於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第二共振頻率差FD2。

請參閱第6F圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之又一具體實施例之剖面示意圖。形成第6F圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第6C圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中步驟C5包括以下步驟：步驟C51”：形成一第二次研磨層51於 複數個犧牲結構台面以及絕緣層11之上，其中基板10係為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面之材料係為一磊晶結構；其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及絕緣體；步驟C52”：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得至少一第一犧牲結構台面6、至少一第二犧牲結構台面6’以及至少一第三犧牲結構台面6”未露出；步驟C53”：圖形化第二次研磨層51；步驟C54”：形成一底電極層30於拋光表面41(延伸平面43)之上；步驟C55”：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟C56”：形成一頂電極層32於壓電層31之上。經步驟C6而形成如第6F圖所示之實施例，藉此位於拋光表面41之下且分別位於至少一第一體聲波共振結構3之下、至少一第二體聲波共振結構3’之下以及至少一第三體聲波共振結構3”之下之第二次研磨層51分別形成至少一第一體聲波共振結構3之一第一頻率調諧結構50、至少一第二體聲波共振結構3’之一第二頻率調諧結構50’以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第三頻率調諧結構50”；其中第一頻率調諧結構50以及第二頻率調諧結構50’具有一第一厚度差TD1，第一厚度差TD1係等於第一高度差HD1；其中第一頻率調諧結構50以及第三頻率調諧結構50”具有一第二厚度差TD2，第二厚度差TD2係等於第二高度差HD2。藉由調整第一高度差HD1，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第二體聲波共振結構3’之第一共振頻率差FD1。藉由調整第二高度差HD2，係可調諧至少一第一體聲波共振結構3以及至少一第三體聲波共振結構3”之一第二共振頻率差FD2。

前述第6C圖、第6D圖、第6E圖以及第6F圖等實施例，亦可 由如第5E圖之磊晶結構所形成，其中基板10係為一化合物半導體基板；構成犧牲結構21之材料係為一磊晶結構。

前述第5E圖中之犧牲結構21，可更包括一頂蝕刻終止層26形成於第一精細調諧層23之上(圖中未顯示)，藉此可形成第6C圖、第6D圖、第6E圖以及第6F圖等實施例。其中此頂蝕刻終止層26之功能係與第4J圖中之頂蝕刻終止層26之功能相同。為避免位於接近基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23與位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23被研磨成不一樣的厚度，係可藉由頂蝕刻終止層26，使得位於接近基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度能維持等於位於遠離基板10的中心之複數個犧牲結構台面之第一精細調諧層23之厚度。

在本發明之第5C圖、第5K圖、第5P圖、第6C圖、第6D圖、第6E圖以及第6F圖之實施例中，其共通之處在於：至少一第一體聲波共振結構3之底電極層30、至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30以及至少一第一體聲波共振結構3”之底電極層30係皆形成於延伸平面43之上；第一頻率調諧結構50、第二頻率調諧結構50’以及第一頻率調諧結構50”係皆形成於延伸平面43之下。在本發明之第5D圖、第5M圖以及第5O圖之實施例中，其共通之處在於：至少一第一體聲波共振結構3之底電極層30、至少一第二體聲波共振結構3’之底電極層30以及至少一第一體聲波共振結構3”之底電極層30係皆形成於延伸平面43之上；第二頻率調諧結構50’以及第一頻率調諧結構50”係皆形成於延伸平面43之下。

前述第3G圖、第3I圖、第3K圖、第3L圖、第4D圖、第4F圖、 第4H圖、第4I圖、第5C圖、第5D圖、第5K圖、第5M圖、第5O圖、第5P圖、第6C圖、第6D圖、第6E圖以及第6F圖之實施例，皆可如第2I圖或第2J圖之實施例般，更包括一底蝕刻終止層20，其中底蝕刻終止層20係形成於基板10之上，絕緣層11係形成於底蝕刻終止層20之上，至少一第一空腔40以及至少一第二空腔40’亦位於底蝕刻終止層20之上。其中基板10係為一化合物半導體基板；構成複數個犧牲結構台面(犧牲結構21)之材料係為一磊晶結構。

請參閱第6G圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之一具體實施例之局部放大剖面示意圖。第6G圖之結構係為本發明之第1F圖、第1K圖、第2F圖、第2I圖以及第5C圖之實施例之局部放大剖面示意圖。其中體聲波共振結構3之底金屬層30在邊緣處係可以較為平緩的方式緩緩變薄，如此在底金屬層30之邊緣處附近之壓電層31之結晶能維持較好之狀態，不至於產生結晶裂痕或斷裂之現象。因此，第6G圖之結構中，底金屬層30在邊緣處係以較為平緩的方式緩緩變薄，係為一較佳之實施例。在本發明之其他實施例中，體聲波共振結構3(或體聲波共振結構3’、或體聲波共振結構3”)之底金屬層30之邊緣處，亦具有類似第6G圖之結構，底金屬層30係以較為平緩的方式緩緩變薄。請參閱第6H圖，其係為本發明一種用於調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法之另一具體實施例之局部放大剖面示意圖。第6H圖之結構係為本發明之第3L圖以及第5P圖之實施例之局部放大剖面示意圖。其中除了體聲波共振結構3之底金屬層30在邊緣處係以較為平緩的方式緩緩變薄之外，第二次研磨層51在邊緣處也以較為平緩的方式緩緩變薄。在本發明之第4I圖以及第6F圖之實施例中，第二次研磨層51在邊緣處也可以較為平緩的方式緩緩變薄。

在本發明之實施例當中，頻率調諧結構50(或頻率調諧結構50’、或頻率調諧結構50”)之厚度若太厚，會影響到體聲波共振結構3(或體聲波共振結構3’、或體聲波共振結構3”)之共振膜態，因此頻率調諧結構50(或頻率調諧結構50’、或頻率調諧結構50”)之厚度需小於1000nm。在一些較佳之實施例中，頻率調諧結構50(或頻率調諧結構50’、或頻率調諧結構50”)之厚度係等於或小於300nm。

本發明更提供一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法。請參閱第7A~7C圖，其係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器1之製造方法包括以下步驟：步驟D1：形成一犧牲結構台面6於一基板10之上，其中犧牲結構台面6係分成複數個區部(7)，複數個區部(7)包括一中央區部70以及一邊緣區部71，其中犧牲結構台面6之邊緣區部71係環繞著犧牲結構台面6之中央區部70之周圍，其中犧牲結構台面6之邊緣區部71具有一寬度X1；步驟D2：蝕刻犧牲結構台面6使得犧牲結構台面6之複數個區部(7)之任兩相鄰者具有不同之高度(犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71具有一高度差Y1)，其中犧牲結構台面6之一最高區部(在此實施例中係為中央區部70)具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面44係與最高台面頂表面重合(請參閱第7A圖)；步驟D3：形成一絕緣層11於犧牲結構台面6以及基板10之上，其中構成絕緣層11之材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化矽(SiN_x)、氧化矽(SiO₂)以及聚合物(Polymer)；步驟D4：以一化學機械平坦化製程研磨絕緣層11以形成一拋光表面41(請參閱第7B圖)，其中犧牲結構台面6 之複數個區部(7)具有一幾何構形；步驟D5：形成一體聲波共振結構3於拋光表面41之上，其中體聲波共振結構3係位於犧牲結構台面6之上方，其中步驟D5包括以下步驟：步驟D51：形成一底電極層30於拋光表面41之上；步驟D52：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟D53：形成一頂電極層32於壓電層31之上；以及步驟D6：蝕刻犧牲結構台面6以形成一空腔40，其中空腔40係位於體聲波共振結構3之下方(請參閱第7C圖)；其中在步驟D4中，絕緣層11係被研磨至使得犧牲結構台面6未露出，其中位於體聲波共振結構3之下、空腔40之上，且介於拋光表面41以及台面頂延伸平面44之間之絕緣層11形成一頻率調諧結構，其中頻率調諧結構具有一厚度T，其中位於體聲波共振結構3之下且介於台面頂延伸平面44以及空腔40之間之絕緣層11形成一質量調整結構8。在此實施例中，質量調整結構8包括一邊緣質量調整結構81。其中邊緣質量調整結構81係位於相對應於犧牲結構台面6之邊緣區部71之位置。邊緣質量調整結構81之一寬度(X1)係等於犧牲結構台面6之邊緣區部71之寬度X1。邊緣質量調整結構81之一厚度(Y1)係等於犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71之高度差Y1。藉由形成質量調整結構8，使得由體聲波共振器1之體聲波共振結構3之頂電極層32、壓電層31以及底電極層30所形成之一聲波共振膜之周邊之邊界條件改變。由於體聲波共振結構3之周邊之邊界條件改變，當入射波於體聲波共振結構3之周邊反射時，反射波與入射波之比例會有所改變。犧牲結構台面6之複數個區部(7)之幾何構形係相關於質量調整結構8之一幾何構形；從而藉由設計及調整犧牲結構台面6之複數個區部(7)之幾何構形之一尺寸以調整質量調整結構8之幾何構形之一尺寸(在此實施例中，例如設計及調整邊緣 質量調整結構81之厚度Y1或寬度X1)，以調整反射波與入射波之比例，使得體聲波共振器1之一品質因子(Q Factor)有效地增強；同時，有效地抑制體聲波共振器1之寄生模態(Spurious Mode)。此外，在此實施例中，絕緣層11係可有效地增強體聲波共振結構3之機械結構強度。因此，可避免當體聲波共振結構3受應力之影響向下彎曲而接觸到基板10而影響到體聲波共振器1之特性。此外，增強體聲波共振器1之體聲波共振結構3之機械結構強度可避免體聲波共振器1之體聲波共振結構3崩塌。在一些實施例中，基板10係為一半導體基板，其中構成犧牲結構台面6之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。

在一些其他實施例中，基板10係為一化合物半導體基板。其中步驟D1包括以下步驟：步驟D11：形成一犧牲結構21於基板10之上；以及步驟D12：蝕刻犧牲結構21以形成犧牲結構台面6。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵所構成，犧牲結構21包括一砷化鎵層。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦所構成，犧牲結構21包括一砷化銦鎵層。在一些實施例中，犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧層23，其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第一蝕刻終止層22係形成於犧牲磊晶層27之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上(請參閱第2K圖)。犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71之高度差Y1係由第一精細調諧層23之一厚度所決定。因此，有助於精確調整邊緣質量調整結構81之厚度(Y1)，從而精確地增強體聲波共振器1之品質因子；同時，精確地抑制體聲波共振器1之寄生模態。

請參閱第7D~7E圖，其係為本發明一種具有質量調整結構 之體聲波共振器之製造方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。形成第7E圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第7C圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟D4當中，絕緣層11係被研磨至使得犧牲結構台面6露出(請參閱第7D圖)，其中位於體聲波共振結構3之下且介於拋光表面41以及空腔40之間之絕緣層11形成一質量調整結構8(請參閱第7E圖)。犧牲結構台面6之複數個區部(7)之幾何構形係相關於質量調整結構8之一幾何構形；從而藉由調整犧牲結構台面6之複數個區部(7)之幾何構形以調整質量調整結構8之幾何構形，使得體聲波共振器1之一品質因子有效地增強；同時，有效地抑制體聲波共振器1之寄生模態。在此實施例中，質量調整結構8包括一邊緣質量調整結構81。其中邊緣質量調整結構81係位於相對應於犧牲結構台面6之邊緣區部71之位置。邊緣質量調整結構81之一寬度(X1)係等於犧牲結構台面6之邊緣區部71之寬度X1。絕緣層11係被研磨至使得犧牲結構台面6露出，並使得拋光表面41與台面頂延伸平面44重合或使得拋光表面41低於台面頂延伸平面44，因此邊緣質量調整結構81之一厚度(Y1’)係等於或小於犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71之高度差Y1。

本發明更提供一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法。請參閱第7F~7H圖，其係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器1之製造方法包括以下步驟：步驟E1：形成一犧牲結構台面6於一基板10之上；步驟E2：形成一絕緣層11於犧牲結構台面6以及基板10之上，其中構成絕緣層11之材料係包括選自以下群組之 至少一者：氮化矽(SiN_x)、氧化矽(SiO₂)以及聚合物(Polymer)；步驟E3：以一預先化學機械平坦化製程研磨絕緣層11以形成一預先拋光表面42，使得犧牲結構台面6露出，其中犧牲結構台面6係分成複數個區部(7)，複數個區部(7)包括一中央區部70以及一邊緣區部71，其中犧牲結構台面6之邊緣區部71係環繞著犧牲結構台面6之中央區部70之周圍，其中犧牲結構台面6之邊緣區部71具有一寬度X1(步驟E1、步驟E2以及步驟E3係類似於第3A圖以及第3B圖中僅有一個犧牲結構台面6之實施例之步驟類似)；步驟E4：蝕刻犧牲結構台面6使得犧牲結構台面6之複數個區部(7)之任兩相鄰者具有不同之高度(犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71具有一高度差Y1)，其中犧牲結構台面6之一最高區部(在此實施例中係為中央區部70)具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面44係與最高台面頂表面重合，其中台面頂延伸平面44係與預先拋光表面42重合，其中犧牲結構台面6之複數個區部(7)具有一幾何構形(請參閱第7F圖)；步驟E5：形成一體聲波共振結構3，其中體聲波共振結構3係位於犧牲結構台面6之上方，其中步驟E5包括以下步驟：步驟E51：形成一第二次研磨層51於犧牲結構台面6以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨層51之材料係為絕緣體；在一較佳之實施例中，其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO₂)、氮化鋁(AlN)以及聚合物(Polymer)，其中聚合物係可包括苯并環丁烷(BCB：Benzo Cyclobutane)；步驟E52：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得犧牲結構台面6未露出(請參閱第7G圖)；步驟E53：形成一底電極層30於拋光表面41之上；步驟E54：形成一壓電層31於底電極層30之上；以及步驟E55：形 成一頂電極層32於壓電層31之上；以及步驟E6：蝕刻犧牲結構台面6以形成一空腔40(請參閱第7H圖)，其中空腔40係位於體聲波共振結構3之下方；其中位於體聲波共振結構3之下、空腔40之上，且介於拋光表面41以及台面頂延伸平面44之間之第二次研磨層51形成一頻率調諧結構，其中頻率調諧結構具有一厚度T，其中位於體聲波共振結構3之下且介於台面頂延伸平面44以及空腔40之間之第二次研磨層51形成一質量調整結構8。犧牲結構台面6之複數個區部(7)之幾何構形係相關於質量調整結構8之一幾何構形；從而藉由調整犧牲結構台面6之複數個區部(7)之幾何構形以調整質量調整結構8之幾何構形，使得體聲波共振器1之一品質因子有效地增強；同時，有效地抑制體聲波共振器1之寄生模態。在此實施例中，質量調整結構8包括一邊緣質量調整結構81。其中邊緣質量調整結構81係位於相對應於犧牲結構台面6之邊緣區部71之位置。邊緣質量調整結構81之一寬度(X1)係等於犧牲結構台面6之邊緣區部71之寬度X1。邊緣質量調整結構81之一厚度(Y1)係等於犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71之高度差Y1。在一些實施例中，基板10係為一半導體基板，其中構成犧牲結構台面6之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。

在一些其他實施例中，基板10係為一化合物半導體基板。其中步驟E1包括以下步驟：步驟E11：形成一犧牲結構21於基板10之上；以及步驟E12：蝕刻犧牲結構21以形成犧牲結構台面6。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵所構成，犧牲結構21包括一砷化鎵層。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦所構成，犧牲結構21包括一砷化銦鎵層。在一些實施例中，犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧 層23，其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第一蝕刻終止層22係形成於犧牲磊晶層27之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上(請參閱第2K圖)。犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71之高度差Y1係由第一精細調諧層23之一厚度所決定。因此，有助於精確調整邊緣質量調整結構81之厚度(Y1)，從而精確地增強體聲波共振器1之品質因子；同時，精確地抑制體聲波共振器1之寄生模態。

請參閱第7I~7K圖，其係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。形成第7K圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第7H圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟E4當中，犧牲結構台面6係被蝕刻使得犧牲結構台面6之複數個區部(7)之任兩相鄰者具有不同之高度(犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71具有一高度差Y1)，其中犧牲結構台面6之一最高區部(在此實施例中係為中央區部70)具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面44係與最高台面頂表面重合，其中台面頂延伸平面44係低於預先拋光表面42，其中犧牲結構台面6之複數個區部(7)具有一幾何構形(請參閱第7I圖)。經步驟E52之後，形成如第7J圖所示之結果。於步驟E6之後，其中位於體聲波共振結構3之下、空腔40之上，且介於拋光表面41以及台面頂延伸平面44之間之第二次研磨層51形成一頻率調諧結構，其中頻率調諧結構具有一厚度T，其中位於體聲波共振結構3之下且介於台面頂延伸平面44以及空腔40之間之第二次研磨層51形成一質量調整結構8(請參閱第7K圖)。

本發明更提供一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製 造方法。請參閱第7L~7M圖，其係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器1之製造方法包括以下步驟：步驟F1：形成一犧牲結構台面6於一基板10之上；步驟F2：形成一絕緣層11於犧牲結構台面6以及基板10之上，其中構成絕緣層11之材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化矽(SiN_x)、氧化矽(SiO₂)以及聚合物(Polymer)；步驟F3：以一預先化學機械平坦化製程研磨絕緣層11以形成一預先拋光表面42，使得複數個犧牲結構台面6露出，其中犧牲結構台面6係分成複數個區部(7)，複數個區部(7)包括一中央區部70以及一邊緣區部71，其中犧牲結構台面6之邊緣區部71係環繞著犧牲結構台面6之中央區部70之周圍，其中犧牲結構台面6之邊緣區部71具有一寬度X1(步驟F1、步驟F2以及步驟F3係類似於第3A圖以及第3B圖中僅有一個犧牲結構台面6之實施例之步驟類似)；步驟F4：蝕刻犧牲結構台面6使得犧牲結構台面6之複數個區部(7)之任兩相鄰者具有不同之高度(犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71具有一高度差Y1)，其中犧性結構台面6之一最高區部(在此實施例中係為中央區部70)具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面44係與最高台面頂表面重合，其中台面頂延伸平面44係與預先拋光表面42重合，其中犧牲結構台面6之複數個區部(7)具有一幾何構形(請參閱第7F圖)；步驟F5：形成一體聲波共振結構3，其中體聲波共振結構3係位於犧牲結構台面6之上方，其中步驟F5包括以下步驟：步驟F51：形成一第二次研磨層51於犧牲結構台面6以及絕緣層11之上，其中構成第二次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；在一較佳之實施例中，其中構成第二 次研磨層51之材料係包括選自以下群組之至少一者：釕(Ru)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、金(Au)、鋁(Al)以及鎢(W)；步驟F52：以一化學機械平坦化製程研磨第二次研磨層51以形成一拋光表面41，使得犧牲結構台面6未露出(請參閱第7G圖)；步驟F53：圖形化第二次研磨層51(請參閱第7L圖)；步驟F54：形成一壓電層31於第二次研磨層51之拋光表面41以及絕緣層11之預先拋光表面42之上；以及步驟F55：形成一頂電極層32於壓電層31之上；以及步驟F6：蝕刻犧牲結構台面6以形成一空腔40，其中空腔40係位於體聲波共振結構3之下方；其中位於壓電層31之下、空腔40之上，且介於拋光表面41以及台面頂延伸平面44之間之第二次研磨層51形成體聲波共振結構3之一底電極層30；其中位於體聲波共振結構3之下且介於台面頂延伸平面44以及空腔40之間之第二次研磨層51形成一質量調整結構8(請參閱第7M圖)。犧牲結構台面6之複數個區部(7)之幾何構形係相關於質量調整結構8之一幾何構形；從而藉由調整犧牲結構台面6之複數個區部(7)之幾何構形以調整質量調整結構8之幾何構形，使得體聲波共振器1之一品質因子有效地增強；同時，有效地抑制體聲波共振器1之寄生模態。在此實施例中，質量調整結構8包括一邊緣質量調整結構81。其中邊緣質量調整結構81係位於相對應於犧牲結構台面6之邊緣區部71之位置。邊緣質量調整結構81之一寬度(X1)係等於犧牲結構台面6之邊緣區部71之寬度X1。邊緣質量調整結構81之一厚度(Y1)係等於犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71之高度差Y1。在一些實施例中，基板10係為一半導體基板，其中構成犧牲結構台面6之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。

在一些其他實施例中，基板10係為一化合物半導體基板。其中步驟F1包括以下步驟：步驟F11：形成一犧牲結構21於基板10之上；以及步驟F12：蝕刻犧牲結構21以形成犧牲結構台面6。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵所構成，犧牲結構21包括一砷化鎵層。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦所構成，犧牲結構21包括一砷化銦鎵層。在一些實施例中，犧性結構21包括一犧牲磊晶層27、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧層23，其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第一蝕刻終止層22係形成於犧牲磊晶層27之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上(請參閱第2K圖)。犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71之高度差Y1係由第一精細調諧層23之一厚度所決定。因此，有助於精確調整邊緣質量調整結構81之厚度(Y1)，從而精確地增強體聲波共振器1之品質因子；同時，精確地抑制體聲波共振器1之寄生模態。

請參閱第7N~7O圖，其係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之另一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。形成第7O圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第7M圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟F4當中，犧牲結構台面6係被蝕刻使得犧牲結構台面6之複數個區部(7)之任兩相鄰者具有不同之高度(犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之邊緣區部71具有一高度差Y1)，其中犧牲結構台面6之一最高區部(在此實施例中係為中央區部70)具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面44係與最高台面頂表面重合，其中台面頂延伸平面44係低於預先拋光表面42，其中犧牲結構台面6之複數個區部(7)具有一幾何構形(請參閱第7I圖)。經步驟F52之後，形成如第7J圖所示 之結果。經步驟F53之後，形成如第7N圖所示之結果。於步驟F6之後，其中位於壓電層31之下、空腔40之上，且介於拋光表面41以及台面頂延伸平面44之間之第二次研磨層51形成體聲波共振結構3之一底電極層30，其中位於體聲波共振結構3之下且介於台面頂延伸平面44以及空腔40之間之第二次研磨層51形成一質量調整結構8(請參閱第7O圖)。

請參閱第7P~7Q圖，其係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之一具體實施例之製程步驟之剖面示意圖。形成第7Q圖所示之實施例之主要製程步驟係與形成第7C圖所示之實施例之製程步驟大致相同，惟，其中於步驟D1當中，複數個區部(7)包括一中央區部70以及一第一邊緣區部71以及一第二邊緣區部72，其中犧牲結構台面6之第二邊緣區部72係環繞著犧牲結構台面6之中央區部70之周圍，其中犧牲結構台面6之第一邊緣區部71係環繞著第二邊緣區部72之周圍，犧牲結構台面6之第二邊緣區部72係位於犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之第一邊緣區部71之間。其中犧牲結構台面6之第一邊緣區部71具有一寬度X1；犧牲結構台面6之第二邊緣區部72具有一寬度X2；其中在步驟D2中，犧牲結構台面6係被蝕刻使得犧牲結構台面6之複數個區部(7)之任兩相鄰者具有不同之高度(亦即，兩相鄰之犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之第二邊緣區部72具有不同之高度；且兩相鄰之犧牲結構台面6之第二邊緣區部72以及犧牲結構台面6之第一邊緣區部71具有不同之高度)，其中犧牲結構台面6之一最高區部(在此實施例中係為中央區部70)具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面44係與最高台面頂表面重合，其中犧牲結構台面6之中央區部70(最高區部)以及犧牲結構台面6之第二邊緣區部72 具有一高度差Y2，其中犧牲結構台面6之中央區部70(最高區部)以及犧牲結構台面6之第一邊緣區部71具有一高度差Y1，其中犧牲結構台面6之複數個區部(7)具有一幾何構形(請參閱第7P圖)；其中在步驟D4中，絕緣層11係被研磨至使得犧牲結構台面6未露出，其中位於體聲波共振結構3之下、空腔40之上，且介於拋光表面41以及台面頂延伸平面44之間之絕緣層11形成一頻率調諧結構，其中頻率調諧結構具有一厚度T，其中位於體聲波共振結構3之下且介於台面頂延伸平面44以及空腔40之間之絕緣層11形成一質量調整結構8(請參閱第7Q圖)。犧牲結構台面6之複數個區部(7)之幾何構形係相關於質量調整結構8之一幾何構形；從而藉由調整犧牲結構台面6之複數個區部(7)之幾何構形以調整質量調整結構8之幾何構形，使得體聲波共振器1之一品質因子有效地增強；同時，有效地抑制體聲波共振器1之寄生模態。在此實施例中，質量調整結構8包括一第一邊緣質量調整結構81以及一第二邊緣質量調整結構82。其中第一邊緣質量調整結構81係位於相對應於犧牲結構台面6之第一邊緣區部71之位置；而第二邊緣質量調整結構82係位於相對應於犧牲結構台面6之第二邊緣區部72之位置。第一邊緣質量調整結構81之一寬度(X1)係等於犧牲結構台面6之第一邊緣區部71之寬度X1；而第二邊緣質量調整結構82之一寬度(X2)係等於犧牲結構台面6之第二邊緣區部72之寬度X2。第一邊緣質量調整結構81之一厚度(Y1)係等於犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之第一邊緣區部71之高度差Y1；而第二邊緣質量調整結構82之一厚度(Y2)係等於犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之第二邊緣區部72之高度差Y2。在一些實施例中，基板10係為一半導體基板，其中構成犧牲結構台面6之材料係包括選自以下群組之至 少一者：金屬、合金以及磊晶結構。

在一些其他實施例中，基板10係為一化合物半導體基板。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵所構成，犧牲結構21包括一砷化鎵層。在另一些實施例中，基板10係由磷化銦所構成，犧牲結構21包括一砷化銦鎵層。在一些實施例中，犧牲結構21包括一犧牲磊晶層27、一第二蝕刻終止層24、一第二精細調諧層25、一第一蝕刻終止層22以及一第一精細調諧層23，其中犧牲磊晶層27係形成於基板10之上，第二蝕刻終止層24係形成於犧牲磊晶層27之上，第二精細調諧層25係形成於第二蝕刻終止層24之上，第一蝕刻終止層22係形成於第二精細調諧層25之上，第一精細調諧層23係形成於第一蝕刻終止層22之上(請參閱第5E圖)。犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之第一邊緣區部71之高度差Y1係由第一精細調諧層23之一厚度、第一蝕刻終止層22之一厚度以及第二精細調諧層25之一厚度所決定；而犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之第二邊緣區部72之高度差Y2係由第一精細調諧層23之厚度所決定。因此，有助於精確調整第一邊緣質量調整結構81之厚度(Y1)以及第二邊緣質量調整結構82之厚度(Y2)，從而精確地增強體聲波共振器1之品質因子；同時，精確地抑制體聲波共振器1之寄生模態。

在一些實施例中，犧牲結構台面6之第一邊緣區部71具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面44係與最高台面頂表面重合，其中兩相鄰之犧性結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之第二邊緣區部72具有不同之高度；且兩相鄰之犧牲結構台面6之第二邊緣區部72以及犧牲結構台面6之第一邊緣區部71具有不同之高度。質量調整結構8包括一中央 質量調整結構以及一第二邊緣質量調整結構82(圖中未顯示)。在另一些實施例中，犧牲結構台面6之第二邊緣區部72具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面44係與最高台面頂表面重合，其中兩相鄰之犧牲結構台面6之中央區部70以及犧牲結構台面6之第二邊緣區部72具有不同之高度；且兩相鄰之犧牲結構台面6之第二邊緣區部72以及犧牲結構台面6之第一邊緣區部71具有不同之高度。質量調整結構8包括一中央質量調整結構以及一第一邊緣質量調整結構81(圖中未顯示)。一般而言，在第7E、7H、7K、7M以及7O圖之實施例中之質量調整結構8係可製造形成類似如第7Q圖之實施例中之質量調整結構8。

請參閱第7R圖，其係為本發明一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法之一具體實施例之剖面示意圖。第7R圖所示之實施例之主要結構係與第7C圖所示之實施例之結構大致相同，惟，其更包括一底蝕刻終止層20，其中底蝕刻終止層20係形成於基板10之上，絕緣層11係形成於底蝕刻終止層20之上。在步驟D6中，蝕刻犧牲結構台面6之向下方向之蝕刻係終止於底蝕刻終止層20。在另一些實施例中，基板10係為一化合物半導體基板。在一些實施例中，基板10係由砷化鎵(GaAs)所構成；犧牲結構21包括一砷化鎵層；底蝕刻終止層20係由磷化銦鎵(InGaP)所構成。在其他一些實施例中，基板10係由磷化銦(InP)所構成；犧牲結構21包括砷化銦鎵(InGaAs)層；底蝕刻終止層20係由磷化銦所構成。一般而言，在第7E、7H、7K、7M、7O以及7Q圖之實施例中，係可如第7R圖之實施例所示更包括一底蝕刻終止層20。

請參閱第7S圖，其係為本發明一種具有質量調整結構之體聲 波共振器之製造方法之一具體實施例之電極形狀俯視示意圖。在第7S圖之實施例中，其主要結構包括一空腔40、一底電極層30、一壓電層31、一頂電極層32、一第一邊緣質量調整結構81以及一第二邊緣質量調整結構82。其中第7Q圖之剖面示意圖係沿著第7S圖之剖面線a-a’而來。空腔40係位於底電極層30之下方。壓電層31係形成於底電極層30之上。頂電極層32係形成於壓電層31之上。第7S圖之實施例之電極形狀俯視示意圖係為本發明之一種具有質量調整結構之體聲波共振器之形狀之一個例子。本發明之一種具有質量調整結構之體聲波共振器之形狀係可為各種樣態，並不受此實施例之限制。其中第7C、7E、7H、7K、7M、7O或7R圖之實施例之電極形狀俯視示意圖係可與第7S圖之實施例相似，或可為其他各種樣態。

頂電極層32之一寬度之一變異也是可能改變體聲波共振結構3之周邊之邊界條件。因此，本發明係可結合調整質量調整結構8以及調整體聲波共振結構3之頂電極層32之寬度使得體聲波共振器1之品質因子有效地增強；同時，有效地抑制體聲波共振器1之寄生模態。在一些實施例中，例如第7C、7E、7H、7K、7M、7O、7Q或7R圖之實施例，體聲波共振結構3之頂電極層32之寬度係等於或小於空腔40之一寬度。在其他一些實施例中，體聲波共振結構3之頂電極層32之寬度係等於或小於犧牲結構台面6之中央區部70之一寬度。

在一些實施例中，構成質量調整結構8之材料係可為金屬材料或絕緣材料。其中金屬材料係包括選自以下群組之至少一者：鈦(Ti)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、鋁(Al)、金(Au)、鎢(W)以及釕(Ru)。其中絕緣材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮化鋁(aluminum nitride)以及聚合物(polymer)。其中聚合物係可包括苯并環丁烷(BCB：Benzo Cyclobutane)。在一些實施例中，構成質量調整結構8之材料係可為前述材料之組合。例如，構成質量調整結構8之材料係可為前述之金屬材料之組合。

在本發明之實施例中，構成底電極層30之材料係包括選自以下群組之至少一者：鈦(Ti)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、鋁(Al)、金(Au)、鎢(W)以及釕(Ru)。構成頂電極層32之材料係包括選自以下群組之至少一者：鈦(Ti)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、鋁(Al)、金(Au)、鎢(W)以及釕(Ru)。在本發明之一些實施例中，構成壓電層31之材料係包括氮化鋁(aluminum nitride)。在本發明之一些實施例中，構成壓電層31之材料係包括鈧(Sc)摻雜之氮化鋁(aluminum nitride)。在本發明之其他一些實施例中，構成壓電層31之材料係包括氧化鋅(Zinc Oxide)。

以上所述乃是本發明之具體實施例及所運用之技術手段，根據本文的揭露或教導可衍生推導出許多的變更與修正，仍可視為本發明之構想所作之等效改變，其所產生之作用仍未超出說明書及圖式所涵蓋之實質精神，均應視為在本發明之技術範疇之內，合先陳明。

綜上所述，依上文所揭示之內容，本發明確可達到發明之預期目的，提供一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，極具產業上利用之價植，爰依法提出發明專利申請。

Claims (18)

1. 一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，包括以下步驟：步驟D1：形成一犧牲結構台面於一基板之上，其中該犧牲結構台面係分成複數個區部；步驟D2：蝕刻該犧性結構台面使得該犧牲結構台面之該複數個區部之任兩相鄰者具有不同之高度，其中該犧牲結構台面之一最高區部具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面係與該最高台面頂表面重合；步驟D3：形成一絕緣層於該犧牲結構台面以及該基板之上；步驟D4：以一化學機械平坦化製程研磨該絕緣層以形成一拋光表面；步驟D5：形成一體聲波共振結構於該拋光表面之上，其中該體聲波共振結構係位於該犧牲結構台面之上方，其中該步驟D5包括以下步驟：步驟D51：形成一底電極層於該拋光表面之上；步驟D52：形成一壓電層於該底電極層之上；以及步驟D53：形成一頂電極層於該壓電層之上；以及步驟D6：蝕刻該犧性結構台面以形成一空腔，其中該空腔係位於該體聲波共振結構之下方；其中在該步驟D4中，(1)該絕緣層係被研磨至使得該犧牲結構台面未露出，其中位於該體聲波共振結構之下、該空腔之上，且介於該拋光表面以及該台面頂延伸平面之間之該絕緣層形成一頻率調諧結構，其中位於該體聲波共振結構之下且介於該台面頂延伸平面以及該空腔之 間之該絕緣層形成一質量調整結構；或(2)該絕緣層係被研磨至使得該犧牲結構台面露出，其中位於該體聲波共振結構之下且介於該拋光表面以及該空腔之間之該絕緣層形成一質量調整結構。
2. 如申請專利範圍第1項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中於該步驟D4之後，該犧牲結構台面之該複數個區部具有一幾何構形；其中該犧牲結構台面之該幾何構形係相關於該質量調整結構之一幾何構形；從而藉由調整該犧牲結構台面之該幾何構形以調整該質量調整結構之該幾何構形，以增強該體聲波共振器之一品質因子。
3. 如申請專利範圍第1項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中該基板係為一半導體基板，其中構成該犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。
4. 如申請專利範圍第3項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中該基板係為一化合物半導體基板，其中該步驟D1包括以下步驟：步驟D11：形成一犧牲結構於該基板之上；以及步驟D12：蝕刻該犧牲結構以形成該犧牲結構台面。
5. 如申請專利範圍第4項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中(1)該基板係由砷化鎵所構成，該犧牲結構包括一砷化鎵層；或(2)該基板係由磷化銦所構成，該犧牲結構包括一砷化銦鎵層。
6. 如申請專利範圍第5項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其更包括以下之一步驟：形成一底蝕刻終止層於該基板之上，其中該犧牲結構係形成於該底蝕刻終止層之上；其中(1)該底蝕刻終止層係 由磷化銦鎵所構成；或(2)該底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。
7. 一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，包括以下步驟：步驟E1：形成一犧牲結構台面於一基板之上；步驟E2：形成一絕緣層於該犧牲結構台面以及該基板之上；步驟E3：以一預先化學機械平坦化製程研磨該絕緣層以形成一預先拋光表面，使得該犧牲結構台面露出，其中該犧牲結構台面係分成複數個區部；步驟E4：蝕刻該犧牲結構台面使得該犧牲結構台面之該複數個區部之任兩相鄰者具有不同之高度，其中該犧牲結構台面之一最高區部具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面係與該最高台面頂表面重合；步驟E5：形成一體聲波共振結構，其中該體聲波共振結構係位於該犧牲結構台面之上方，其中該步驟E5包括以下步驟：步驟E51：形成一第二次研磨層於該犧牲結構台面以及該絕緣層之上，其中構成該第二次研磨層之材料係為絕緣體；步驟E52：以一化學機械平坦化製程研磨該第二次研磨層以形成一拋光表面，使得該犧牲結構台面未露出；步驟E53：形成一底電極層於該拋光表面之上；步驟E54：形成一壓電層於該底電極層之上；以及步驟E55：形成一頂電極層於該壓電層之上；以及步驟E6：蝕刻該犧牲結構台面以形成一空腔，其中該空腔係位於該體聲波共振結構之下方； 其中位於該體聲波共振結構之下、該空腔之上，且介於該拋光表面以及該台面頂延伸平面之間之該第二次研磨層形成一頻率調諧結構，其中位於該體聲波共振結構之下且介於該台面頂延伸平面以及該空腔之間之該第二次研磨層形成一質量調整結構。
8. 如申請專利範圍第7項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中於該步驟E52之後，該犧牲結構台面之該複數個區部具有一幾何構形；其中該犧牲結構台面之該幾何構形係相關於該質量調整結構之一幾何構形；從而藉由調整該犧牲結構台面之該幾何構形以調整該質量調整結構之該幾何構形，以增強該體聲波共振器之一品質因子。
9. 如申請專利範圍第7項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中該基板係為一半導體基板，其中構成該犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。
10. 如申請專利範圍第9項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中該基板係為一化合物半導體基板，其中該步驟E1包括以下步驟：步驟E11：形成一犧牲結構於該基板之上；以及步驟E12：蝕刻該犧牲結構以形成該犧牲結構台面。
11. 如申請專利範圍第10項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中(1)該基板係由砷化鎵所構成，該犧牲結構包括一砷化鎵層；或(2)該基板係由磷化銦所構成，該犧牲結構包括一砷化銦鎵層。
12. 如申請專利範圍第11項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其更包括以下之一步驟：形成一底蝕刻終止層於該基板之上， 其中該犧牲結構係形成於該底蝕刻終止層之上；其中(1)該底蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)該底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。
13. 一種具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，包括以下步驟：步驟F1：形成一犧牲結構台面於一基板之上；步驟F2：形成一絕緣層於該犧牲結構台面以及該基板之上；步驟F3：以一預先化學機械平坦化製程研磨該絕緣層以形成一預先拋光表面，使得該犧牲結構台面露出，其中該犧牲結構台面係分成複數個區部；步驟F4：蝕刻該犧牲結構台面使得該犧牲結構台面之該複數個區部之任兩相鄰者具有不同之高度，其中該犧牲結構台面之一最高區部具有一最高台面頂表面，其中一台面頂延伸平面係與該最高台面頂表面重合；步驟F5：形成一體聲波共振結構，其中該體聲波共振結構係位於該犧牲結構台面之上方，其中該步驟F5包括以下步驟：步驟F51：形成一第二次研磨層於該犧牲結構台面以及該絕緣層之上，其中構成該第二次研磨層之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬以及合金；步驟F52：以一化學機械平坦化製程研磨該第二次研磨層以形成一拋光表面，使得該犧牲結構台面未露出；步驟F53：圖形化該第二次研磨層；步驟F54：形成一壓電層於該第二次研磨層之該拋光表面以及該絕緣層之該預先拋光表面之上；以及 步驟F55：形成一頂電極層於該壓電層之上；以及步驟F6：蝕刻該犧牲結構台面以形成一空腔，其中該空腔係位於該體聲波共振結構之下方；其中位於該壓電層之下、該空腔之上，且介於該拋光表面以及該台面頂延伸平面之間之該第二次研磨層形成該體聲波共振結構之一底電極層；其中位於該體聲波共振結構之下且介於該台面頂延伸平面以及該空腔之間之該第二次研磨層形成一質量調整結構。
14. 如申請專利範圍第13項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中於該步驟F52之後，該犧牲結構台面之該複數個區部具有一幾何構形；其中該犧牲結構台面之該幾何構形係相關於該質量調整結構之一幾何構形；從而藉由調整該犧牲結構台面之該幾何構形以調整該質量調整結構之該幾何構形，以增強該體聲波共振器之一品質因子。
15. 如申請專利範圍第13項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中該基板係為一半導體基板，其中構成該犧牲結構台面之材料係包括選自以下群組之至少一者：金屬、合金以及磊晶結構。
16. 如申請專利範圍第15項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中該基板係為一化合物半導體基板，其中該步驟F1包括以下步驟：步驟F11：形成一犧牲結構於該基板之上；以及步驟F12：蝕刻該犧牲結構以形成該犧牲結構台面。
17. 如申請專利範圍第16項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其中(1)該基板係由砷化鎵所構成，該犧牲結構包括一砷化鎵 層；或(2)該基板係由磷化銦所構成，該犧牲結構包括一砷化銦鎵層。
18. 如申請專利範圍第17項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器之製造方法，其更包括以下之一步驟：形成一底蝕刻終止層於該基板之上，其中該犧牲結構係形成於該底蝕刻終止層之上；其中(1)該底蝕刻終止層係由磷化銦鎵所構成；或(2)該底蝕刻終止層係由磷化銦所構成。