CN105390579A - 半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法。即便为了提高半导体发光元件的光取出效率而在基板的背面侧采用比较大的凹凸，仍能容易地检测并确定作为形成用于从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的切断起点部的位置的分离区域。半导体发光元件晶片由具有第1面和作为与其相反侧的面的第2面的基板、形成于该第1面的半导体发光元件层构成。在半导体发光元件晶片形成多个半导体发光元件基体，该半导体发光元件基体在相邻的半导体发光元件基体彼此的边界部具有分离区域。在基板的第2面中，不与分离区域相当的部分为粗糙面部，与分离区域相当的部分相比不与分离区域相当的部分平坦，并形成切断起点部。

Description

半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法

技术领域

本发明涉及半导体发光元件晶片、半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法。

背景技术

关于半导体发光元件的光取出效率的提高，提出有各种方案。例如，在专利文献1中，关于倒装元件(FC元件)之类的、主要从基板的背面侧(未形成半导体层一侧)取出光的元件，提出有对基板的背面侧实施加工而形成凹凸，形成粗糙面化的结构。在该结构中，在从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的过程中，向基板照射激光，在基板的内部形成改质部，形成用于使该改质部分离的切断起点部。此外，为了能使激光的焦光点正确地对准基板的内部的作为切断起点部的位置，作为基板的背面侧的凹凸的程度，将表面粗糙度Ra形成为3nm～25nm。另外，在专利文献2中，提出有作为基板的背面侧的凹凸的程度，将凹凸的高度形成为300nm～500nm的技术。另外，在专利文献3、专利文献4中，提出有在从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的过程中，预先在基板的背面侧形成作为切断起点部的槽(刻痕线)的方法。

专利文献1：日本特开2010-103424号公报

专利文献2：日本特开2006-100518号公报

专利文献3：日本特开2005-109432号公报

专利文献4：日本特开平11-354841号公报

然而，在专利文献1中，为了正确地对准激光的焦光点，作为基板的背面侧的凹凸的程度，将表面粗糙度Ra形成为3nm～25nm，因此对于如专利文献2那样的、将比较大的凹凸形成于基板的背面侧的技术，难以将专利文献1的技术直接应用。另外，在专利文献2的技术中应用专利文献3或专利文献4的技术，在形成用于将基板的背面侧粗糙面化的凹凸后，形成作为切断起点部的槽，以此认为可实现前述的课题的解决，不过在形成槽时，即使想要形成笔直的槽，受到凹凸的形状的影响，仍担心槽以蜿蜒的状态形成。进而，在使用这样的槽进行分离工序的情况下，无法将半导体发光元件彼此很好地分离，即便形成分离，受到槽的蜿蜒的影响，仍担心半导体发光元件的分离的部分的形状产生偏差，担心造成由此引起的、半导体发光元件间的性能的偏差。作为其他的解决手段，考虑在凹凸的形成之前，在基板的背面侧设置槽，不过可以预见在凹凸的形成时，槽的部分也会受到影响。例如，当较浅地设定槽的深度的情况下，槽混入凹凸之中，当进行分离工序时，即便使用光学显微镜等，也担心依靠人的目视观察所进行的确认不易确定作为切断起点部的槽的位置。或者也考虑高于凹凸的程度较深地形成槽的深度，不过当在半导体发光元件晶片加工槽后，在向形成凹凸的工序输送时，担心半导体发光元件晶片以槽为起点断裂进而破损。甚至作为其他的解决手段，还考虑将切断起点部形成于半导体发光元件层侧，而非半导体发光元件晶片的基板的背面侧的方法。不过在采用这样的方法的情况下，在半导体发光元件晶片的分离工序时，由于使形成半导体发光元件层一侧与支承台抵接，从基板的背面侧抵靠分离刃实施加压，因此担心会因对于半导体发光元件层的加压致使半导体发光元件层损伤。

发明内容

在本发明中，提出即使为了提高半导体发光元件的光取出效率而在基板的背面侧采用比较大的凹凸，也能够消除在从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离时的前述的顾虑事项的、半导体发光元件晶片、半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法。更详细地说，提出能够容易地检测并确定作为形成用于从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的切断起点部的位置的分离区域，进而在半导体发光元件的分离工序中能够抑制由于对半导体发光元件的加压致使半导体发光元件的损伤的、半导体发光元件晶片、半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法。

本发明提供一种半导体发光元件晶片，包括：基板，该基板具有第1面和作为与该第1面相反侧的面的第2面；以及半导体发光元件层，该半导体发光元件层形成于第1面，上述半导体发光元件晶片的特征在于，在半导体发光元件晶片形成多个半导体发光元件基体，半导体发光元件基体在相邻的半导体发光元件基体彼此的边界部具有分离区域，分离区域半导体以包围发光元件基体中的功能部分的周围的方式形成，在第2面中，不与分离区域相当的部分为粗糙面部，与分离区域相当的部分相比不与分离区域相当的部分平坦，在分离区域形成有切断起点部。

在本发明的半导体发光元件中，该半导体发光元件是通过将形成于半导体发光元件晶片的多个半导体发光元件基体分离而形成的，上述半导体发光元件晶片包括：具有第1面和作为与该第1面相反侧的面的第2面的基板；以及形成于第1面的半导体发光元件层，上述半导体发光元件的特征在于，在相邻的半导体发光元件基体彼此的边界部，在至少一部分具有半导体发光元件基体彼此分离后残留的残留部分，残留部分以包围半导体发光元件中的功能部分的周围的方式形成，在第2面中，不与残留部分相当的部分为粗糙面部，与残留部分相当的部分相比不与残留部分相当的部分平坦。

在本发明的半导体发光元件的制造方法中，该半导体发光元件的制造方法具有：在基板中的第1面形成半导体发光元件层的工序；在作为与第1面的相反侧的面的第2面实施粗糙面化的工序；以及将相邻的半导体发光元件基体彼此在边界部的分离区域分离的工序，上述半导体发光元件的制造方法的特征在于，在第2面中，对包围半导体发光元件基体中的功能部分的周围的部位、且为与分离区域相当的部分实施平坦化的平坦化工序；在第2面中，对分离区域以外的部分实施粗糙面化的粗糙面化工序；以及在经过平坦化工序之后，在分离区域形成切断起点部的加工工序。

在本发明的半导体发光元件晶片中，对于形成于半导体发光元件晶片的、相邻的半导体发光元件基体彼此的边界部的分离区域，在作为基板的第2面侧的背面侧，相比不与分离区域相当的部分亦即粗糙面部平坦。因此，与专利文献1中所公开的半导体发光元件晶片相比，尽管在基板的背面侧采用了比较大的凹凸，却能够容易地检测并确定作为形成用于从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的切断起点部的位置的分离区域。另外，切断起点部的形成也可容易地进行。进而，由于将分离区域相比半导体发光元件基体的功能部分设置在更靠外侧，因此将基板的背面侧的平坦部进行所需最小限度地保留。

在本发明的半导体发光元件中，将从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离时的残留部分设置在相比半导体发光元件的功能部分靠外侧的部位，并且该残留部分在基板的第2面侧亦即背面侧，相比不与残留部分相当的部分亦即粗糙面部平坦。因此，与专利文献1中公开的半导体发光元件相比，除了作为基板的外周部分的微小的区域以外，在基板的背面侧的大部分区域形成比较大的凹凸，并且分离时所需的平坦的残留部分被进行所需最小限度地保留。

在本发明的半导体发光元件的制造方法中，在作为基板的第2面的背面形成切断起点部的部位被实施平坦化。因此，与专利文献1中公开的半导体发光元件的制造方法相比，尽管在基板的背面侧采用了比较大的凹凸，却能够容易地检测并确定作为形成用于从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的切断起点部的位置的分离区域，并且能够容易地进行切断起点部的形成。进而，由于将分离区域相比半导体发光元件层的功能部分设置在更靠外侧，因此将基板的背面侧的平坦部进行所需最小限度地保留。

附图说明

图1为本发明的半导体发光元件晶片的主视图。(实施例1)

图2为对图1的半导体发光元件晶片的A部进行放大的局部放大图。(实施例1)

图3为图2的半导体发光元件晶片的B-B剖面的局部剖视图。(实施例1)

图4为对图3的半导体发光元件晶片的C部进行放大的局部放大图。(实施例1)

图5为本发明的半导体发光元件的剖视图。(实施例1)

图6为表示本发明的半导体发光元件的制造方法的工序的图。(实施例1)

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施例进行说明。此外，在实施例中，以倒装型的半导体发光元件(倒装元件)为例，对其结构与制造方法进行说明。另外，所有附图均是为了容易理解半导体发光元件晶片以及半导体发光元件的结构而示意性绘出的。

[实施例1]

首先，对于实施例1的半导体发光元件晶片1的结构进行说明。

如图1～图4所示，该半导体发光元件晶片1是具有作为定向平面部2的直线状部分的大致圆形的板状的部件。半导体发光元件晶片1包括由氮化镓(GaN)构成的基板20与半导体发光元件层30，在图3中的上侧的面且为该基板20的第1面21之上，形成半导体发光元件层30。在第1面21的相反侧的面且为作为基板20的背面的第2面22形成粗糙面部24和比粗糙面部24平坦的平坦面23。基板20的厚度T1以30μm～200μm的范围被设定，在该实施例中，设定为100μm。

半导体发光元件层30通过将由氮化镓系的n型半导体材料构成的第1半导体层31、由氮化镓系的半导体材料构成的发光层33、由氮化镓系的p型半导体材料构成的第2半导体层34从基板20一侧依次层叠而形成。在第1半导体层31，在除去发光层33与第2半导体层34所形成的露出面31b形成作为n侧焊盘电极的第1电极32。在第2半导体层34形成作为p侧焊盘电极的第2电极35。第1半导体层31的露出面31b、发光层33、第2半导体层34、第1电极32、第2电极35，除了安装时的第1电极32与第2电极35的表面部分以外由保护膜36覆盖。保护膜36对各半导体层、电极进行保护，作为具有电绝缘性的材料，使用SiO2。在本说明书中，将此等半导体层、发光层、电极、保护膜统一称为半导体发光元件层30。

在半导体发光元件层30中，功能部分30b形成于由后述的分离区域40包围的区域。该功能部分30b针对一个半导体发光元件基体10设置一个，由第1半导体层31的一部分、发光层33、第2半导体层34、第1电极32、第2电极35、保护膜36形成，是起到发光的功能的部分。更详细地说，分离区域40在图2中，以不与作为功能部分30b尤为重要的部分亦即第1电极32、第2半导体层34所形成的区域重叠的方式，形成于此等结构要素的外侧的部位，分离区域40与功能部分30b相邻。此外，保护膜36以从功能部分30b与分离区域40的边界部分覆盖至稍许偏向功能部分30b的部位的方式形成，不过只要在后述的分离工序S150中不妨碍作业，保护膜36可以延伸设置直至该边界部分，也可以突出形成至分离区域40。

该半导体发光元件晶片1形成为将多个半导体发光元件基体10沿纵横相邻排列的状态。在相邻的半导体发光元件基体10彼此之间的部分亦即边界部设置用于将半导体发光元件基体10彼此分离而形成一个个半导体发光元件10a的分离区域40。在图3中被圈在双点划线间的由斜线部所示的分离区域40，在附图中以单点划线所示的分离预定线3为中心，并以其宽度W1为20μm～100μm的范围被设定，在该实施例中分离区域40被设定为40μm。该宽度W1取决于形成后述的槽60时的加工精度(位置精度)。如图2所示，从半导体发光元件层30所层叠的方向观察，半导体发光元件基体10以形成左右方向为横长的矩形的方式由分离预定线3包围。图2中的左右方向的分离预定线3以与形成为直线状的定向平面部2大致平行的方式被设定。

在基板20的第2面22中的分离区域40形成前述的平坦面23。该平坦面23为在通过后述的粗糙面化工序S120对粗糙面部24实施粗糙面化时，不对第2面22的一部分实施粗糙面化而将之保留的部分，其表面粗糙度Ra以0.1nm～1.0nm的范围被设定，在该实施例中，被设定为0.5nm左右。此外，在该平坦面23，通过后述的加工工序S140形成作为切断起点部的槽60。

在基板20的第2面22中的不与分离区域40相当的部分形成前述的粗糙面部24。该粗糙面部24通过粗糙面化工序S120形成凹凸而被实施粗糙面化。该凹凸的高度H1以1.0μm～10.0μm的范围被设定，在该实施例中，最大设定为5.0μm左右。此外，凹凸的高度H1被定义为从粗糙面部24的凹部的底的部分直到突出的凸部的顶部的长度。另外，凸部的顶部彼此之间的间距被设定为3.0μm～5.0μm左右。另外，该凹凸的形状为六棱锥。此外，该凹凸的凸部中的顶部以不超出与分离区域40的平坦面23相接的平面S的方式形成。换言之，凹凸的凸部不会突出形成为超出对基板20实施粗糙面化前的第2面22。

前述的槽60相对于基板20的第2面22中的分离区域40，以沿着分离预定线3的方式形成，横切槽的方向的剖面形状为V字状。另外，槽60以包围半导体发光元件基体10的方式形成。平坦面23中的槽60的开口宽度W2以10μm～40μm的范围被设定，在该实施例中被设定为20μm左右。另外，槽60的深度D1以10μm～40μm的范围被设定，在该实施例中，被设定为20μm左右。

接下来，对于由实施例1的半导体发光元件晶片1制造的、半导体发光元件10a的结构进行说明。

如图5所示，该半导体发光元件10a由基板20a与半导体发光元件层30a构成，该半导体发光元件10a为图5中的下侧、亦即从半导体发光元件层30a朝向基板20a的方向为光取出的主要方向的所谓的倒装式的半导体发光元件6。沿着图1～4中单点划线所示的分离预定线3将半导体发光元件晶片1中的多个半导体发光元件基体10分离，从而形成一个个该半导体发光元件10a。此外，该半导体发光元件10a从半导体发光元件层30a所层叠的方向(换言之，从图5中的上侧)观察，形成为其外形形状为在左右方向形成横长的矩形。

基板20a为半导体发光元件晶片1中的基板20分离后的结构，其材料为氮化镓(GaN)。在基板20a的第1面21a之上形成半导体发光元件层30a。在第1面21a的相反侧的面亦即作为基板20a的背面的第2面22a形成粗糙面部24a和相比粗糙面部24a平坦的平坦面23a。在相邻的半导体发光元件基体10彼此之间的部分亦即边界部所设置的分离区域40的一部分，在半导体发光元件10a的外周部分作为残留部分41残留，平坦面23a形成于作为基板20a的背面的第2面22a中的与残留部分41相当的部分。此外，基板20a中的处于最外周部分的元件端部11以沿着分离预定线3的方式形成，形成半导体发光元件10a的外形形状(矩形)。

在基板20a的第2面22a中的不与残留部分41相当的部分形成前述的粗糙面部24a。该凹凸的形状为六棱锥。此外，该凹凸的凸部中的顶部以不超出与残留部分41的平坦面23a相接的平面Sa的方式形成。

半导体发光元件层30a为半导体发光元件晶片1中的半导体发光元件层30分离后的层。半导体发光元件层30a通过将由氮化镓系的n型半导体材料构成的第1半导体层31a、由氮化镓系的半导体材料构成的发光层33、由氮化镓系的p型半导体材料构成的第2半导体层34从基板20a一侧依次层叠而形成。在第1半导体层31a，在除去发光层33与第2半导体层34后的露出面31b，形成作为n侧焊盘电极的第1电极32。在第2半导体层34形成作为p侧焊盘电极的第2电极35。第1半导体层31的露出面31b、发光层33、第2半导体层34、第1电极32、第2电极35除了安装时的第1电极32与第2电极35的表面部分以外，由保护膜36覆盖。在本说明书中，将此等半导体层、发光层、电极、保护层统一称为半导体发光元件层30a。此外，第1半导体层31a在分离前的半导体发光元件晶片1的状态下形成半导体发光元件层30中的第1半导体层31。

在半导体发光元件层30a中，功能部分30b形成于由残留部分41包围的区域。该功能部分30b针对一个半导体发光元件10a设置一个，由第1半导体层31a的一部分、发光层33、第2半导体层34、第1电极32、第2电极35、保护膜36形成。更详细地说，处于残留部分41的分离前的状态的分离区域40，在图2中，以不与作为功能部分30b尤为重要的部位亦即第1电极32、第2半导体层34所形成的区域重叠的方式，形成于此等结构要素的外侧的部位，残留部分41与功能部分30b相邻。另外，具有平坦面23a的残留部分41优选为在作为矩形的半导体发光元件10a的外周的所有4个边形成，不过只要在该4个边中的至少2个边形成即可。另外，通过在半导体发光元件10a中的残留部分41形成槽60，从而形成也称为切断起点部的痕迹的倾斜面41a。与不存在该倾斜面41a的情况相比，由于倾斜面41a的存在，可期待相应得到与粗糙面部24a相同的效果。此外，保护膜36以从功能部分30b与分离区域40的边界部分覆盖至稍许偏向功能部分30b的部位的方式形成，不过只要是在后述的分离工序S150中不妨碍作业的方式即可，可以延伸配置至该边界部分，也可以突出形成至分离区域40。

接下来，对于由实施例1的半导体发光元件晶片1制造的、半导体发光元件10a的制造方法进行说明。

如图6所示，首先，对于基板20，使用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)等依次层叠形成第1半导体层31、发光层33、第2半导体层34而形成。

接着，在第2半导体层34中的规定区域上覆盖作为覆盖部件的抗蚀剂，形成蚀刻用的掩膜。关于抗蚀剂的覆盖，可以使用CVD法等。

接着，通过干式蚀刻(ICP)除去未由前述的掩膜覆盖的、第1半导体层31、发光层33、第2半导体层34的一部分，形成第1半导体层31中的露出面31b。

接着，除去前述的掩膜。

接着，使用溅射法等，依次形成第1电极32、第2电极35、保护膜36。以上为形成半导体发光元件晶片1中的、半导体发光元件层30的形成工序S100。

接着，在作为基板20的背面的第2面22中的规定区域上，覆盖作为覆盖部件50的抗蚀剂，形成蚀刻用的掩膜。第2面22中的规定区域为与分离区域40相当的部分。该工序为覆盖工序S110。

接着，对于第2面22中未由覆盖部件50覆盖的部分通过湿式蚀刻形成凹凸，实施粗糙面化。该粗糙面化的部分成为半导体发光元件晶片1中的、粗糙面部24。该工序为粗糙面化工序S120。优选在该湿式蚀刻中使用TMAH(四甲基氢氧化铵)水溶液。作为蚀刻条件，使半导体发光元件晶片1浸渍于浓度22％、温度60℃的TMAH水溶液中60分钟，由此形成高度H1为5.0μm左右的六棱锥的凹凸。

接着，除去覆盖部件50。该工序为除去工序S130。通过由覆盖部件50进行覆盖，在粗糙面化工序S120未被实施粗糙面化的部分成为半导体发光元件晶片1中的、平坦面23。此外，在实施例1中，在之间隔有粗糙面化工序S120，覆盖工序S110与除去工序S130成为形成平坦面23的平坦化工序。

接着，在半导体发光元件晶片1中的平坦面23以沿着分离预定线3的方式形成槽60。该工序为加工工序S140。为了形成该槽60，使用金刚石切割器等。该槽60为切断起点部。

接着，以基板20一侧(第2面22侧)与支承台抵接的方式，将半导体发光元件晶片1配置于支承台，以沿着分离预定线3的方式，从半导体发光元件层30侧抵靠分离刃并加压，将半导体发光元件晶片1分离。由此，半导体发光元件基体10被分离，制造出一个个半导体发光元件10a。该工序为分离工序S150。在该分离工序S150中，为了使分离后的半导体发光元件基体10、半导体发光元件10a不散落，可以在基板20的第2面22侧粘贴粘合带。

通过以上方式，完成半导体发光元件10a。

至此，基于图1～图6对半导体发光元件晶片1、半导体发光元件10a的结构、半导体发光元件10a的制造方法进行了说明，不过在实施本发明过程中，可以如下述那样对结构的一部分进行进一步适当的变更。以下，按条目记述。

·作为半导体发光元件晶片1中的半导体发光元件基体10的配置的方式，可以以沿着定向平面部2的方向为半导体发光元件基体10的短边方向的方式进行设定。

·半导体发光元件10a出于成品率好坏等观点，通常形成为矩形，在将半导体发光元件晶片1分离时，也优选为矩形，不过如果不对此考虑，那么外形形状不受特别限定。

·半导体发光元件10a形成为连结对置配置的第1电极32与第2电极35之间的方向为半导体发光元件的长边方向的、长方形，不过也可以是正方形。

·基板20(20a)的材料，考虑对由氮化镓系的材料构成的半导体发光元件层30层叠形成时的作业性、半导体层的结晶生长性等，优选使用作为同质的材料的氮化镓系的材料，不过只要能够进行与本发明相同的加工等即可，材料不受特别限定，可以使用蓝宝石等材料。另外，当使用蓝宝石基板的情况下，可以在与半导体层之间设置缓冲层。另外，当使用蓝宝石基板的情况下，粗糙面部24(24a)的凸部的高度H1优选为300nm～500nm。

·基板20(20a)的粗糙面部24(24a)的凹凸的高度H1可以一致，不过只要在前述的数值的范围内，也可以不一致。

·基板20(20a)的粗糙面部24(24a)的凹凸的形状并不局限于六棱锥，可以设定为大致圆锥体状(圆锥状)等任意的形状。

·作为基板20(20a)，可以采用对形成半导体发光元件层30(30a)的面实施粗糙面化加工的、所谓加工基板。具体地说，可以在基板20(20a)的第1面21(21a)形成任意的凹凸形状。

·基板20a中的残留部分41在封装化时，可以作为用于搭载波长变换部件、密封部件的部位利用。具体地说，可以作为此等部件的固定面(粘合面)利用。

·基板20a中的残留部分41为了调整配光特性，可以在完成分离工序S150后，除去其中一部分或全部除去。或者，可以将残留部分41中的平坦面23a包含在内，将其表面实施粗糙面化。

·作为形成于基板20a的切断起点部，可以不是槽60，可以像专利文献1那样采用通过照射激光来形成改质部的方法。

·在分离区域40与功能部分30b之间可以夹装不像功能部分30b那样有助于发光的功能的中间的部位。即，分离区域40越向外侧远离功能部分30b越理想。如果如此形成分离区域40，则即便在分离区域40内切断起点部(槽60)的位置处于极为偏置的状态，对于功能部分30b的影响也会得到抑制，对于半导体发光元件10a的性能的影响得到抑制。此外，在这种情况下，在残留部分41与功能部分30b之间夹装前述的、不像功能部分30b那样有助于发光的功能的中间的部位。

·残留部分41中的平坦面23a并不局限于直接利用基板20a的背面的情况，例如为了进行配光特性的调整，可以预先实施进一步提高平滑度的加工。或者，为了抑制粗糙面化加工时的覆盖部件50的剥离，只要比粗糙面部24(24a)平坦，不妨碍作为切断起点部的槽60的形成即可，可以略微实施粗糙面化。进而，在除去覆盖部件50后，为了进行前述的配光特性的调整，可以实施提高平滑度的加工。进而，在经过分离工序S150后，可以为了提高前述的粘合面的便利性实施粗糙面化，该粗糙面化的实施可以不比粗糙面部24(24a)平坦。

·第1半导体层31(31a)、发光层33、第2半导体层34在图3、图5中全部以单层状图示，不过也可以是层叠多个层而形成的形态。

·在各电极与各半导体层之间，可以形成透明电极层。

·在各电极与各半导体层之间，可以附加与各电极大致相同形状的电流阻止层、反射膜。

·保护膜36的材料并不局限于SiO2。另外，可以使保护膜36具有反射功能。

·作为使用TMAH水溶液的湿式蚀刻条件，可以将浓度在5％～50％的范围内进行任意设定，将温度在50℃～100℃的范围内进行任意设定，将浸渍时间在10分钟～120分钟的范围内进行任意设定。另外，在湿式蚀刻后，可以对半导体发光元件晶片1进行用于除去残渣的清洗。

·为了能够更容易地进行半导体发光元件晶片1的分离，可以从半导体发光元件层30侧形成槽61、槽62。槽61的开口宽度W3只要在10μm～50μm的范围内即可。槽62的开口宽度W4在5μm～30μm的范围内，只要比槽61窄即可。槽61与槽62的深度无特别限定，只要是达到基板20的深度即可，优选槽62比槽61形成得更深。各槽的形成顺序无特别限定，优选按照槽60、槽61、槽62的顺序形成。另外，各槽中的、横切槽的方向的剖面形状也无特别限定。

·如果形成槽60时的加工精度较高，则可以设定为将分离区域40的宽度W1与槽60的开口宽度W2形成为大致相同的尺寸或者相对于开口宽度W2将宽度W1形成为略大的尺寸，极力缩小平坦面23a。

·前述的半导体发光元件10a的制造方法为代表例，只要是可得出相同的结构的制造方法即可，无特别限定。

本发明将倒装型的半导体发光元件作为实施例，对其结构与制造方法进行说明，不过作为可应用本发明的半导体发光元件，并不受此限定。

其中，附图标记说明如下：

1：半导体发光元件晶片(实施例1)；2：定向平面部；3：分离预定线；10：半导体发光元件基体(实施例1)；10a：半导体发光元件(实施例1)；11：(半导体发光元件10a的)元件端部；20：(半导体发光元件晶片1中的)基板；20a：(半导体发光元件10a中的)基板；21：(基板20的)第1面；21a：(基板20a的)第1面；22：(基板20的)第2面；22a：(基板20a的)第2面；23：(基板20的)平坦面；23a：(基板20a的)平坦面；24：(基板20的)粗糙面部；24a：(基板20a的)粗糙面部；30：(半导体发光元件晶片1中的)半导体发光元件层；30a：(半导体发光元件10a中的)半导体发光元件层；30b：功能部分；31：(半导体发光元件晶片1中的)第1半导体层；31a：(半导体发光元件10a中的)第1半导体层；31b：(第1半导体层31的)露出面；32：第1电极；33：发光层；34：第2半导体层；35：第2电极；36：保护膜；40：分离区域；41：残留部分；41a：(残留部分41的)倾斜面；50：覆盖部件；60：(作为切断起点部的)槽；61：槽；62：槽；D1：(槽60的)深度；H1：(凹凸的)高度；S：(与平坦部23相接的)平面；Sa：(与平坦部23a相接的)平面；S100：形成工序；S110：覆盖工序；S120：粗糙面化工序；S130：除去工序；S140：加工工序；S150：分离工序；T1：(基板20的)厚度；W1：(分离区域40的)宽度；W2：(槽60的)开口宽度；W3：(槽61的)开口宽度；W4：(槽62的)开口宽度。

Claims (3)

1.一种半导体发光元件晶片，

所述半导体发光元件晶片包括：

基板，该基板具有第1面和作为与该第1面相反侧的面的第2面；以及

半导体发光元件层，该半导体发光元件层形成于所述第1面，

所述半导体发光元件晶片的特征在于，

在所述半导体发光元件晶片形成有多个半导体发光元件基体，

所述半导体发光元件基体在相邻的所述半导体发光元件基体彼此的边界部具有分离区域，

所述分离区域以包围所述半导体发光元件基体中的功能部分的周围的方式形成，

在所述第2面中，不与所述分离区域相当的部分为粗糙面部，与所述分离区域相当的部分相比不与所述分离区域相当的部分平坦，

在所述分离区域形成有切断起点部。

2.一种半导体发光元件，

该半导体发光元件是通过将形成于半导体发光元件晶片的多个半导体发光元件基体分离而形成的，所述半导体发光元件晶片包括：具有第1面和作为与该第1面相反侧的面的第2面的基板；以及形成于所述第1面的半导体发光元件层，

所述半导体发光元件的特征在于，

在相邻的所述半导体发光元件基体彼此的边界部，在至少一部分具有所述半导体发光元件基体彼此分离后残留的残留部分，

所述残留部分以包围所述半导体发光元件中的功能部分的周围的方式形成，

在所述第2面中，不与所述残留部分相当的部分为粗糙面部，与所述残留部分相当的部分相比不与所述残留部分相当的部分平坦。

3.一种半导体发光元件的制造方法，

所述半导体发光元件的制造方法具有：

在基板中的第1面形成半导体发光元件层的工序；

在作为与所述第1面相反侧的面的第2面实施粗糙面化的工序；以及

将相邻的半导体发光元件基体彼此在边界部的分离区域分离的工序，

所述半导体发光元件的制造方法的特征在于，

所述半导体发光元件的制造方法具有：

在所述第2面中，对包围所述半导体发光元件基体中的功能部分的周围的部位、且为与所述分离区域相当的部分实施平坦化的平坦化工序；

在所述第2面中，对所述分离区域以外的部分实施粗糙面化的粗糙面化工序；以及

在经过所述平坦化工序之后，在所述分离区域形成切断起点部的加工工序。