JP2005109678A - 共振器の製造方法及び共振器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板10上に犠牲層16を形成する工程と、シリコン基板10上に、犠牲層16の周囲を覆うように、絶縁保護層17を自己整合的に形成する工程と、犠牲層16及び絶縁保護層17の上に下部電極19を形成する工程と、下部電極19の上に圧電層20を形成する工程と、圧電層20の上に上部電極21を形成する工程と、犠牲層16を除去して、シリコン基板10と下部電極19との間に、シリコン基板10、絶縁保護層17及び下部電極19によって囲まれた空間部23を形成する。
とする。
【選択図】 図3
Description
11 モリブデン層
11a パターン化されたモリブデン層
12 タングステンシリサイド層
12a パターン化されたタングステンシリサイド層
13 下層レジスト膜
13a 窪み部
14 上層レジスト膜
15 マスクパターン
16 犠牲層
17 絶縁保護層
18 レジストパターン
19 上部電極
20 圧電層
21 上部電極
22 ビアホール
23 空間部
Claims (10)
- 基板上に、金属、誘電体又は絶縁体のいずれかを含んでなる犠牲層を形成する工程と、
前記基板上に、前記犠牲層の周囲を覆うように、絶縁性材料よりなる絶縁保護層を自己整合的に形成する工程と、
前記犠牲層及び前記絶縁保護層の上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上に圧電層を形成する工程と、
前記圧電層の上に上部電極を形成する工程と、
前記犠牲層を除去して、前記基板と前記下部電極との間に、前記基板、前記絶縁保護層及び前記下部電極によって囲まれた空間部を形成する工程とを備えることを特徴とする共振器の製造方法。 - 前記犠牲層は、下部の周縁に窪み部を有するマスクパターンを用いたエッチングを行なうことにより形成され、
前記絶縁保護層は、前記マスクパターンを介して、前記基板上に電子ビーム蒸着を行なった後、前記マスクパターンをリフトオフすることにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の共振器の製造方法。 - 前記マスクパターンは、積層された複数のレジスト膜よりなるレジストパターンであることを特徴とする請求項2に記載の共振器の製造方法。
- 前記犠牲層は、複数の膜が積層されてなる積層膜であり、
前記空間部を形成する工程は、ウェットエッチングにより、前記複数の膜の各々に対するエッチングレートの差を利用して、前記犠牲層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の共振器の製造方法。 - 前記犠牲層は、モリブデン系化合物層とタングステン系化合物層との積層膜であることを特徴とする請求項4に記載の共振器の製造方法。
- 前記絶縁保護層は、耐高温特性を有する絶縁性材料よりなることを特徴とする請求項1に記載の共振器の製造方法。
- 基板の主面上において所定領域を囲むように形成された耐高温特性を有する絶縁性材料よりなる絶縁保護層と、
前記絶縁保護層の上に形成された下部電極と、
前記下部電極の上に形成された圧電層と、
前記圧電層の上に形成された上部電極と、
前記基板と前記下部電極との間に、前記基板、前記絶縁保護層及び前記下部電極によって囲まれた空間部とを備えていることを特徴とする共振器。 - 前記絶縁保護層は、ハフニウム系元素と酸素元素若しくは窒素元素とを含有する層、又はジルコニウム系元素と酸素元素若しくは窒素元素とを含有する層よりなることを特徴とする請求項7に記載の共振器。
- 前記圧電層は、有機金属気相エピタキシャル成長法によって形成された窒化アルミニウム層、高温スパッタ法によって形成された酸化亜鉛層、又は高温熱処理が施されたPZT層よりなることを特徴とする請求項7に記載の共振器。
- 前記下部電極は、ハフニウム単体よりなる層、ジルコニウム単体よりなる層、ランタン単体よりなる層、又はホウ素とハフニウム、ジルコニウム若しくは亜鉛とを含有する層よりなることを特徴とする請求項7又は9に記載の共振器。
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USRE41813E1 (en) | 2003-10-20 | 2010-10-12 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin-film resonator and filter using the same |
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- 2003-09-29 JP JP2003337785A patent/JP4245450B2/ja not_active Expired - Fee Related
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