WO2020203093A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2020203093A1
WO2020203093A1 PCT/JP2020/010295 JP2020010295W WO2020203093A1 WO 2020203093 A1 WO2020203093 A1 WO 2020203093A1 JP 2020010295 W JP2020010295 W JP 2020010295W WO 2020203093 A1 WO2020203093 A1 WO 2020203093A1
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WO
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electrode
elastic wave
piezoelectric body
main surface
wave device
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PCT/JP2020/010295
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French (fr)
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門田　道雄
田中　秀治
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to an acoustic layer laminated body in which a plurality of acoustic layers are laminated, and an elastic wave device in which a piezoelectric body is laminated.
  • a piezoelectric body is laminated on the acoustic layer.
  • the acoustic layer has an acoustic layer laminate in which a high impedance acoustic film having a relatively high acoustic impedance and a low impedance acoustic film having a relatively low acoustic impedance are laminated.
  • a first electrode and a second electrode are provided so as to be in contact with the piezoelectric body.
  • Patent Document 1 is cut together with the acoustic layer laminate along the outer periphery of the first electrode and the second electrode in contact with the piezoelectric body. Therefore, in order to make an electrical connection with another electrode or terminal, wiring using a wire electrode is required. However, when a plurality of elastic wave devices are electrically connected in order to form a circuit such as a filter, there is a problem that wiring becomes complicated.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device that can be easily electrically connected to the outside or other electronic component elements.
  • the elastic wave device includes a support substrate, a piezoelectric body having a first main surface, a second main surface facing the first main surface, and the first main surface of the piezoelectric body.
  • An acoustic layer provided between a first electrode provided on a surface, a second electrode provided on the second main surface of the piezoelectric body, and the second main surface and the support substrate.
  • the laminate and the lead-out electrode electrically connected to the first electrode or the second electrode and provided on the first main surface or the second main surface of the piezoelectric body.
  • the piezoelectric body is provided with a groove, and the groove is outside of at least one electrode of the first electrode and the second electrode when viewed in a plan view from the thickness direction of the piezoelectric body. It is provided in at least a part of the remaining part of the region except the part where the lead-out electrode is provided.
  • the elastic wave filter device includes a piezoelectric body having a first main surface and a second main surface facing the first main surface, the first main surface of the piezoelectric body, and the said.
  • a plurality of electrodes provided on each of the second main surfaces, an acoustic layer laminate laminated on the second main surface of the piezoelectric body, and a plurality of acoustic layers laminated, and the acoustic layer laminate.
  • a support substrate laminated on the side opposite to the piezoelectric body of the body is provided, and the piezoelectric body and the plurality of electrodes provided on the first main surface and the second main surface of the piezoelectric body are provided.
  • An elastic wave resonator is formed, and a groove is provided from the first main surface side of the piezoelectric body, and is provided on the second main surface of the piezoelectric body so as to avoid the groove.
  • the plurality of elastic wave resonators are electrically connected to each other by using the plurality of electrodes.
  • the elastic wave device According to the elastic wave device according to the present invention, it is possible to provide an elastic wave device that can be easily electrically connected to the outside or other electronic component element portions.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view of a portion of FIG. 2A along the line X1-X1.
  • FIG. 2A is a perspective view showing the appearance of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2B is a perspective view of a second electrode in the elastic wave device according to the first embodiment. It is a perspective view for demonstrating the shape.
  • FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the depth of the side groove and the impedance ratio.
  • FIG. 4A is a perspective view of the elastic wave device according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 4B is a perspective view of a modified example thereof.
  • FIG. 5 is a diagram showing impedance characteristics of the elastic wave device of the second embodiment.
  • FIG. 6 is a perspective view of an elastic wave device of a comparative example.
  • FIG. 7 is a diagram showing the impedance characteristics of the elastic wave device of the comparative example.
  • FIG. 8 is a schematic view for explaining the inclination angle of the side surface exposed to the side groove.
  • FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the inclination angle of the side surface exposed in the side groove and the impedance ratio.
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the groove length / electrode length and the impedance ratio.
  • FIG. 11 is a perspective view of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a perspective view of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a perspective view for explaining an electrode formed on the lower surface of the piezoelectric body in the elastic wave device of the third embodiment.
  • FIG. 13 is a circuit diagram of the elastic wave device of the third embodiment.
  • 14 (a) and 14 (b) are a perspective view of the elastic wave device of the fourth embodiment and a perspective view for explaining an electrode formed on the lower surface of the piezoelectric body.
  • FIG. 15 is a circuit diagram of the elastic wave device of the fourth embodiment.
  • 16 (a) and 16 (b) are a perspective view of the elastic wave device of the fifth embodiment and a perspective view for explaining an electrode formed on the lower surface of the piezoelectric body.
  • FIG. 17 is a circuit diagram of the elastic wave device of the fifth embodiment.
  • FIG. 18 (a) and 18 (b) are a perspective view of the elastic wave device of the sixth embodiment and a perspective view for explaining an electrode formed on the lower surface of the piezoelectric body.
  • FIG. 19 is a circuit diagram of the elastic wave device of the sixth embodiment.
  • FIG. 20 is a perspective view of the elastic wave device of the seventh embodiment.
  • FIG. 21 is a perspective view of the elastic wave device of the eighth embodiment.
  • FIG. 22 is a perspective view of the elastic wave device of the ninth embodiment.
  • FIG. 23 is a perspective view showing a modified example of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 24 is a perspective view for explaining still another modification of the first embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention, is a cross-sectional view of a portion along line X1-X1 of FIG. 2A, and FIG. 2A is an external view. It is a perspective view which shows.
  • the elastic wave device 1 has a support substrate 2.
  • the support substrate 2 is made of Si.
  • the material of the support substrate 2 is not particularly limited.
  • a semiconductor other than Si, an insulator such as glass, or a dielectric can be used.
  • the acoustic layer laminate 3 and the piezoelectric body 4 are laminated on the support substrate 2.
  • the acoustic layer laminate 3 has a plurality of acoustic layers 3a to 3f.
  • the acoustic layer 3a, the acoustic layer 3b, the acoustic layer 3c, the acoustic layer 3d, the acoustic layer 3e, and the acoustic layer 3f are laminated in this order from the piezoelectric body 4 side.
  • the acoustic layer laminate 3 has six acoustic layers 3a to 3f.
  • the number of layers of the acoustic layer is not limited to this. Here, an example in which the number of layers is 6 is shown.
  • the acoustic layers 3a, 3c, and 3e are low acoustic impedance layers having a relatively low acoustic impedance.
  • the acoustic layers 3b, 3d, and 3f are high acoustic impedance layers having a relatively high acoustic impedance.
  • the material of the low acoustic impedance layer and the material of the high acoustic impedance layer are not particularly limited as long as the relative acoustic impedance relationship is satisfied. However, materials having various acoustic impedances shown in Tables 1 and 2 below can be used.
  • Table 1 shows the materials that can be used to form the acoustic layer in numerical order of the longitudinal acoustic impedance Zl (Ns / m 3 ).
  • Table 2 shows the materials that can be used in numerical order of the acoustic impedance Zs (Ns / m 3 ) of the transverse wave.
  • the materials for the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer are not limited to the materials shown in Tables 1 and 2, and alloys, carbides, oxides, nitrides, and the like of these metals can be widely used.
  • the low acoustic impedance layer for example, Mg alloy, SiO 2 , Al, Ti (in the case of transverse wave), ZnO, or the like is preferably used.
  • ZnO, Ag, SiN, AlN, Cu, TiO 2 , SiC, Al 2 O 3 , Au, Ni, Mo, Hf, Pt, Ta, W and the like are preferably used.
  • alloys of metals such as Au, Ni, Mo, Hf, Pt, Ta and W, oxides, nitrides, carbides and the like are also preferably used.
  • the piezoelectric body 4 is made of a piezoelectric single crystal such as LiTaO 3 or LiNbO 3 .
  • the piezoelectric body 4 may be made of polycrystals such as AlN, ScAlN and ZnO.
  • the piezoelectric body 4 is made of a piezoelectric thin plate having a thickness of about 0.5 to 3 ⁇ m.
  • the piezoelectric body 4 has a first main surface 4a and a second main surface 4b facing the first main surface 4a.
  • the second main surface 4b is in contact with the acoustic layer laminate 3.
  • the piezoelectric body 4 has a pair of side surfaces 4h and 4i and a pair of end surfaces 4j and 4k.
  • a first electrode 5 is provided on the first main surface 4a of the piezoelectric body 4.
  • a second electrode 6 is provided on the second main surface 4b so as to face the first electrode 5.
  • FIG. 2B shows the shape of the second electrode 6 in a perspective view.
  • the second electrode 6 is provided so as to bite into the acoustic layer 3a.
  • the second electrode 6 may be provided so as to bite into the piezoelectric body 4 side instead of the acoustic layer 3a.
  • the acoustic layer laminate 3 Since the acoustic layer laminate 3 is provided, the bulk wave is confined in the piezoelectric body 4. Therefore, good resonance characteristics can be obtained.
  • the materials of the first and second electrodes 5 and 6 are not particularly limited, and various metals or alloys can be used as the materials of the first and second electrodes 5 and 6.
  • the area of the second electrode 6 is equal to or larger than the area of the first electrode 5. In that case, it can be used to connect a plurality of resonators as described later.
  • the piezoelectric body 4 is not particularly limited, but has a rectangular plate-like shape.
  • the piezoelectric body 4 has a substantially rectangular parallelepiped shape having a length direction and a width direction.
  • the piezoelectric body is not limited to having a rectangular plate-like shape, and the planar shape may have various planar shapes such as a circular shape, a fan shape, or a polygonal shape.
  • a pair of side surfaces 4h and 4i extend in the length direction of the piezoelectric body 4. Further, the end faces 4j and 4k extend in the width direction of the piezoelectric body 4.
  • the length direction of the piezoelectric body 4 may be the direction connecting the end faces 4j and 4k. In that case, the pair of side surfaces 4h and 4i extend in the width direction of the piezoelectric body 4.
  • the side groove 11 as a pair of grooves is provided on the outside of the portion where the first electrode 5 is provided. , 12 are provided.
  • the inner side surfaces forming the grooves of the side surface grooves 11 and 12 coincide with and are parallel to the side surfaces 4h and 4i.
  • the side grooves 11 and 12 are parallel to the outer circumferences of the first electrode 5 and the second electrode 6.
  • the inner side surfaces forming the grooves of the side surface grooves 11 and 12 are provided so as to be in contact with the first electrode 5, but are provided in the vicinity of the first electrode 5 and are not in contact with each other. It is also good.
  • the planar shape of the facing portions of the first electrode 5 and the second electrode 6 is not limited to a rectangle.
  • the first electrode may have another shape such as an elliptical shape, and the planar shapes of the first electrode 5 and the second electrode 6 are not particularly limited.
  • the planar shape of the pair of grooves is a non-linear shape.
  • the planar shape of the pair of grooves is not limited to a straight line, but may be various shapes such as a zigzag shape, a curved shape, or an uneven shape.
  • the side grooves 11 and 12 extend downward from the first main surface 4a and reach the support substrate 2 in the present embodiment. That is, the depths of the side grooves 11 and 12 are set to be a depth that exceeds the piezoelectric body 4 and reaches the inside of the acoustic layer laminate 3 or the support substrate 2.
  • the elastic wave device 1 is a bulk wave resonator using the thickness slip mode in the piezoelectric body 4.
  • the thickness of the piezoelectric body 4 becomes thinner and the size of the electrode becomes smaller. That is, the size of the piezoelectric body 4 becomes smaller in the vibrating portion where the first electrode 5 and the second electrode 6 face each other.
  • the side grooves 11 and 12 can be formed by etching, the size of the vibrating portion can be sufficiently reduced to cope with high frequency.
  • the groove is formed by dicing, if the size is reduced, cracks may occur or the non-linear groove may not be formed. According to etching, such cracks are unlikely to occur, and non-linear grooves can be easily formed. Therefore, it is preferable that the side grooves 11 and 12 are formed by etching.
  • the side grooves 11 and 12 do not reach both ends of the piezoelectric body 4 in the longitudinal direction. That is, side grooves 11 and 12 having a length between the broken line A in FIG. 2A and the broken line A are provided. Therefore, the regions 4c and 4d are provided on the outer sides of the side grooves 11 and 12 in the longitudinal direction.
  • the width direction dimensions of the regions 4c and 4d are larger than the width of the vibrating portion in which the first electrode 5 and the second electrode 6 face each other. That is, the width direction dimensions of the regions 4c and 4d are large because the side grooves 11 and 12 are not provided. Therefore, the area of the lead-out electrode 7 connected to the first electrode 5 can be made sufficiently large on the region 4c.
  • a side groove is provided on the first main surface of the piezoelectric body, and this groove is (a) a region outside the portion where the first electrode or the second electrode is provided. Of these, or (b) of the outer region of the portion where the first electrode and the second electrode are provided, at least a part of the remaining portion excluding the portion where the extraction electrode is provided is provided. .. Therefore, the area of the extraction electrode can be made sufficiently large as described above.
  • the second electrode 6 can also be formed in a large area on the lower surface side of the piezoelectric body 4 facing the region 4d of the piezoelectric body 4 on the second main surface 4b side of the piezoelectric body 4. Therefore, as will be described later, the second electrode 6 can be easily electrically connected to the outside.
  • FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the groove depths of the side grooves 11 and 12 and the impedance ratio in the resonance characteristics of the elastic wave device.
  • the impedance ratio is the ratio of the impedance Za ( ⁇ ) at the antiresonance frequency to the impedance Zr ( ⁇ ) at the resonance frequency, and is represented by 20 ⁇ log (Za / Zr) [dB]. Since Q has a strong correlation with the impedance ratio, if the impedance ratio is large, the Q characteristic can be enhanced. Therefore, for example, when a band-passing filter using a plurality of elastic wave devices is configured, it is possible to increase the steepness of the filter characteristics and reduce the loss in the pass band.
  • FIG. 3 shows the results for the elastic wave device 1 using the following materials.
  • Piezoelectric body 4 LiTaO 3 , dimensions of facing portions of the first and second electrodes 5 and 6: 150 ⁇ m ⁇ 30 ⁇ m, thickness of the first and second electrodes 5 and 6, respectively: 10 nm, material of high acoustic impedance layer: W, Material of low acoustic impedance layer: Al, Material of first and second electrodes 5 and 6: Al.
  • FIG. 3 shows the results when the lengths of the side grooves 11 and 12 / electrode lengths are 1.25 and 1.45.
  • the electrode length in the length direction is taken as the average electrode length.
  • the impedance ratio gradually increases as the depths of the side grooves 11 and 12 increase. From FIG. 3, it can be seen that in order to set the impedance ratio to 100 dB or more, the groove depths of the side grooves 11 and 12 should be set to (piezoelectric thickness-thickness of one acoustic layer) or more.
  • the piezoelectric body thickness is the thickness of the piezoelectric body 4.
  • the impedance ratio can be 105 dB or more if the groove depths of the side grooves 11 and 12 are set to be equal to or larger than the thickness of the piezoelectric body 4. More preferably, the depths of the side grooves 11 and 12 are (thickness of the piezoelectric body 4 + thickness of two acoustic layers) or more. That is, it is more preferably equal to or more than the total thickness of the thickness of the piezoelectric body 4 and the thicknesses of the acoustic layers 3a and 3b from the piezoelectric body 4 side to the first and second layers. Thereby, the impedance ratio can be set to 110 dB or more.
  • FIG. 4A is a perspective view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • the end face groove 22 is provided on the end face 4f of the piezoelectric body 4. Since it is provided on the outside of the end face 4f, it is referred to as an end face groove 22.
  • the end face groove 22 is provided on one end side in the longitudinal direction of the piezoelectric body 4 on the outside of the portion where the first electrode 5 is provided.
  • the end face 4f of the piezoelectric body 4 faces the end face groove 22. Therefore, here, the end face 4f constitutes the side surface of the end face groove 22.
  • the end face groove 22 has a triangular shape including one corner portion of the piezoelectric body 4 in a plan view. Therefore, the end face 4f of the piezoelectric body 4 facing the end face groove 22 is not perpendicular to the length direction of the first electrode 5. Further, the end face groove 22 is not parallel to the length direction of the first electrode 5.
  • the side surface of the groove in the present invention does not have to be perpendicular to the longitudinal direction of the first electrode 5 and the piezoelectric body 4, and may have a shape in which at least a part thereof is non-vertical.
  • the groove may be non-parallel to the length direction or width direction of the first electrode 5 or the longitudinal direction of the piezoelectric body 4.
  • the groove may be non-parallel to the outer circumferences of the first electrode 5 and the second electrode 6.
  • FIG. 5 shows the impedance characteristics of the resonator of the elastic wave device of the second embodiment.
  • the support substrate 2, the acoustic layer laminate 3, the piezoelectric body 4, and the first and second electrodes 5 and 6 are the same as in the case of the first embodiment.
  • the length of the piezoelectric body 4 was 150 ⁇ m, the width was 30 ⁇ m, and the thickness was 1 ⁇ m.
  • FIG. 4B is an example in the case where there is one end face groove 22 in addition to the side surface grooves 11 and 12, and the end face groove 22 is provided at the end in the longitudinal direction of the electrode.
  • FIG. 6 is a perspective view of an elastic wave device of a comparative example.
  • the elastic wave device 101 of the comparative example was the same as the elastic wave device 21 except that the end face groove 22 of FIG. 4 was not provided.
  • FIG. 7 shows the impedance characteristics of the elastic wave device 101 of the comparative example.
  • the impedance ratio is 105 dB. Therefore, it can be seen that the impedance ratio can be effectively increased by providing the end face groove 22. This is because the end face groove 22 is not provided in the comparative example, whereas in the present embodiment, the end face groove 22 is provided non-parallel to the first electrode 5, so that the impedance ratio is increased. It is considered to be.
  • the side surface grooves 11 and 12 and the end surface grooves 22 may be inclined in the thickness direction of the piezoelectric body 4 and the acoustic layer laminate 3.
  • FIG. 8 is a schematic view for explaining the inclination angle of the side surface exposed to the side groove.
  • a side groove 11A deeper than the thickness of the piezoelectric body 4 and the acoustic layer laminate 3 is provided.
  • the inclination angle ⁇ of the side surface 4g exposed in the side surface groove 11A is an angle formed by the side surface 4g in the direction B orthogonal to the first main surface 4a of the piezoelectric body 4.
  • the side surface 4g exposed to the side surface groove 11A may be inclined from the normal direction with respect to the first main surface 4a of the piezoelectric body 4.
  • the side surface 4g may have a reverse taper shape instead of a taper shape.
  • the side surface of the groove does not have to be linear as shown in the cross section shown in FIG. 8, and may have a curved shape or an uneven shape.
  • FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the inclination angle ⁇ of the side surface and the impedance ratio.
  • the elastic wave device is configured in the same manner as in the first embodiment except for the inclination angle ⁇ .
  • the impedance ratio can be 100 dB or more. More preferably, the inclination angle ⁇ is 27 ° or less. In that case, the impedance ratio can be 105 dB or more. More preferably, the inclination angle ⁇ is 20 ° or less. In that case, the impedance ratio can be 110 dB or more.
  • the side grooves 11 and 12 are provided parallel to the longitudinal direction of the first electrode 5. That is, the side grooves 11 and 12 were provided on the outside of the long side of the first electrode 5 so as to be adjacent to the first electrode 5.
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the groove length / electrode length and the impedance ratio in this structure.
  • the groove length is a dimension along the longitudinal direction of the piezoelectric body 4 in the side grooves 11 and 12.
  • the relationship between the groove depth / electrode length and the impedance ratio when the groove depth is 1T, 1T + 2 acoustic layers or 1T + 4 acoustic layers is shown in FIG.
  • T in the groove depth is the thickness of the piezoelectric body 4.
  • Other design parameters were the same as in the first embodiment.
  • the groove length / electrode length is preferably 0.7 or more.
  • the impedance ratio can be 100 dB or more. More preferably, the groove length / electrode length is 0.8 or more, and in that case, the impedance ratio can be 105 dB or more. More preferably, the groove length / electrode length is 0.87 or more. In that case, the impedance ratio can be 110 dB or more. Further, when the groove length / electrode length is 0.87 or more, the impedance ratio improving effect is saturated.
  • Each elastic wave device shown above is an elastic wave resonator.
  • an example of an elastic wave device as an elastic wave filter device according to the present invention will be described.
  • FIG. 11 is a perspective view of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention
  • FIG. 12 is a perspective view for explaining an electrode provided on the lower surface of the piezoelectric body 4 in the third embodiment. Is.
  • the elastic wave device 31 has a structure in which a plurality of elastic wave resonators 32a, 32b to 34a, 34b are integrated.
  • the elastic wave resonators 32a and 32b have a structure in which the acoustic layer laminate 3 and the piezoelectric body 4 are laminated on the support substrate 2.
  • a first electrode 5 and a second electrode 6 are provided on the first main surface 4a of the piezoelectric body 4 so as to be separated from each other in the longitudinal direction of the piezoelectric body 4.
  • An electrode 9 is provided on the lower surface of the piezoelectric body 4.
  • the electrodes 9 face the first and second electrodes 5 and 6 via the piezoelectric body 4.
  • the elastic wave resonator 32a is formed by the portion where the first electrode 5 and the electrode 9 face each other.
  • the elastic wave resonator 32b is formed by the portion where the second electrode 6 and the electrode 9 face each other. As shown in FIG. 12, the portion of the electrode 9 sandwiched between the pair of broken lines is the lead-out electrode 9a. The elastic wave resonator 32a and the elastic wave resonator 32b are connected by the extraction electrode 9a.
  • Other elastic wave resonators 33a, 33b, 34a, 34b also have a similar structure.
  • the portion of the electrode 9 between the elastic wave resonator 33a and the elastic wave resonator 33b also corresponds to the extraction electrode.
  • the portion of the electrode 9 between the elastic wave resonator 34a and the elastic wave resonator 34b also corresponds to the extraction electrode.
  • the acoustic layer laminate 3 is provided between the support substrate 2 and the piezoelectric body 4.
  • a groove 35 is provided on the outside of the first and second electrodes 5 and 6.
  • the groove 35 is shared by the adjacent elastic wave resonators 32a and 33a.
  • Adjacent elastic wave resonators 32a and 33a are separated by a groove 35.
  • Adjacent elastic wave resonators 32b and 33b are also separated by a groove 35.
  • the groove 35 is provided so as to penetrate the piezoelectric body 4 from the first main surface 4a of the piezoelectric body 4 and also to penetrate the acoustic layer laminate 3.
  • the groove 35 is formed in at least a part of the outer region of the portion where the first electrode 5 and the second electrode 6 are provided, except for the portion corresponding to the lead-out electrode. It will be provided. That is, in the present invention, a groove is provided from the first main surface side, and a plurality of electrodes are provided on the second main surface 4b of the piezoelectric body 4 so as to avoid the groove. It may have a structure in which the elastic wave resonators of the above are electrically connected.
  • a groove 35 is also provided between the elastic wave resonators 33a and 33b and the elastic wave resonators 34a and 33b.
  • the elastic wave device 31 six elastic wave resonators are configured as shown in the circuit diagram in FIG.
  • a plurality of elastic wave resonators may be integrated via the groove 35. Even in this case, since the groove 35 is provided, even when the frequency is increased, the external or other electrical element portion is outside the portion where the first and second electrodes 5 and 6 are provided. Can be easily electrically connected to.
  • the width, length, and thickness of the electrodes in the six elastic wave resonators 32a, 32b to 34a, and 34b in FIG. 11 do not have to be the same.
  • FIG. 14 (a) is a perspective view of the elastic wave device according to the fourth embodiment
  • FIG. 14 (b) is a perspective view showing an electrode formed on the lower surface of the piezoelectric body.
  • the elastic wave device 41 has a structure in which a plurality of elastic wave resonators 42 to 44 are integrated.
  • the elastic wave resonator 42 has a structure similar to that of the elastic wave device 1. That is, the side grooves 11 and 12 extending in the length direction of the piezoelectric body 4 are provided on both sides of the first electrode 5.
  • the elastic wave resonator 43 and the elastic wave resonator 44 also have side grooves 11 and 12. The side groove 12 and the side groove 11 are connected between the adjacent elastic wave resonators 42 and 43.
  • the electrode provided on the lower surface of the piezoelectric body 4 can be the second electrode 8 as a common electrode as shown in FIG. 14 (b).
  • the configuration shown in the circuit diagram in FIG. 15 is expressed.
  • the plurality of elastic wave resonators 42 to 44 are configured on the same support substrate 2, and includes the configuration of the T-type ladder type filter circuit.
  • the region surrounded by the broken line in FIG. 14B is a region where the electrode is scraped and does not exist when the side groove is formed and the depth of the groove is larger than the thickness of the piezoelectric body. Further, by making the electrode thickness and / and the thickness of the piezoelectric body of the three resonators different, the frequencies can be made different, and a desired filter can be configured.
  • FIG. 16A is a perspective view of the elastic wave device according to the fifth embodiment
  • FIG. 16B is a perspective view for explaining an electrode formed on the lower surface of the piezoelectric body.
  • the elastic wave resonators 52 to 54 may be integrally configured in the length direction of the piezoelectric body 4.
  • the elastic wave resonators 52 to 54 are configured in the same manner as the elastic wave resonators 42 to 44.
  • the first electrode 5 of the elastic wave resonator 43 and the first electrode 5 of the elastic wave resonator 53 are connected by the connection electrode 55.
  • the first electrode 5 of the elastic wave resonator 44 and the first electrode 5 of the elastic wave resonator 54 are connected by a connection electrode 56.
  • the second electrodes 8A and 8B as common electrodes are provided on the lower surface of the piezoelectric body. Therefore, the filter circuit shown in FIG. 17 can be configured.
  • the second electrodes 8A and 8B as common electrodes have a larger area than the first electrode 5.
  • the plurality of second electrodes are standardized by the second electrodes 8A and 8B having a large area.
  • the elastic wave device 51 is also provided with a plurality of side grooves 11 and 12, the elastic wave device 51 is provided with external or other electronic component element portions, for example, adjacent elastic wave resonators, outside the region where the grooves are provided. The electrical connection can be easily made.
  • the second electrode 8A and the second electrode 8B may be electrically connected to each other.
  • the second electrodes 8A and 8B may be electrically connected or each may be divided.
  • FIG. 18 (a) is a perspective view of the elastic wave device of the sixth embodiment in which a part of the third embodiment of FIG. 11 and the elastic wave device of the fourth embodiment of FIG. 14 are combined.
  • 18 (b) is a perspective view for explaining an electrode formed on the lower surface of the piezoelectric body.
  • the elastic wave resonators 62 and 63 are integrated in addition to the elastic wave resonators 42 to 44.
  • Three electrodes 64 to 66 are provided, and all of the electrodes 64 to 66 are common electrodes.
  • FIG. 19 is a circuit diagram of the elastic wave device shown in FIGS. 18 (a) and 18 (b), and a ⁇ -type ladder type filter circuit is configured. Also in this structure, the electrodes 64, 65, and 66 can be divided or connected to use any connection method.
  • the elastic wave devices 71, 81, 91 according to the seventh to ninth embodiments will be described.
  • the elastic wave devices 71, 81 and 91 are different in the vibration mode used from the elastic wave devices according to the first to sixth embodiments.
  • the elastic wave devices 71, 81, 91 according to the seventh to ninth embodiments are also provided with grooves from the first main surface 4a side of the piezoelectric body 4.
  • a plurality of elastic wave resonators are electrically connected by using a plurality of electrodes provided on the second main surface of the piezoelectric body so as to avoid this groove.
  • FIG. 20 is a perspective view of the elastic wave device of the seventh embodiment.
  • elastic wave resonators 72 to 74 are integrated.
  • the acoustic layer laminate 3 and the piezoelectric body 4 are laminated on the support substrate 2.
  • side grooves 11 and 12 are provided on the outside of each elastic wave resonator 72 to 74.
  • a first electrode 5 is provided on the first main surface 4a of the piezoelectric body 4.
  • a lead-out electrode 7 is provided on the first electrode 5.
  • the side grooves 11 and 12 cover at least a part of the remaining region except the portion where the lead-out electrode 7 is provided, outside the portion where the first electrode 5 is provided. It is provided.
  • the width vibration of the side surface where the elastic wave resonators 72 to 74 face the side surface grooves 11 and 12 is used.
  • FIG. 21 is a perspective view of the elastic wave device according to the eighth embodiment.
  • the acoustic layer laminate 3 and the piezoelectric body 4 are laminated on the support substrate 2, and the first electrode 5 is provided on the first main surface 4a of the piezoelectric body 4.
  • Elastic wave resonators 82 to 84 are configured by utilizing the length vibration of the side surface or the end surface, which has a larger dimension in the length direction or the width direction.
  • the first electrode 5 is provided on the first main surface 4a of the piezoelectric body 4.
  • a second electrode 6 is provided on the lower surface of the piezoelectric body 4 so as to face the first electrode 5.
  • the extraction electrode 7 is connected to the first electrode 5. Further, at least a part of the remaining region other than the region where the elastic wave resonators 82 to 84 are provided and the portion where the extraction electrode 7 is provided is hollowed out to provide the groove 85. There is.
  • FIG. 22 is a perspective view of the elastic wave device of the ninth embodiment.
  • the elastic wave device 91 is an elastic wave device that utilizes thickness vibration.
  • the acoustic layer laminate 3 and the piezoelectric body 4 are laminated on the support substrate 2.
  • Grooves 92 and 93 are provided so as to reach the layer of the acoustic layer laminate 3 from the first main surface 4a side of the piezoelectric body 4.
  • elastic wave resonators 94 to 96 are integrally configured.
  • the elastic wave resonators 94 to 96 have a first electrode 5 provided on the first main surface 4a and a second electrode provided on the second main surface.
  • the lead-out electrode 7 is connected to the first electrode 5.
  • the grooves 92 and 93 are provided in at least a part of the outer region of the portion where the first electrode 5 is provided, except for the portion where the drawer electrode 7 is provided. ..
  • elastic wave resonators 94 to 96 use the thickness longitudinal mode.
  • FIGS. 20 to 22 various vibration modes can be used in the present invention.
  • the same circuit as in FIG. 15 can be configured.
  • Elastic wave device 42 to 44 ... Elastic wave resonator 51 ... Elastic wave device 52 ⁇ 54 ... Elastic wave resonators 55, 56 ... Connection electrodes 61 ... Elastic wave devices 62, 63 ... Elastic wave resonators 64 to 66 ... Electrodes 71, 81, 91 ... Elastic wave devices 72 to 74, 82 to 84, 94 ⁇ 96 ... Elastic wave resonator 85, 92, 93 ... Groove

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Abstract

外部や他の電子部品素子部分との電気的接続が容易に行うことができる、弾性波装置を提供する。　支持基板２と、圧電体４と、音響層積層体３と、第１の電極５、第２の電極６及び引き出し電極７とを備え、圧電体４の第１の主面４ａに第１の電極５が設けられており、圧電体４の第２の主面４ｂに第２の電極６が設けられており、圧電体４の第１の主面４ａまたは第２の主面４ｂに引き出し電極７が設けられており、引き出し電極７が第１の電極５または第２の電極６に電気的に接続されており、圧電体４の第１の主面４ａ側から溝として側面溝１１，１２が設けられており、側面溝１１，１２は、前記第１の電極及び前記第２の電極の少なくとも１つの電極の外側の領域のうち、引き出し電極７が設けられている部分を除く残りの部分の少なくとも一部に設けられている、弾性波装置１。

Description

弾性波装置
　本発明は、複数の音響層が積層された音響層積層体と、圧電体とが積層されている弾性波装置に関する。
　従来、バルク波を利用した弾性波装置が種々提案されている。下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、音響層上に圧電体が積層されている。音響層では、音響インピーダンスが相対的に高い高インピーダンス音響膜と、音響インピーダンスが相対的に低い低インピーダンス音響膜とが積層されていた音響層積層体を有している。音響層積層体上に圧電体を積層することにより、バルク波を圧電体に閉じ込めることができる。
　上記圧電体を励振するために、圧電体に接するように、第１の電極及び第２の電極が設けられている。
特開２０１５－２２８６２０号公報
　特許文献１は、圧電体に接した第１の電極および第２の電極の外周に沿って、音響層積層体とともに切断される。そのため、他の電極または端子との電気的な接続を行うためには、ワイヤー電極を用いた配線が必要になる。しかしながら、フィルタなどの回路を構成するために、複数の弾性波装置を電気的に接続する場合、配線が複雑になるという問題がある。
　本発明の目的は、外部や他の電子部品素子部分との電気的接続が容易である、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、支持基板と、第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面とを有する圧電体と、前記圧電体の前記第１の主面に設けられた第１の電極と、前記圧電体の前記第２の主面に設けられた第２の電極と、前記第２の主面と前記支持基板との間に設けられた音響層積層体と、前記第１の電極または前記第２の電極に電気的に接続されており、前記圧電体の前記第１の主面または前記第２の主面に設けられている引き出し電極とを備え、前記圧電体には、溝が設けられており、前記溝は、前記圧電体の厚み方向から平面視した場合に、前記第１の電極及び前記第２の電極の少なくとも１つの電極の外側の領域のうち、前記引き出し電極が設けられている部分を除く残りの部分の少なくとも一部に設けられている。
　本発明に係る弾性波フィルタ装置は、第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面とを有する圧電体と、前記圧電体の前記第１の主面及び前記第２の主面にそれぞれ設けられた複数の電極と、前記圧電体の前記第２の主面に積層されており、複数の音響層が積層されている音響層積層体と、前記音響層積層体の前記圧電体とは反対側に積層された支持基板とを備え、前記圧電体及び前記圧電体の前記第１の主面及び前記第２の主面に設けられた前記複数の電極により複数個の弾性波共振子が構成されており、前記圧電体の前記第１の主面側から溝が設けられており、前記溝を避けるように前記圧電体の前記第２の主面に設けられた複数の電極を用いて、前記複数個の弾性波共振子が電気的に接続されている。
　本発明に係る弾性波装置によれば、外部や他の電子部品素子部分との電気的接続が容易な弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の断面図であり、図２（ａ）のＸ１－Ｘ１線に沿う部分の断面図である。 図２（ａ）本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の外観を示す斜視図であり、図２（ｂ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置における第２の電極の形状を説明するための斜視図である。 図３は、側面溝の深さと、インピーダンス比との関係を示す図である。 図４（ａ）は本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の斜視図であり、図４（ｂ）はその変形例の斜視図である。 図５は、第２の実施形態の弾性波装置のインピーダンス特性を示す図である。 図６は、比較例の弾性波装置の斜視図である。 図７は、比較例の弾性波装置のインピーダンス特性を示す図である。 図８は、側面溝に露出している側面の傾斜角度を説明するための模式図である。 図９は、側面溝に露出している側面の傾斜角度と、インピーダンス比との関係を示す図である。 図１０は、溝長さ／電極長さと、インピーダンス比との関係を示す図である。 図１１は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の斜視図である。 図１２は、第３の実施形態の弾性波装置において、圧電体の下面に形成された電極を説明するための斜視図である。 図１３は、第３の実施形態の弾性波装置の回路図である。 図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第４の実施形態の弾性波装置の斜視図及び圧電体の下面に形成された電極を説明するための斜視図である。 図１５は、第４の実施形態の弾性波装置の回路図である。 図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、第５の実施形態の弾性波装置の斜視図及び圧電体の下面に形成された電極を説明するための斜視図である。 図１７は、第５の実施形態の弾性波装置の回路図である。 図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、第６の実施形態の弾性波装置の斜視図及び圧電体の下面に形成された電極を説明するための斜視図である。 図１９は、第６の実施形態の弾性波装置の回路図である。 図２０は、第７の実施形態の弾性波装置の斜視図である。 図２１は、第８の実施形態の弾性波装置の斜視図である。 図２２は、第９の実施形態の弾性波装置の斜視図である。 図２３は、第１の実施形態の弾性波装置の変形例を示す斜視図である。 図２４は、第１の実施形態のさらに他の変形例を説明するための斜視図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の断面図であり、図２（ａ）のＸ１－Ｘ１線に沿う部分の断面図であり、図２（ａ）は外観を示す斜視図である。
　弾性波装置１は、支持基板２を有する。支持基板２は、Ｓｉからなる。もっとも、支持基板２の材料は、特に限定されない。例えば、Ｓｉ以外の半導体や、ガラスなどの絶縁体又は誘電体などを用いることができる。
　支持基板２上に、音響層積層体３及び圧電体４が積層されている。音響層積層体３は、複数の音響層３ａ～３ｆを有する。圧電体４側から順に、音響層３ａ，音響層３ｂ，音響層３ｃ，音響層３ｄ，音響層３ｅ及び音響層３ｆが積層されている。本実施形態では、音響層積層体３は、６層の音響層３ａ～３ｆを有する。もっとも、音響層の積層数はこれに限定されるものではない。ここでは、積層数が６層の例を示している。音響層３ａ，３ｃ，３ｅは、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層である。音響層３ｂ，３ｄ，３ｆは、音響インピーダンスが相対的に高い、高音響インピーダンス層である。低音響インピーダンス層の材料及び高音響インピーダンス層の材料は、上記相対的な音響インピーダンス関係が満たされれば特に限定されない。もっとも、下記の表１及び表２に示すさまざまな音響インピーダンスの材料を用いることができる。
　下記の表１に、縦波の音響インピーダンスＺｌ（Ｎｓ／ｍ３）の数値順に、音響層を構成するのに用いられ得る材料を示す。また下記の表２に、横波の音響インピーダンスＺｓ（Ｎｓ／ｍ３）の数値順に用いられ得る材料を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　なお、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層の材料は、表１及び表２に示した材料に限らず、これらの金属の合金、炭化物、酸化物または窒化物などを広く用いることができる。
　低音響インピーダンス層には、例えば、Ｍｇ合金、ＳｉＯ２、Ａｌ、Ｔｉ（横波の場合）やＺｎＯなどが好適に用いられる。また、高音響インピーダンス層には、ＺｎＯ、Ａｇ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、Ｃｕ、ＴｉＯ２、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、Ａｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗなどが好適に用いられる。また、Ａｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｔａ及びＷなどの金属の合金、酸化物、窒化物、または炭化物なども好適に用いられる。
　圧電体４は、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶からなる。もっとも、圧電体４は、ＡｌＮ、ＳｃＡｌＮやＺｎＯなどの多結晶からなるものであってもよい。
　圧電体４は、厚み０．５～３μｍ程度の圧電薄板からなる。圧電体４は、第１の主面４ａと、第１の主面４ａと対向している第２の主面４ｂとを有する。第２の主面４ｂが、音響層積層体３に接している。
　また、圧電体４は、一対の側面４ｈ，４ｉと、一対の端面４ｊ，４ｋとを有する。
　圧電体４の第１の主面４ａに、第１の電極５が設けられている。第１の電極５と対向するように、第２の主面４ｂに第２の電極６が設けられている。図２（ｂ）に、第２の電極６の形状を斜視図で示す。図１では、第２の電極６は、音響層３ａ内に食い込むように設けられている。もっとも、第２の電極６は、音響層３ａではなく、圧電体４側に食い込むように設けられていてもよい。第１の電極５と、第２の電極６との間に交流電界を印加することにより、第１の電極５と第２の電極６とが対向している領域で例えば厚み滑り振動が生じバルク波が励振される。それによって、このバルク波による共振特性が取りだされる。
　音響層積層体３が設けられているため、上記バルク波は、圧電体４に閉じ込められる。よって、良好な共振特性を得ることができる。
　上記第１，第２の電極５，６の材料は、特に限定されず、第１，第２の電極５，６の材料としてさまざまな金属もしくは合金を用いることができる。
　好ましくは、第２の電極６の面積は、第１の電極５の面積以上である。その場合には、後述のように、複数の共振子を接続するために利用することができる。
　本実施形態では、圧電体４は、特に限定されないが、矩形板状の形状を有する。一例として、圧電体４は、長さ方向と、幅方向とを有する略直方体状の形状を有する。なお、本発明において、圧電体は、矩形板状の形状を有するものに限定されず、平面形状が、円形、扇形または多角形などのさまざまな平面形状を有し得る。
　本実施形態の圧電体４では、一対の側面４ｈ，４ｉが圧電体４の長さ方向に延びている。また、端面４ｊ，４ｋが、圧電体４の幅方向に延びている。
　もっとも、本発明においては、図２３に示すように、圧電体４の長さ方向は、端面４ｊ，４ｋを結ぶ方向であってもよい。その場合、圧電体４の幅方向に、一対の側面４ｈ，４ｉが延びることになる。
　図２（ａ）に示すように、圧電体４及び音響層積層体３が積層されている構造において、第１の電極５が設けられている部分の外側に、一対の溝としての側面溝１１，１２が設けられている。
　上記側面溝１１，１２の溝を構成している内側面は、側面４ｈ，４ｉと一致しており、平行である。側面溝１１，１２は、第１の電極５及び第２の電極６の外周に対して平行である。側面溝１１，１２の溝を構成している内側面は、第１の電極５に接触するように設けられているが、第１の電極５の近傍に設けられており、接触されておらずともよい。
　本発明において、第１の電極５及び第２の電極６の対向部分の平面形状は矩形に限定されない。図２４に示すように、第１の電極が、楕円形状などの他の形状を有していてもよく、第１の電極５及び第２の電極６の平面形状は特に限定されない。なお、図２４に示す構造では、一対の溝の平面形状は非直線形状となっている。このように、一対の溝の平面形状についても、直線状に限らず、ジグザグ状、曲線状または、凹凸状などの様々な形状とすることができる。
　図２（ａ）では、側面溝１１，１２は、第１の主面４ａから下方に延び、本実施形態では、支持基板２に至っている。すなわち、側面溝１１，１２の深さは圧電体４を超えて音響層積層体３中あるいは支持基板２内に至る深さとされている。
　弾性波装置１は、圧電体４における厚み滑りモードを用いたバルク波共振子である。この場合、高周波化が進むと圧電体４の厚みが薄くなり、また、電極のサイズが小さくなる。すなわち、第１の電極５と第２の電極６とが対向している振動部において、圧電体４のサイズが小さくなる。本実施形態では、側面溝１１，１２はエッチングで形成され得るため、振動部のサイズを十分に小さくし、高周波化に対応することができる。さらに、ダイシングにより溝を形成する場合、サイズが小さくなると、クラックが生じたり、非直線形状の溝を形成することができなかったりするおそれがある。エッチングによれば、このようなクラックが生じがたく、かつ非直線形状の溝も容易に形成することができる。従って、側面溝１１，１２の形成は、エッチングによることが好ましい。
　しかも、側面溝１１，１２は、圧電体４の長手方向両端には至っていない。すなわち、図２（ａ）の破線Ａと、破線Ａとの間の長さを有する側面溝１１，１２が設けられている。よって、側面溝１１，１２の上記長手方向外側には、領域４ｃ，４ｄが設けられている。この領域４ｃ，４ｄの幅方向寸法は、第１の電極５と第２の電極６とが対向しあっている振動部の幅よりも大きくなっている。すなわち、側面溝１１，１２が設けられていない分だけ、領域４ｃ，４ｄの幅方向寸法は大きい。従って、第１の電極５に接続された引き出し電極７の面積を、領域４ｃ上において十分な大きさとすることができる。
　すなわち、本発明では、圧電体の第１の主面に側面溝が設けられており、この溝が、（ａ）第１の電極もしくは第２の電極が設けられている部分の外側の領域のうち、または（ｂ）第１の電極及び第２の電極が設けられている部分の外側の領域のうち、引き出し電極が設けられている部分を除く残りの部分の少なくとも一部に設けられている。よって、上記のように引き出し電極の面積を十分な大きさとすることができる。
　したがって、高周波化が進んだ場合であっても、外部や他の電子部品素子部分との電気的接続を容易に行うことができる。
　なお、第２の電極６についても、圧電体４の第２の主面４ｂ側において、圧電体４の領域４ｄと対向している下面側に大きな面積で形成することができる。従って、後述のように第２の電極６の外部との電気的接続も容易に行うことができる。
　図３は、上記側面溝１１，１２の溝深さと、弾性波装置の共振特性におけるインピーダンス比との関係を示す図である。インピーダンス比とは、反共振周波数におけるインピーダンスＺａ（Ω）の共振周波数におけるインピーダンスＺｒ（Ω）に対する比であり、２０×ｌｏｇ（Ｚａ／Ｚｒ）［ｄＢ］で表される。Ｑはインピーダンス比と強い相関があるため、インピーダンス比が大きければ、Ｑ特性を高めることができる。従って、例えば弾性波装置を複数用いた帯域通過型フィルタを構成した場合、フィルタ特性の急峻性を高めるとともに通過帯域内のロスを低減することが可能となる。
　なお、図３は、下記材料を用いた弾性波装置１についての結果である。
　圧電体４：ＬｉＴａＯ３、第１，第２の電極５，６の対向部分の寸法：１５０μｍ×３０μｍ、第１，第２の電極５，６の厚み：それぞれ１０ｎｍ、高音響インピーダンス層の材料：Ｗ、低音響インピーダンス層の材料：Ａｌ、第１，第２の電極５，６の材料：Ａｌ。
　図３では、側面溝１１，１２の長さ／電極長さが１．２５の場合と、１．４５の場合の結果が示されている。第１の電極または第２の電極が台形や扇形の場合には、長さ方向の電極長さを電極長さ平均値とする。
　図３に示すように、側面溝１１，１２の深さが大きくなるにつれて、次第にインピーダンス比が大きくなっていることがわかる。図３より、インピーダンス比を１００ｄＢ以上とするには、側面溝１１，１２の溝深さを、（圧電体厚－音響層１層分の厚み）以上とすればよいことがわかる。ここで、圧電体厚とは、圧電体４の厚みである。
　また、側面溝１１，１２の溝深さを、圧電体４の厚み以上とすれば、インピーダンス比を１０５ｄＢ以上とし得ることがわかる。さらに好ましくは、側面溝１１，１２の深さは、（圧電体４の厚み＋音響層２層分の厚み）以上である。すなわち、圧電体４の厚みと、圧電体４側から１層目及び２層目までの音響層３ａ，３ｂの厚みとの合計の厚み以上であることがさらに好ましい。それによって、インピーダンス比を１１０ｄＢ以上とすることができる。
　図４（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の斜視図である。第２の実施形態の弾性波装置２１では、圧電体４の端面４ｆに端面溝２２が設けられている。なお、端面４ｆの外側に設けられているため、端面溝２２と表現することとする。端面溝２２は、圧電体４の長手方向一端側において、第１の電極５が設けられている部分の外側に設けられている。圧電体４の端面４ｆは、端面溝２２に臨んでいる。従って、ここでは端面４ｆは、端面溝２２の側面を構成している。この端面溝２２は、平面視において、圧電体４の一つのコーナー部分を含む三角形の形状とされている。従って、端面溝２２に臨む圧電体４の端面４ｆは、第１の電極５の長さ方向に対し垂直ではない。また、第１の電極５の長さ方向と、端面溝２２が非平行とされている。
　上記のように、本発明における溝の側面は、第１の電極５や、圧電体４の長手方向に垂直である必要はなく、少なくとも一部が非垂直である形状であってもよい。また、溝は、第１の電極５の長さ方向もしくは幅方向や圧電体４の長手方向と非平行であってもよい。溝は、第１の電極５及び第２の電極６の外周に対して非平行であってもよい。図５は、第２の実施形態の弾性波装置の共振子のインピーダンス特性を示す。ここで、支持基板２、音響層積層体３、圧電体４及び第１，第２の電極５，６は、第１の実施形態の場合と同様とした。
　なお、圧電体４の長さ：１５０μｍ、幅：３０μｍ、厚み：１μｍとした。端面溝２２の寸法は、図４（ａ）の寸法Ｌ１＝２０μｍ、深さ＝１μｍとした。
　図４（ｂ）は、側面溝１１，１２に加えて、端面溝２２が１つある場合の実施例であり、電極の長手方向の端に端面溝２２が設けられている。
　図４（ａ）の共振子の特性を図５に示す。
　図５から明らかなように、インピーダンス比は１１２ｄＢと大きい。図６は、比較例の弾性波装置の斜視図である。比較例の弾性波装置１０１では、図４の上記端面溝２２が設けられていないことを除いては、弾性波装置２１と同様とした。
　図７は、比較例の弾性波装置１０１のインピーダンス特性を示す。図７から明らかなように、インピーダンス比は１０５ｄＢである。従って、端面溝２２を設けることによりインピーダンス比を効果的に高め得ることがわかる。これは、比較例では、端面溝２２が設けられていないのに対し、本実施形態では、端面溝２２が第１の電極５に非平行に設けられているため、インピーダンス比が高められているものと考えられる。
　本発明に係る弾性波装置において、上記側面溝１１，１２及び端面溝２２は、圧電体４及び音響層積層体３の厚み方向において、傾斜していてもよい。図８は、側面溝に露出している側面の傾斜角度を説明するための模式図である。圧電体４及び音響層積層体３の厚みよりも深い側面溝１１Ａが設けられている。この側面溝１１Ａに露出している側面４ｇの傾斜角度αは、側面４ｇが、圧電体４の第１の主面４ａと直交する方向Ｂとなす角度とする。
　このように、側面溝１１Ａに露出している側面４ｇは、圧電体４の第１の主面４ａに対する法線方向から傾斜していてもよい。この場合、側面４ｇは、テーパー状でなく逆テーパー状であってもよい。さらに溝の側面は、図８に示す断面において、図示のような直線状である必要はなく、曲線状または凹凸を有する形状であってもよい。
　図９は、上記側面の傾斜角度αと、インピーダンス比との関係を示す図である。ここで、上記傾斜角度α以外は、第１の実施形態と同様に弾性波装置を構成した。
　図９から明らかなように、傾斜角度αが３２°以下であれば、インピーダンス比を１００ｄＢ以上とすることができる。より好ましくは、傾斜角度αは、２７°以下である。その場合には、インピーダンス比を１０５ｄＢ以上とすることができる。さらに好ましくは、傾斜角度αは、２０°以下である。その場合には、インピーダンス比を１１０ｄＢ以上とすることができる。
　第１の実施形態の弾性波装置１では、側面溝１１，１２が、第１の電極５の長手方向に平行に設けられていた。すなわち、第１の電極５の長辺の外側に、第１の電極５に隣接するように側面溝１１，１２が設けられていた。図１０は、この構造における溝長さ／電極長さと、インピーダンス比との関係を示す図である。ここでは、溝長さとは、側面溝１１，１２における圧電体４の長手方向に沿う寸法である。溝の深さが１Ｔ、１Ｔ＋音響層２層分または１Ｔ＋音響層４層分の場合の溝深さ／電極長さとインピーダンス比との関係が図１０に示されている。なお、溝深さにおけるＴは、圧電体４の厚みである。その他の設計パラメータは、第１の実施形態と同様とした。
　図１０に示すように、溝長さ／電極長さは、０．７以上であることが好ましい。その場合には、インピーダンス比を１００ｄＢ以上とすることができる。より好ましくは、溝長さ／電極長さは０．８以上であり、その場合には、インピーダンス比を１０５ｄＢ以上とすることができる。より好ましくは、溝長さ／電極長さは、０．８７以上である。その場合には、インピーダンス比を１１０ｄＢ以上とすることができる。また、溝長さ／電極長さが０．８７以上では、インピーダンス比向上効果は飽和している。
　上記において示した各弾性波装置は弾性波共振子である。以下において、本発明に係る弾性波フィルタ装置としての弾性波装置の例を説明する。
　図１１は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の斜視図であり、図１２は第３の実施形態において、圧電体４の下面に設けられた電極を説明するための斜視図である。
　弾性波装置３１は、複数の弾性波共振子３２ａ，３２ｂ～３４ａ，３４ｂを一体化した構造を有する。弾性波共振子３２ａ，３２ｂは、支持基板２上に音響層積層体３及び圧電体４を積層した構造を有する。圧電体４の第１の主面４ａ上に、圧電体４の長手方向において隔てられて、第１の電極５と第２の電極６とが設けられている。圧電体４の下面には、電極９が設けられている。電極９は、第１，第２の電極５，６と、圧電体４を介して対向している。第１の電極５と電極９とが対向している部分により、弾性波共振子３２ａが構成されている。第２の電極６と電極９とが対向している部分により、弾性波共振子３２ｂが構成されている。図１２に示すように、電極９の一部であって一対の破線間で挟まれた部分が引き出し電極９ａとなる。この引き出し電極９ａにより、弾性波共振子３２ａと弾性波共振子３２ｂとが接続されている。
　他の弾性波共振子３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂも同様の構造を有する。弾性波共振子３３ａと弾性波共振子３３ｂとの間の電極９の部分も、同様に引き出し電極に相当する。さらに、弾性波共振子３４ａと弾性波共振子３４ｂとの間の電極９の部分も引き出し電極に相当する。支持基板２と、圧電体４との間に音響層積層体３が設けられている。
　そして、第１，第２の電極５，６の外側に、溝３５が設けられている。溝３５は、隣り合う弾性波共振子３２ａ，３３ａにおいて共通化されている。隣り合う弾性波共振子３２ａ，３３ａが、溝３５を介して隔てられている。隣り合う弾性波共振子３２ｂ，３３ｂも、溝３５を介して隔てられている。溝３５は、側面溝１１や側面溝１２と同様に、圧電体４の第１の主面４ａから圧電体４を貫通し、音響層積層体３をも貫通するように設けられている。
　本実施形態において、溝３５は、第１の電極５及び第２の電極６が設けられている部分の外側の領域のうち、上記引き出し電極に相当する部分を除く残りの部分の少なくとも一部に設けられていることになる。すなわち、本発明においては、第１の主面側から溝が設けられており、この溝を避けるように圧電体４の第２の主面４ｂに設けられた複数の電極を用いて、複数個の弾性波共振子が電気的に接続されている構成を有していてもよい。
　弾性波共振子３３ａ，３３ｂと弾性波共振子３４ａ，３３ｂとの間にも溝３５が設けられている。
　弾性波装置３１では、図１３に回路図で示すように、６個の弾性波共振子が構成されている。
　第３の実施形態の弾性波装置３１のように、本発明に係る弾性波装置では、複数の弾性波共振子が溝３５を介して一体化されていてもよい。この場合においても、溝３５が設けられているため、高周波化を図った場合でも、第１，第２の電極５，６が設けられている部分の外側において、外部や他の電気的素子部分と容易に電気的に接続することができる。なお、図１１の６個の弾性波共振子３２ａ，３２ｂ～３４ａ，３４ｂにおける電極の幅、長さ及び厚みはそれぞれ同じである必要はない。
　図１４（ａ）は、第４の実施形態に係る弾性波装置の斜視図であり、図１４（ｂ）は、圧電体の下面に形成された電極を示す斜視図である。弾性波装置４１は、複数の弾性波共振子４２～４４を一体化した構造を有する。弾性波共振子４２は、弾性波装置１と同様の構造を有する。すなわち、第１の電極５の両側に圧電体４の長さ方向に延びる側面溝１１，１２を有する。弾性波共振子４３及び弾性波共振子４４も、側面溝１１，１２を有する。そして、隣り合う弾性波共振子４２，４３間においては、側面溝１２と側面溝１１とが連なっている。この場合、圧電体４の下面に設けられる電極は、図１４（ｂ）に示すように共通電極としての第２の電極８とすることができる。それによって、図１５に回路図で示す構成が発現される。このように、本実施形態では複数の弾性波共振子４２～４４が同一の支持基板２上で構成されており、Ｔ型のラダー型フィルタ回路の構成を含んでいる。
　なお、図１４（ｂ）の破線で囲まれた領域は、側面溝を形成したとき、溝の深さが圧電体の厚みより大きいとき、電極が削られ、存在しない領域である。また、３個の共振子の電極厚みまたは／及び圧電体の厚みを異ならせることにより、周波数を異ならせることができ、所望のフィルタを構成することができる。
　図１６（ａ）は、第５の実施形態に係る弾性波装置の斜視図であり、図１６（ｂ）は、その圧電体の下面に形成された電極を説明するための斜視図である。
　弾性波装置５１のように、弾性波共振子４２～４４に加えて、圧電体４の長さ方向において、さらに弾性波共振子５２～５４が一体に構成されていてもよい。弾性波共振子５２～５４は、弾性波共振子４２～４４と同様に構成されている。そして、弾性波共振子４３の第１の電極５と、弾性波共振子５３の第１の電極５とが接続電極５５により接続されている。同様に、弾性波共振子４４の第１の電極５と、弾性波共振子５４の第１の電極５とが接続電極５６により接続されている。この場合、圧電体の下面には、共通電極としての第２の電極８Ａ及び８Ｂが設けられている。従って、図１７に示すフィルタ回路を構成することができる。
　ここでは、共通電極としての第２の電極８Ａ，８Ｂは、第１の電極５よりも大きな面積を有している。このように、大きな面積の第２の電極８Ａ，８Ｂにより、複数の第２の電極の共通化が図られている。弾性波装置５１においても、複数の側面溝１１，１２が設けられているため、溝が設けられている領域の外側において、外部や他の電子部品素子部分、例えば隣り合う弾性波共振子との電気的接続を容易に行うことができる。第２の電極８Ａと第２の電極８Ｂとは、電気的に接続されていてもよい。
　また、共振子の接続方法に応じて、第２の電極８Ａ，８Ｂを電気的に接続したり、それぞれを分割してもよい。
　図１８（ａ）は、図１１の第３の実施形態の一部と図１４の第４の実施形態の弾性波装置を組み合わせた第６の実施形態の弾性波装置の斜視図であり、図１８（ｂ）は、その圧電体の下面に形成された電極を説明するための斜視図である。図１８（ａ）では、弾性波装置６１において、弾性波共振子４２～４４に加えて、弾性波共振子６２，６３が一体化されている。３つの電極６４～６６が設けられており、電極６４～６６は、いずれも共通電極である。
　図１９は、図１８（ａ），図１８（ｂ）に示した弾性波装置の回路図であり、π型のラダー型フィルタ回路が構成されている。この構造においても、電極６４，６５，６６をそれぞれ分割したり、接続して任意の接続方法を用いることができる。
　第７～第９の実施形態に係る弾性波装置７１，８１，９１を説明する。弾性波装置７１，８１及び９１は、第１～第６の実施形態に係る弾性波装置と利用している振動モードが異なる。また、弾性波装置３１と同様に、第７～第９の実施形態に係る弾性波装置７１，８１，９１においても、圧電体４の第１の主面４ａ側から溝が設けられており、この溝を避けるように圧電体の第２の主面に設けられた複数の電極を用いて、複数個の弾性波共振子が電気的に接続されている。
　図２０は、第７の実施形態の弾性波装置の斜視図である。弾性波装置７１では、弾性波共振子７２～７４が一体化されている。弾性波共振子７２～７４では、支持基板２上に、音響層積層体３及び圧電体４が積層されている。ここでは、各弾性波共振子７２～７４の外側に、側面溝１１，１２が設けられている。圧電体４の第１の主面４ａ上に、第１の電極５が設けられている。第１の電極５に引き出し電極７が設けられている。側面溝１１，１２は、第１の実施形態と同様に、第１の電極５が設けられている部分の外側において、引き出し電極７が設けられている部分を除く残りの領域の少なくとも一部に設けられている。この弾性波装置７１では、弾性波共振子７２～７４が側面溝１１，１２に臨む側面の幅振動を利用している。
　図２１は、第８の実施形態に係る弾性波装置の斜視図である。弾性波装置８１では、支持基板２上に、音響層積層体３及び圧電体４が積層されており、圧電体４の第１の主面４ａ上に第１の電極５が設けられている。側面あるいは端面の、長さ方向あるいは幅方向の寸法が大きい方の長さ振動を利用した弾性波共振子８２～８４が構成されている。各弾性波共振子８２，８３，８４において、圧電体４の第１の主面４ａ上に第１の電極５が設けられている。第１の電極５と対向するように、第２の電極６が圧電体４の下面に設けられている。
　ここでは、第１の電極５に、引き出し電極７が接続されている。また、弾性波共振子８２～８４が設けられている領域の外側であって、引き出し電極７が設けられている部分を除く残りの領域の少なくとも一部がくりぬかれて、溝８５が設けられている。
　図２２は、第９の実施形態の弾性波装置の斜視図である。
　弾性波装置９１は、厚み振動を利用した弾性波装置である。支持基板２上に、音響層積層体３及び圧電体４が積層されている。圧電体４の第１の主面４ａ側から溝９２，９３が、音響層積層体３の層に至るように設けられている。また、弾性波装置９１では、弾性波共振子９４～９６が一体に構成されている。
　弾性波共振子９４～９６は、第１の主面４ａに設けられた第１の電極５と、第２の主面に設けられた第２の電極とを有する。第１の電極５に引き出し電極７が接続されている。ここでも、溝９２，９３は、第１の電極５が設けられている部分の外側の領域のうち、引き出し電極７が設けられている部分を除く残りの部分の少なくとも一部に設けられている。この弾性波装置９１では、弾性波共振子９４～９６が厚み縦モードを利用している。
　図２０～図２２に示したように、本発明においては、様々な振動モードを利用することができる。なお、図２０～図２２に示した弾性波装置７１，８１，９１においても、図１５と同様の回路を構成することができる。
１…弾性波装置
２…支持基板
３…音響層積層体
３ａ～３ｆ…音響層
４…圧電体
４ａ…第１の主面
４ｂ…第２の主面
４ｃ，４ｄ…領域
４ｆ…端面
４ｇ，４ｈ，４ｉ…側面
４ｊ，４ｋ…端面
５…第１の電極
６…第２の電極
７，９ａ…引き出し電極
８，８Ａ，８Ｂ…第２の電極
９…電極
１１，１１Ａ，１２…側面溝
２１…弾性波装置
２２…端面溝
３１…弾性波装置
３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ…弾性波共振子
３５…溝
４１…弾性波装置
４２～４４…弾性波共振子
５１…弾性波装置
５２～５４…弾性波共振子
５５，５６…接続電極
６１…弾性波装置
６２，６３…弾性波共振子
６４～６６…電極
７１，８１，９１…弾性波装置
７２～７４，８２～８４，９４～９６…弾性波共振子
８５，９２，９３…溝

Claims (22)

  1. 　支持基板と、
    　第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面とを有する圧電体と、
    　前記圧電体の前記第１の主面に設けられた第１の電極と、
    　前記圧電体の前記第２の主面に設けられた第２の電極と、
    　前記第２の主面と前記支持基板との間に設けられた音響層積層体と、
    　前記第１の電極または前記第２の電極に電気的に接続されており、前記圧電体の前記第１の主面または前記第２の主面に設けられている引き出し電極とを備え、
    　前記圧電体には、溝が設けられており、
    　前記溝は、前記圧電体の厚み方向から平面視した場合に、前記第１の電極及び前記第２の電極の少なくとも１つの電極の外側の領域のうち、前記引き出し電極が設けられいてる部分を除く残りの部分の少なくとも一部に設けられている、弾性波装置。
  2. 　前記溝の深さが、前記圧電体の厚み以上である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記溝の深さは、前記圧電体の厚みと、前記圧電体側から１層目及び２層目までの音響層の厚みとの合計の厚み以上である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記溝の深さは、前記圧電体の厚みと、前記音響層積層体との合計の厚み以上である、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記溝は、前記第１の電極および前記第２の電極の外周に対して、非平行である、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記第１の電極および前記第２の電極の両側に前記溝が設けられ、
    　当該溝のそれぞれは、前記第１の電極および前記第２の電極の外周に対して平行である、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記第１の電極および前記第２の電極の両側の前記溝は、互いに平行である、
    　請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記溝は、
    　前記第１の電極および前記第２の電極の一辺の長さの０．７倍以上である、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記溝は、
    　前記第１の電極および前記第２の電極の一辺の長さの０．８７倍以上である、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記溝の少なくとも一部が、非直線状である、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記溝の厚み方向の断面が、前記圧電体の前記第１，第２の主面と直交する方向に対し傾斜している、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　前記溝の厚み方向の断面が、前記圧電体の前記第１の主面と直交する方向に対して３２°以下の傾斜角度で傾斜している、請求項１１に記載の弾性波装置。
  13. 　前記圧電体は、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３である、
    　請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　前記第１の電極および前記第２の電極との間で、厚みすべりモードを励振する、請求項１３に記載の弾性波装置。
  15. 　前記圧電体は、ＡｌＮまたはＳｃＡｌＮである、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  16. 　前記第１の電極および前記第２の電極との間で、厚み縦モードを励振する、
    　請求項１３または１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  17. 　前記圧電体の前記第１の主面または前記第２の主面に、インピーダンス素子を形成する電極をさらに備え、
    　前記第１の電極および前記第２の電極と、前記インピーダンス素子を形成する電極と、の間の少なくとも一部に、前記溝が設けられた、
    　請求項１～１６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  18. 　前記第２の主面に設けられた電極の面積が、前記第１の電極の面積以上である、請求項１～１７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  19. 　前記複数の弾性波装置を複数有し、前記複数の弾性波装置が同一の支持基板上で構成されており、Ｔ型のラダー型フィルタ回路が構成されている、請求項１８に記載の弾性波装置。
  20. 　前記複数の弾性波装置を複数有し、前記複数の弾性波共振子が同一の支持基板上で構成されており、π型のラダー型フィルタ回路が構成されている、請求項１９に記載の弾性波装置。
  21. 　請求項１～１７のいずれか１項に記載の弾性波装置を複数有し、
    　隣り合う弾性波装置間の少なくとも一部に前記溝が構成されている、弾性波フィルタ装置。
  22. 　第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面とを有する圧電体と、
    　前記圧電体の前記第１の主面及び前記第２の主面にそれぞれ設けられた複数の電極と、
    　前記圧電体の前記第２の主面に積層されており、複数の音響層が積層されている音響層積層体と、
    　前記音響層積層体の前記圧電体とは反対側に積層された支持基板とを備え、
    　前記圧電体及び前記圧電体の前記第１の主面及び前記第２の主面に設けられた前記複数の電極により複数個の弾性波共振子が構成されており、
    　前記圧電体の前記第１の主面側から溝が設けられており、前記溝を避けるように前記圧電体の前記第２の主面に設けられた複数の電極を用いて、前記複数個の弾性波共振子が電気的に接続されている、弾性波フィルタ装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024157984A1 (ja) * 2023-01-24 2024-08-02 日東電工株式会社 バルク音響波フィルタ及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138555A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電素子及びその製造方法
JP2005033775A (ja) * 2003-06-18 2005-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2010021914A (ja) * 2008-07-14 2010-01-28 Murata Mfg Co Ltd 分波器
JP2018110379A (ja) * 2017-01-03 2018-07-12 ウィン セミコンダクターズ コーポレーション 質量調整構造付きバルク音響波共振装置の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4756461B2 (ja) * 2005-10-12 2011-08-24 宇部興産株式会社 窒化アルミニウム薄膜およびそれを用いた圧電薄膜共振子
WO2009011022A1 (ja) * 2007-07-13 2009-01-22 Fujitsu Limited 圧電薄膜共振素子及びこれを用いた回路部品

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138555A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電素子及びその製造方法
JP2005033775A (ja) * 2003-06-18 2005-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2010021914A (ja) * 2008-07-14 2010-01-28 Murata Mfg Co Ltd 分波器
JP2018110379A (ja) * 2017-01-03 2018-07-12 ウィン セミコンダクターズ コーポレーション 質量調整構造付きバルク音響波共振装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024157984A1 (ja) * 2023-01-24 2024-08-02 日東電工株式会社 バルク音響波フィルタ及びその製造方法

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