WO2016185772A1 - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents

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WO2016185772A1
WO2016185772A1 PCT/JP2016/057758 JP2016057758W WO2016185772A1 WO 2016185772 A1 WO2016185772 A1 WO 2016185772A1 JP 2016057758 W JP2016057758 W JP 2016057758W WO 2016185772 A1 WO2016185772 A1 WO 2016185772A1
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surface acoustic
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support substrate
idt electrode
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木村　哲也
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to an end surface reflection type surface acoustic wave device and a method of manufacturing the surface acoustic wave device.
  • Patent Document 1 discloses an end surface reflection type surface acoustic wave device that reflects surface waves at two end surfaces facing each other.
  • a piezoelectric plate having an IDT electrode on its upper surface is cut to form an end surface that reflects surface waves. More specifically, among the electrode fingers of the IDT electrode, piezoelectrics parallel to the electrode fingers in a range from the outer edge of the electrode fingers provided at both ends in the elastic wave propagation direction to ⁇ / 8 toward the outer direction. The plate is cut in the thickness direction.
  • An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device and a surface acoustic wave device capable of simplifying electrical connection with other elements and circuit parts and reducing the size of mounted electronic components. It is to provide a manufacturing method.
  • the surface acoustic wave device has a first end face and a second end face facing the first end face, and reflects the surface acoustic waves at the first and second end faces.
  • An end surface reflection type surface acoustic wave device comprising: a support substrate; an intermediate layer provided on the support substrate; a piezoelectric layer provided on the intermediate layer, having a principal surface; and An IDT electrode provided on a main surface, wherein the first end surface is disposed at one end of the surface acoustic wave propagation direction and at least from the main surface of the piezoelectric layer The second end surface is disposed at the other end of the surface acoustic wave propagation direction, and reaches at least a part of the intermediate layer from the main surface of the piezoelectric layer,
  • a support substrate is disposed outside the first and second end faces in the surface acoustic wave propagation direction. Having a support substrate portion was.
  • the support substrate also serves as a mounting substrate. In this case, electrical connection
  • each of the first and second end faces extends from the main surface of the piezoelectric layer to a part of the intermediate layer. In this case, delamination at the interface of each layer can be further suppressed.
  • the support substrate has a main surface that is in contact with the intermediate layer, and the first and second end surfaces are each of the piezoelectric layer.
  • the main surface leads to the main surface of the support substrate.
  • the support substrate has a first main surface in contact with the intermediate layer, and a second main surface facing the first main surface.
  • Each of the first and second end surfaces extends from the main surface of the piezoelectric layer between the first main surface and the second main surface of the support substrate. In this case, delamination at the interface of each layer can be further suppressed.
  • the intermediate layer has a multilayer structure in which a plurality of layers are stacked.
  • the layer closest to the support substrate in the stacking direction is made of silicon oxide.
  • the adhesion between the support substrate and the intermediate layer can be further enhanced.
  • each of the first and second end surfaces is a part of a layer closest to the support substrate in the intermediate layer from the main surface of the piezoelectric layer. Has reached. In this case, delamination at the interface of each layer can be further suppressed.
  • the support substrate is made of at least one selected from the group consisting of silicon, sapphire, LiTaO 3 , LiNbO 3 and glass.
  • the adhesion between the support substrate and the intermediate layer can be further enhanced.
  • a groove portion that penetrates at least a part of the piezoelectric layer and the intermediate layer and has a first side surface.
  • the first side surface of the groove portion has the first end surface.
  • the groove portion has a second side surface facing the first side surface, and the IDT electrode is a first IDT.
  • a second IDT electrode that is adjacent to the first IDT electrode across the groove in the surface acoustic wave propagation direction is provided, and a second side surface of the groove is the second IDT.
  • an end face for reflecting the surface acoustic wave excited by the IDT electrode can be further reduced in size.
  • the IDT electrode is a first IDT electrode, and is adjacent to the first IDT electrode in the surface acoustic wave propagation direction.
  • An IDT electrode is further provided, and a plurality of groove portions adjacent in the surface acoustic wave propagation direction are provided between the first IDT electrode and the second IDT electrode.
  • the side surface of the groove portion closest to the first IDT electrode has the first end surface, and the side surface of the groove portion closest to the second IDT electrode is excited by the second IDT electrode. And an end face for reflecting the surface acoustic wave.
  • the support substrate, the intermediate layer, and the piezoelectric layer are made of different materials.
  • a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention is a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, wherein the support substrate, the intermediate layer, the piezoelectric layer, and the IDT electrode are laminated in this order. And a step of removing at least a part of the piezoelectric layer and the intermediate layer by etching so as to form the first and second end faces.
  • a part of the support substrate is removed by dicing, and the first and second parts from the main surface of the piezoelectric layer to a part of the support substrate are removed.
  • the method further includes the step of forming the end face.
  • the surface acoustic wave device can be manufactured at a lower cost and in a shorter time.
  • a surface acoustic wave device capable of simplifying electrical connection with other elements and circuit portions.
  • a surface acoustic wave device that can reduce the size of the mounted electronic component.
  • FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing a surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a schematic plan view showing an electrode structure thereof.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic sectional view showing a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing a surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a schematic plan view showing an electrode structure thereof.
  • FIG. 2 is a
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a surface acoustic wave device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a surface acoustic wave device according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing a surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a schematic plan view showing an electrode structure thereof.
  • the surface acoustic wave device 1 has first and second end faces 1a and 1b.
  • the first and second end faces 1a and 1b face each other.
  • the surface acoustic wave device 1 is an end surface reflection type surface acoustic wave device that reflects surface acoustic waves at first and second end faces 1a and 1b.
  • the surface acoustic wave device 1 has a support substrate 2.
  • the support substrate 2 has first and second main surfaces 2a and 2b facing each other.
  • the material constituting the support substrate 2 is not particularly limited.
  • a semiconductor such as Si, sapphire, LiTaO 3 (hereinafter referred to as “LT”), LiNbO 3 (hereinafter referred to as “LN”), glass, and the like. Materials. These materials may be used alone or in combination.
  • An intermediate layer 3 is provided on the first main surface 2 a of the support substrate 2.
  • the intermediate layer 3 is constituted by SiO 2.
  • the material constituting the intermediate layer 3 is not particularly limited, and silicon nitride, aluminum nitride, or the like can be used. These may be used alone or in combination. From the viewpoint of improving the adhesion with the support substrate 2, it is preferable to use SiO 2 as a material constituting the intermediate layer 3.
  • the intermediate layer 3 may have a multilayer structure in which a plurality of layers are stacked as shown in sixth and seventh embodiments described later. In that case, it is desirable that the layer closest to the support substrate 2 in the stacking direction is made of SiO 2 .
  • the piezoelectric layer 4 is provided on the intermediate layer 3.
  • the piezoelectric layer 4 is preferably thin, for example, a thin film having a thickness of 1000 ⁇ m or less. In that case, the surface acoustic wave can be further excited.
  • the piezoelectric layer 4 is made of LT. But as a material which comprises the piezoelectric layer 4, other piezoelectric single crystals, such as LN, may be used, and piezoelectric ceramics may be used. In addition, the piezoelectric layer 4, the support substrate 2, and the intermediate
  • the piezoelectric layer 4 has a third main surface 4a and a fourth main surface 4b that face each other.
  • the fourth main surface 4b of the piezoelectric layer 4 is disposed on the intermediate layer 3 side.
  • a first IDT electrode 5 is provided on the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4.
  • the surface acoustic wave device 1 uses a surface acoustic wave mainly composed of an SH wave as a surface acoustic wave excited by the first IDT electrode 5.
  • the wavelength of the surface acoustic wave is assumed to be ⁇ .
  • the first IDT electrode 5 includes first and second bus bars 6 and 7 and a plurality of first and second electrode fingers 8 and 9.
  • the plurality of first electrode fingers 8 and the plurality of second electrode fingers 9 are interleaved with each other.
  • the plurality of first electrode fingers 8 are connected to the first bus bar 6, and the plurality of second electrode fingers 9 are connected to the second bus bar 7.
  • the direction orthogonal to the extending direction of the plurality of first and second electrode fingers 8 and 9 is the surface acoustic wave propagation direction.
  • the width of the electrode fingers 8a, 9a at both ends provided at both ends in the surface acoustic wave propagation direction is ⁇ / 8.
  • the width of all the other electrode fingers 8b and 9b is ⁇ / 4.
  • the material constituting the first IDT electrode 5 is not particularly limited, and examples thereof include an appropriate metal or alloy such as Cu, Ni, Ni—Cr alloy, Al—Cu alloy, Ti, Al, and Pt. These may be used alone or in combination. Further, the first IDT electrode 5 may be configured by a laminated metal film formed by laminating a plurality of metal films.
  • a SiO 2 film as a temperature characteristic adjusting film may be provided on the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4 so as to cover the IDT electrode 5.
  • the piezoelectric layer 4 and the intermediate layer 3 are provided with first and second groove portions 10A and 10B.
  • the first and second groove portions 10A and 10B have first and second side surfaces 10a and 10b and bottom portions 10c and 10d, respectively.
  • the first and second groove portions 10A and 10B are provided so as to be adjacent to the outer sides of the electrode fingers 8a and 9a at both ends in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the first and second side surfaces 10a and 10b are side surfaces of the first and second groove portions 10A and 10B on the first IDT electrode 5 side.
  • the bottom portions 10c and 10d of the first and second groove portions 10A and 10B are disposed between the fourth main surface 4b of the piezoelectric layer 4 and the first main surface 2a of the support substrate 2. Therefore, the bottom portions 10c and 10d of the first and second groove portions 10A and 10B do not reach the support substrate 2. Further, the bottom portions 10c and 10d of the first and second groove portions 10A and 10B are not located on the same plane as the interface of each layer.
  • the first side surface 10a of the first groove portion 10A has a first end surface 1a.
  • the first end face 1 a extends from the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4 to a part of the intermediate layer 3.
  • the second side surface 10b of the second groove portion 10B has a second end surface 1b.
  • the second end surface 1 b extends from the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4 to a part of the intermediate layer 3.
  • the first and second groove portions 10A and 10B may not be provided.
  • the first and second groove portions 10A and 10B are provided along the portion where the first IDT electrode 5 is provided in the direction in which the electrode fingers extend, as shown by the one-dot chain line in FIG. ing.
  • the first and second groove portions 10A and 10B may be provided along the excitation region of the IDT electrode 5 where the electrode fingers intersect in the direction in which the electrode fingers extend.
  • the first and second groove portions 10A and 10B may be provided in a region larger than the portion where the first IDT electrode 5 is provided in the direction in which the electrode fingers extend.
  • the support substrate 2 has support substrate portions 2A and 2B outside the first and second end faces 1a and 1b in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the support substrate portions 2A and 2B are made of the same material as that of the support substrate 2.
  • the support substrate 2 may have a function as a mounting substrate. In that case, other elements and circuit portions can be provided on the supporting substrate portions 2A and 2B. Therefore, in the surface acoustic wave device 1, it is not necessary to reconnect with other elements and circuit parts, and electrical connection can be simplified. In addition, since other elements and circuit portions can be provided on the support substrate portions 2A and 2B, the electronic component on which the surface acoustic wave device 1 is mounted can be downsized.
  • the first and second end faces 1 a and 1 b reach part of the intermediate layer 3. Therefore, the surface acoustic wave can be more reliably reflected by the first and second end faces 1a and 1b than when the piezoelectric layer 4 reaches only the fourth main surface 4b.
  • the first and second end faces 1 a and 1 b may be regions including the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4 and at least a part of the intermediate layer 3.
  • the bottom portions 10c and 10d of the first and second groove portions 10A and 10B are not located on the same plane as the interface of each layer. Therefore, impurities can be prevented from entering the interface, and delamination hardly occurs. Therefore, in the present invention, it is desirable that the bottom portions 10c and 10d of the first and second groove portions 10A and 10B are not located on the same plane as the interface of each layer.
  • the surface acoustic wave apparatus 1 Although it does not specifically limit as a manufacturing method of the surface acoustic wave apparatus 1, For example, it can manufacture by the method shown below. First, a laminated body in which the support substrate 2, the intermediate layer 3, the piezoelectric layer 4, and the first IDT electrode 5 are laminated in this order is formed. Next, at least a part of the piezoelectric layer 4 and the intermediate layer 3 constituting the laminated body is removed by etching. Thereby, the first groove portion 10A having the first end face 1a and the second groove portion 10B having the second end face 1b are formed.
  • the etching method is not particularly limited, but it is preferable to perform etching using an ICP-RIE method.
  • ICP-RIE method When etching by the ICP-RIE method, the first and second end faces 1a and 1b can be manufactured with higher accuracy.
  • the angle formed by the third main surface 4a and the first end surface 1a on the first groove 10A side is preferably 70 degrees or more and 90 degrees or less. Moreover, it is preferable that the angle which the 3rd main surface 4a and the 2nd end surface 1b make in the 2nd groove part 10B side is 70 degree or more and 90 degrees or less. In this case, the surface acoustic wave can be more reliably reflected at the first and second end faces 1a and 1b.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • the first and second groove portions 10 ⁇ / b> A and 10 ⁇ / b> B extend from the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4 to the first main surface 2 a of the support substrate 2.
  • the first and second end faces 1 a and 1 b respectively extend from the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4 to the first main surface 2 a of the support substrate 2.
  • the support substrate 2 has support substrate portions 2A and 2B outside the first and second end faces 1a and 1b in the surface acoustic wave propagation direction. Other points are the same as in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • the first and second grooves 10 ⁇ / b> A and 10 ⁇ / b> B are connected to the first main surface 2 a of the support substrate 2 and the first main surface 2 a from the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4. 2 to the main surface 2b. That is, the first and second end faces 1a and 1b reach from the third main surface 4a of the piezoelectric layer 4 between the first main surface 2a and the second main surface 2b of the support substrate 2, respectively.
  • Yes the first and second end faces 1a and 1b reach from the third main surface 4a of the piezoelectric layer 4 between the first main surface 2a and the second main surface 2b of the support substrate 2, respectively.
  • the support substrate 2 has support substrate portions 2A and 2B outside the first and second end faces 1a and 1b in the surface acoustic wave propagation direction. Other points are the same as in the first embodiment.
  • the intermediate layer 3, and the support substrate 2 are different from each other, distortion due to temperature change occurs based on the difference in linear expansion coefficient among the materials.
  • the groove portion is formed by cutting a part of the support substrate 2 as in the present embodiment, the strain can be reduced. Therefore, when the materials of the piezoelectric layer 4, the intermediate layer 3, and the support substrate 2 are different, it is preferable that a part of the support substrate 2 is cut as in this embodiment.
  • first and second end faces 1a and 1b in the surface acoustic wave device 31 first, a part of the piezoelectric layer 4 and the intermediate layer 3 is removed by etching. Subsequently, a part of the support substrate 2 is removed by dicing, and the first and second groove portions 10A and 10B are formed. Thereby, first and second end faces 1a and 1b extending from the third main surface 4a of the piezoelectric layer 4 to the first main surface 2a and the second main surface 2b of the support substrate 2 are formed. Can do. Thus, when the support substrate 2 that does not contribute to reflection is cut by dicing, it is preferable because it is inexpensive and can be performed in a short time.
  • support substrate portions 2A and 2B are provided outside the first and second end faces 1a and 1b in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the support substrate portions 2A and 2B can be provided with other elements or circuit portions. Therefore, in the surface acoustic wave devices 21 and 31, it is not necessary to reconnect with other elements and circuit parts, and electrical connection can be simplified.
  • other elements and circuit portions can be provided on the support substrate portions 2A and 2B, the electronic components on which the surface acoustic wave devices 21 and 31 are mounted can be reduced in size.
  • the first and second end surfaces 1a and 1b have the first main surface 2a of the support substrate 2 or the first main surface 2a and the second main surface 2a. It leads to the surface 2b. Therefore, the surface acoustic wave can be more reliably reflected by the first and second end faces 1a and 1b than when the piezoelectric layer 4 reaches only the fourth main surface 4b.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave device 41 further includes a second IDT electrode 11.
  • the second IDT electrode 11 is adjacent to the first IDT electrode 5 across the first groove 10A in the surface acoustic wave propagation direction. Accordingly, the second IDT electrode 11 is disposed on the support substrate portion 2A.
  • the intermediate layer 3 is provided on the support substrate portion 2A.
  • a piezoelectric layer 4A is provided on the intermediate layer 3.
  • the piezoelectric layer 4 ⁇ / b> A has a fifth main surface 4 c on the side opposite to the main surface in contact with the intermediate layer 3.
  • the piezoelectric layer 4 ⁇ / b> A is made of the same material as the piezoelectric layer 4.
  • the piezoelectric layer 4A is preferably made of the same material as that of the piezoelectric layer 4, but may be made of a different material. Examples of the material constituting the piezoelectric layer 4A include piezoelectric single crystals such as LT and LN, and piezoelectric ceramics. These may be used alone or in combination.
  • a second IDT electrode 11 is provided on the fifth main surface 4c of the piezoelectric layer 4A.
  • the second IDT electrode 11 is made of the same material as the first IDT electrode 5.
  • the material constituting the second IDT electrode 11 is preferably the same as that of the first IDT electrode 5, but may be made of a different material.
  • the material constituting the second IDT electrode 11 is not particularly limited, and examples thereof include an appropriate metal or alloy such as Cu, Ni, Ni—Cr alloy, Al—Cu alloy, Ti, Al, and Pt. These may be used alone or in combination.
  • the 2nd IDT electrode 11 may be comprised by the laminated metal film formed by laminating
  • third and fourth end faces 1c and 1d for reflecting the surface acoustic wave excited by the second IDT electrode 11 are provided.
  • the third end face 1c is provided on the third side face 10e of the first groove 10A.
  • the third side surface 10e is a side surface facing the first side surface 10a. Accordingly, the third end face 1c is provided to face the first end face 1a in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the fourth end face 1d is provided at the end opposite to the third end face 1c in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the fourth end face 1d is provided so as to face the third end face 1c on the side opposite to the first end face 1a in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the third and fourth end surfaces 1c and 1d reach a part of the intermediate layer 3 from the fifth main surface 4c.
  • the surface acoustic wave device 41 only the first groove portion 10A is provided, and no other groove portion is provided. Other points are the same as in the first embodiment.
  • grooves may be provided so as to form the second and fourth end faces 1b and 1d.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • a third groove portion 10 ⁇ / b> C is further provided between the first IDT electrode 5 and the second IDT electrode 11. More specifically, the third groove portion 10 ⁇ / b> C is provided between the first groove portion 10 ⁇ / b> A and the second IDT electrode 11.
  • the third groove portion 10C has a fourth side surface 10f.
  • the fourth side surface 10f is a side surface of the third groove portion 10C on the second IDT electrode 11 side.
  • the fourth side surface 10f of the third groove portion 10C has a third end surface 1c.
  • the other points are the same as in the fourth embodiment.
  • a plurality of grooves may be provided between the first IDT electrode 5 and the second IDT electrode 11.
  • the first and second IDT electrodes 5 and 11 are provided so as to be adjacent in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the interference characteristics usually deteriorate.
  • at least one groove is provided between the adjacent first and second IDT electrodes 5 and 11, and the two IDT electrodes are separated by the groove. . Therefore, the surface acoustic wave devices 41 and 51 are unlikely to deteriorate in characteristics.
  • three or more IDT electrodes may be provided so as to be adjacent to each other with a groove in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the electronic component on which the surface acoustic wave device is mounted can be downsized.
  • the plurality of IDT electrodes can be provided on one supporting substrate, electrical connection can be simplified.
  • the first to fourth end faces 1 a to 1 d reach part of the intermediate layer 3. Therefore, the surface acoustic wave can be more reliably reflected at the end face than when the first to fourth end faces 1a to 1d reach only the interface between the piezoelectric layers 4 and 4A and the intermediate layer 3. it can.
  • the first groove 10A may reach the first main surface 2a of the support substrate 2 from the third and fifth main surfaces 4a and 4c of the piezoelectric layers 4 and 4A. . That is, the first and third end surfaces 1a and 1c may reach the first main surface 2a of the support substrate 2 from the third and fifth main surfaces 4a and 4c of the piezoelectric layers 4 and 4A, respectively. .
  • the first groove portion 10A extends from the third and fifth main surfaces 4a and 4c of the piezoelectric layers 4 and 4A to the first main surface 2a and the second main surface 2a of the support substrate 2. It may reach between the surface 2b. That is, the first and third end surfaces 1a and 1c are respectively connected to the first main surface 2a and the second main surface 2a of the support substrate 2 from the third and fifth main surfaces 4a and 4c of the piezoelectric layers 4 and 4A, respectively. It may reach between the surface 2b.
  • the materials of the piezoelectric layer 4, the intermediate layer 3, and the support substrate 2 are different from each other, distortion due to temperature change occurs based on the difference in the linear expansion coefficient among the materials.
  • the groove portion is formed by cutting a part of the support substrate 2, the distortion can be reduced.
  • the first and third groove portions 10A and 10C are connected to the first main surface 2a of the support substrate 2 from the third and fifth main surfaces 4a and 4c of the piezoelectric layers 4 and 4A. You may have reached. That is, the first and third end surfaces 1a and 1c may reach the first main surface 2a of the support substrate 2 from the third and fifth main surfaces 4a and 4c of the piezoelectric layers 4 and 4A, respectively. .
  • the first and third groove portions 10A and 10C are connected to the first main surface 2a of the support substrate 2 from the third and fifth main surfaces 4a and 4c of the piezoelectric layers 4 and 4A.
  • the second main surface 2b That is, the first and third end surfaces 1a and 1c are respectively connected to the first main surface 2a and the second main surface 2a of the support substrate 2 from the third and fifth main surfaces 4a and 4c of the piezoelectric layers 4 and 4A, respectively. It may reach between the surface 2b.
  • the materials of the piezoelectric layer 4, the intermediate layer 3, and the support substrate 2 are different from each other, distortion due to temperature change occurs based on the difference in the linear expansion coefficient among the materials.
  • the groove portion is formed by cutting a part of the support substrate 2, the distortion can be reduced.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a surface acoustic wave device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • the acoustic reflection layer 12 is provided as the intermediate layer 3.
  • the acoustic reflection layer 12 has a plurality of acoustic impedance layers.
  • the acoustic reflection layer 12 includes low acoustic impedance layers 12a, 12c, 12e, and 12g and high acoustic impedance layers 12b, 12d, and 12f.
  • the acoustic impedance of the high acoustic impedance layers 12b, 12d, and 12f is higher than that of the low acoustic impedance layers 12a, 12c, 12e, and 12g.
  • the low acoustic impedance layer 12 a is laminated on the first main surface 2 a of the support substrate 2.
  • the high acoustic impedance layers 12b, 12d, and 12f and the low acoustic impedance layers 12c, 12e, and 12g are alternately arranged in the stacking direction.
  • the surface acoustic wave propagated from the piezoelectric layer 4 is reflected at the interfaces of the high acoustic impedance layers 12b, 12d, and 12f, which are the upper surfaces of the low acoustic impedance layers 12a, 12c, and 12e.
  • the energy of the surface acoustic wave can be more efficiently confined in the piezoelectric layer 4.
  • Low acoustic impedance layers 12a, 12c, 12e, 12 g is constituted by SiO 2.
  • the low acoustic impedance layers 12a, 12c, 12e, and 12g may be made of Al or the like. These may be used alone or in combination.
  • an intermediate layer 3 from the viewpoint of further enhancing the adhesion between the supporting substrate 2, a layer of the most support substrate 2 side in the stacking direction, it is preferably configured by SiO 2.
  • the high acoustic impedance layers 12b, 12d, and 12f are made of SiN. However, the high acoustic impedance layers 12b, 12d, and 12f may be made of W, LT, Al 2 O 3 , LN, AlN, ZnO, or the like. These may be used alone or in combination.
  • the first and second end faces 1a, 1b extend from the third main surface 4a of the piezoelectric layer 4 to a part of the low acoustic impedance layer 12a.
  • the intermediate layer has a multilayer structure as in this embodiment, it is preferable that the first and second end faces 1a and 1b reach part of the layer closest to the support substrate 2 in the stacking direction.
  • the number of laminated low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers is not particularly limited. Further, the low acoustic impedance layers and the high acoustic impedance layers may not be alternately arranged in the stacking direction. However, from the viewpoint of further enhancing the surface acoustic wave confinement efficiency in the piezoelectric layer 4, at least one of the low acoustic impedance layers is provided closer to the piezoelectric layer 4 than at least one of the high acoustic impedance layers. It is preferable. Other points are the same as in the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a surface acoustic wave device according to a seventh embodiment of the present invention.
  • the intermediate layer 3 is composed of a high sonic film 13 and a low sonic film 14.
  • a high sound velocity film 13 having a relatively high sound velocity is laminated on the support substrate 2.
  • a low sound velocity film 14 having a relatively low sound velocity is laminated. Therefore, the piezoelectric layer 4 is laminated on the low acoustic velocity film 14.
  • the high acoustic velocity film 13 functions so that the surface acoustic wave is confined in the portion where the piezoelectric layer 4 and the low acoustic velocity film 14 are laminated, and does not leak into the structure below the high acoustic velocity film 13.
  • the high acoustic velocity film 13 is made of aluminum nitride.
  • aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride, DLC film or diamond a medium containing these materials as a main component, and a mixture of these materials as main components.
  • Various high sound speed materials such as a medium to be used can be used.
  • the thickness of the high acoustic velocity film 13 is thicker, 0.5 times or more the wavelength ⁇ of the surface acoustic wave, Is preferably 1.5 times or more.
  • the low sound velocity film 14 is made of silicon oxide.
  • the material constituting the low acoustic velocity film 14 an appropriate material having a bulk acoustic velocity that is lower than the bulk acoustic wave propagating through the piezoelectric layer 4 can be used.
  • a medium containing the above material as a main component such as silicon oxide, glass, silicon oxynitride, tantalum oxide, or a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide can be used.
  • the high acoustic velocity film 13 refers to a membrane in which the acoustic velocity of the bulk wave in the high acoustic velocity film 13 is higher than that of the surface wave or boundary wave that propagates through the piezoelectric layer 4.
  • the low sound velocity film 14 is a film in which the sound velocity of the bulk wave in the low sound velocity film 14 is lower than the bulk wave propagating through the piezoelectric layer 4.
  • the first and second end faces 1 a and 1 b extend from the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4 to a part of the high acoustic velocity film 13. Other points are the same as in the first embodiment.
  • support substrate portions 2A and 2B are provided outside the first and second end faces 1a and 1b in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the support substrate portions 2A and 2B can be provided with other elements or circuit portions. Therefore, in the surface acoustic wave devices 61 and 71, it is not necessary to reconnect with other elements and circuit parts, and electrical connection can be simplified.
  • other elements and circuit portions can be provided on the support substrate portions 2A and 2B, the electronic component on which the surface acoustic wave devices 61 and 71 are mounted can be downsized.
  • the first and second end faces 1a and 1b reach the layer closest to the support substrate 2 in the stacking direction. Therefore, the surface acoustic wave can be more reliably reflected by the first and second end faces 1a and 1b than when the piezoelectric layer 4 reaches only the fourth main surface 4b.
  • the first and second groove portions 10 ⁇ / b> A and 10 ⁇ / b> B may reach the first main surface 2 a of the support substrate 2 from the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4. . That is, the first and second end faces 1 a and 1 b may reach the first main surface 2 a of the support substrate 2 from the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4, respectively.
  • the first and second groove portions 10 ⁇ / b> A and 10 ⁇ / b> B are connected to the first main surface 2 a and the second main surface 2 of the support substrate 2 from the third main surface 4 a of the piezoelectric layer 4. It may reach between the surface 2b. That is, the first and second end faces 1a and 1b reach from the third main surface 4a of the piezoelectric layer 4 between the first main surface 2a and the second main surface 2b of the support substrate 2, respectively. May be.
  • the materials of the piezoelectric layer 4, the intermediate layer 3, and the support substrate 2 are different from each other, distortion due to temperature change occurs based on the difference in the linear expansion coefficient among the materials.
  • the groove portion is formed by cutting a part of the support substrate 2, the distortion can be reduced.
  • the surface acoustic wave device of the present invention is widely used in various electronic devices and communication devices.
  • the electronic device include a sensor.
  • a duplexer including the surface acoustic wave device of the present invention, a surface acoustic wave device of the present invention and communication including PA (Power Amplifier) and / or LNA (Low Noise Amplifier) and / or SW (Switch).
  • PA Power Amplifier
  • LNA Low Noise Amplifier
  • SW SW
  • module devices mobile communication devices including the communication module devices, healthcare communication devices, and the like.
  • mobile communication devices include mobile phones, smartphones, car navigation systems, and the like.
  • Examples of health care communication devices include a weight scale and a body fat scale.
  • Health care communication devices and mobile communication devices include an antenna, an RF module, an LSI, a display, an input unit, a power source, and the like.

Abstract

他の素子や回路部分との電気的接続を簡略化することができ、かつ搭載されている電子部品の小型化を図り得る、弾性表面波装置を提供する。　互いに対向し合う第１及び第２の端面１ａ，１ｂ間で弾性表面波を反射させる端面反射型の弾性表面波装置１であって、支持基板２、中間層３、圧電層４及びＩＤＴ電極５を備え、第１の端面１ａが、弾性表面波伝搬方向の一方側の端部に配置されており、かつ圧電層４の主面４ａから少なくとも中間層３の一部に至っており、第２の端面１ｂが、弾性表面波伝搬方向の他方側の端部に配置されており、かつ圧電層４の主面４ａから少なくとも中間層３の一部に至っており、支持基板２が、弾性表面波伝搬方向において第１及び第２の端面１ａ，１ｂより外側に配置された支持基板部分２Ａ，２Ｂ有する、弾性表面波装置１。

Description

弾性表面波装置及びその製造方法
　本発明は、端面反射型の弾性表面波装置及び該弾性表面波装置の製造方法に関する。
　従来、共振子や帯域フィルタとして弾性表面波装置が広く用いられている。下記の特許文献１には、互いに対向し合う２端面で表面波を反射させる端面反射型の弾性表面波装置が開示されている。特許文献１では、表面波を反射させる端面を形成するために、上面にＩＤＴ電極が設けられた圧電板が切断されている。より具体的には、上記ＩＤＴ電極の電極指のうち弾性波伝搬方向の両端に設けられた電極指の外側端縁から外側方向に向かってλ／８までの範囲において、電極指と平行に圧電板が厚み方向に切断されている。
特許第３１０６９１２号公報
　しかしながら、特許文献１のような弾性表面波装置では、圧電板すべてを端面で分断してしまっているので、分断後に実装基板上に端面反射型の弾性表面波装置を配置し、他の弾性表面波装置やＬＣ等の回路素子と再接続する必要がある。したがって、再接続用の配線等によって、回路素子のＬ成分に影響を与えてしまい、弾性表面波装置の品質特性が劣化してしまう可能性があった。また、端面反射型の弾性表面波装置と他の回路素子とを再接続する場合には、ワイヤーボンディング等の接続端子を使用する必要があるが、この接続端子の分だけ面積が大きくなってしまい、弾性表面波装置が大型化してしまう可能性があった。
　本発明の目的は、他の素子や回路部分との電気的接続を簡略化することができ、かつ搭載されている電子部品の小型化を図り得る、弾性表面波装置及び該弾性表面波装置の製造方法を提供することにある。
　本発明に係る弾性表面波装置は、第１の端面と、該第１の端面に対向している第２の端面とを有し、前記第１及び第２の端面で弾性表面波を反射させる端面反射型の弾性表面波装置であって、支持基板と、前記支持基板上に設けられた中間層と、前記中間層上に設けられており、主面を有する圧電層と、前記圧電層の主面上に設けられたＩＤＴ電極とを備え、前記第１の端面が、弾性表面波伝搬方向の一方側の端部に配置されており、かつ前記圧電層の主面から少なくとも前記中間層の一部に至っており、前記第２の端面が、弾性表面波伝搬方向の他方側の端部に配置されており、かつ前記圧電層の主面から少なくとも前記中間層の一部に至っており、前記支持基板が、弾性表面波伝搬方向において前記第１及び第２の端面より外側に配置された支持基板部分を有する。好ましくは、前記支持基板は、実装基板を兼ねている。この場合、他の素子や回路部分との電気的接続をより一層簡略化することができ、かつ搭載されている電子部品のより一層の小型化を図ることができる。
　本発明に係る弾性表面波装置のある特定の局面では、前記第１及び第２の端面が、それぞれ、前記圧電層の主面から前記中間層の一部に至っている。この場合には、各層の界面における層間剥離をより一層抑制することができる。
　本発明に係る弾性表面波装置の別の特定の局面では、前記支持基板が、前記中間層に接している主面を有し、前記第１及び第２の端面が、それぞれ、前記圧電層の主面から前記支持基板の主面に至っている。
　本発明に係る弾性表面波装置のさらに別の特定の局面では、前記支持基板が、前記中間層に接している第１の主面と、前記第１の主面に対向している第２の主面とを有し、前記第１及び第２の端面が、それぞれ、前記圧電層の主面から前記支持基板の前記第１の主面と前記第２の主面との間に至っている。この場合には、各層の界面における層間剥離をより一層抑制することができる。
　本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、前記中間層が、複数の層が積層された多層構造を有している。
　本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１及び第２の端面が、それぞれ、前記圧電層の主面から、前記中間層を構成している前記複数の層のうち１層の一部に至っている。この場合には、各層の界面における層間剥離をより一層抑制することができる。
　本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、積層方向において最も前記支持基板側の層が、酸化ケイ素により構成されている。この場合には、支持基板と中間層との密着性をより一層高めることができる。
　本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１及び第２の端面が、それぞれ、前記圧電層の主面から前記中間層における最も前記支持基板側の層の一部に至っている。この場合には、各層の界面における層間剥離をより一層抑制することができる。
　本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記支持基板が、シリコン、サファイア、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３及びガラスからなる群から選択された少なくとも１種により構成されている。この場合には、支持基板と中間層との密着性をより一層高めることができる。
　本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記圧電層及び前記中間層において、前記圧電層及び前記中間層の少なくとも一部を貫通しており、第１の側面を有する溝部が設けられており、該溝部の第１の側面が前記第１の端面を有する。
　本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記溝部が、前記第１の側面と対向している第２の側面を有しており、前記ＩＤＴ電極が、第１のＩＤＴ電極であり、該第１のＩＤＴ電極と弾性表面波伝搬方向において前記溝部を隔てて隣接している第２のＩＤＴ電極がさらに設けられており、前記溝部の第２の側面が、前記第２のＩＤＴ電極により励振された弾性表面波を反射させる端面を有する。この場合には、弾性表面波装置のより一層の小型化を図ることができる。
　本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極が、第１のＩＤＴ電極であり、該第１のＩＤＴ電極と弾性表面波伝搬方向において隣接している第２のＩＤＴ電極がさらに設けられており、前記第１のＩＤＴ電極と、前記第２のＩＤＴ電極との間に、弾性表面波伝搬方向において隣接する複数の溝部が設けられており、前記複数の溝部のうち、最も前記第１のＩＤＴ電極側の前記溝部の側面が、前記第１の端面を有し、最も前記第２のＩＤＴ電極側の前記溝部の側面が、前記第２のＩＤＴ電極により励振された弾性表面波を反射させる端面を有する。
　本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記支持基板、前記中間層及び前記圧電層が、それぞれ、異なる材料により構成されている。
　本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、本発明に従って構成される弾性表面波装置の製造方法であって、前記支持基板、前記中間層、前記圧電層及び前記ＩＤＴ電極がこの順に積層された積層体を形成する工程と、前記第１及び第２の端面を形成するように、前記圧電層及び前記中間層の少なくとも一部をエッチングにより除去する工程とを備える。
　本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のある特定の局面では、ダイシングにより前記支持基板の一部を除去し、前記圧電層の主面から前記支持基板の一部に至る第１及び第２の端面を形成する工程をさらに備える。この場合、より一層安価にかつ短時間で弾性表面波装置を製造することができる。
　本発明によれば、他の素子や回路部分との電気的接続を簡略化し得る弾性表面波装置を提供することができる。また、搭載されている電子部品の小型化を図ることができる弾性表面波装置を提供することができる。
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置を示す模式的断面図であり、図１（ｂ）は、その電極構造を示す模式的平面図である。 図２は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置を示す模式的断面図である。 図３は、本発明の第３の実施形態に係る弾性表面波装置を示す模式的断面図である。 図４は、本発明の第４の実施形態に係る弾性表面波装置を示す模式的断面図である。 図５は、本発明の第５の実施形態に係る弾性表面波装置を示す模式的断面図である。 図６は、本発明の第６の実施形態に係る弾性表面波装置を示す模式的断面図である。 図７は、本発明の第７の実施形態に係る弾性表面波装置を示す模式的断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　（第１の実施形態）
　図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置を示す模式的断面図であり、図１（ｂ）は、その電極構造を示す模式的平面図である。
　弾性表面波装置１は、第１及び第２の端面１ａ，１ｂを有する。第１及び第２の端面１ａ，１ｂは、互いに対向し合っている。弾性表面波装置１は、第１及び第２の端面１ａ，１ｂで弾性表面波を反射させる端面反射型の弾性表面波装置である。
　弾性表面波装置１は、支持基板２を有する。支持基板２は、互いに対向している第１及び第２の主面２ａ，２ｂを有する。支持基板２を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、Ｓｉなどの半導体、サファイア、ＬｉＴａＯ３（以下、「ＬＴ」と称する）、ＬｉＮｂＯ３（以下、「ＬＮ」と称する）、ガラスなどの材料が挙げられる。これらの材料は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
　支持基板２の第１の主面２ａ上には、中間層３が設けられている。中間層３は、ＳｉＯ２により構成されている。もっとも、中間層３を構成する材料としては、特に限定されず、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどを用いることができる。これらは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。支持基板２との密着性を高める観点からは、中間層３を構成する材料として、ＳｉＯ２を用いることが好ましい。
　また、中間層３は、後述する第６及び第７の実施形態で示すように、複数の層が積層された多層構造を有していてもよい。その場合には、積層方向において、最も支持基板２側の層が、ＳｉＯ２により構成されることが望ましい。
　中間層３上には、圧電層４が設けられている。圧電層４は、薄く、例えば、厚み１０００μｍ以下の薄膜状であることが好ましい。その場合、弾性表面波をより一層励振させることが可能となる。
　圧電層４は、ＬＴにより構成されている。もっとも、圧電層４を構成する材料としては、ＬＮなどの他の圧電単結晶を用いてもよいし、圧電セラミックスを用いてもよい。なお、圧電層４、支持基板２及び中間層３は、同じ材料により形成されていてもよいし、異なる材料により構成されていてもよい。
　圧電層４は、互いに対向し合う第３の主面４ａ及び第４の主面４ｂを有する。圧電層４の第４の主面４ｂは、中間層３側に配置されている。
　圧電層４の第３の主面４ａ上には、第１のＩＤＴ電極５が設けられている。弾性表面波装置１は、第１のＩＤＴ電極５により励振される弾性表面波として、ＳＨ波を主成分とする弾性表面波を利用している。なお、上記弾性表面波の波長をλとするものとする。
　図１（ｂ）に示すように、第１のＩＤＴ電極５は、第１及び第２のバスバー６，７と、複数本の第１及び第２の電極指８，９とを有する。複数本の第１の電極指８と、複数本の第２の電極指９とは、互いに間挿し合っている。また、複数本の第１の電極指８は、第１のバスバー６に接続されており、複数本の第２の電極指９は、第２のバスバー７に接続されている。なお、複数本の第１及び第２の電極指８，９の延びる方向に直交する方向を弾性表面波伝搬方向とするものとする。
　弾性表面波装置１においては、複数本の第１及び第２の電極指８，９のうち、弾性表面波伝搬方向の両端に設けられている両端部の電極指８ａ，９ａの幅が、λ／８とされている。他方、他の全ての電極指８ｂ，９ｂの幅は、λ／４とされている。
　第１のＩＤＴ電極５を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ－Ｃｒ合金、Ａｌ－Ｃｕ合金、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｔなどの適宜の金属または合金が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。また、第１のＩＤＴ電極５は、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜により構成されていてもよい。
　なお、本発明においては、圧電層４の第３の主面４ａ上に、ＩＤＴ電極５を覆うように温度特性調整膜としてのＳｉＯ２膜を設けてもよい。
　図１（ａ）に示すように、圧電層４及び中間層３には、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂが設けられている。第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂは、それぞれ、第１及び第２の側面１０ａ，１０ｂと底部１０ｃ，１０ｄとを有する。第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂは、それぞれ、弾性表面波伝搬方向において、両端部の電極指８ａ，９ａの外側に隣接するように設けられている。第１及び第２の側面１０ａ，１０ｂは、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂの第１のＩＤＴ電極５側における側面である。
　第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂの底部１０ｃ，１０ｄは、圧電層４の第４の主面４ｂと、支持基板２の第１の主面２ａとの間に配置されている。従って、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂの底部１０ｃ，１０ｄは、支持基板２に至っていない。また、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂの底部１０ｃ，１０ｄは、各層の界面と同一面に位置していない。
　第１の溝部１０Ａの第１の側面１０ａは、第１の端面１ａを有している。第１の端面１ａは、圧電層４の第３の主面４ａから、中間層３の一部に至っている。他方、第２の溝部１０Ｂの第２の側面１０ｂは、第２の端面１ｂを有している。第２の端面１ｂは、圧電層４の第３の主面４ａから、中間層３の一部に至っている。なお、本発明においては、第１及び第２の端面１ａ，１ｂが設けられている限りにおいて、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂは、設けられていなくてもよい。
　第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂは、図１（ｂ）の一点鎖線で示すように、電極指が延びる方向において、第１のＩＤＴ電極５が設けられている部分に沿うように設けられている。なお、本発明においては、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂは、電極指が延びる方向において、電極指が交叉するＩＤＴ電極５の励振領域に沿うように設けられていてもよい。また、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂは、電極指が延びる方向において、第１のＩＤＴ電極５が設けられている部分より大きい領域に設けられていてもよい。
　弾性表面波装置１では、上記のように第１及び第２の端面１ａ，１ｂが、支持基板２の第２の主面２ｂに至っていない。そのため、支持基板２は、弾性表面波伝搬方向において、第１及び第２の端面１ａ，１ｂより外側に、支持基板部分２Ａ，２Ｂを有することとなる。なお、支持基板部分２Ａ，２Ｂは、支持基板２と同じ材料により構成されている。
　また、支持基板２は、実装基板としての機能を兼ね揃えていてもよい。その場合には、支持基板部分２Ａ，２Ｂ上には、他の素子や、回路部分を設けることができる。そのため、弾性表面波装置１では、他の素子や回路部分と再接続をする必要がなく、電気的接続の簡略化を図ることができる。また、支持基板部分２Ａ，２Ｂ上に、他の素子や、回路部分を設けることができるため、弾性表面波装置１が搭載されている電子部品の小型化を図ることができる。
　さらに、弾性表面波装置１では、第１及び第２の端面１ａ，１ｂが、中間層３の一部にまで至っている。そのため、圧電層４の第４の主面４ｂまでしか至らない場合と比べて、より一層確実に弾性表面波を第１及び第２の端面１ａ，１ｂで反射させることができる。なお、本発明において、第１及び第２の端面１ａ，１ｂは、圧電層４の第３の主面４ａから、中間層３の少なくとも一部までを含む領域であればよい。
　また、弾性表面波装置１においては、上記のように、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂの底部１０ｃ，１０ｄが、各層の界面と同一面に位置していない。そのため、界面に不純物が侵入することを抑制することができ、層間剥離が生じ難い。従って、本発明においては、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂの底部１０ｃ，１０ｄが、各層の界面と同一面に位置していないことが望ましい。
　弾性表面波装置１の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、以下に示す方法により製造することができる。まず、支持基板２、中間層３、圧電層４及び第１のＩＤＴ電極５がこの順に積層された積層体を形成する。次に、上記積層体を構成する圧電層４及び中間層３の少なくとも一部をエッチングにより除去する。それによって、第１の端面１ａを有する第１の溝部１０Ａと、第２の端面１ｂを有する第２の溝部１０Ｂとを形成する。
　上記エッチングの手法としては、特に限定されないが、ＩＣＰ－ＲＩＥ法によりエッチングすることが好ましい。ＩＣＰ－ＲＩＥ法によりエッチングする場合、より一層高精度に第１及び第２の端面１ａ，１ｂを作製することができる。
　なお、本発明では、第１の溝部１０Ａ側における、第３の主面４ａと第１の端面１ａとがなす角度が７０度以上、９０度以下であることが好ましい。また、第２の溝部１０Ｂ側における、第３の主面４ａと第２の端面１ｂとがなす角度が７０度以上、９０度以下であることが好ましい。この場合、第１及び第２の端面１ａ，１ｂにおいてより一層確実に弾性表面波を反射させることができる。
　（第２及び第３の実施形態）
　図２は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置を示す模式的断面図である。図２に示すように、弾性表面波装置２１では、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂが、圧電層４の第３の主面４ａから、支持基板２の第１の主面２ａに至っている。すなわち、第１及び第２の端面１ａ，１ｂが、それぞれ、圧電層４の第３の主面４ａから、支持基板２の第１の主面２ａに至っている。この場合においても、第１及び第２の端面１ａ，１ｂは、支持基板２の第２の主面２ｂまでは至っていない。そのため、支持基板２は、弾性表面波伝搬方向において、第１及び第２の端面１ａ，１ｂより外側に、支持基板部分２Ａ，２Ｂを有することとなる。その他の点は、第１の実施形態と同様である。
　図３は、本発明の第３の実施形態に係る弾性表面波装置を示す模式的断面図である。図３に示すように、弾性表面波装置３１では、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂが、圧電層４の第３の主面４ａから、支持基板２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとの間に至っている。すなわち、第１及び第２の端面１ａ，１ｂが、それぞれ、圧電層４の第３の主面４ａから、支持基板２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとの間に至っている。この場合においても、第１及び第２の端面１ａ，１ｂは、支持基板２の第２の主面２ｂまでは至っていない。そのため、支持基板２は、弾性表面波伝搬方向において、第１及び第２の端面１ａ，１ｂより外側に、支持基板部分２Ａ，２Ｂを有することとなる。その他の点は、第１の実施形態と同様である。
　ここで、圧電層４、中間層３及び支持基板２の材質がそれぞれ異なる場合、各材質における線膨張係数の違いに基づき、温度変化によるひずみが生じる。しかしながら、本実施形態のように支持基板２の一部まで切断されて溝部が形成されている場合、そのひずみを小さくすることができる。そのため、圧電層４、中間層３及び支持基板２の材質が異なる場合は、本実施形態のように支持基板２の一部まで切断されていることが好ましい。
　なお、弾性表面波装置３１における第１及び第２の端面１ａ，１ｂの形成方法としては、まず、エッチングにより、圧電層４及び中間層３の一部を除去する。続いて、ダイシングにより支持基板２の一部を除去し、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂを形成する。それによって、圧電層４の第３の主面４ａから支持基板２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとの間に至る第１及び第２の端面１ａ，１ｂを形成することができる。このように、反射に寄与しない支持基板２をダイシングによって切断する場合、安価であり、短時間で行ない得るため好ましい。
　弾性表面波装置２１，３１においても、弾性表面波伝搬方向において、第１及び第２の端面１ａ，１ｂより外側に、支持基板部分２Ａ，２Ｂが設けられている。この支持基板部分２Ａ，２Ｂには、他の素子や、回路部分を設けることができる。そのため、弾性表面波装置２１，３１では、他の素子や回路部分と再接続をする必要がなく、電気的接続の簡略化を図ることができる。また、支持基板部分２Ａ，２Ｂに、他の素子や、回路部分を設けることができるため、弾性表面波装置２１，３１が搭載されている電子部品の小型化を図ることができる。
　さらに、弾性表面波装置２１，３１では、上記のように、第１及び第２の端面１ａ，１ｂが、支持基板２の第１の主面２ａあるいは第１の主面２ａと第２の主面２ｂとの間にまで至っている。そのため、圧電層４の第４の主面４ｂまでしか至らない場合と比べて、より一層確実に弾性表面波を第１及び第２の端面１ａ，１ｂで反射させることができる。
　（第４及び第５の実施形態）
　図４は、本発明の第４の実施形態に係る弾性表面波装置を示す模式的断面図である。図４に示すように、弾性表面波装置４１は、さらに第２のＩＤＴ電極１１を備える。第２のＩＤＴ電極１１は、弾性表面波伝搬方向において、第１の溝部１０Ａを隔てて、第１のＩＤＴ電極５と隣接している。従って、第２のＩＤＴ電極１１は、支持基板部分２Ａ上に配置されている。
　支持基板部分２Ａ上には、中間層３が設けられている。中間層３上には、圧電層４Ａが設けられている。圧電層４Ａは、中間層３と接している主面とは反対側に、第５の主面４ｃを有する。圧電層４Ａは、圧電層４と同じ材料により構成されている。なお、圧電層４Ａは、圧電層４と同じ材料により構成されていることが好ましいが、異なる材料により構成されていてもよい。圧電層４Ａを構成する材料としては、ＬＴやＬＮなどの圧電単結晶や、圧電セラミックスが挙げられる。これらは単独で用いてもよく複数を併用してもよい。
　圧電層４Ａの第５の主面４ｃ上には、第２のＩＤＴ電極１１が設けられている。第２のＩＤＴ電極１１は、第１のＩＤＴ電極５と同じ材料により構成されている。なお、第２のＩＤＴ電極１１を構成する材料は、第１のＩＤＴ電極５と同じであることが好ましいが、異なる材料により構成されていてもよい。第２のＩＤＴ電極１１を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ－Ｃｒ合金、Ａｌ－Ｃｕ合金、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｔなどの適宜の金属または合金が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。また、第２のＩＤＴ電極１１は、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜により構成されていてもよい。
　弾性表面波装置４１においては、第２のＩＤＴ電極１１により励振される弾性表面波を反射させる第３及び第４の端面１ｃ，１ｄが設けられている。第３の端面１ｃは、第１の溝部１０Ａの第３の側面１０ｅに設けられている。なお、第３の側面１０ｅは、第１の側面１０ａと対向している側面である。従って、第３の端面１ｃは、弾性表面波伝搬方向において、第１の端面１ａと対向するように設けられている。
　第４の端面１ｄは、弾性表面波伝搬方向において、第３の端面１ｃとは反対側の端部に設けられている。第４の端面１ｄは、第１の端面１ａとは弾性表面波伝搬方向の反対側において、第３の端面１ｃに対向するように設けられている。第３及び第４の端面１ｃ，１ｄは、第５の主面４ｃから中間層３の一部に至っている。なお、弾性表面波装置４１では、第１の溝部１０Ａのみが設けられており、他の溝部は設けられていない。その他の点は、第１の実施形態と同様である。なお、弾性表面波装置４１においても、第２及び第４の端面１ｂ，１ｄを形成するように溝部が設けられていてもよい。
　図５は、本発明の第５の実施形態に係る弾性表面波装置の模式的断面図である。図５に示すように、弾性表面波装置５１においては、第１のＩＤＴ電極５と第２のＩＤＴ電１１との間にさらに第３の溝部１０Ｃが設けられている。より具体的には、第３の溝部１０Ｃは、第１の溝部１０Ａと、第２のＩＤＴ電極１１との間に設けられている。第３の溝部１０Ｃは、第４の側面１０ｆを有している。第４の側面１０ｆは、第３の溝部１０Ｃの第２のＩＤＴ電極１１側の側面である。弾性表面波装置５１においては、第３の溝部１０Ｃの第４の側面１０ｆは、第３の端面１ｃを有している。その他の点は第４の実施形態と同様である。第５の実施形態に示すように、第１のＩＤＴ電極５と第２のＩＤＴ電極１１との間には複数の溝部が設けられていてもよい。
　第４及び第５の実施形態においては、弾性表面波伝搬方向において隣接するように第１及び第２のＩＤＴ電極５，１１が設けられている。このように弾性表面波伝搬方向に複数のＩＤＴ電極を並べる場合は、通常、干渉し合い特性が劣化する。しかしながら、第４及び第５の実施形態では、隣接する第１及び第２のＩＤＴ電極５，１１の間に、少なくとも１つの溝部が設けられおり、該溝部により２つのＩＤＴ電極が分離されている。そのため、弾性表面波装置４１，５１では、特性の劣化が生じ難い。なお、本発明においては、弾性表面波伝搬方向において溝部を隔てて隣接するように３以上のＩＤＴ電極を設けてもよい。
　このように、本発明の弾性表面波装置においては、弾性表面波伝搬方向に複数のＩＤＴ電極を設けることができるため、弾性表面波装置が搭載されている電子部品の小型化を図ることができる。しかも、上記複数のＩＤＴ電極は、１つの支持基板上に設けることができるため、電気的接続の簡略化を図ることができる。
　また、弾性表面波装置４１，５１では、第１～第４の端面１ａ～１ｄが、中間層３の一部にまで至っている。そのため、第１～第４の端面１ａ～１ｄが、圧電層４，４Ａと中間層３との界面にまでしか至らない場合に比べて、より一層確実に弾性表面波を端面で反射させることができる。
　なお、弾性表面波装置４１では、第１の溝部１０Ａが、圧電層４，４Ａの第３及び第５の主面４ａ，４ｃから、支持基板２の第１の主面２ａに至っていてもよい。すなわち、第１及び第３の端面１ａ，１ｃが、それぞれ、圧電層４，４Ａの第３及び第５の主面４ａ，４ｃから、支持基板２の第１の主面２ａに至っていてもよい。
　また、弾性表面波装置４１では、第１の溝部１０Ａが、圧電層４，４Ａの第３及び第５の主面４ａ，４ｃから、支持基板２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとの間に至っていてもよい。すなわち、第１及び第３の端面１ａ，１ｃが、それぞれ、圧電層４，４Ａの第３及び第５の主面４ａ，４ｃから、支持基板２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとの間に至っていてもよい。ここで、圧電層４、中間層３及び支持基板２の材質がそれぞれ異なる場合、各材質における線膨張係数の違いに基づき、温度変化によるひずみが生じる。しかしながら、支持基板２の一部まで切断されて溝部が形成されている場合、そのひずみを小さくすることができる。
　一方、弾性表面波装置５１では、第１及び第３の溝部１０Ａ，１０Ｃが、圧電層４，４Ａの第３及び第５の主面４ａ，４ｃから、支持基板２の第１の主面２ａに至っていてもよい。すなわち、第１及び第３の端面１ａ，１ｃが、それぞれ、圧電層４，４Ａの第３及び第５の主面４ａ，４ｃから、支持基板２の第１の主面２ａに至っていてもよい。
　また、弾性表面波装置５１では、第１及び第３の溝部１０Ａ，１０Ｃが、圧電層４，４Ａの第３及び第５の主面４ａ，４ｃから、支持基板２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとの間に至っていてもよい。すなわち、第１及び第３の端面１ａ，１ｃが、それぞれ、圧電層４，４Ａの第３及び第５の主面４ａ，４ｃから、支持基板２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとの間に至っていてもよい。ここで、圧電層４、中間層３及び支持基板２の材質がそれぞれ異なる場合、各材質における線膨張係数の違いに基づき、温度変化によるひずみが生じる。しかしながら、支持基板２の一部まで切断されて溝部が形成されている場合、そのひずみを小さくすることができる。
　（第６及び第７の実施形態）
　図６は、本発明の第６の実施形態に係る弾性表面波装置の模式的断面図である。図６に示すように、弾性表面波装置６１では、中間層３として音響反射層１２が設けられている。音響反射層１２は、複数の音響インピーダンス層を有する。本実施形態においては、音響反射層１２は、低音響インピーダンス層１２ａ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇと、高音響インピーダンス層１２ｂ，１２ｄ，１２ｆとを有する。
　高音響インピーダンス層１２ｂ，１２ｄ，１２ｆの音響インピーダンスは、低音響インピーダンス層１２ａ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇの音響インピーダンスよりも高い。
　弾性表面波装置６１では、支持基板２の第１の主面２ａ上に、低音響インピーダンス層１２ａが積層されている。その上には、高音響インピーダンス層１２ｂ，１２ｄ，１２ｆと、低音響インピーダンス層１２ｃ，１２ｅ，１２ｇとが、積層方向において交互に配置されている。
　そのため、圧電層４から伝搬してきた弾性表面波が、低音響インピーダンス層１２ａ，１２ｃ，１２ｅの上方表面である、高音響インピーダンス層１２ｂ，１２ｄ，１２ｆの界面で反射されることになる。それによって、弾性表面波のエネルギーを圧電層４内に、より一層効率的に閉じ込めることができる。
　低音響インピーダンス層１２ａ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇは、ＳｉＯ２により構成されている。もっとも、低音響インピーダンス層１２ａ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇは、Ａｌなどにより構成されていてもよい。これらは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
　弾性表面波装置６１において、積層方向における最も支持基板２側の層は、低音響インピーダンス層１２ａでありＳｉＯ２により構成されている。そのため、弾性表面波装置６１においては、中間層３と、支持基板２との密着性が高められている。このように、中間層３と、支持基板２との密着性をより一層高める観点からは、積層方向における最も支持基板２側の層が、ＳｉＯ２により構成されていることが望ましい。
　高音響インピーダンス層１２ｂ，１２ｄ，１２ｆは、ＳｉＮにより構成されている。もっとも、高音響インピーダンス層１２ｂ，１２ｄ，１２ｆは、Ｗ、ＬＴ、Ａｌ２Ｏ３、ＬＮ、ＡｌＮ又はＺｎＯなどにより構成されていてもよい。これらは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
　弾性表面波装置６１において、第１及び第２の端面１ａ，１ｂは、圧電層４の第３の主面４ａから、低音響インピーダンス層１２ａの一部にまで至っている。本実施形態のように中間層が多層構造である場合、積層方向における最も支持基板２側の層の一部にまで第１及び第２の端面１ａ，１ｂが至っていることが好ましい。
　なお、本発明においては、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層の積層数は特に限定されない。また、低音響インピーダンス層と、高音響インピーダンス層とが、積層方向において交互に配置されていなくともよい。もっとも、圧電層４内における弾性表面波の閉じ込め効率をより一層高める観点からは、低音響インピーダンス層のうち少なくとも１層が、高音響インピーダンス層のうち少なくとも１層より、圧電層４側に設けられていることが好ましい。その他の点は、第１の実施形態と同様である。
　図７は、本発明の第７の実施形態に係る弾性表面波装置の模式的断面図である。図７に示すように、弾性表面波装置７１においては、中間層３が、高音速膜１３及び低音速膜１４により構成されている。具体的には、支持基板２上に、音速が相対的に高い高音速膜１３が積層されている。高音速膜１３上に、音速が相対的に低い低音速膜１４が積層されている。従って、低音速膜１４上に圧電層４が積層されている。
　高音速膜１３は、弾性表面波を圧電層４及び低音速膜１４が積層されている部分に閉じ込め、高音速膜１３より下の構造に漏れないように機能する。本実施形態では、高音速膜１３は、窒化アルミニウムからなる。もっとも、上記弾性波を閉じ込め得る限り、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンド、これらの材料を主成分とする媒質、これらの材料の混合物を主成分とする媒質等のさまざまな高音速材料を用いることができる。弾性表面波を圧電層４及び低音速膜１４が積層されている部分に閉じ込めるには、高音速膜１３の膜厚は厚いほど望ましく、弾性表面波の波長のλの０．５倍以上、さらには１．５倍以上であることが望ましい。
　上記低音速膜１４は酸化ケイ素からなる。もっとも、低音速膜１４を構成する材料としては圧電層４を伝搬するバルク波よりも低音速のバルク波音速を有する適宜の材料を用いることができる。このような材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物など、上記材料を主成分とした媒質を用いることができる。 
　なお、本明細書において、高音速膜１３とは、圧電層４を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速膜１３中のバルク波の音速が高速となる膜をいうものとする。また、低音速膜１４とは、圧電層４を伝搬するバルク波よりも、低音速膜１４中のバルク波の音速が低速となる膜をいうものとする。
　弾性表面波装置７１において、第１及び第２の端面１ａ，１ｂは、圧電層４の第３の主面４ａから、高音速膜１３の一部にまで至っている。その他の点は、第１の実施形態と同様である。
　弾性表面波装置６１，７１においても、弾性表面波伝搬方向において、第１及び第２の端面１ａ，１ｂより外側に、支持基板部分２Ａ，２Ｂが設けられている。この支持基板部分２Ａ，２Ｂには、他の素子や、回路部分を設けることができる。そのため、弾性表面波装置６１，７１では、他の素子や回路部分と再接続をする必要がなく、電気的接続の簡略化を図ることができる。また、支持基板部分２Ａ，２Ｂに、他の素子や、回路部分を設けることができるため、弾性表面波装置６１，７１が搭載されている電子部品の小型化を図ることができる。
　また、弾性表面波装置６１，７１では、上記のように、第１及び第２の端面１ａ，１ｂが、積層方向において最も支持基板２側の層にまで至っている。そのため、圧電層４の第４の主面４ｂまでしか至らない場合と比べて、より一層確実に弾性表面波を第１及び第２の端面１ａ，１ｂで反射させることができる。
　なお、弾性表面波装置６１，７１では、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂが、圧電層４の第３の主面４ａから、支持基板２の第１の主面２ａに至っていてもよい。すなわち、第１及び第２の端面１ａ，１ｂが、それぞれ、圧電層４の第３の主面４ａから、支持基板２の第１の主面２ａに至っていてもよい。
　また、弾性表面波装置６１，７１では、第１及び第２の溝部１０Ａ，１０Ｂが、圧電層４の第３の主面４ａから、支持基板２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとの間に至っていてもよい。すなわち、第１及び第２の端面１ａ，１ｂが、それぞれ、圧電層４の第３の主面４ａから、支持基板２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとの間に至っていてもよい。ここで、圧電層４、中間層３及び支持基板２の材質がそれぞれ異なる場合、各材質における線膨張係数の違いに基づき、温度変化によるひずみが生じる。しかしながら、支持基板２の一部まで切断されて溝部が形成されている場合、そのひずみを小さくすることができる。
　本発明の弾性表面波装置は、さまざまな電子機器や通信機器に広く用いられる。電子機器としては、例えば、センサーがある。通信機器としては、例えば、本発明の弾性表面波装置を含むデュプレクサ、本発明の弾性表面波装置とＰＡ（Ｐｏｗｅｒ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）及び／又はＬＮＡ（Ｌｏｗ　Ｎｏｉｓｅ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）及び／又はＳＷ（Ｓｗｉｔｃｈ）を含む通信モジュール機器、その通信モジュール機器を含む移動体通信機器やヘルスケア通信機器等がある。移動体通信機器としては、携帯電話、スマートフォン、カーナビ等がある。ヘルスケア通信機器としては、体重計や体脂肪計等がある。ヘルスケア通信機器や移動体通信機器は、アンテナ、ＲＦモジュール、ＬＳＩ、ディスプレイ、入力部、電源等を備えている。
１，２１，３１，４１，５１，６１，７１…弾性表面波装置
１ａ～１ｄ…第１～第４の端面
２…支持基板
２ａ，２ｂ…第１，第２の主面
２Ａ，２Ｂ…支持基板部分
３…中間層
４，４Ａ…圧電層
４ａ～４ｃ…第３～第５の主面
５…第１のＩＤＴ電極
６，７…第１，第２のバスバー
８，９…第１，第２の電極指
８ａ，９ａ…両端部の電極指
８ｂ，９ｂ…他の全ての電極指
１０Ａ～１０Ｃ…第１～第３の溝部
１０ａ，１０ｂ，１０ｅ，１０ｆ…第１，第２，第３，第４の側面
１０ｃ，１０ｄ…底部
１１…第２のＩＤＴ電極
１２…音響反射層
１２ａ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇ…低音響インピーダンス層
１２ｂ，１２ｄ，１２ｆ…高音響インピーダンス層
１３…高音速膜
１４…低音速膜

Claims (16)

  1. 　第１の端面と、該第１の端面に対向している第２の端面とを有し、前記第１及び第２の端面で弾性表面波を反射させる端面反射型の弾性表面波装置であって、
    　支持基板と、
    　前記支持基板上に設けられた中間層と、
    　前記中間層上に設けられており、主面を有する圧電層と、
    　前記圧電層の主面上に設けられたＩＤＴ電極とを備え、
    　前記第１の端面が、弾性表面波伝搬方向の一方側の端部に配置されており、かつ前記圧電層の主面から少なくとも前記中間層の一部に至っており、
    　前記第２の端面が、弾性表面波伝搬方向の他方側の端部に配置されており、かつ前記圧電層の主面から少なくとも前記中間層の一部に至っており、
    　前記支持基板が、弾性表面波伝搬方向において前記第１及び第２の端面より外側に配置された支持基板部分を有する、弾性表面波装置。
  2. 　前記支持基板は、実装基板を兼ねている、請求項１記載の弾性表面波装置。
  3. 　前記第１及び第２の端面が、それぞれ、前記圧電層の主面から前記中間層の一部に至っている、請求項１又は２に記載の弾性表面波装置。
  4. 　前記支持基板が、前記中間層に接している主面を有し、
    　前記第１及び第２の端面が、それぞれ、前記圧電層の主面から前記支持基板の主面に至っている、請求項１又は２に記載の弾性表面波装置。
  5. 　前記支持基板が、前記中間層に接している第１の主面と、前記第１の主面に対向している第２の主面とを有し、
    　前記第１及び第２の端面が、それぞれ、前記圧電層の主面から前記支持基板の前記第１の主面と前記第２の主面との間に至っている、請求項１又は２に記載の弾性表面波装置。
  6. 　前記中間層が、複数の層が積層された多層構造を有している、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
  7. 　前記第１及び第２の端面が、それぞれ、前記圧電層の主面から、前記中間層を構成している前記複数の層のうち１層の一部に至っている、請求項６に記載の弾性表面波装置。
  8. 　積層方向において最も前記支持基板側の層が、酸化ケイ素により構成されている、請求項６又は７に記載の弾性表面波装置。
  9. 　前記第１及び第２の端面が、それぞれ、前記圧電層の主面から前記中間層における最も前記支持基板側の層の一部に至っている、請求項８に記載の弾性表面波装置。
  10. 　前記支持基板が、シリコン、サファイア、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３及びガラスからなる群から選択された少なくとも１種により構成されている、請求項８又は９に記載の弾性表面波装置。
  11. 　前記圧電層及び前記中間層において、前記圧電層及び前記中間層の少なくとも一部を貫通しており、第１の側面を有する溝部が設けられており、該溝部の第１の側面が前記第１の端面を有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
  12. 　前記溝部が、前記第１の側面と対向している第２の側面を有しており、
    　前記ＩＤＴ電極が、第１のＩＤＴ電極であり、該第１のＩＤＴ電極と弾性表面波伝搬方向において前記溝部を隔てて隣接している第２のＩＤＴ電極がさらに設けられており、
    　前記溝部の第２の側面が、前記第２のＩＤＴ電極により励振された弾性表面波を反射させる端面を有する、請求項１１に記載の弾性表面波装置。
  13. 　前記ＩＤＴ電極が、第１のＩＤＴ電極であり、該第１のＩＤＴ電極と弾性表面波伝搬方向において隣接している第２のＩＤＴ電極がさらに設けられており、
    　前記第１のＩＤＴ電極と、前記第２のＩＤＴ電極との間に、弾性表面波伝搬方向において隣接する複数の溝部が設けられており、前記複数の溝部のうち、最も前記第１のＩＤＴ電極側の前記溝部の側面が、前記第１の端面を有し、最も前記第２のＩＤＴ電極側の前記溝部の側面が、前記第２のＩＤＴ電極により励振された弾性表面波を反射させる端面を有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
  14. 　前記支持基板、前記中間層及び前記圧電層が、それぞれ、異なる材料により構成されている、請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
  15. 　請求項１～１４のいずれか１項に記載の弾性表面波装置の製造方法であって、
    　前記支持基板、前記中間層、前記圧電層及び前記ＩＤＴ電極がこの順に積層された積層体を形成する工程と、
    　前記第１及び第２の端面を形成するように、前記圧電層及び前記中間層の少なくとも一部をエッチングにより除去する工程とを備える、弾性表面波装置の製造方法。
  16. 　ダイシングにより前記支持基板の一部を除去し、前記圧電層の主面から前記支持基板の一部に至る第１及び第２の端面を形成する工程をさらに備える、請求項１５に記載の弾性表面波装置の製造方法。
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