JP2010258273A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】歩留まりの高い半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、(1)InP基板上に、第1導電型のInPクラッド層、活性層、第2導電型のInPクラッド層、及び、キャップ層を形成する工程と、(2)キャップ層上に、誘電体膜を形成する工程と、(3)誘電体膜をマスクとして、エッチングにより、第1導電型のクラッド層、活性層、及び、第2導電型のInPクラッド層を含むメサ構造を形成する工程と、(4)メサ構造の側面に埋込層を形成する工程と、(5)誘電体膜を除去する工程と、(6)前記メサ構造上のキャップ層を除去する工程と、(7)キャップ層を除去する工程により生成された生産物をふっ酸を含む溶液に浸漬する工程とを含んでいる。
【選択図】図8
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、(1)InP基板上に、第1導電型のInPクラッド層、活性層、第2導電型のInPクラッド層、及び、キャップ層を形成する工程と、(2)キャップ層上に、誘電体膜を形成する工程と、(3)誘電体膜をマスクとして、エッチングにより、第1導電型のクラッド層、活性層、及び、第2導電型のInPクラッド層を含むメサ構造を形成する工程と、(4)メサ構造の側面に埋込層を形成する工程と、(5)誘電体膜を除去する工程と、(6)前記メサ構造上のキャップ層を除去する工程と、(7)キャップ層を除去する工程により生成された生産物をふっ酸を含む溶液に浸漬する工程とを含んでいる。
【選択図】図8
Description
本発明は、半導体レーザの製造方法に関するものである。
半導体レーザの製造方法としては、特許文献1に記載された方法が知られている。同文献に記載の製造方法は、以下の工程(1)〜(5)を含んでいる。
(1)n型InP基板上に、n型InPバッファ層、活性層、p型InPキャップ層を形成する。
(2)キャップ層上にSiO2膜を形成する。
(3)SiO2膜をマスクとして、メサ構造を形成する。
(4)メサ構造の側面に埋込層を形成する。
(5)SiO2膜を除去する。
(1)n型InP基板上に、n型InPバッファ層、活性層、p型InPキャップ層を形成する。
(2)キャップ層上にSiO2膜を形成する。
(3)SiO2膜をマスクとして、メサ構造を形成する。
(4)メサ構造の側面に埋込層を形成する。
(5)SiO2膜を除去する。
上述した従来の半導体レーザの製造方法では、メサ構造の抵抗が大きい半導体レーザや、信頼性の低い半導体レーザが製造されることがあり、その結果、半導体レーザの歩留まりが低くなっていた。
本願発明は、歩留まりの高い半導体レーザの製造方法を提供することを目的としている。
本願発明者は、半導体レーザの製造方法の研究を行っている。その研究の結果、本願発明者は、キャップ層と当該キャップ層の下地層との界面に、マスクを構成する材料とキャップ層を構成する材料との反応生成物が発生し、当該反応生成物が半導体レーザの歩留まり低下の一要因となっていることを見出した。この反応生成物は、例えば、メサ構造における抵抗を増加させ、或いは、欠陥となって半導体レーザの信頼性を低下させるものである。
本発明の半導体レーザの製造方法は、かかる知見に基づいてなされたものである。本発明の半導体レーザの製造方法は、(1)InP基板上に、第1導電型のInPクラッド層、活性層、第2導電型のInPクラッド層、及び、キャップ層を形成する工程と、(2)キャップ層上に、誘電体膜を形成する工程と、(3)誘電体膜をマスクとして、エッチングにより、第1導電型のクラッド層、活性層、及び、第2導電型のInPクラッド層を含むメサ構造を形成する工程と、(4)メサ構造の側面に埋込層を形成する工程と、(5)誘電体膜を除去する工程と、(6)メサ構造上のキャップ層を除去する工程と、(7)キャップ層を除去する工程により生成された生産物を、ふっ酸を含む溶液に浸漬する工程と、を含んでいる。
本発明の半導体レーザの製造方法によれば、キャップ層の下地層の表面に発生した反応生成物、即ち、誘電体膜を構成する材料とキャップ層を構成する材料の反応生成物が、キャップ層の除去後に、除去される。その結果、半導体レーザの歩留まりを改善することが可能である。
また、上記生産物をふっ酸を含む溶液に浸漬する工程では、当該生産物がふっ酸を含む溶液中で超音波洗浄されることが好適である。超音波洗浄によれば、反応生成物をより短時間で除去することが可能となる。
以上説明したように、本発明によれば、歩留まりの高い半導体レーザの製造方法が提供される。
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。図1は、一実施形態に係る半導体レーザの製造方法によって製造される半導体レーザを示す図である。以下、図1に示す半導体レーザ10の製造方法を、図2〜図11を参照しつつ説明する。
図2は、一実施形態の半導体レーザの製造方法の一工程により製造される生産物を示す図である。本製造方法では、まず、基板12の一方の主面上に、第1のクラッド層14、活性層16、第2のクラッド層18、及びキャップ層20を形成する工程が実施される。この工程によって、図2に示す生産物が生成される。
本実施形態では、InP基板12は、n型InP基板であり、第1のクラッド層14は、n型InP半導体層であり、第2のクラッド層18は、p型InP半導体層である。活性層16は、例えば、GaInAsP(4元混晶)量子井戸半導体層とGaInAsP(4元混晶)バリア半導体層とが交互に積層された多重量子井戸(Multiple Quantum Well:MQW)構造を有し得る。
また、キャップ層20は、GaInAs半導体層であり、例えば、200nmの厚みを有する。本実施形態では、図2に示すように、回折格子22が、活性層16上に形成されてもよい。回折格子22は、p型又はアンドープのGaInAsP(4元混晶)半導体領域とp型InP半導体領域とを交互に設けられることによって形成することができる。なお、キャップ層20の最表層は、InP半導体層であってもよい。
これら第1のクラッド層14、活性層16、第2のクラッド層18、及びキャップ層20は、有機金属気相成長(OMVPE:OrganoMetaric Vapor Phase Epitaxy)法によって、成長することが可能である。
次いで、本製造方法では、誘電体膜24をキャップ層20上に形成する工程が行われる。この工程によって、図3に示す生産物が生成される。誘電体膜24は、SiO2膜又はSiN膜であり、例えば、100nmの厚みを有する。この誘電体膜24は、後の工程でマスクとして用いられるものであり、誘電体層をキャップ層20上にCVD法等によって形成後、フォトリソグラフィ及びRIE(Reactive IonEtching)によって当該誘電体層をストライプ状にパターニングすることによって形成される。なお、誘電体膜24のストライプの幅は、例えば、3〜4μmである。また、誘電体層は、例えば、200〜300℃の成長温度により形成される。
次いで、本製造方法では、誘電体膜24をエッチングマスクとして用いて図3に示す生産物をエッチングする工程が行われる。この工程では、例えば、Brメタノール液をエッチャントとして用いたエッチングが行われる。この工程により、図4に示す生産物が製造される。具体的には、この工程によって、図4に示すメサ構造26が形成される。メサ構造26は、第1のクラッド層14、活性層16、及び、第2のクラッド層18を含むものである。
次いで、本製造方法では、メサ構造26の両側面に沿って埋込層28を形成する工程が行われる。この工程により、図5に示す生産物が製造される。本実施形態では、埋込層28は、p型のInP層28a、n型のInP層28b、及びp型のInP層28cを基板12上に順に形成したものである。埋込層28は、例えば、OMVPE法により成長することができる。また、埋込層28は、例えば、630℃の成長温度で形成される。なお、埋込層28は、FeをドープしたInP半導体領域であってもよい。
次いで、本製造方法では、誘電体膜24を除去する工程が行われる。この工程により、図6に示す生産物が製造される。誘電体膜24は、図5に示す生産物を、ふっ酸を含む溶液に浸漬することにより、除去することができる。例えば、室温下で、ふっ酸(HF)とH2Oを1:1で含む溶液に図5に示す生産物を浸漬して、1分間の超音波洗浄を行うことにより、誘電体膜24を除去することができる。
次いで、本製造方法では、メサ構造26上のキャップ層20を除去する工程が行われる。この工程により、図7に示す生産物が製造される。キャップ層20は、図6に示す生産物を、リン酸を含む溶液に浸漬することにより、除去することができる。例えば、室温下で、リン酸を400cc、H2O2を80cc含む溶液中で、図6に示す生産物を2分間揺動することにより、キャップ層20を除去することができる。
図7に示すように、キャップ層20の除去後には、第2のクラッド層18上に、キャップ層20を構成する材料と誘電体膜24を構成する材料との反応生成物30が残存することがある。この反応生成物30が発生する一つの要因は、埋込層28の成長温度が誘電体膜24の成長温度より高いことによるものと推測される。
そこで、本製造方法では、反応生成物30を除去する工程が行われる。図8は、一実施形態の半導体レーザの製造方法の一工程を示す図である。図8に示すように、この工程では、槽T内のふっ酸(フッ化水素酸)を含む溶液Sに図7に示した生産物を浸漬することにより、反応生成物30が除去される。ここで、槽Tとして超音波洗浄槽を用い、超音波洗浄により反応生成物30を除去することが好適である。例えば、室温下で、ふっ酸(HF)とH2Oを1:1で含む溶液に図7に示す生産物を浸漬して、3分間の超音波洗浄を行うことにより、反応生成物30を除去することができる。このように、超音波洗浄によれば、反応生成物30をより短時間で除去することが可能となる。
次いで、本製造方法では、第2のクラッド層18及び埋込層28上に第3のクラッド層32を形成する工程、第3のクラッド層32上にコンタクト層34を形成する工程が行われる。これら工程により、図9に示す生産物が製造される。本実施形態では、第3のクラッド層32は、p型InP半導体層であり、コンタクト層34は、p型GaInAs半導体層である。これら第3のクラッド層32及びコンタクト層34は、OMVPE法により形成することができる。
次いで、本製造方法では、メサ構造26の両側方において埋込層28及び基板12にトレンチ溝Gを形成する工程が行われる。この工程により、図10に示す生産物が製造される。さらに、図10に示す生産物のトレンチ溝G内の表面及びコンタクト層34上に誘電体膜36を形成する工程が行われる。この工程により、図11に示す生産物が製造される。誘電体膜36は、例えばSiO2膜である。また、誘電体膜36は、メサ構造26上において開口するように形成される。
次いで、本製造方法では、第1の電極38及び第2の電極40を形成する工程が行われる。この工程により、図1に示す半導体レーザ10が製造される。具体的に、この工程では、基板12の他方の主面に第1の電極38が形成される。また、上述した誘電体膜36の開口から露出したコンタクト層34上に第2の電極40が形成される。
以下、反応生成物30の除去前後の第2のクラッド層18の表面のSEM写真を参照しつつ、本製造方法の効果について説明する。図12は、反応生成物30の除去前の第2のクラッド層18の表面のSEM写真、図13は、反応生成物30の除去後の第2のクラッド層18の表面のSEM写真である。図13に示すSEM写真は、ふっ酸(HF)とH2Oを1:1で含む溶液を用いて3分間の超音波洗浄を行うことにより、反応生成物30を除去した後の、第2のクラッド層18の表面を示している。
図12に示すように、ふっ酸を含む溶液による洗浄を行う前には、第2のクラッド層18上に反応生成物30が発生している。反応生成物30は、メサ構造26における抵抗を増加させ、或いは、欠陥となって半導体レーザ10の信頼性を低下させる。
一方、図13に示すように、ふっ酸を含む溶液による洗浄を行うことにより、第2のクラッド層18上の反応生成物30は、除去される。その結果、本製造方法によれば、低抵抗のメサ構造26を有し、信頼性の高い半導体レーザ10を歩留まり良く製造することが可能となる。
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、上述した半導体レーザ10の各層の導電型は例示的なものであり、この導電型が反転された半導体レーザの製造方法も本発明の思想の範囲内である。
10…半導体レーザ、12…基板、14…第1のクラッド層、16…活性層、18…第2のクラッド層、20…キャップ層、22…回折格子、24…誘電体膜、26…メサ構造、28…埋込層、30 反応生成物、32…第3のクラッド層、34…コンタクト層、36…誘電体膜、38…第1の電極、40…第2の電極、G…トレンチ溝、S…溶液、T…槽(超音波洗浄槽)
Claims (2)
- InP基板上に、第1導電型のInPクラッド層、活性層、第2導電型のInPクラッド層、及び、キャップ層を形成する工程と、
前記キャップ層上に、誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜をマスクとして、エッチングにより、前記第1導電型のクラッド層、前記活性層、及び、前記第2導電型のInPクラッド層を含むメサ構造を形成する工程と、
前記メサ構造の側面に埋込層を形成する工程と、
前記誘電体膜を除去する工程と、
前記メサ構造上の前記キャップ層を除去する工程と、
前記キャップ層を除去する工程により生成された生産物をふっ酸を含む溶液に浸漬する工程と、
を含む半導体レーザの製造方法。 - 前記生産物をふっ酸を含む溶液に浸漬する工程では、前記生産物が該ふっ酸を含む該溶液中で超音波洗浄される、
請求項1に記載の半導体レーザの製造方法。
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JP2009107773A JP2010258273A (ja) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | 半導体レーザの製造方法 |
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JP7080414B1 (ja) * | 2021-06-17 | 2022-06-03 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子及びその製造方法 |
JP7168138B1 (ja) * | 2022-02-10 | 2022-11-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
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2009
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WO2022264347A1 (ja) * | 2021-06-17 | 2022-12-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子及びその製造方法 |
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WO2023152872A1 (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
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