JP2009111088A - 光半導体デバイスの作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】InP基板12となるウェハ上に半導体メサ14となる半導体積層を形成する工程と、半導体メサ14及びアライメントマーク50の平面形状を含むエッチングマスクを用いて半導体積層をエッチングすることにより、半導体メサ14及びマーク用メサを形成する第1のエッチング工程と、半導体メサ14及びマーク用メサをInP埋込領域28で埋め込む工程と、マーク用メサ及びその周辺のInP埋込領域28をエッチングする第2のエッチング工程とを行う。第2のエッチング工程の際に、InPを選択的にエッチングすることで、マーク用メサの一部を残存させてアライメントマーク50を形成する。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施形態による光半導体デバイスの作製方法によって作製される、光半導体デバイスおよびアライメントマークの構成を示す斜視図である。なお、図1は、光半導体デバイスおよびアライメントマークが形成されたウェハの一部を切り欠いて示している。また、本実施形態では、光半導体デバイスとしていわゆる埋め込みヘテロ構造(BH構造)を有する半導体レーザを作製する方法を例示するが、本実施形態に係る作製方法の適用対象は半導体レーザに限られるものではなく、BH構造を有するものであれば、例えば半導体光変調素子といった他の光半導体デバイスでもよい。
まず、(100)面を有するn型InP基板(InPウェハ)12を用意する。次に、半導体メサ14(図1参照)となる半導体積層72をn型InP基板12上に形成する。具体的には、図3(a)に示すように、InP基板12の主面12a上に、バッファ層16,52となるn型InP半導体膜60、光閉じ込め層22,56となるGaInAsP半導体膜(またはAlGaInAs半導体膜)62、活性層18,54となるGaInAsP/GaInAsP超格子多重積層膜(またはAlGaInAs/AlGaInAs超格子多重積層膜)64、光閉じ込め層24,58となるGaInAsP半導体膜(またはAlGaInAs半導体膜)66、InPクラッド層20となるp型InP半導体膜68、及びキャップ層となるp型GaInAs半導体膜70を順次成長させる。好適な実施例では、これらの半導体膜60,62,64,66,68,及び70を、有機金属気相成長(MOCVD)法によりエピタキシャル成長させるとよい。また、n型InP半導体膜60には、n型不純物として例えばシリコン(Si)をドープするとよい。また、p型InP半導体膜68及びp型GaInAs半導体膜70には、p型不純物として例えば亜鉛(Zn)をドープするとよい。
続いて、図3(b)に示すように、半導体メサ14の平面形状を表し光導波方向を長手方向とするエッチングマスクM1、およびアライメントマーク50の平面形状を表すエッチングマスクM2を半導体積層72上に形成する。具体的には、まず半導体積層72上に絶縁膜(SiN、SiON、またはSiO2など)を堆積する。このとき、絶縁膜の厚さは例えば100[nm]である。そして、この絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、半導体メサ14およびアライメントマーク50の平面形状を含むパターンとなるようにフォトレジストを露光する。フォトレジストの現像処理を行ったのち、反応性イオンエッチング(RIE)といったドライエッチング、もしくはフッ酸(HFaq)や緩衝フッ酸(BHF)を用いたウェットエッチングにより、フォトレジストパターンを介して絶縁膜をエッチングする。こうして、半導体メサ14およびアライメントマーク50の平面形状を表すエッチングマスクM1,M2を形成する。なお、フォトレジストパターンは、アッシングまたは溶液処理により除去される。
続いて、図4(b)に示すように、エッチングマスクM1,M2を残した状態でInP基板12上にInP埋込領域28を成長させることにより、半導体メサ14の両側面、及びマーク用メサ78の両側面を埋め込む。好適な実施例では、p型InP層28aおよびn型InP層28bをMOCVD法により順にエピタキシャル成長させて、InP埋込領域28を形成するとよい。或いは、FeドープInPをMOCVD法によりエピタキシャル成長させて、InP埋込領域を形成してもよい。
続いて、図5(a)に示すように、半導体メサ14上及び埋込領域28上にp型InP半導体膜を成長させることにより、InPクラッド層26を形成する。そして、InPクラッド層26上にp型GaInAs半導体膜を成長させることにより、コンタクト層30を形成する。好適な実施例では、InPクラッド層26となるp型InP半導体膜、およびコンタクト層30となるp型GaInAs半導体膜を、それぞれMOCVD法によりエピタキシャル成長させるとよい。また、この工程では、マーク用メサ78上にもInPクラッド層26およびコンタクト層30が形成される。
続いて、図5(b)に示すように、半導体メサ14と、InP埋込領域28のうち半導体メサ14の両側面を埋め込む部分とを覆うエッチングマスクM3を形成する。具体的には、まずコンタクト層30上に絶縁膜(SiN、SiON、またはSiO2など)を堆積する。このとき、絶縁膜の厚さは例えば100[nm]である。そして、この絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、半導体メサ14と、InP埋込領域28のうち半導体メサ14の両側面を埋め込む部分とを覆うパターンとなるようにフォトレジストを露光する。このとき、露光部分の位置決めには高い精度は不要である。したがって、ウェハの中心位置及びオリエンテーションフラットOF(図2参照)の位置を機械的に検出することにより露光部分の位置決めを行うとよい。
その後、開口を有する絶縁層(図示せず)をコンタクト層30上に形成し、その開口を埋め込むように電極(図示せず)を形成する。また、InP基板12の裏面12bに別の電極(図示せず)を形成する。これらの工程においては、先の工程において形成されたアライメントマーク50を基準に位置合わせが行われる。最後に、各半導体レーザ10毎にInP基板12をチップ状に分割することにより、BH構造を有する半導体レーザが得られる。
図7は、本実施形態による光半導体デバイスの作製方法によって作製される、光半導体デバイスおよびアライメントマークの構成を示す斜視図である。なお、図7は、光半導体デバイスおよびアライメントマークが形成されたウェハの一部を切り欠いて示しており、更に光半導体デバイスの一部を切り欠いてその内部構造を示している。本実施形態では、光半導体デバイスとしていわゆる埋め込みヘテロ構造(BH構造)を有する分布帰還型(DFB:Distributed FeedBack)の半導体レーザを作製する方法を例示する。なお、本実施形態に係る作製方法に関しても、半導体レーザに限られるものではなく他の光半導体デバイスに適用可能である。
まず、(100)面を有するn型InP基板(InPウェハ)13を用意する。次に、半導体メサ15(図7参照)となる半導体積層73をn型InP基板13上に形成する。具体的には、図8(a)に示すように、InP基板13の主面13a上に、バッファ層17となるn型InP半導体膜61、光閉じ込め層23,57となるGaInAsP半導体膜(またはAlGaInAs半導体膜)63、活性層19,55となるGaInAsP/GaInAsP超格子多重積層膜(またはAlGaInAs/AlGaInAs超格子多重積層膜)65、光閉じ込め層25,59となるGaInAsP半導体膜(またはAlGaInAs半導体膜)67、及びキャップ層となるp型InP半導体膜69を順次成長させる。好適な実施例では、これらの半導体膜61,63,65,67及び69を、有機金属気相成長(MOCVD)法によりエピタキシャル成長させるとよい。また、n型InP半導体膜61には、n型不純物として例えばシリコン(Si)をドープするとよい。
続いて、図8(b)に示すように、アライメントマーク51(図7参照)の平面形状を表すエッチングマスクM4、およびアライメントマーク51上及びその周囲を除く半導体積層73の全面を覆うエッチングマスクM5を半導体積層73上に形成する。具体的には、まず半導体積層73上に絶縁膜(SiN、SiON、またはSiO2など)を堆積する。このとき、絶縁膜の厚さは例えば100[nm]である。そして、この絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、アライメントマーク51の平面形状を含み且つアライメントマーク51の周囲が除かれたパターンとなるようにフォトレジストを露光する。フォトレジストの現像処理を行ったのち、反応性イオンエッチング(RIE)といったドライエッチング、もしくはフッ酸(HFaq)や緩衝フッ酸(BHF)を用いたウェットエッチングにより、フォトレジストパターンを介して絶縁膜をエッチングする。こうして、エッチングマスクM4およびM5が形成される。なお、フォトレジストパターンは、アッシングまたは溶液処理により除去される。
続いて、図9(b)に示すように、半導体積層73のうち半導体レーザ11となる領域のGaInAsP半導体膜67に回折格子67aを形成する。この回折格子67aの形成過程は、エッチングマスクの形状およびエッチング深さが異なる点を除き、上記第1のエッチング工程と同様である。なお、本工程においては、エッチングマスクを例えばフォトリソグラフィ、ナノインプリント或いは電子ビーム露光によって形成することができる。回折格子67aの形成後、キャップ層であるp型InP半導体膜69をエッチングにより除去する。
続いて、図10(a)に示すように、InPクラッド層21となるp型InP半導体膜71をInP基板13上の全面に成長させることにより、p型InP半導体膜71をGaInAsP半導体膜67上に形成すると共に、p型InP半導体膜71によってアライメントマーク51を埋め込む。そして、より好適には、p型InP半導体膜71上に、キャップ層となるp型GaInAs半導体膜75を形成する。一実施例としては、p型InPおよびp型GaInAsをMOCVD法により順にエピタキシャル成長させることにより、p型InP半導体膜71およびp型GaInAs半導体膜75を形成するとよい。
続いて、図10(b)に示すように、エッチングマスクM6,M7をp型InP半導体膜71上(本実施形態ではp型GaInAs半導体膜75上)に形成する。エッチングマスクM6は、半導体メサ15の平面形状を表し光導波方向を長手方向とするエッチングマスクである。エッチングマスクM7は、アライメントマーク51と、p型InP半導体膜71のうちアライメントマーク51を埋め込む部分とを覆うエッチングマスクである。このエッチングマスクM6,M7の形成過程は、その形状が異なる点を除き、上記第1のエッチング工程におけるエッチングマスクM4,M5の形成過程と同様である。
続いて、図10(b)に示すように、エッチングマスクM6,M7を残した状態でInP基板13上にInP埋込領域29を成長させることにより、半導体メサ15の両側面を埋め込む。好適な実施例では、p型InP層29aおよびn型InP層29bをMOCVD法により順にエピタキシャル成長させて、InP埋込領域29を形成するとよい。或いは、FeドープInPをMOCVD法によりエピタキシャル成長させて、InP埋込領域を形成してもよい。
続いて、図12(a)に示すように、n型InP基板13上の全面に亘ってp型InP半導体膜を成長させることにより、InPクラッド層27を形成する。すなわち、InPクラッド層27は、半導体メサ15上、埋込領域29上、およびアライメントマーク51を埋め込むp型InP半導体膜71上に亘って設けられる。そして、InPクラッド層27上にp型GaInAs半導体膜を成長させることにより、コンタクト層31を形成する。好適な実施例では、InPクラッド層27となるp型InP半導体膜、およびコンタクト層31となるp型GaInAs半導体膜を、それぞれMOCVD法によりエピタキシャル成長させるとよい。
続いて、図12(b)に示すように、半導体メサ15と、InP埋込領域29のうち半導体メサ15の両側面を埋め込む部分とを覆うエッチングマスクM8を形成する。具体的には、まずコンタクト層31上に絶縁膜(SiN、SiON、またはSiO2など)を堆積する。このとき、絶縁膜の厚さは例えば100[nm]である。そして、この絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、半導体メサ15と、InP埋込領域29のうち半導体メサ15の両側面を埋め込む部分とを覆うパターンとなるようにフォトレジストを露光する。このとき、露光部分の位置決めには高い精度は不要である。したがって、ウェハの中心位置及びオリエンテーションフラットOF(図2参照)の位置を機械的に検出することにより露光部分の位置決めを行うとよい。
その後、開口を有する絶縁層(図示せず)をコンタクト層31上に形成し、その開口を埋め込むように電極(図示せず)を形成する。また、InP基板13の裏面13bに別の電極(図示せず)を形成する。これらの工程においては、先の工程において形成されたアライメントマーク51を基準に位置合わせが行われる。最後に、各半導体レーザ11毎にInP基板13をチップ状に分割することにより、BH構造を有するDFB型半導体レーザが得られる。
Claims (4)
- InP基板と、前記InP基板上に形成され、活性層及び該活性層上のInPクラッド層を含む半導体メサと、前記半導体メサの両側面を埋め込むInP埋込領域とを備える光半導体デバイスを作製する方法であって、
前記InP基板となるウェハ上に前記半導体メサとなる半導体積層を形成する積層工程と、
前記半導体メサ及びアライメントマークの平面形状を含むエッチングマスクを前記半導体積層上に形成し、該エッチングマスクを用いて前記半導体積層をエッチングすることにより、前記半導体メサ、及び前記アライメントマークとなるマーク用メサを形成する第1のエッチング工程と、
前記InP埋込領域により、前記半導体メサの両側面、及び前記マーク用メサの両側面を埋め込む埋込工程と、
前記半導体メサと、前記InP埋込領域のうち前記半導体メサの両側面を埋め込む部分とを覆うエッチングマスクを形成し、前記マーク用メサと、前記InP埋込領域のうち前記マーク用メサの両側面を埋め込む部分とをエッチングする第2のエッチング工程と
を備え、
前記第2のエッチング工程の際に、前記活性層に対するエッチングレートがInPに対するエッチングレートより小さいエッチャントを用い、前記マーク用メサにおける前記活性層以下の部分を残存させることにより前記アライメントマークを形成することを特徴とする、光半導体デバイスの作製方法。 - InP基板と、前記InP基板上に形成され、活性層及び該活性層上のInPクラッド層を含む半導体メサと、前記半導体メサの両側面を埋め込むInP埋込領域とを備える光半導体デバイスを作製する方法であって、
前記InP基板となるウェハ上に前記活性層を形成する積層工程と、
アライメントマークの平面形状を含むエッチングマスクを前記活性層上に形成し、該エッチングマスクを用いて前記活性層をエッチングすることにより前記アライメントマークを形成する第1のエッチング工程と、
前記活性層上に前記InPクラッド層を形成すると共に、該InPクラッド層によって前記アライメントマークを埋め込むクラッド層形成工程と、
前記アライメントマークと、前記InPクラッド層のうち前記アライメントマークを埋め込む部分とを覆い、且つ前記半導体メサの平面形状を含むエッチングマスクを前記InPクラッド層上に形成し、該エッチングマスクを用いて前記InPクラッド層及び前記活性層をエッチングすることにより前記半導体メサを形成する第2のエッチング工程と、
前記InP埋込領域により前記半導体メサの両側面を埋め込む埋込工程と、
前記半導体メサと、前記InP埋込領域のうち前記半導体メサの両側面を埋め込む部分とを覆うエッチングマスクを形成し、前記InPクラッド層のうち前記アライメントマークを埋め込む部分をエッチングする第3のエッチング工程と
を備え、
前記第3のエッチング工程の際に、前記活性層に対するエッチングレートがInPに対するエッチングレートより小さいエッチャントを用いることにより前記アライメントマークを露出させることを特徴とする、光半導体デバイスの作製方法。 - 前記活性層上に回折格子を形成する回折格子形成工程を、前記第1のエッチング工程と前記クラッド層形成工程との間に更に備えており、
前記回折格子形成工程の際に、前記回折格子の形成に使用されるエッチングマスクの位置合わせを前記アライメントマークにより行うことを特徴とする、請求項2に記載の光半導体デバイスの作製方法。 - 前記活性層がGaInAsPまたはAlGaInAsからなり、前記エッチャントが塩酸を含む溶液であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の光半導体デバイスの作製方法。
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