JP2012059842A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アライメントマーク15を凹部15aとして形成する工程と、回折格子13aを回折格子層13に形成する工程と、クラッド層17を成長させて回折格子層13及びアライメントマーク15を埋め込む工程と、クラッド層17のうちアライメントマーク15上に形成された部分を除去する工程と、アライメントマーク15を位置決めの基準に用いて、回折格子13aを含むメサストライプ構造20を素子形成領域10bに形成する工程とを含む。クラッド層17を成長させる際、クラッド層17を成長させる前に、半導体基板10が収容されたチャンバ内にアルシン及びホスフィンを供給することにより、アライメントマーク15の内面の表層部分のPの一部をAsに置換して、該表層部分をInAsPを含む層に改質する。
【選択図】図8
Description
図13は、上記実施形態の変形例に係る、アライメントマーク25(図13(a))及び35(図13(b))の形態を示す図である。上述した実施形態のアライメントマーク15は、平面形状が正方形状である4つの凹部15aが2行2列に配列された構成を有しているが、アライメントマークはこのような形態に限られない。例えば、図13(a)に示されたアライメントマーク25は、平面形状が正方形状である9つの凹部25aが3行3列に配列された構成を有する。また、図13(b)に示されたアライメントマーク35は、平面形状が長方形状である溝状の4つの凹部35aを有しており、4つの凹部35aは、その長手方向と直交する方向に並んで配置されている。なお、各凹部35aの短手方向の幅は例えば4μmであり、凹部35a同士の間隔は例えば4μmである。アライメントマークが図13(a)または図13(b)に示されたような形態を有していても、上記実施形態の効果を好適に奏することができる。
Claims (3)
- 回折格子を有する半導体レーザ素子を製造する方法であって、
活性層、第1のInP層、及び回折格子層を半導体基板上に順次成長させる第1の成長工程と、
前記半導体レーザ素子となる前記半導体基板の領域の外部に、前記回折格子に対する位置合わせ用のアライメントマークを、前記第1のInP層の厚さ方向の中途までの深さを有する凹部として形成するアライメントマーク形成工程と、
前記アライメントマークを覆い且つ前記回折格子のパターンを有する第1のエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、
前記第1のエッチングマスクを介して前記回折格子層をエッチングすることにより、前記回折格子を前記回折格子層に形成する回折格子形成工程と、
前記第1のエッチングマスクを除去したのち、第2のInP層を成長させて前記回折格子層及び前記アライメントマークを埋め込む第2の成長工程と、
前記半導体レーザ素子となる前記半導体基板の領域上に第2のエッチングマスクを形成したのち、該第2のエッチングマスクを介して前記第2のInP層をエッチングすることにより、前記第2のInP層のうち前記アライメントマーク上に形成された部分を除去するアライメントマーク掘り出し工程と、
前記アライメントマークを位置決めの基準に用いて、前記半導体レーザ素子となる前記半導体基板の領域に、前記回折格子を含む導波路構造を形成する導波路形成工程と
を含み、
前記第2の成長工程の際、前記第2のInP層を成長させる前に、前記半導体基板が収容されたチャンバ内にAsを含む第1の原料ガスとPを含む第2の原料ガスとを供給することにより、前記アライメントマークの内面の表層部分のPの一部をAsに置換して、該表層部分をInAsPを含む層に改質し、
前記アライメントマーク掘り出し工程の際、前記第2のInP層に対するエッチャントとして塩酸を用いることを特徴とする、半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第2の成長工程の際に、前記チャンバ内の温度が所定温度に達するまでは前記第2の原料ガスとしてホスフィンを供給し、前記チャンバ内の温度が前記所定温度に達したのち、前記第1の原料ガスとしてのアルシンをホスフィンと共に供給することを特徴とする、請求項1に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記所定温度が400度であることを特徴とする、請求項2に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
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