JP2007059621A - 半導体光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体メサ部の頂面上に設けられたマスク上にInP埋め込み部が形成されることを抑制できる半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 第1実施形態に係る半導体光素子の製造方法は、基板12と基板12上に設けられた活性層14とを含みIII−V族化合物半導体から構成される積層体11の活性層14上に、Alを含むIII−V族化合物半導体層18を形成する工程と、III−V族化合物半導体層18上に形成されたマスクMを用いて、III−V族化合物半導体層18及び積層体11をエッチングすることにより、III−V族化合物半導体層18から形成されるIII−V族化合物半導体領域18aを含む半導体メサ部20を形成する工程と、半導体メサ部20の側面を酸化する工程と、酸化された半導体メサ部20aを埋め込むためのInP埋め込み部22を形成する工程とを含む。
【選択図】 図1
【解決手段】 第1実施形態に係る半導体光素子の製造方法は、基板12と基板12上に設けられた活性層14とを含みIII−V族化合物半導体から構成される積層体11の活性層14上に、Alを含むIII−V族化合物半導体層18を形成する工程と、III−V族化合物半導体層18上に形成されたマスクMを用いて、III−V族化合物半導体層18及び積層体11をエッチングすることにより、III−V族化合物半導体層18から形成されるIII−V族化合物半導体領域18aを含む半導体メサ部20を形成する工程と、半導体メサ部20の側面を酸化する工程と、酸化された半導体メサ部20aを埋め込むためのInP埋め込み部22を形成する工程とを含む。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体光素子の製造方法に関する。
埋め込み型の半導体レーザを製造する際には、半導体メサ部の周囲に埋め込み部を形成する。図10は、半導体レーザの製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。図10に示される工程では、半導体メサ部134の周囲に、鉄元素(Fe)が添加されたInP埋め込み部122を形成する。半導体メサ部134は、InP基板112a上に設けられGaInAsPからなる活性層114aと、活性層114a上に設けられp型InPからなるクラッド層116aと、クラッド層116a上に設けられGaInAsからなるコンタクト層132aとを含む。この場合、InP埋め込み部122を半導体メサ部134の周囲に形成すると、半導体メサ部134の頂面上に設けられたマスク100M上にもInP埋め込み部122が形成される。この場合、マスク100Mをエッチング等により除去することができなくなってしまう。また、マスク100Mの一部が露出している場合であっても、マスク100Mを除去することにより形成される開口の幅が狭くなってしまうため、電流が流れ難くなる。その結果、直列抵抗が増大する等、半導体レーザの素子特性が低下してしまう。
ここで、埋め込み層を平坦化するために、塩化水素(HCl)が添加されたガスを用いて、減圧有機金属気相成長法によってメサ部の周囲にInP埋め込み層を形成する半導体レーザの製造方法が知られている(特許文献1参照)。
特開平8−78793号公報
しかしながら、特許文献1の方法では、塩化水素の腐食性が高いために有機金属気相成長装置の内部が腐食する等の問題がある。そこで、そのような問題がなく、InP埋め込み部がマスク上に形成されることを抑制できる方法が望まれている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体メサ部の頂面上に設けられたマスク上にInP埋め込み部が形成されることを抑制できる半導体光素子の製造方法を提供することを目的とする。
上述の課題を解決するため、本発明の半導体光素子の製造方法は、(a)基板と前記基板上に設けられた活性層とを含みIII−V族化合物半導体から構成される積層体の前記活性層上に、Alを含むIII−V族化合物半導体層を形成する工程と、(b)前記III−V族化合物半導体層上に形成されたマスクを用いて、前記III−V族化合物半導体層及び前記積層体をエッチングすることにより、前記III−V族化合物半導体層から形成されるIII−V族化合物半導体領域を含む半導体メサ部を形成する工程と、(c)前記半導体メサ部の側面を酸化する工程と、(d)酸化された半導体メサ部を埋め込むためのIII−V族化合物半導体埋め込み部を形成する工程とを含む。
本発明の半導体光素子の製造方法によれば、半導体メサ部の側面を酸化することによって、III−V族化合物半導体領域の側面にアルミニウム酸化物層が形成される。ここで、III−V族化合物半導体埋め込み部は、アルミニウム酸化物層上に成長し難い。このため、III−V族化合物半導体埋め込み部を形成する工程において、酸化された半導体メサ部の頂面上に設けられたマスク上にIII−V族化合物半導体埋め込み部が形成されることを抑制できる。
また、前記積層体は、前記活性層上に設けられたInP層を含むことが好ましい。この場合、III−V族化合物半導体埋め込み部によって酸化された半導体メサ部を容易に埋め込むことができる。
また、前記積層体は、前記活性層上に設けられたInP層と、前記InP層上に設けられGaInAs又はGaInAsPから構成される半導体層とを含むことが好ましい。この場合、実用性の高い半導体光素子を製造することができる。
また、前記積層体は、前記活性層上に設けられた第1のInP層と、前記第1のInP層上に設けられGaInAs又はGaInAsPから構成される半導体層と、前記半導体層上に設けられた第2のInP層とを含むことが好ましい。この場合、半導体光素子の製造が容易になる。
さらに、前記半導体メサ部の側面を酸化する工程では、前記半導体メサ部の側面を空気に晒すことが好ましい。この場合、半導体メサ部の側面を酸化する工程において、半導体メサ部(例えば活性層)の側面が受けるダメージを低減することができる。
また、前記半導体メサ部の側面を酸化する工程では、前記半導体メサ部の側面を水蒸気雰囲気中で加熱することが好ましい。この場合、III−V族化合物半導体埋め込み部を形成する工程において、III−V族化合物半導体埋め込み部がマスク上に形成されることをより確実に抑制できる。
また、前記マスクは、シリコン窒化物からなることが好ましい。この場合、III−V族化合物半導体埋め込み部を形成する工程において、例えばマスクがシリコン酸化物からなる場合に比べて、III−V族化合物半導体埋め込み部がマスク上に形成され難くなる。
また、前記III−V族化合物半導体埋め込み部は、InP半導体からなることが好ましい。この場合、酸化された半導体メサ部の頂面上に設けられたマスク上にIII−V族化合物半導体埋め込み部が形成されることをより確実に抑制できる。
また、前記III−V族化合物半導体埋め込み部には、鉄元素が添加されていることが好ましい。これにより、得られる半導体光素子の素子特性を向上させることができる。
本発明によれば、半導体メサ部の頂面上に設けられたマスク上にIII−V族化合物半導体埋め込み部が形成されることを抑制できる半導体光素子の製造方法が提供される。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
(第1実施形態)
図1〜図3は、第1実施形態に係る半導体光素子の製造方法における工程をそれぞれ模式的に示す工程断面図である。
図1〜図3は、第1実施形態に係る半導体光素子の製造方法における工程をそれぞれ模式的に示す工程断面図である。
(III−V族化合物半導体層形成工程)
まず、図1(a)に示されるように、積層体11上に、Alを含むIII−V族化合物半導体層18を形成する。積層体11は、基板12と基板12上に設けられた活性層14とを含む。本実施形態では、積層体11は、活性層14上に設けられたInP層16を含む。積層体11は、III−V族化合物半導体から構成される。III−V族化合物半導体層18は、活性層14上に形成される。本実施形態では、III−V族化合物半導体層18は、InP層16上に形成される。
まず、図1(a)に示されるように、積層体11上に、Alを含むIII−V族化合物半導体層18を形成する。積層体11は、基板12と基板12上に設けられた活性層14とを含む。本実施形態では、積層体11は、活性層14上に設けられたInP層16を含む。積層体11は、III−V族化合物半導体から構成される。III−V族化合物半導体層18は、活性層14上に形成される。本実施形態では、III−V族化合物半導体層18は、InP層16上に形成される。
基板12は、n型のInPからなることが好ましい。活性層14は、GaInAsPからなることが好ましい。活性層14は、AlGaInAsからなるとしてもよい。活性層14は、互いに組成比が異なる2種類のGaInAsP層が交互に積層された多重量子井戸構造(MQW)を有してもよい。また、活性層14は、一方の最外層又は両方の最外層にGaInAsPからなる分離閉じ込めヘテロ構造層(SCH層)を有してもよい。InP層16は、p型であることが好ましい。InP層16は、例えばクラッド層として機能する。InP層16の厚さは、例えば0.2μmである。III−V族化合物半導体層18は、AlInAs又はAlGaInAsからなることが好ましい。III−V族化合物半導体層18は、例えばキャップ層として機能する。
活性層14、InP層16及びIII−V族化合物半導体層18は、例えば有機金属気相成長装置(OMVPE装置)を用いて形成される。
(マスク形成工程)
次に、図1(b)に示されるように、III−V族化合物半導体層18上に、例えば絶縁物からなるマスクMを形成する。マスクMは、シリコン窒化物(SiNx)からなることが好ましい。マスクMは、例えば、プラズマCVD装置を用いて形成された膜を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより形成される。マスクMは、例えばストライプ状にパターニングされる。ストライプパターンのパターン幅は、1.5〜2.0μmであることが好ましい。マスクMは、例えば厚さ0.1μmの膜である。マスクMは、シリコン酸化物(例えばSiO2)からなるとしてもよい。
次に、図1(b)に示されるように、III−V族化合物半導体層18上に、例えば絶縁物からなるマスクMを形成する。マスクMは、シリコン窒化物(SiNx)からなることが好ましい。マスクMは、例えば、プラズマCVD装置を用いて形成された膜を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより形成される。マスクMは、例えばストライプ状にパターニングされる。ストライプパターンのパターン幅は、1.5〜2.0μmであることが好ましい。マスクMは、例えば厚さ0.1μmの膜である。マスクMは、シリコン酸化物(例えばSiO2)からなるとしてもよい。
(半導体メサ部形成工程)
次に、図1(c)に示されるように、マスクMを用いて、III−V族化合物半導体層18及び積層体11をエッチングすることにより、III−V族化合物半導体層18から形成されるIII−V族化合物半導体領域18aを含む半導体メサ部20を形成する。本実施形態では、基板12に到達するまでエッチングする。したがって、半導体メサ部20は、InP層16がエッチングされることにより形成されるInP領域16aと、活性層14がエッチングされることにより形成される活性領域14aと、基板12がエッチングされることにより形成される基板12aの一部とを含む。
次に、図1(c)に示されるように、マスクMを用いて、III−V族化合物半導体層18及び積層体11をエッチングすることにより、III−V族化合物半導体層18から形成されるIII−V族化合物半導体領域18aを含む半導体メサ部20を形成する。本実施形態では、基板12に到達するまでエッチングする。したがって、半導体メサ部20は、InP層16がエッチングされることにより形成されるInP領域16aと、活性層14がエッチングされることにより形成される活性領域14aと、基板12がエッチングされることにより形成される基板12aの一部とを含む。
半導体メサ部20は、ドライエッチングにより形成されることが好ましい。エッチングガスとしては、例えばCH4とH2との混合ガスを用いることができる。半導体メサ部20は、ウェットエッチングにより形成されるとしてもよい。
(酸化工程)
次に、図2(a)に示されるように、半導体メサ部20の側面を酸化する。これにより、III−V族化合物半導体領域18aの側面が酸化され、酸化された半導体メサ部20aが得られる。その結果、中央に配置され酸化されていないIII−V族化合物半導体領域18bと、III−V族化合物半導体領域18bの側面を取り囲むアルミニウム酸化物層18cとが形成される。アルミニウム酸化物層18cの厚さは、1〜100nmであることが好ましく、1〜20nmであることがより好ましい。アルミニウム酸化物層18cの厚さが1nm未満であると、後述するInP埋め込み部22(III−V族化合物半導体埋め込み部)がマスクM上に形成され易くなる傾向にある。InP埋め込み部22はInP半導体からなる。一方、アルミニウム酸化物層18cの厚さが100nmを超えると、応力の影響が大きくなる傾向にある。
次に、図2(a)に示されるように、半導体メサ部20の側面を酸化する。これにより、III−V族化合物半導体領域18aの側面が酸化され、酸化された半導体メサ部20aが得られる。その結果、中央に配置され酸化されていないIII−V族化合物半導体領域18bと、III−V族化合物半導体領域18bの側面を取り囲むアルミニウム酸化物層18cとが形成される。アルミニウム酸化物層18cの厚さは、1〜100nmであることが好ましく、1〜20nmであることがより好ましい。アルミニウム酸化物層18cの厚さが1nm未満であると、後述するInP埋め込み部22(III−V族化合物半導体埋め込み部)がマスクM上に形成され易くなる傾向にある。InP埋め込み部22はInP半導体からなる。一方、アルミニウム酸化物層18cの厚さが100nmを超えると、応力の影響が大きくなる傾向にある。
酸化工程では、半導体メサ部20の側面を空気に晒すことが好ましい。例えば、半導体メサ部20を30分間大気中に放置することが好ましい。また、半導体メサ部20の側面を水蒸気雰囲気中で加熱してもよい。例えば、半導体メサ部20を500℃に加熱することが好ましい。
(埋め込み工程)
次に、図2(b)に示されるように、酸化された半導体メサ部20aを埋め込むためのInP埋め込み部22を形成する。InP埋め込み部22は、例えば、有機金属気相成長装置を用いて基板12a上に形成される。InP埋め込み部22には、鉄元素(Fe)が添加されていることが好ましい。成長温度は、570〜600℃であることが好ましい。
次に、図2(b)に示されるように、酸化された半導体メサ部20aを埋め込むためのInP埋め込み部22を形成する。InP埋め込み部22は、例えば、有機金属気相成長装置を用いて基板12a上に形成される。InP埋め込み部22には、鉄元素(Fe)が添加されていることが好ましい。成長温度は、570〜600℃であることが好ましい。
また、InP埋め込み部22は、n型InP領域及びp型InP領域から構成されるpn接合を含む電流狭窄構造を有してもよい。
(マスク除去工程)
次に、図2(c)に示されるように、マスクM及びアルミニウム酸化物層18cを除去することが好ましい。マスクM及びアルミニウム酸化物層18cは、例えば、HF溶液によってエッチングされる。
次に、図2(c)に示されるように、マスクM及びアルミニウム酸化物層18cを除去することが好ましい。マスクM及びアルミニウム酸化物層18cは、例えば、HF溶液によってエッチングされる。
(III−V族化合物半導体領域除去工程)
次に、図3(a)に示されるように、III−V族化合物半導体領域18bを除去する。III−V族化合物半導体領域18bは、例えば、リン酸及び過酸化水素を主成分とするエッチング液によってエッチングされる。
次に、図3(a)に示されるように、III−V族化合物半導体領域18bを除去する。III−V族化合物半導体領域18bは、例えば、リン酸及び過酸化水素を主成分とするエッチング液によってエッチングされる。
(InP層及びコンタクト層形成工程)
次に、図3(b)に示されるように、InP領域16a及びInP埋め込み部22上に、InP層24を形成することが好ましい。InP層24は、例えばp型である。InP層24はクラッド層として機能する。続いて、InP層24上にコンタクト層26を形成することが好ましい。コンタクト層26は、例えば、p型のGaInAsからなる。
次に、図3(b)に示されるように、InP領域16a及びInP埋め込み部22上に、InP層24を形成することが好ましい。InP層24は、例えばp型である。InP層24はクラッド層として機能する。続いて、InP層24上にコンタクト層26を形成することが好ましい。コンタクト層26は、例えば、p型のGaInAsからなる。
(電極形成工程)
次に、図3(c)に示されるように、コンタクト層26上に電極30を形成し、基板12aの裏面上に電極28を形成することが好ましい。
次に、図3(c)に示されるように、コンタクト層26上に電極30を形成し、基板12aの裏面上に電極28を形成することが好ましい。
以上の工程を経ることによって、半導体レーザ10(半導体光素子)が製造される。本実施形態に係る半導体光素子の製造方法によれば、半導体メサ部20の側面を酸化することによって、III−V族化合物半導体領域18aの側面にアルミニウム酸化物層18cが形成される。ここで、InP埋め込み部22は、アルミニウム酸化物層18c上に形成され難い。このため、埋め込み工程において、マスクM上にInP埋め込み部22が形成されることを抑制できる。
本実施形態では、InP層16とInP層24とが別々に形成されるので、InP層16の厚さを例えば0.2μmと薄くすることができる。よって、半導体メサ部20の高さを低くできるので、InP埋め込み部22による埋め込みが容易になる。
また、本実施形態では、積層体11が活性層14上に設けられたInP層16を含む。このため、InP埋め込み部22によって半導体メサ部20aを容易に埋め込むことができる。
また、マスクMがシリコン窒化物からなることが好ましい。これにより、埋め込み工程において、例えばマスクMがシリコン酸化物からなる場合に比べて、InP埋め込み部22がマスクM上に形成され難くなる。この理由は、多結晶の核生成が、シリコン酸化物上よりもシリコン窒化物上において生じ難いからと推察される。
また、酸化工程では、半導体メサ部20の側面を空気に晒すことが好ましい。この場合、酸化工程において、半導体メサ部20(特に活性領域14a)の側面が受けるダメージを低減することができる。
また、半導体メサ部20の側面を水蒸気雰囲気中で加熱してもよい。この場合、埋め込み部工程において、InP埋め込み部22がマスクM上に形成されることをより確実に抑制できる。
また、InP埋め込み部22には、鉄元素が添加されていることが好ましい。これにより、得られる半導体レーザ10の素子特性を向上させることができる。
(第2実施形態)
図4〜図6は、第2実施形態に係る半導体光素子の製造方法における工程をそれぞれ模式的に示す工程断面図である。
図4〜図6は、第2実施形態に係る半導体光素子の製造方法における工程をそれぞれ模式的に示す工程断面図である。
(III−V族化合物半導体層形成工程)
まず、図4(a)に示されるように、積層体13上に、Alを含むIII−V族化合物半導体層18を形成する。積層体13は、基板12と基板12上に設けられた活性層14とを含む。本実施形態では、積層体13は、活性層14上に設けられたInP層16と、InP層16上に設けられGaInAs又はGaInAsPから構成される半導体層32とを含む。積層体13は、III−V族化合物半導体から構成される。本実施形態では、III−V族化合物半導体層18は、半導体層32上に形成される。
まず、図4(a)に示されるように、積層体13上に、Alを含むIII−V族化合物半導体層18を形成する。積層体13は、基板12と基板12上に設けられた活性層14とを含む。本実施形態では、積層体13は、活性層14上に設けられたInP層16と、InP層16上に設けられGaInAs又はGaInAsPから構成される半導体層32とを含む。積層体13は、III−V族化合物半導体から構成される。本実施形態では、III−V族化合物半導体層18は、半導体層32上に形成される。
活性層14の厚さは、例えば0.3μmである。InP層16の厚さは、例えば2μmである。半導体層32は、例えば、コンタクト層として機能する。半導体層32の厚さは、例えば0.2μmである。半導体層32は、例えば、有機金属気相成長装置を用いて形成される。III−V族化合物半導体層18の厚さは、例えば0.3μmである。
(マスク形成工程)
次に、図4(b)に示されるように、第1実施形態と同様に、III−V族化合物半導体層18上にマスクMを形成する。
次に、図4(b)に示されるように、第1実施形態と同様に、III−V族化合物半導体層18上にマスクMを形成する。
(半導体メサ部形成工程)
次に、図4(c)に示されるように、マスクMを用いて、III−V族化合物半導体層18及び積層体13をエッチングすることにより、III−V族化合物半導体層18から形成されるIII−V族化合物半導体領域18aを含む半導体メサ部34を形成する。本実施形態では、基板12に到達するまでエッチングする。したがって、半導体メサ部34は、半導体層32がエッチングされることによって形成される半導体領域32aと、InP領域16aと、活性領域14aと、基板12aの一部とを含む。半導体メサ部34は、半導体メサ部20と同様の方法により形成され得る。
次に、図4(c)に示されるように、マスクMを用いて、III−V族化合物半導体層18及び積層体13をエッチングすることにより、III−V族化合物半導体層18から形成されるIII−V族化合物半導体領域18aを含む半導体メサ部34を形成する。本実施形態では、基板12に到達するまでエッチングする。したがって、半導体メサ部34は、半導体層32がエッチングされることによって形成される半導体領域32aと、InP領域16aと、活性領域14aと、基板12aの一部とを含む。半導体メサ部34は、半導体メサ部20と同様の方法により形成され得る。
(酸化工程)
次に、図5(a)に示されるように、第1実施形態と同様に、半導体メサ部34の側面を酸化する。これにより、III−V族化合物半導体領域18aの側面が酸化され、酸化された半導体メサ部34aが得られる。その結果、中央に配置され酸化されていないIII−V族化合物半導体領域18bと、III−V族化合物半導体領域18bの側面を取り囲むアルミニウム酸化物層18cとが形成される。
次に、図5(a)に示されるように、第1実施形態と同様に、半導体メサ部34の側面を酸化する。これにより、III−V族化合物半導体領域18aの側面が酸化され、酸化された半導体メサ部34aが得られる。その結果、中央に配置され酸化されていないIII−V族化合物半導体領域18bと、III−V族化合物半導体領域18bの側面を取り囲むアルミニウム酸化物層18cとが形成される。
(埋め込み工程)
次に、図5(b)に示されるように、第1実施形態と同様に、酸化された半導体メサ部34aを埋め込むためのInP埋め込み部22を形成する。
次に、図5(b)に示されるように、第1実施形態と同様に、酸化された半導体メサ部34aを埋め込むためのInP埋め込み部22を形成する。
(マスク除去工程)
次に、図5(c)に示されるように、第1実施形態と同様に、マスクM及びアルミニウム酸化物層18cを除去することが好ましい。
次に、図5(c)に示されるように、第1実施形態と同様に、マスクM及びアルミニウム酸化物層18cを除去することが好ましい。
(III−V族化合物半導体領域除去工程)
次に、図6(a)に示されるように、第1実施形態と同様に、III−V族化合物半導体領域18bを除去する。
次に、図6(a)に示されるように、第1実施形態と同様に、III−V族化合物半導体領域18bを除去する。
(電極形成工程)
次に、図6(b)に示されるように、第1実施形態と同様に、半導体領域32a上に電極30を形成し、基板12aの裏面上に電極28を形成することが好ましい。
次に、図6(b)に示されるように、第1実施形態と同様に、半導体領域32a上に電極30を形成し、基板12aの裏面上に電極28を形成することが好ましい。
以上の工程を経ることによって、半導体レーザ10a(半導体光素子)が製造される。本実施形態に係る半導体光素子の製造方法によれば、第1実施形態と同様に、埋め込み工程において、マスクM上にInP埋め込み部22が形成されることを抑制できる。
本実施形態では、積層体13が、活性層14上に設けられたInP層16と、InP層16上に設けられた半導体層32とを含む。このため、実用性の高い半導体レーザ10aを製造することができる。
(第3実施形態)
図7〜図9は、第3実施形態に係る半導体光素子の製造方法における工程をそれぞれ模式的に示す工程断面図である。
図7〜図9は、第3実施形態に係る半導体光素子の製造方法における工程をそれぞれ模式的に示す工程断面図である。
(III−V族化合物半導体層形成工程)
まず、図7(a)に示されるように、積層体15上に、Alを含むIII−V族化合物半導体層18を形成する。積層体15は、基板12と基板12上に設けられた活性層14とを含む。本実施形態では、積層体15は、活性層14上に設けられたInP層16(第1のInP層)と、InP層16上に設けられた半導体層32と、半導体層32上に設けられたInP層36(第2のInP層)とを含む。積層体15は、III−V族化合物半導体から構成される。本実施形態では、III−V族化合物半導体層18は、InP層36上に形成される。
まず、図7(a)に示されるように、積層体15上に、Alを含むIII−V族化合物半導体層18を形成する。積層体15は、基板12と基板12上に設けられた活性層14とを含む。本実施形態では、積層体15は、活性層14上に設けられたInP層16(第1のInP層)と、InP層16上に設けられた半導体層32と、半導体層32上に設けられたInP層36(第2のInP層)とを含む。積層体15は、III−V族化合物半導体から構成される。本実施形態では、III−V族化合物半導体層18は、InP層36上に形成される。
活性層14の厚さは、例えば0.3μmである。InP層16の厚さは、例えば2μmである。半導体層32の厚さは、例えば0.2μmである。InP層36の厚さは、例えば0.2μmである。InP層36は、例えば、有機金属気相成長装置を用いて形成される。III−V族化合物半導体層18の厚さは、例えば0.3μmである。
(マスク形成工程)
次に、図7(b)に示されるように、第1実施形態と同様に、III−V族化合物半導体層18上にマスクMを形成する。
次に、図7(b)に示されるように、第1実施形態と同様に、III−V族化合物半導体層18上にマスクMを形成する。
(半導体メサ部形成工程)
次に、図7(c)に示されるように、マスクMを用いて、III−V族化合物半導体層18及び積層体15をエッチングすることにより、III−V族化合物半導体層18から形成されるIII−V族化合物半導体領域18aを含む半導体メサ部38を形成する。本実施形態では、基板12に到達するまでエッチングする。したがって、半導体メサ部38は、InP層36がエッチングされることにより形成されるInP領域36aと、半導体領域32aと、InP領域16aと、活性領域14aと、基板12aの一部とを含む。半導体メサ部38は、半導体メサ部20と同様の方法により形成され得る。
次に、図7(c)に示されるように、マスクMを用いて、III−V族化合物半導体層18及び積層体15をエッチングすることにより、III−V族化合物半導体層18から形成されるIII−V族化合物半導体領域18aを含む半導体メサ部38を形成する。本実施形態では、基板12に到達するまでエッチングする。したがって、半導体メサ部38は、InP層36がエッチングされることにより形成されるInP領域36aと、半導体領域32aと、InP領域16aと、活性領域14aと、基板12aの一部とを含む。半導体メサ部38は、半導体メサ部20と同様の方法により形成され得る。
(酸化工程)
次に、図8(a)に示されるように、第1実施形態と同様に、半導体メサ部38の側面を酸化する。これにより、III−V族化合物半導体領域18aの側面が酸化され、酸化された半導体メサ部38aが得られる。その結果、中央に配置され酸化されていないIII−V族化合物半導体領域18bと、III−V族化合物半導体領域18bの側面を取り囲むアルミニウム酸化物層18cとが形成される。
次に、図8(a)に示されるように、第1実施形態と同様に、半導体メサ部38の側面を酸化する。これにより、III−V族化合物半導体領域18aの側面が酸化され、酸化された半導体メサ部38aが得られる。その結果、中央に配置され酸化されていないIII−V族化合物半導体領域18bと、III−V族化合物半導体領域18bの側面を取り囲むアルミニウム酸化物層18cとが形成される。
(埋め込み工程)
次に、図8(b)に示されるように、第1実施形態と同様に、酸化された半導体メサ部38aを埋め込むためのInP埋め込み部22を形成する。
次に、図8(b)に示されるように、第1実施形態と同様に、酸化された半導体メサ部38aを埋め込むためのInP埋め込み部22を形成する。
(マスク除去工程)
次に、図8(c)に示されるように、第1実施形態と同様に、マスクM及びアルミニウム酸化物層18cを除去することが好ましい。
次に、図8(c)に示されるように、第1実施形態と同様に、マスクM及びアルミニウム酸化物層18cを除去することが好ましい。
(III−V族化合物半導体領域除去工程)
次に、図9(a)に示されるように、第1実施形態と同様に、III−V族化合物半導体領域18bを除去する。ここで、InP領域36aは、例えばエッチングストップ層として機能する。
次に、図9(a)に示されるように、第1実施形態と同様に、III−V族化合物半導体領域18bを除去する。ここで、InP領域36aは、例えばエッチングストップ層として機能する。
(InP領域除去工程)
次に、図9(b)に示されるように、InP領域36aを除去する。InP領域36aは、例えば、HCl及びH2Oを含むエッチング液を用いてエッチングされることにより除去される。これにより、半導体領域32aの表面を容易に露出させることができる。
次に、図9(b)に示されるように、InP領域36aを除去する。InP領域36aは、例えば、HCl及びH2Oを含むエッチング液を用いてエッチングされることにより除去される。これにより、半導体領域32aの表面を容易に露出させることができる。
(電極形成工程)
次に、図9(c)に示されるように、第1実施形態と同様に、半導体領域32a上に電極30を形成し、基板12aの裏面上に電極28を形成することが好ましい。
次に、図9(c)に示されるように、第1実施形態と同様に、半導体領域32a上に電極30を形成し、基板12aの裏面上に電極28を形成することが好ましい。
以上の工程を経ることによって、半導体レーザ10b(半導体光素子)が製造される。本実施形態に係る半導体光素子の製造方法によれば、第1実施形態と同様に、埋め込み工程において、マスクM上にInP埋め込み部22が形成されることを抑制できる。
本実施形態では、積層体15が、活性層14上に設けられたInP層16と、InP層16上に設けられた半導体層32と、半導体層32上に設けられたInP層36とを含む。このため、半導体レーザ10bの製造が容易になる。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、III−V族化合物半導体埋め込み部は、InP半導体以外のIII−V族化合物半導体からなってもよい。
10,10a,10b…半導体レーザ(半導体光素子)、11,13,15…積層体、12…基板、14…活性層、16…InP層(第1のInP層)、18…III−V族化合物半導体層、18a…III−V族化合物半導体領域、20,34,38…半導体メサ部、20a,34a,38a…酸化された半導体メサ部、22…InP埋め込み部(III−V族化合物半導体埋め込み部)、32…半導体層、36…InP層(第2のInP層)、M…マスク。
Claims (8)
- 基板と前記基板上に設けられた活性層とを含みIII−V族化合物半導体から構成される積層体の前記活性層上に、Alを含むIII−V族化合物半導体層を形成する工程と、
前記III−V族化合物半導体層上に形成されたマスクを用いて、前記III−V族化合物半導体層及び前記積層体をエッチングすることにより、前記III−V族化合物半導体層から形成されるIII−V族化合物半導体領域を含む半導体メサ部を形成する工程と、
前記半導体メサ部の側面を酸化する工程と、
酸化された半導体メサ部を埋め込むためのIII−V族化合物半導体埋め込み部を形成する工程と、
を含む、半導体光素子の製造方法。 - 前記積層体は、前記活性層上に設けられたInP層を含む、請求項1に記載の半導体光素子の製造方法。
- 前記積層体は、前記活性層上に設けられたInP層と、前記InP層上に設けられGaInAs又はGaInAsPから構成される半導体層と、を含む、請求項1に記載の半導体光素子の製造方法。
- 前記積層体は、前記活性層上に設けられた第1のInP層と、前記第1のInP層上に設けられGaInAs又はGaInAsPから構成される半導体層と、前記半導体層上に設けられた第2のInP層と、を含む、請求項1に記載の半導体光素子の製造方法。
- 前記半導体メサ部の側面を酸化する工程では、前記半導体メサ部の側面を水蒸気雰囲気中で加熱する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体光素子の製造方法。
- 前記マスクは、シリコン窒化物からなる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体光素子の製造方法。
- 前記III−V族化合物半導体埋め込み部は、InP半導体からなる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体光素子の製造方法。
- 前記III−V族化合物半導体埋め込み部には、鉄元素が添加されている、請求項7に記載の半導体光素子の製造方法。
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JP2005243136A JP2007059621A (ja) | 2005-08-24 | 2005-08-24 | 半導体光素子の製造方法 |
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- 2005-08-24 JP JP2005243136A patent/JP2007059621A/ja active Pending
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