JP2007049007A - 半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 リッジ部Aのメサ側面8aに沿って、p型InP埋め込み層9、n型InP電流ブロック層10、p型InP電流ブロック層11を積層した電流ブロック構造Bが設けられている。n型InP電流ブロック層10の上端部が、p型InP埋め込み層9およびp型InP電流ブロック層11により覆われた構造とする。
上記構造とすることにより、n型InP電流ブロック層10がn型InPクラッド層7、n型InPクラッド層12と接触することを防ぐことができる。これにより、n型InPクラッド層12からn型InP電流ブロック層10を経由して、p型InPクラッド層2に至る無効電流経路の発生を防ぐことができる。従って、MQW活性層4への電流注入効率低下を抑制することができる。
【選択図】 図1
Description
まず、n型InP基板の上に、下層から順に、n型InPクラッド層、下側光閉込層、MQW活性層、上側光閉込層、p型InPクラッド層を順次積層する。これらの層は、有機金属気相成長(MOVPE)法などにより形成される。また、下側光閉込層、MQW活性層、上側光閉込層は、AlGaInAs系材料により成膜される。
次に、p型InPクラッド層の上にマスクパターンを形成し、これをマスクとして、p型InPクラッド層、上側光閉込層、MQW活性層、下側光閉込層、n型InPクラッド層をエッチングする。その結果、マスクパターンの両側に、順テーパ形状のメサ側面が形成される。次に、メサ側面に沿って埋め込み層を形成する。次に、マスクパターンを除去して、全面にp型InPクラッド層を形成する。
このように形成することにより、メサ側面に露出するAlGaInAsの酸化を防止することができる。
メサ側面8a、メサ底面8bに沿って、下層から順にp型InP埋め込み層9、n型InP電流ブロック層10、p型InP電流ブロック層11を積層した埋め込み層が形成されている。
メサ側面8aには(111)B面が露出し、p型InP基板1の主面と所定角度をなしている。このため、n型InP電流ブロック層10の端部が埋め込み層の表面に露出し、n型InPクラッド層12と接触する。この結果、n型InPクラッド層12からn型InP電流ブロック層10を経由して、p型InPクラッド層2に至る無効電流経路23が発生する。そうすると、通電時のMQW活性層4への電流注入効率が低下する。
本発明のその他の特徴については、以下において詳細に説明する。
本実施の形態に係る半導体レーザ素子の構造を図1に示す。この半導体レーザ素子は、p型InP基板1の上に形成されている。その上に、p型InPクラッド層2が設けられている。その上に、下層から順に、下側光閉込層3、多重量子井戸(Multiple Quantum Well;以下、「MQW」という)活性層4、上側光閉込層5が積層されている(以下、これらを積層したものを「積層構造6」という)。MQW活性層4に電子および正孔を注入することにより、レーザ光を発生させることができる。積層構造6の上には、n型InPクラッド層7が設けられている。
p型InPクラッド層2、積層構造6、n型InPクラッド層7により、リッジ部Aが形成されている。リッジ部Aの側面には、(111)B面が露出している。リッジ部Aは、側面がp型InP基板1の主面と所定の角度(約54.7°)をなす順テーパーのメサ形状である。また、リッジ部Aの側面の下端部から両外側に、p型InPクラッド層2が水平に延在している。(以下、リッジ部Aの側面を「メサ側面8a」、メサ側面8aの下端部から両側に水平に延在する面を「メサ底面8b」という)。
リッジ部Aの上面と、電流ブロック構造Bの上面とを覆うように、n型InPクラッド層12が設けられている。その上に、n型InGaAsコンタクト層13が設けられている。その上に、n型電極14が設けられている。
リッジ部Aの外側の位置で、p型InPクラッド層2からn型InGaAsコンタクト層13までの積層膜を分離するように、分離溝15が形成されている。分離溝15の内面、n型InGaAsコンタクト層13上面の端部、n型電極14の端部を覆うように、絶縁膜16が設けられている。また、p型InP基板1の裏面には、p型裏面電極17が設けられている。
上述した半導体レーザ素子の通電時には、p型InPクラッド層2側からMQW活性層4に正孔が注入され、n型InPクラッド層7側からMQW活性層4に電子が注入される。これらの正孔と電子を結合させることにより、MQW活性層4にレーザ光を発生させることができる。
これにより、n型InPクラッド層12からn型InP電流ブロック層10を経由して、p型InPクラッド層2に至る無効電流経路が発生しない。従って、MQW活性層4を経由しない無効電流経路の発生を防止し、MQW活性層4への電流注入効率の低下を抑制することができる。
この半導体レーザ素子は、p型InP基板(ウェハ)の主面上に形成される。まず、図2に示すように、p型InP基板1の上に、p型InPクラッド層2を成膜する。次に、p型InPクラッド層2の上に、下側光閉込層3、MQW活性層4、上側光閉込層5を順次積層した積層構造6を形成する。この積層構造は、AlGaInAs系材料からなっている。MQW活性層4は、レーザ光を発生させるためのものである。次に、積層構造6の上に、n型InPクラッド層7、n型InGaAsキャップ層18、n型InPキャップ層19を形成する。
p型InPクラッド層2を形成する工程から、n型InPキャップ層19を形成するまでの工程は、有機金属気相成長(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy;以下、「MOVPE」という)法などにより形成される。
次に、図3に示すように、n型InGaAsキャップ層18の上に、シリコン酸化膜20を成膜する。次に、図示しないが、写真製版によりシリコン酸化膜20の上にレジストパターンを形成する。次に、これをマスクとして、シリコン酸化膜20を選択的にエッチングする。その結果、図4に示すように、n型InGaAsキャップ層18の上に、マスクパターン20aが形成される。
このように形成することにより、メサ側面8aに露出した積層構造6の側面が酸化されることを防止することができる。すなわち、メサ側面8aに露出したAlGaInAsの酸化を防止することができる。
次に、図9に示すように、n型InPクラッド層7、p型InP電流ブロック層11を覆うように、全面にn型InPクラッド層12を形成する。さらに、その上に、n型InGaAsコンタクト層13、n型InPキャップ層22を順次積層する。これらの層は、MOVPE装置を用いて形成する。次に、図示しないが、n型InPキャップ層22を除去する。
次に、写真製版およびエッチング等を行い、図10に示すように、リッジ部Aの外側の位置で、p型InPクラッド層2からn型InGaAsコンタクト層13までの積層膜を分離するように、分離溝15を形成する。次に、n型InGaAsコンタクト層13の上に、n型電極14を形成する。次に、分離溝15の内面と、n型InGaAsコンタクト層13の上端部と、n型電極14の端部を覆うように、絶縁膜16を形成する。さらに、p型InP基板1の裏面を研磨して、p型InP基板1の裏面に、p型裏面電極17を形成する。
また、MQW活性層4を経由しない無効電流経路の発生を防止した半導体レーザ素子を形成することができる。
従って、本願発明において、メサ側面8aとメサ底面8bとのなす角度は上記所定角度(約54.7°)に限定されるものではない。すなわち、電流ブロック構造Bを形成する前に、メサ側面8aがメサ底面8bに対して順テーパー形状、あるいは垂直形状であれば、同様の効果を有する。
Claims (3)
- 第1導電型の基板と、
前記基板の上に形成され、側面が前記基板の主面と所定角度をなす順テーパー形状を有し、下層から順に第1導電型の半導体層、レーザ光を発生する活性層、第2導電型の第2半導体層を順次積層したリッジ部と、
前記リッジ部の両側を埋め込むように、下層から順に第1導電型の第3半導体層、第2導電型の第4半導体層、第1導電型の第5半導体層を順次積層し、前記第4半導体層の端部が前記第3半導体層および前記第5半導体層に覆われた電流ブロック構造と、
前記リッジ部の上面と、前記電流ブロック構造の上面とを覆う第2導電型の第6半導体層と、
を含むことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 第1導電型の基板上に、下層から順に第1導電型の第1半導体層と、レーザ光を発生する活性層と、第2導電型の第2半導体層とを積層した積層膜を加工して、側面が前記基板の主面と所定角度をなす順テーパー形状を有し、前記側面に前記活性層が露出したリッジ部を形成する第1工程と、
前記活性層の露出した部分を覆うように、前記リッジ部の両側に第1導電型の第3半導体層を形成する第2工程と、
前記第3半導体層を覆うように、前記リッジ部の両側に第2導電型の第4半導体層を形成する工程と、
前記第4半導体層の上端部を除去して前記第3半導体層の端部を露出させる工程と、
前記第3半導体層の端部および前記第4半導体層を覆うように、前記リッジ部の両側に第1導電型の第5半導体層を形成する工程と、
前記第2半導体層および前記第5半導体層を覆うように、第2導電型の第6半導体層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第1工程および前記第2工程は、同一装置内で連続して行われることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
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