JPH07263355A - 半導体装置の製造方法，半導体結晶表面のクリーニング方法，及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法，半導体結晶表面のクリーニング方法，及び半導体装置Info
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- JPH07263355A JPH07263355A JP6055531A JP5553194A JPH07263355A JP H07263355 A JPH07263355 A JP H07263355A JP 6055531 A JP6055531 A JP 6055531A JP 5553194 A JP5553194 A JP 5553194A JP H07263355 A JPH07263355 A JP H07263355A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 再成長界面の不純物を低減できる半導体装置
の製造方法，及び半導体結晶表面の不純物をより簡便か
つ確実に除去できる半導体結晶表面のクリーニング方法
を提供するとともに、上記半導体装置の製造方法、及び
上記クリーニング方法を用いて形成された半導体装置を
提供するを提供することを目的とする。 【構成】 ＡｌＧａＡｓ層２上にＧａＡｓキャップ３層
をあらかじめ形成したものを、チャンバ内に載置して４
５０℃以下の温度に保持し、ＨＣｌガス，水素ガス，Ａ
ｓＨ3 ガスからなる混合ガスを供給して表面の酸化膜を
除去したあと、外気と触れない状態を保持した状態で、
ＧａＡｓキャップ層３およびＡｌＧａＡｓ層２をＡｌＧ
ａＡｓ層２が露出するようドライエッチングし、さら
に、外気と触れない状態を保持した状態で、ＡｌＧａＡ
ｓ層２上にＧａＡｓ層４を再結晶成長した。
の製造方法，及び半導体結晶表面の不純物をより簡便か
つ確実に除去できる半導体結晶表面のクリーニング方法
を提供するとともに、上記半導体装置の製造方法、及び
上記クリーニング方法を用いて形成された半導体装置を
提供するを提供することを目的とする。 【構成】 ＡｌＧａＡｓ層２上にＧａＡｓキャップ３層
をあらかじめ形成したものを、チャンバ内に載置して４
５０℃以下の温度に保持し、ＨＣｌガス，水素ガス，Ａ
ｓＨ3 ガスからなる混合ガスを供給して表面の酸化膜を
除去したあと、外気と触れない状態を保持した状態で、
ＧａＡｓキャップ層３およびＡｌＧａＡｓ層２をＡｌＧ
ａＡｓ層２が露出するようドライエッチングし、さら
に、外気と触れない状態を保持した状態で、ＡｌＧａＡ
ｓ層２上にＧａＡｓ層４を再結晶成長した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方
法、半導体結晶表面のクリーニング方法、及び半導体装
置に関し、特にドライエッチング工程とエピタキシャル
成長工程とを含む複合プロセス、及び半導体結晶表面の
酸化膜のクリーニング方法、並びに上記複合プロセス及
び上記クリーニング方法を用いて形成された半導体装置
に関するものである。
法、半導体結晶表面のクリーニング方法、及び半導体装
置に関し、特にドライエッチング工程とエピタキシャル
成長工程とを含む複合プロセス、及び半導体結晶表面の
酸化膜のクリーニング方法、並びに上記複合プロセス及
び上記クリーニング方法を用いて形成された半導体装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザやヘテロジャンクシ
ョンバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）に代表される化
合物半導体デバイスが、高度情報化社会を支えるキーデ
バイスして著しい発展をとげている。これら化合物半導
体デバイスの開発トレンドは、微細化、複雑化、複合化
の方向に進んでおり、ドライエッチングによる微細構造
の作製と、エピタキシャル成長を組み合わせた複合プロ
セスは、近い将来化合物半導体デバイス製造現場におい
て必須のキーテクノロジーとなることが予測されてい
る。また、高集積化の一途をたどるＳｉ−ＬＳＩの分野
においても複合プロセスを用いたスーパークリーンテク
ノロジや、あらたなブレイクスルーを目指した新デバイ
ス構造の研究が精力的に行われている。
ョンバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）に代表される化
合物半導体デバイスが、高度情報化社会を支えるキーデ
バイスして著しい発展をとげている。これら化合物半導
体デバイスの開発トレンドは、微細化、複雑化、複合化
の方向に進んでおり、ドライエッチングによる微細構造
の作製と、エピタキシャル成長を組み合わせた複合プロ
セスは、近い将来化合物半導体デバイス製造現場におい
て必須のキーテクノロジーとなることが予測されてい
る。また、高集積化の一途をたどるＳｉ−ＬＳＩの分野
においても複合プロセスを用いたスーパークリーンテク
ノロジや、あらたなブレイクスルーを目指した新デバイ
ス構造の研究が精力的に行われている。
【０００３】これらドライエッチングとエピタキシャル
成長を組み合わせた複合プロセス、即ち、結晶の一部を
選択的にエッチングし、そこに改めて周りの結晶とは電
気的，光学的に異なるエピタキシャル層の成長を行うプ
ロセスにおいては、再成長界面の清浄度をいかに制御
し、クリーンな状態に保つことができるかという問題が
最も重要な課題として残されている。特にＡｌを構成元
素として含む化合物半導体、たとえばＡｌＧａＡｓにお
いては、空気に暴露させることにより表面は容易に酸化
され、一度酸化されたＡｌＧａＡｓ表面のクリーニング
を行うことは極めて困難である。従って、これら酸化し
たＡｌＧａＡｓ結晶上へのエピタキシャル再成長におい
ては高品質な結晶を得ることが困難であり、再成長半導
体層の電気的、光学的特性は著しく劣化する結果となっ
ている。
成長を組み合わせた複合プロセス、即ち、結晶の一部を
選択的にエッチングし、そこに改めて周りの結晶とは電
気的，光学的に異なるエピタキシャル層の成長を行うプ
ロセスにおいては、再成長界面の清浄度をいかに制御
し、クリーンな状態に保つことができるかという問題が
最も重要な課題として残されている。特にＡｌを構成元
素として含む化合物半導体、たとえばＡｌＧａＡｓにお
いては、空気に暴露させることにより表面は容易に酸化
され、一度酸化されたＡｌＧａＡｓ表面のクリーニング
を行うことは極めて困難である。従って、これら酸化し
たＡｌＧａＡｓ結晶上へのエピタキシャル再成長におい
ては高品質な結晶を得ることが困難であり、再成長半導
体層の電気的、光学的特性は著しく劣化する結果となっ
ている。
【０００４】上述の状況に鑑み、本発明の発明者らはこ
れまでにドライエッチングとエピタキシャル成長を組み
合わせた複合プロセスに関して様々な検討を加え、再成
長界面の清浄度に関する理解を進めるとともに、改善手
段を提供してきた。たとえば本発明の発明者らは、ジャ
ーナル オブ クリスタルグロース第１３４巻（1993
年）pp35-42 （Journal of Crystal Growth 134 （199
3）35-42 ）にＡｌＧａＡｓ上にＧａＡｓキャップ層を
設けて７５０℃でＨＣｌガスエッチングを行ったのち、
エピタキシャル再成長を行う方法を開示している。即
ち、この方法はＡｌＧａＡｓ表面の酸化を極力抑制する
目的で、ＡｌＧａＡｓ上にＧａＡｓキャップ層を設けて
おき、ＧａＡｓキャップ層から７５０℃の温度でＨＣｌ
ガスエッチングを開始し、ＡｌＧａＡｓ層に達するまで
エッチングした後に、同一チャンバ内で再成長を行うこ
とにより、再成長界面への酸化物の蓄積を防ぐものであ
る。酸化したＡｌＧａＡｓ表面に対して７５０℃の温度
でＨＣｌガスエッチングを行った場合、エッチング後の
表面に酸化物が残留し、エッチング後、同一チャンバ内
でＭＯＣＶＤによる再成長を行ったにもかかわらず、再
成長ＧａＡｓ層の結晶品質は劣悪なものとなるが、上記
の方法によれば、酸化したＡｌＧａＡｓ層に対してエッ
チングを開始した場合と比較して、１／５以下に改善で
き、再成長ＧａＡｓ層の結晶品質も大きく改善できる。
また、このエッチングの際に使用されるＡｓＨ3 流量の
最適化も再成長界面改善に重要であることも指摘してい
る。
れまでにドライエッチングとエピタキシャル成長を組み
合わせた複合プロセスに関して様々な検討を加え、再成
長界面の清浄度に関する理解を進めるとともに、改善手
段を提供してきた。たとえば本発明の発明者らは、ジャ
ーナル オブ クリスタルグロース第１３４巻（1993
年）pp35-42 （Journal of Crystal Growth 134 （199
3）35-42 ）にＡｌＧａＡｓ上にＧａＡｓキャップ層を
設けて７５０℃でＨＣｌガスエッチングを行ったのち、
エピタキシャル再成長を行う方法を開示している。即
ち、この方法はＡｌＧａＡｓ表面の酸化を極力抑制する
目的で、ＡｌＧａＡｓ上にＧａＡｓキャップ層を設けて
おき、ＧａＡｓキャップ層から７５０℃の温度でＨＣｌ
ガスエッチングを開始し、ＡｌＧａＡｓ層に達するまで
エッチングした後に、同一チャンバ内で再成長を行うこ
とにより、再成長界面への酸化物の蓄積を防ぐものであ
る。酸化したＡｌＧａＡｓ表面に対して７５０℃の温度
でＨＣｌガスエッチングを行った場合、エッチング後の
表面に酸化物が残留し、エッチング後、同一チャンバ内
でＭＯＣＶＤによる再成長を行ったにもかかわらず、再
成長ＧａＡｓ層の結晶品質は劣悪なものとなるが、上記
の方法によれば、酸化したＡｌＧａＡｓ層に対してエッ
チングを開始した場合と比較して、１／５以下に改善で
き、再成長ＧａＡｓ層の結晶品質も大きく改善できる。
また、このエッチングの際に使用されるＡｓＨ3 流量の
最適化も再成長界面改善に重要であることも指摘してい
る。
【０００５】しかし、これらの方法では、再成長界面の
残留不純物を完全に排除することはできなかった。これ
は、ＧａＡｓキャップ層上の酸化物が７５０℃という高
温でのＨＣｌガスエッチングでは完全に除去できず、結
果としてエッチング後の表面に酸化物が残留してしまう
からである。
残留不純物を完全に排除することはできなかった。これ
は、ＧａＡｓキャップ層上の酸化物が７５０℃という高
温でのＨＣｌガスエッチングでは完全に除去できず、結
果としてエッチング後の表面に酸化物が残留してしまう
からである。
【０００６】従って、上述したジャーナルオブクリスタ
ルグロース第１３４巻（１９９３年）ｐｐ３５−４２に
おいて、以上の検討結果より明らかにしているように、
ＨＣｌガスエッチングしたＡｌＧａＡｓ上へ同一チャン
バー内において良好なエピタキシャル成長を行う際に
は、あらかじめＡｌＧａＡｓ上にＧａＡｓキャップ層を
設けておくことが不可欠であるが、ＧａＡｓキャップ層
の採用だけでは不十分であり、エッチングに先だってＧ
ａＡｓキャップ層の表面クリーニングを行うことが不可
欠である。即ち、ただ単にドライエッチングとエピタキ
シャル成長とを組み合わせたプロセスを、同一チャンバ
内で連続して行うか、もしくは互いのチャンバを接続し
て空気に露出されることなく搬送できるシステムを用い
て行うだけでは、再成長界面の清浄度を一定レベル以上
に保つことはきわめて困難であり、適切な表面クリーニ
ング方法の併用が不可欠であるということである。
ルグロース第１３４巻（１９９３年）ｐｐ３５−４２に
おいて、以上の検討結果より明らかにしているように、
ＨＣｌガスエッチングしたＡｌＧａＡｓ上へ同一チャン
バー内において良好なエピタキシャル成長を行う際に
は、あらかじめＡｌＧａＡｓ上にＧａＡｓキャップ層を
設けておくことが不可欠であるが、ＧａＡｓキャップ層
の採用だけでは不十分であり、エッチングに先だってＧ
ａＡｓキャップ層の表面クリーニングを行うことが不可
欠である。即ち、ただ単にドライエッチングとエピタキ
シャル成長とを組み合わせたプロセスを、同一チャンバ
内で連続して行うか、もしくは互いのチャンバを接続し
て空気に露出されることなく搬送できるシステムを用い
て行うだけでは、再成長界面の清浄度を一定レベル以上
に保つことはきわめて困難であり、適切な表面クリーニ
ング方法の併用が不可欠であるということである。
【０００７】図１１は、本発明の発明者らによる特願平
５−４４８６９に記載された、上記のような問題点を解
決するための従来の半導体装置の製造方法を示す図であ
り、図において、１はＧａＡｓ基板，２はＡｌＧａＡｓ
基板，３はＧａＡｓキャップ層，４は再成長ＧａＡｓ
層，５は再成長界面，６はＧａＡｓキャップ層３上に形
成された酸化膜、８はＳｉＮ膜パターン、９は硫黄膜で
ある。
５−４４８６９に記載された、上記のような問題点を解
決するための従来の半導体装置の製造方法を示す図であ
り、図において、１はＧａＡｓ基板，２はＡｌＧａＡｓ
基板，３はＧａＡｓキャップ層，４は再成長ＧａＡｓ
層，５は再成長界面，６はＧａＡｓキャップ層３上に形
成された酸化膜、８はＳｉＮ膜パターン、９は硫黄膜で
ある。
【０００８】次に従来の半導体装置の製造方法について
説明する。まず、ＧａＡｓ基板１上に厚さ２μｍのＡｌ
ＧａＡｓ層２と、厚さ０．１μｍのＧａＡｓキャップ層
３をＭＯＣＶＤ法により成長する。つぎに、上記サンプ
ルを一度チャンバより取り出し、空気中で数日間保管す
る。この保管の間にサンプルのＧａＡｓ層１１表面には
僅かながら酸化膜１２が形成される。この状態を図１１
(a) に示す。次に図１１(b) に示すように、サンプル表
面上に所望形状のＳｉＮ膜パターン２１を形成する。次
に上記サンプルを硫化アンモニウム溶液に浸漬して処理
する。ここでは、硫化アンモニウム溶液として（ＮＨ4
）2 Ｓ溶液を用い、６０℃で３時間浸漬した。この工
程によりＧａＡｓ層３の表面の酸化膜６のうち、ＳｉＮ
膜パターン８で覆われていない部分はエッチング除去さ
れ、図１１(c) に示すように、硫黄膜１３が形成され
る。次にＭＯＣＶＤのチャンバにウエハをセットし、水
素雰囲気中において４５０℃の温度で３０分間熱処理し
た。次にアルシン（ＡｓＨ3 ）とＨＣｌとＨ2 の混合ガ
スを用いて、図１１(d) に示すように、ＳｉＮ膜パター
ン２１をエッチングマスクとして深さ１μｍのエッチン
グを行い、引き続いて同一チャンバ内でＧａＡｓ層１を
成長して、図１１(e) に示すような半導体装置を得る。
説明する。まず、ＧａＡｓ基板１上に厚さ２μｍのＡｌ
ＧａＡｓ層２と、厚さ０．１μｍのＧａＡｓキャップ層
３をＭＯＣＶＤ法により成長する。つぎに、上記サンプ
ルを一度チャンバより取り出し、空気中で数日間保管す
る。この保管の間にサンプルのＧａＡｓ層１１表面には
僅かながら酸化膜１２が形成される。この状態を図１１
(a) に示す。次に図１１(b) に示すように、サンプル表
面上に所望形状のＳｉＮ膜パターン２１を形成する。次
に上記サンプルを硫化アンモニウム溶液に浸漬して処理
する。ここでは、硫化アンモニウム溶液として（ＮＨ4
）2 Ｓ溶液を用い、６０℃で３時間浸漬した。この工
程によりＧａＡｓ層３の表面の酸化膜６のうち、ＳｉＮ
膜パターン８で覆われていない部分はエッチング除去さ
れ、図１１(c) に示すように、硫黄膜１３が形成され
る。次にＭＯＣＶＤのチャンバにウエハをセットし、水
素雰囲気中において４５０℃の温度で３０分間熱処理し
た。次にアルシン（ＡｓＨ3 ）とＨＣｌとＨ2 の混合ガ
スを用いて、図１１(d) に示すように、ＳｉＮ膜パター
ン２１をエッチングマスクとして深さ１μｍのエッチン
グを行い、引き続いて同一チャンバ内でＧａＡｓ層１を
成長して、図１１(e) に示すような半導体装置を得る。
【０００９】このような従来の方法においては、ＧａＡ
ｓキャップ層３の表面を硫化アンモニウム処理すること
により、表面酸化膜６を除去するとともに、硫黄膜９を
形成することにより、新たな表面酸化を抑制するように
した後、ＨＣｌエッチングにより該硫黄膜９，ＧａＡｓ
キャップ層３，及びＡｌＧａＡｓ層２の一部を除去し、
ＧａＡｓ層４を再結晶成長させるので、再成長界面に酸
素の偏析はみられず、再成長界面５の清浄度を向上させ
るとともに、再成長ＧａＡｓ層４の結晶品質を向上させ
ることができる。
ｓキャップ層３の表面を硫化アンモニウム処理すること
により、表面酸化膜６を除去するとともに、硫黄膜９を
形成することにより、新たな表面酸化を抑制するように
した後、ＨＣｌエッチングにより該硫黄膜９，ＧａＡｓ
キャップ層３，及びＡｌＧａＡｓ層２の一部を除去し、
ＧａＡｓ層４を再結晶成長させるので、再成長界面に酸
素の偏析はみられず、再成長界面５の清浄度を向上させ
るとともに、再成長ＧａＡｓ層４の結晶品質を向上させ
ることができる。
【００１０】また、Japanese Journal of Applied Phys
ics Vol.28,No.1,January,1989,pp.L7-L9 に、Kondo ら
による水素ガスを用いたＥＣＲ(Electron Cyclotron Re
sonance)プラズマにより、３００℃でＧａＡｓ表面のク
リーニングを行う従来の方法が記載されている。このク
リーニング方法は、ＧａＡｓ表面をクリーニングする方
法としては非常に有効なものである。
ics Vol.28,No.1,January,1989,pp.L7-L9 に、Kondo ら
による水素ガスを用いたＥＣＲ(Electron Cyclotron Re
sonance)プラズマにより、３００℃でＧａＡｓ表面のク
リーニングを行う従来の方法が記載されている。このク
リーニング方法は、ＧａＡｓ表面をクリーニングする方
法としては非常に有効なものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
ドライエッチングと再結晶成長の複合プロセスとして
は、硫化アンモニウム処理，もしくはＥＣＲプラズマ処
理により半導体層の表面の酸化膜等の不純物をクリーニ
ングする工程を組み合わせる方法が考えられていた。し
かし、硫化アンモニウム処理は再現性を確保するために
熟練が必要であり、量産プロセスに適用しにくいこと、
また硫化アンモニウム溶液の純度も安定していないた
め、良好な効果を安定して得ることが困難であるなどの
問題があった。
ドライエッチングと再結晶成長の複合プロセスとして
は、硫化アンモニウム処理，もしくはＥＣＲプラズマ処
理により半導体層の表面の酸化膜等の不純物をクリーニ
ングする工程を組み合わせる方法が考えられていた。し
かし、硫化アンモニウム処理は再現性を確保するために
熟練が必要であり、量産プロセスに適用しにくいこと、
また硫化アンモニウム溶液の純度も安定していないた
め、良好な効果を安定して得ることが困難であるなどの
問題があった。
【００１２】また、ＥＣＲプラズマ処理を利用するため
には、ＥＣＲプラズマチャンバとエピタキシャル成長装
置とを組み合わせた特殊な装置を構築する必要があり、
一般の量産装置にこの技術を適用するのは容易でない等
の問題があった。
には、ＥＣＲプラズマチャンバとエピタキシャル成長装
置とを組み合わせた特殊な装置を構築する必要があり、
一般の量産装置にこの技術を適用するのは容易でない等
の問題があった。
【００１３】この発明は以上の問題点を解決するために
なされたものであり、再成長界面の不純物を容易に低減
できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とし
ている。
なされたものであり、再成長界面の不純物を容易に低減
できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とし
ている。
【００１４】また、この発明は半導体結晶表面の酸化膜
等の不純物をより簡便かつ確実に除去できる半導体結晶
表面のクリーニング方法を提供することを目的としてい
る。さらに、再成長界面の不純物を低減させた半導体装
置を提供することを目的としている。
等の不純物をより簡便かつ確実に除去できる半導体結晶
表面のクリーニング方法を提供することを目的としてい
る。さらに、再成長界面の不純物を低減させた半導体装
置を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、下地半導体層上に、Ａｌを構成元素と
して含む化合物半導体よりなる半導体層，及びＡｌを構
成元素として含まない化合物半導体からなる保護層を連
続して結晶成長により形成し、上記Ａｌを含まない保護
層及びＡｌを含む半導体層を４５０℃以下の温度に保持
し、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気
下に配置することにより、上記保護層の結晶表面に自然
形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを
構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除
去した後、上記雰囲気を上記保護層が外気に触れないよ
うに上記保護層，及び上記Ａｌを含まない半導体層、あ
るいは上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記
下地半導体層をドライエッチングする雰囲気に変え、上
記保護層，及びＡｌを含む半導体層、あるいは上記保護
層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導体層
を、上記保護層の上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向に上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記下地半
導体層に達するようにドライエッチングし、さらに、上
記ドライエッチング用雰囲気を、上記ドライエッチング
により露出した半導体層の結晶表面が外気に触れないよ
う結晶成長用雰囲気に変え、上記ドライエッチングによ
り露出した半導体層の結晶表面に、他の半導体層を結晶
成長させるようにしたものである。
置の製造方法は、下地半導体層上に、Ａｌを構成元素と
して含む化合物半導体よりなる半導体層，及びＡｌを構
成元素として含まない化合物半導体からなる保護層を連
続して結晶成長により形成し、上記Ａｌを含まない保護
層及びＡｌを含む半導体層を４５０℃以下の温度に保持
し、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気
下に配置することにより、上記保護層の結晶表面に自然
形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを
構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除
去した後、上記雰囲気を上記保護層が外気に触れないよ
うに上記保護層，及び上記Ａｌを含まない半導体層、あ
るいは上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記
下地半導体層をドライエッチングする雰囲気に変え、上
記保護層，及びＡｌを含む半導体層、あるいは上記保護
層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導体層
を、上記保護層の上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向に上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記下地半
導体層に達するようにドライエッチングし、さらに、上
記ドライエッチング用雰囲気を、上記ドライエッチング
により露出した半導体層の結晶表面が外気に触れないよ
う結晶成長用雰囲気に変え、上記ドライエッチングによ
り露出した半導体層の結晶表面に、他の半導体層を結晶
成長させるようにしたものである。
【００１６】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記Ａｌを含む半導体層をＡｌＧａＡｓとし、上記
保護層をＧａＡｓとし、上記ハロゲン系ガスを含むガス
として、ＨＣｌガス，水素ガス，及びＡｓＨ3 ガスから
なる混合ガスを用いるようにしたものである。
て、上記Ａｌを含む半導体層をＡｌＧａＡｓとし、上記
保護層をＧａＡｓとし、上記ハロゲン系ガスを含むガス
として、ＨＣｌガス，水素ガス，及びＡｓＨ3 ガスから
なる混合ガスを用いるようにしたものである。
【００１７】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記保護層はIII −Ｖ族化合物半導体からなり、上
記ハロゲン系ガスを含むガスは、上記保護層を構成する
Ｖ族元素を構成元素として含むガスを含むものである。
また、上記半導体装置の製造方法において、上記ハロゲ
ン系ガスとしてＨＣｌガスを用いたものである。
て、上記保護層はIII −Ｖ族化合物半導体からなり、上
記ハロゲン系ガスを含むガスは、上記保護層を構成する
Ｖ族元素を構成元素として含むガスを含むものである。
また、上記半導体装置の製造方法において、上記ハロゲ
ン系ガスとしてＨＣｌガスを用いたものである。
【００１８】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記保護層及び上記Ａｌを含む半導体層、あるいは
上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半
導体層のドライエッチングはガスエッチングであり、こ
のガスエッチングに使用するガスを、上記ハロゲン系ガ
スを含むガスと同一成分のガスとしたものである。ま
た、上記半導体装置の製造方法において、上記Ａｌを含
む半導体層は、Ａｌを構成元素として含む層を含む複数
の層により構成されているものである。
て、上記保護層及び上記Ａｌを含む半導体層、あるいは
上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半
導体層のドライエッチングはガスエッチングであり、こ
のガスエッチングに使用するガスを、上記ハロゲン系ガ
スを含むガスと同一成分のガスとしたものである。ま
た、上記半導体装置の製造方法において、上記Ａｌを含
む半導体層は、Ａｌを構成元素として含む層を含む複数
の層により構成されているものである。
【００１９】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法は、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、
これをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に
配置することにより、上記第１の半導体層の結晶表面に
自然形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系
ガスを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応に
より除去した後、上記雰囲気を、上記第１の半導体が外
気に触れないよう結晶成長用雰囲気に変えて、上記第１
の半導体層の上記酸化膜が除去された結晶表面に、第２
の半導体を結晶成長させるようにしたものである。
法は、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、
これをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に
配置することにより、上記第１の半導体層の結晶表面に
自然形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系
ガスを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応に
より除去した後、上記雰囲気を、上記第１の半導体が外
気に触れないよう結晶成長用雰囲気に変えて、上記第１
の半導体層の上記酸化膜が除去された結晶表面に、第２
の半導体を結晶成長させるようにしたものである。
【００２０】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法は、第１の半導体を４５０℃以下の温度に保持し、こ
れをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置して、上記第１の半導体の結晶表面に自然形成された
酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成する
元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去し、そ
の後、上記雰囲気を、上記第１の半導体が外気に触れな
いようドライエッチング用雰囲気に変え、上記第１の半
導体を上記酸化膜が除去された面からその深さ方向にド
ライエッチングし、さらに、上記ドライエッチング用雰
囲気を、上記第１の半導体が外気に触れないよう結晶成
長用雰囲気に変え、上記ドライエッチングにより露出し
た上記第１の半導体結晶表面に、上記第２の半導体を結
晶成長させるようにしたものである。
法は、第１の半導体を４５０℃以下の温度に保持し、こ
れをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置して、上記第１の半導体の結晶表面に自然形成された
酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成する
元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去し、そ
の後、上記雰囲気を、上記第１の半導体が外気に触れな
いようドライエッチング用雰囲気に変え、上記第１の半
導体を上記酸化膜が除去された面からその深さ方向にド
ライエッチングし、さらに、上記ドライエッチング用雰
囲気を、上記第１の半導体が外気に触れないよう結晶成
長用雰囲気に変え、上記ドライエッチングにより露出し
た上記第１の半導体結晶表面に、上記第２の半導体を結
晶成長させるようにしたものである。
【００２１】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記第１の半導体層はIII −Ｖ族化合物半導体から
なり、上記ハロゲン系ガスを含むガスは、上記第１の半
導体層を構成するＶ族元素を構成元素として含むガスを
含むものである。また、上記半導体装置の製造方法にお
いて、上記ハロゲン系ガスとしてＨＣｌガスを用いるも
のである。
て、上記第１の半導体層はIII −Ｖ族化合物半導体から
なり、上記ハロゲン系ガスを含むガスは、上記第１の半
導体層を構成するＶ族元素を構成元素として含むガスを
含むものである。また、上記半導体装置の製造方法にお
いて、上記ハロゲン系ガスとしてＨＣｌガスを用いるも
のである。
【００２２】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記第１の半導体層のドライエッチングはガスエッ
チングであり、このガスエッチングに使用するガスを、
上記ハロゲン系ガスを含むガスと同一成分のガスとした
ものである。
て、上記第１の半導体層のドライエッチングはガスエッ
チングであり、このガスエッチングに使用するガスを、
上記ハロゲン系ガスを含むガスと同一成分のガスとした
ものである。
【００２３】また、この発明に係る半導体装置は、下地
半導体層上に結晶成長により連続的に形成したＡｌを含
む化合物半導体からなる半導体層，及びＡｌを構成元素
として含まない化合物半導体からなる保護層を、４５０
℃以下の温度に保持し、上記保護層及び上記Ａｌを含む
半導体層をハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気
下に配置することにより、上記保護層の結晶表面に自然
形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを
構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除
去した後、上記雰囲気を、上記保護層が外気に触れない
よう上記保護層，及び上記Ａｌを含む半導体層、あるい
は上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地
半導体層をドライエッチングする雰囲気に変えて、上記
保護層，及び上記Ａｌを含む半導体層、あるいは上記保
護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導体層
を、上記保護層の上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向に上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記下地半
導体層に達するようにドライエッチングし、さらに上記
ドライエッチング用雰囲気を、上記ドライエッチングに
より露出した半導体層の結晶表面が外気に触れないよう
結晶成長用雰囲気に変えて、上記ドライエッチングによ
り露出した半導体層の結晶表面に、他の半導体層を結晶
成長してなるものである。
半導体層上に結晶成長により連続的に形成したＡｌを含
む化合物半導体からなる半導体層，及びＡｌを構成元素
として含まない化合物半導体からなる保護層を、４５０
℃以下の温度に保持し、上記保護層及び上記Ａｌを含む
半導体層をハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気
下に配置することにより、上記保護層の結晶表面に自然
形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを
構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除
去した後、上記雰囲気を、上記保護層が外気に触れない
よう上記保護層，及び上記Ａｌを含む半導体層、あるい
は上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地
半導体層をドライエッチングする雰囲気に変えて、上記
保護層，及び上記Ａｌを含む半導体層、あるいは上記保
護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導体層
を、上記保護層の上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向に上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記下地半
導体層に達するようにドライエッチングし、さらに上記
ドライエッチング用雰囲気を、上記ドライエッチングに
より露出した半導体層の結晶表面が外気に触れないよう
結晶成長用雰囲気に変えて、上記ドライエッチングによ
り露出した半導体層の結晶表面に、他の半導体層を結晶
成長してなるものである。
【００２４】また、上記Ａｌを含む半導体層は、Ａｌを
構成元素として含む複数の層により構成されているもの
である。
構成元素として含む複数の層により構成されているもの
である。
【００２５】また、この発明に係る半導体装置は、第１
の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、これをハロ
ゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配置するこ
とにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自然形成さ
れた酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成す
る元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去した
後、上記雰囲気を、上記第１の半導体層が外気に触れな
いよう結晶成長用雰囲気に変えて、上記第１の半導体層
の上記酸化膜が除去された結晶表面に、第２の半導体層
を結晶成長してなるものである。
の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、これをハロ
ゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配置するこ
とにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自然形成さ
れた酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成す
る元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去した
後、上記雰囲気を、上記第１の半導体層が外気に触れな
いよう結晶成長用雰囲気に変えて、上記第１の半導体層
の上記酸化膜が除去された結晶表面に、第２の半導体層
を結晶成長してなるものである。
【００２６】また、この発明に係る半導体装置は、第１
の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、これをハロ
ゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配置するこ
とにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自然形成さ
れた酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成す
る元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去した
後、上記雰囲気を、上記第１の半導体層が外気に触れな
いよう上記第１の半導体層をドライエッチングする雰囲
気に変えて、上記第１の半導体層を上記酸化膜が除去さ
れた面からその深さ方向にドライエッチングし、さらに
上記ドライエッチング用雰囲気を、上記第１の半導体層
が外気に触れないよう結晶成長用雰囲気に変えて、上記
ドライエッチングにより露出した上記第１の半導体層の
結晶表面に、第２の半導体層を結晶成長してなるもので
ある。
の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、これをハロ
ゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配置するこ
とにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自然形成さ
れた酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成す
る元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去した
後、上記雰囲気を、上記第１の半導体層が外気に触れな
いよう上記第１の半導体層をドライエッチングする雰囲
気に変えて、上記第１の半導体層を上記酸化膜が除去さ
れた面からその深さ方向にドライエッチングし、さらに
上記ドライエッチング用雰囲気を、上記第１の半導体層
が外気に触れないよう結晶成長用雰囲気に変えて、上記
ドライエッチングにより露出した上記第１の半導体層の
結晶表面に、第２の半導体層を結晶成長してなるもので
ある。
【００２７】また、この発明に係る半導体結晶表面のク
リーニング方法は、半導体層を４５０℃以下の温度に保
持し、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲
気下に配置して、上記半導体の結晶表面に自然形成され
た酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成す
る元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去する
ものである。
リーニング方法は、半導体層を４５０℃以下の温度に保
持し、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲
気下に配置して、上記半導体の結晶表面に自然形成され
た酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成す
る元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去する
ものである。
【００２８】また、上記半導体結晶表面のクリーニング
方法において、上記半導体層はIII−Ｖ族化合物半導体
からなり、上記ハロゲン系ガスを含むガスは、上記半導
体層を構成するＶ族元素を構成元素として含むガスを含
むものである。また、上記半導体結晶表面のクリーニン
グ方法において、上記ハロゲン系ガスとしてＨＣｌガス
を用いるものである。
方法において、上記半導体層はIII−Ｖ族化合物半導体
からなり、上記ハロゲン系ガスを含むガスは、上記半導
体層を構成するＶ族元素を構成元素として含むガスを含
むものである。また、上記半導体結晶表面のクリーニン
グ方法において、上記ハロゲン系ガスとしてＨＣｌガス
を用いるものである。
【００２９】また、この発明に係る半導体装置は、半導
体層を４５０℃以下の温度に保持し、該半導体層をハロ
ゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配置するこ
とにより、上記半導体層の結晶表面に自然形成された酸
化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成する元素
との吸着及び脱離の連続的な反応により除去してなるも
のである。
体層を４５０℃以下の温度に保持し、該半導体層をハロ
ゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配置するこ
とにより、上記半導体層の結晶表面に自然形成された酸
化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成する元素
との吸着及び脱離の連続的な反応により除去してなるも
のである。
【００３０】
【作用】この発明に係る半導体装置の製造方法において
は、下地半導体層上にＡｌを構成元素として含む化合物
半導体よりなる半導体層，及びＡｌを構成元素として含
まない化合物半導体からなる保護層を連続して形成し、
上記保護層及び上記Ａｌを含む半導体層を４５０℃以下
の温度に保持し、これをハロゲン系ガスを含むガスを供
給した雰囲気下に配置し、上記保護層の結晶表面に自然
形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを
構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除
去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記保
護層及びＡｌを含む半導体層，あるいは上記保護層，上
記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導体層を上記保
護層表面から、上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記
下地半導体層に達するようドライエッチングし、さら
に、外気に触れない状態を保持したまま、上記ドライエ
ッチングにより露出した半導体層の結晶表面に、他の半
導体層を結晶成長させるようにしたから、ドライエッチ
ングにより露出した半導体層の結晶表面を清浄な状態と
した後に、半導体を結晶成長させることができ、再成長
界面の清浄性に優れたものとし、かつ再成長層の結晶性
を向上させることができる。
は、下地半導体層上にＡｌを構成元素として含む化合物
半導体よりなる半導体層，及びＡｌを構成元素として含
まない化合物半導体からなる保護層を連続して形成し、
上記保護層及び上記Ａｌを含む半導体層を４５０℃以下
の温度に保持し、これをハロゲン系ガスを含むガスを供
給した雰囲気下に配置し、上記保護層の結晶表面に自然
形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを
構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除
去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記保
護層及びＡｌを含む半導体層，あるいは上記保護層，上
記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導体層を上記保
護層表面から、上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記
下地半導体層に達するようドライエッチングし、さら
に、外気に触れない状態を保持したまま、上記ドライエ
ッチングにより露出した半導体層の結晶表面に、他の半
導体層を結晶成長させるようにしたから、ドライエッチ
ングにより露出した半導体層の結晶表面を清浄な状態と
した後に、半導体を結晶成長させることができ、再成長
界面の清浄性に優れたものとし、かつ再成長層の結晶性
を向上させることができる。
【００３１】また、上記Ａｌを含む半導体層をＡｌＧａ
Ａｓとし、上記保護層をＧａＡｓとし、上記ハロゲン系
ガスを含むガスとして、ＨＣｌガス，水素ガス，及びＡ
ｓＨ3 ガスからなる混合ガスを用いるようにしたから、
ドライエッチングにより露出した半導体層の結晶表面を
清浄な状態とした後に、他の半導体層を結晶成長させる
ことができ、再成長界面の清浄性に優れたものとし、か
つ再成長層である他の半導体層の結晶性を向上させるこ
とができる。
Ａｓとし、上記保護層をＧａＡｓとし、上記ハロゲン系
ガスを含むガスとして、ＨＣｌガス，水素ガス，及びＡ
ｓＨ3 ガスからなる混合ガスを用いるようにしたから、
ドライエッチングにより露出した半導体層の結晶表面を
清浄な状態とした後に、他の半導体層を結晶成長させる
ことができ、再成長界面の清浄性に優れたものとし、か
つ再成長層である他の半導体層の結晶性を向上させるこ
とができる。
【００３２】また、上記保護層をIII −Ｖ族化合物半導
体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとして、上記保
護層を構成するＶ族元素を構成元素に含むガスを含むも
のを用いるようにしたから、上記保護層表面から酸化膜
を除去する際の該保護層結晶表面からのＶ族元素の脱離
を調整することができ、より再成長界面の清浄性に優れ
たものとし、かつ再成長層である他の半導体の結晶性を
向上させることができる。
体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとして、上記保
護層を構成するＶ族元素を構成元素に含むガスを含むも
のを用いるようにしたから、上記保護層表面から酸化膜
を除去する際の該保護層結晶表面からのＶ族元素の脱離
を調整することができ、より再成長界面の清浄性に優れ
たものとし、かつ再成長層である他の半導体の結晶性を
向上させることができる。
【００３３】また、上記保護層と上記Ａｌを含む半導体
層，あるいは上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及
び上記下地半導体層のドライエッチングとしてガスエッ
チングを用い、このガスエッチングに使用するガスを、
上記ハロゲン系ガスを含むガスと同一成分のガスとした
から、上記保護層の結晶表面の酸化膜を除去する工程か
ら上記保護層と上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記
保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導体
層のドライエッチング工程へと移行する際に、ガスを切
り換える操作が不要となり、作業効率を向上させること
ができる。
層，あるいは上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及
び上記下地半導体層のドライエッチングとしてガスエッ
チングを用い、このガスエッチングに使用するガスを、
上記ハロゲン系ガスを含むガスと同一成分のガスとした
から、上記保護層の結晶表面の酸化膜を除去する工程か
ら上記保護層と上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記
保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導体
層のドライエッチング工程へと移行する際に、ガスを切
り換える操作が不要となり、作業効率を向上させること
ができる。
【００３４】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法においては、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に
保持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給し
た雰囲気下に配置して、第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガ
スを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応によ
り除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上
記第１の半導体層の結晶表面に、第２の半導体層を結晶
成長させるようにしたから、上記第１の半導体層の結晶
表面を清浄な状態とした後に、第２の半導体層を結晶成
長させることができ、再成長界面の清浄性に優れたもの
とし、かつ再成長層である第２の半導体層の結晶性を向
上させることができる。
法においては、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に
保持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給し
た雰囲気下に配置して、第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガ
スを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応によ
り除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上
記第１の半導体層の結晶表面に、第２の半導体層を結晶
成長させるようにしたから、上記第１の半導体層の結晶
表面を清浄な状態とした後に、第２の半導体層を結晶成
長させることができ、再成長界面の清浄性に優れたもの
とし、かつ再成長層である第２の半導体層の結晶性を向
上させることができる。
【００３５】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法においては、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に
保持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給し
た雰囲気下に配置して、第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガ
スを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応によ
り除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上
記第１の半導体層を上記酸化膜が除去された面からその
深さ方向にドライエッチングし、さらに外気と触れない
状態を保持したまま、このドライエッチングにより露出
した上記第１の半導体層の結晶表面に、第２の半導体層
を結晶成長させるようにしたから、ドライエッチング後
の第１の半導体層の結晶表面を清浄な状態とした後に、
第２の半導体層を結晶成長させることができ、再成長界
面の清浄性に優れたものとし、かつ再成長層である第２
の半導体層の結晶性を向上させることができる。
法においては、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に
保持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給し
た雰囲気下に配置して、第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガ
スを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応によ
り除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上
記第１の半導体層を上記酸化膜が除去された面からその
深さ方向にドライエッチングし、さらに外気と触れない
状態を保持したまま、このドライエッチングにより露出
した上記第１の半導体層の結晶表面に、第２の半導体層
を結晶成長させるようにしたから、ドライエッチング後
の第１の半導体層の結晶表面を清浄な状態とした後に、
第２の半導体層を結晶成長させることができ、再成長界
面の清浄性に優れたものとし、かつ再成長層である第２
の半導体層の結晶性を向上させることができる。
【００３６】また、上記第１の半導体層をIII −Ｖ族化
合物半導体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとし
て、上記第１の半導体層を構成するＶ族元素を構成元素
に含むガスを含むものを用いるようにしたから、上記第
１の半導体層の表面の酸化膜を除去する際の上記第１の
半導体層の結晶表面からのＶ族元素の脱離を調整するこ
とができ、より再成長界面の清浄性に優れたものとし、
かつ再成長層である第２の半導体層の結晶性を向上させ
ることができる。
合物半導体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとし
て、上記第１の半導体層を構成するＶ族元素を構成元素
に含むガスを含むものを用いるようにしたから、上記第
１の半導体層の表面の酸化膜を除去する際の上記第１の
半導体層の結晶表面からのＶ族元素の脱離を調整するこ
とができ、より再成長界面の清浄性に優れたものとし、
かつ再成長層である第２の半導体層の結晶性を向上させ
ることができる。
【００３７】また、上記第１の半導体層のドライエッチ
ングとしてガスエッチングを用い、このガスエッチング
に使用するガスを、上記ハロゲン系ガスを含むガスと同
一成分のガスとしたから、上記第１の半導体層の結晶表
面の酸化膜を除去する工程から上記第１の半導体層のド
ライエッチング工程へと移行する際に、ガスを切り換え
る操作が不要となり、作業効率を向上させることができ
る。
ングとしてガスエッチングを用い、このガスエッチング
に使用するガスを、上記ハロゲン系ガスを含むガスと同
一成分のガスとしたから、上記第１の半導体層の結晶表
面の酸化膜を除去する工程から上記第１の半導体層のド
ライエッチング工程へと移行する際に、ガスを切り換え
る操作が不要となり、作業効率を向上させることができ
る。
【００３８】また、この発明に係る半導体装置において
は、下地半導体層上に結晶成長により連続的に形成した
Ａｌを含む化合物半導体からなる半導体層，及びＡｌを
構成元素として含まない化合物半導体からなる保護層
を、４５０℃以下の温度に保持し、上記保護層及び上記
Ａｌを含む半導体層をハロゲン系ガスを含むガスを供給
した雰囲気下に配置することにより、上記保護層の結晶
表面に自然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲ
ン系ガスを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反
応により除去した後、外気と触れない状態を保持したま
ま、上記保護層，及び上記Ａｌを含む半導体層，あるい
は上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地
半導体層を、上記保護層の上記酸化膜が除去された面か
らその深さ方向に上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上
記下地半導体層に達するようにドライエッチングし、さ
らに外気と触れない状態を保持したまま、上記ドライエ
ッチングにより露出した半導体層の結晶表面に、他の半
導体層を結晶成長してなるものとしたから、再成長界面
の清浄性に優れ、かつ、再成長層の結晶性に優れた半導
体装置を提供できる。
は、下地半導体層上に結晶成長により連続的に形成した
Ａｌを含む化合物半導体からなる半導体層，及びＡｌを
構成元素として含まない化合物半導体からなる保護層
を、４５０℃以下の温度に保持し、上記保護層及び上記
Ａｌを含む半導体層をハロゲン系ガスを含むガスを供給
した雰囲気下に配置することにより、上記保護層の結晶
表面に自然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲ
ン系ガスを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反
応により除去した後、外気と触れない状態を保持したま
ま、上記保護層，及び上記Ａｌを含む半導体層，あるい
は上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地
半導体層を、上記保護層の上記酸化膜が除去された面か
らその深さ方向に上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上
記下地半導体層に達するようにドライエッチングし、さ
らに外気と触れない状態を保持したまま、上記ドライエ
ッチングにより露出した半導体層の結晶表面に、他の半
導体層を結晶成長してなるものとしたから、再成長界面
の清浄性に優れ、かつ、再成長層の結晶性に優れた半導
体装置を提供できる。
【００３９】また、この発明に係る半導体装置において
は、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、こ
れをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層の上記酸化膜が除去された結晶表面に、
第２の半導体層を結晶成長してなるものとしたから、再
成長界面の清浄性に優れ、かつ、再成長層の結晶性に優
れた半導体装置を提供できる。
は、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、こ
れをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層の上記酸化膜が除去された結晶表面に、
第２の半導体層を結晶成長してなるものとしたから、再
成長界面の清浄性に優れ、かつ、再成長層の結晶性に優
れた半導体装置を提供できる。
【００４０】また、この発明に係る半導体装置において
は、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、こ
れをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層を上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向にドライエッチングし、さらに外気に触れない状
態を保持したまま、上記ドライエッチングにより露出し
た上記第１の半導体の結晶表面に、第２の半導体層を結
晶成長してなるものとしたから、再成長界面の清浄性に
優れ、かつ、再成長層の結晶性に優れた半導体装置を提
供できる。
は、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、こ
れをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層を上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向にドライエッチングし、さらに外気に触れない状
態を保持したまま、上記ドライエッチングにより露出し
た上記第１の半導体の結晶表面に、第２の半導体層を結
晶成長してなるものとしたから、再成長界面の清浄性に
優れ、かつ、再成長層の結晶性に優れた半導体装置を提
供できる。
【００４１】また、この発明に係る半導体結晶表面のク
リーニング方法においては、半導体層を４５０℃以下の
温度に保持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを
供給した雰囲気下に配置し、上記半導体の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガ
スを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応によ
り除去するようにしたから、不純物の少ない清浄性に優
れた半導体結晶表面を提供することができる。
リーニング方法においては、半導体層を４５０℃以下の
温度に保持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを
供給した雰囲気下に配置し、上記半導体の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガ
スを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応によ
り除去するようにしたから、不純物の少ない清浄性に優
れた半導体結晶表面を提供することができる。
【００４２】また、上記半導体層をIII −Ｖ族化合物半
導体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとして、上記
第１の半導体層を構成するＶ族元素を構成元素に含むガ
スを含むものを用いるようにしたから、上記半導体層の
結晶表面の酸化膜を除去する際の上記第１の半導体層の
結晶表面からのＶ族元素の脱離を調整することができ、
より結晶性に優れた半導体結晶表面を提供することがで
きる。
導体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとして、上記
第１の半導体層を構成するＶ族元素を構成元素に含むガ
スを含むものを用いるようにしたから、上記半導体層の
結晶表面の酸化膜を除去する際の上記第１の半導体層の
結晶表面からのＶ族元素の脱離を調整することができ、
より結晶性に優れた半導体結晶表面を提供することがで
きる。
【００４３】また、この発明に係る半導体装置において
は、半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、該半導体
層をハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記半導体層の結晶表面に自然形成
された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成
する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去し
てなるものとしたから、再成長界面の清浄性に優れ、か
つ、再成長層の結晶性に優れた半導体装置を提供でき
る。
は、半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、該半導体
層をハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記半導体層の結晶表面に自然形成
された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成
する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去し
てなるものとしたから、再成長界面の清浄性に優れ、か
つ、再成長層の結晶性に優れた半導体装置を提供でき
る。
【００４４】
実施例１．以下、この発明の第１の実施例による半導体
装置の製造方法について説明する。本実施例１において
は、最表面層がキャップ層（保護層）である半導体層表
面に、低温によるＨＣｌ処理を行ったあと、ドライエッ
チング及び、エピタキシャル成長を連続的に行うように
したものである。
装置の製造方法について説明する。本実施例１において
は、最表面層がキャップ層（保護層）である半導体層表
面に、低温によるＨＣｌ処理を行ったあと、ドライエッ
チング及び、エピタキシャル成長を連続的に行うように
したものである。
【００４５】図２，図９，及び図１０はこの発明の第１
の実施例において再成長界面への不純物の蓄積を排除す
る効果を説明するために行った実験のサンプル構成を示
したものである。図２は、この発明の第１の実施例によ
る複合プロセスを用いて作製したサンプルＡを示した図
であり、図において、１はＧａＡｓ基板，２はＡｌＧａ
Ａｓ層，３はＧａＡｓキャップ層，４はＧａＡｓ再成長
層，５は再成長界面，６はＧａＡｓキャップ層３の表面
に形成された酸化膜である。図９は従来のドライエッチ
ングとエピタキシャル成長を組み合わせた複合プロセス
において作製したサンプルＢを示した図であり、図にお
いて、図２と同一符号は同一または相当する部分を示し
ており、７は酸化膜６により再成長界面５に形成される
酸化変成層である。また、図１０は従来の他のドライエ
ッチングとエピタキシャル成長とを組み合わせた複合プ
ロセスにおいて作成したサンプルＣを示した図であり、
図において、図２と同一符号は同一又は相当する部分を
示しており、６ａは ＡｌＧａＡｓ層２の表面に形成さ
れた酸化層である。なお、上図中において点線で囲われ
ている工程はＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vap
or deposition)装置内で連続して行われる工程であるこ
とを示している。
の実施例において再成長界面への不純物の蓄積を排除す
る効果を説明するために行った実験のサンプル構成を示
したものである。図２は、この発明の第１の実施例によ
る複合プロセスを用いて作製したサンプルＡを示した図
であり、図において、１はＧａＡｓ基板，２はＡｌＧａ
Ａｓ層，３はＧａＡｓキャップ層，４はＧａＡｓ再成長
層，５は再成長界面，６はＧａＡｓキャップ層３の表面
に形成された酸化膜である。図９は従来のドライエッチ
ングとエピタキシャル成長を組み合わせた複合プロセス
において作製したサンプルＢを示した図であり、図にお
いて、図２と同一符号は同一または相当する部分を示し
ており、７は酸化膜６により再成長界面５に形成される
酸化変成層である。また、図１０は従来の他のドライエ
ッチングとエピタキシャル成長とを組み合わせた複合プ
ロセスにおいて作成したサンプルＣを示した図であり、
図において、図２と同一符号は同一又は相当する部分を
示しており、６ａは ＡｌＧａＡｓ層２の表面に形成さ
れた酸化層である。なお、上図中において点線で囲われ
ている工程はＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vap
or deposition)装置内で連続して行われる工程であるこ
とを示している。
【００４６】また、図３はサンプルＡの作成工程におけ
るＭＯＣＶＤ装置内における成長シーケンスの一例を示
す図であり、図８はサンプルＢ，Ｃの作成工程における
ＭＯＣＶＤ装置内における成長シーケンスの一例を示す
図である。
るＭＯＣＶＤ装置内における成長シーケンスの一例を示
す図であり、図８はサンプルＢ，Ｃの作成工程における
ＭＯＣＶＤ装置内における成長シーケンスの一例を示す
図である。
【００４７】次に、各サンプルの作製方法を簡単に説明
する。まず、サンプルＡの作成方法を図２について説明
する。ＧａＡｓ基板１上に厚さ２μｍのＡｌx Ｇａ1-x
Ａｓ(x=0.48)層２、厚さ０．１μｍのＧａＡｓキャップ
層３をＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法を用いて連続
的に成長させる（図２(a))。つぎに、このサンプルを一
度、大気中に取り出し、水洗し、乾燥する。この段階で
サンプルのＧａＡｓキャップ層３表面に、厚さが数オン
グストローム〜十オングストロームの酸化膜６が形成さ
れる。この後、このサンプルを再度ＭＯＣＶＤ装置にセ
ットし、まず、サンプルを水素ガスとＡｓＨ3 ガス雰囲
気中で３５０℃の温度まで昇温する。３５０℃の温度で
保持しながら、水素ガス、アルシン（ＡｓＨ3 ）ガスと
ともにＨＣｌガスを導入して１００分間処理を行い、Ｇ
ａＡｓキャップ層３表面の酸化膜６等を除去する（図２
(b))。このキャップ層３表面の酸化膜６等の除去は、Ｈ
Ｃｌ等のハロゲンを構成元素とするガス（以下ハロゲン
系ガスとする）が上記酸化膜に対して、連続的に吸着と
脱離を繰り返すことにより行われる。この工程を低温Ｈ
Ｃｌ処理と呼ぶ。なお、この低温ＨＣｌ処理の温度は４
５０℃以下の温度であればよい。この低温ＨＣｌ処理を
施すことによりＧａＡｓキャップ層３表面の酸化膜６を
完全に除去する。この低温ＨＣｌ処理は、水素流量：
２．５ｓｌｍ（リットル毎分）、ＡｓＨ3 （２０％）流
量：１０ｓｃｃｍ（ｃｃ毎分）、ＨＣｌ（１０％）流
量：４０ｓｃｃｍの条件により行った。ここで、ＡｓＨ
3 は、低温ＨＣｌ処理を行う際の、ＧａＡｓキャップ層
の表面からのＡｓの脱離を調節するために加えられたも
ので、その他のガスとしてターシャリブチルアルシン
（Ｃ4Ｈ9 ＡｓＨ2 ）等のＡｓを構成元素としたガスを
加えるようにしても良い。本実施例においては、ＡｓＨ
3 ／ＨＣｌ比は０．５であり、上述した特開平５−４４
８６９に開示されているように、この値はＨＣｌガスエ
ッチングで表面状態を良好なものとする場合において、
最適化された流量比である。この低温ＨＣｌ処理により
酸化膜６が完全に除去された後は、ＨＣｌガスによりＧ
ａＡｓキャップ層がエッチングされ、本実施例の処理時
間では約１００オングストロームエッチングされる。
する。まず、サンプルＡの作成方法を図２について説明
する。ＧａＡｓ基板１上に厚さ２μｍのＡｌx Ｇａ1-x
Ａｓ(x=0.48)層２、厚さ０．１μｍのＧａＡｓキャップ
層３をＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法を用いて連続
的に成長させる（図２(a))。つぎに、このサンプルを一
度、大気中に取り出し、水洗し、乾燥する。この段階で
サンプルのＧａＡｓキャップ層３表面に、厚さが数オン
グストローム〜十オングストロームの酸化膜６が形成さ
れる。この後、このサンプルを再度ＭＯＣＶＤ装置にセ
ットし、まず、サンプルを水素ガスとＡｓＨ3 ガス雰囲
気中で３５０℃の温度まで昇温する。３５０℃の温度で
保持しながら、水素ガス、アルシン（ＡｓＨ3 ）ガスと
ともにＨＣｌガスを導入して１００分間処理を行い、Ｇ
ａＡｓキャップ層３表面の酸化膜６等を除去する（図２
(b))。このキャップ層３表面の酸化膜６等の除去は、Ｈ
Ｃｌ等のハロゲンを構成元素とするガス（以下ハロゲン
系ガスとする）が上記酸化膜に対して、連続的に吸着と
脱離を繰り返すことにより行われる。この工程を低温Ｈ
Ｃｌ処理と呼ぶ。なお、この低温ＨＣｌ処理の温度は４
５０℃以下の温度であればよい。この低温ＨＣｌ処理を
施すことによりＧａＡｓキャップ層３表面の酸化膜６を
完全に除去する。この低温ＨＣｌ処理は、水素流量：
２．５ｓｌｍ（リットル毎分）、ＡｓＨ3 （２０％）流
量：１０ｓｃｃｍ（ｃｃ毎分）、ＨＣｌ（１０％）流
量：４０ｓｃｃｍの条件により行った。ここで、ＡｓＨ
3 は、低温ＨＣｌ処理を行う際の、ＧａＡｓキャップ層
の表面からのＡｓの脱離を調節するために加えられたも
ので、その他のガスとしてターシャリブチルアルシン
（Ｃ4Ｈ9 ＡｓＨ2 ）等のＡｓを構成元素としたガスを
加えるようにしても良い。本実施例においては、ＡｓＨ
3 ／ＨＣｌ比は０．５であり、上述した特開平５−４４
８６９に開示されているように、この値はＨＣｌガスエ
ッチングで表面状態を良好なものとする場合において、
最適化された流量比である。この低温ＨＣｌ処理により
酸化膜６が完全に除去された後は、ＨＣｌガスによりＧ
ａＡｓキャップ層がエッチングされ、本実施例の処理時
間では約１００オングストロームエッチングされる。
【００４８】次に、低温ＨＣｌ処理を行ったサンプルを
７５０℃の温度まで昇温し、水素、ＡｓＨ3 、ＨＣｌの
各流量を低温ＨＣｌ処理と同様の条件として通常のＨＣ
ｌガスエッチングの手法を用いてサンプルにエッチング
を施す（図２(c))。このＨＣｌガスエッチングにより約
０．８μｍエッチングして、ＡｌＧａＡｓ層２の途中に
達する深さまでエッチングする。
７５０℃の温度まで昇温し、水素、ＡｓＨ3 、ＨＣｌの
各流量を低温ＨＣｌ処理と同様の条件として通常のＨＣ
ｌガスエッチングの手法を用いてサンプルにエッチング
を施す（図２(c))。このＨＣｌガスエッチングにより約
０．８μｍエッチングして、ＡｌＧａＡｓ層２の途中に
達する深さまでエッチングする。
【００４９】その後、エッチングが完了したサンプルの
上にＭＯＣＶＤの手法を用いてＧａＡｓ層４を再成長し
てサンプルＡを得る（図２(d))。なお、低温ＨＣｌ処理
からＧａＡｓ層の再成長までの工程は同一チャンバー内
において連続して行われ、その成長シーケンスは図３の
ようになる。
上にＭＯＣＶＤの手法を用いてＧａＡｓ層４を再成長し
てサンプルＡを得る（図２(d))。なお、低温ＨＣｌ処理
からＧａＡｓ層の再成長までの工程は同一チャンバー内
において連続して行われ、その成長シーケンスは図３の
ようになる。
【００５０】次に、サンプルＢの作製方法について説明
する。まず、２μｍの厚さのＧａＡｓ基板１上にＡｌx
Ｇａ1-x Ａｓ(x=0.48)層２、厚さ０．１μｍのＧａＡｓ
キャップ層をＭＯＣＶＤ法を用いて連続的に成長させる
（図９(a))。次に、このサンプルを一度、大気中に取り
出し、水洗、乾燥工程を施す。この段階でＧａＡｓキャ
ップ層３表面に酸化膜６が形成される。この後、上記サ
ンプルを再びＭＯＣＶＤ装置内にセットし、７５０℃の
温度まで昇温し、ＨＣｌガスエッチングの手法を用いて
エッチングを施す（図９(b))。このガスエッチングの水
素、ＡｓＨ3 、ＨＣｌの各流量は上記サンプルＡの場合
と同様とする。上記条件により約０．８μｍエッチング
した。このとき、エッチング後のＡｌＧａＡｓ層２の表
面には、酸化膜６の一部が残っている。
する。まず、２μｍの厚さのＧａＡｓ基板１上にＡｌx
Ｇａ1-x Ａｓ(x=0.48)層２、厚さ０．１μｍのＧａＡｓ
キャップ層をＭＯＣＶＤ法を用いて連続的に成長させる
（図９(a))。次に、このサンプルを一度、大気中に取り
出し、水洗、乾燥工程を施す。この段階でＧａＡｓキャ
ップ層３表面に酸化膜６が形成される。この後、上記サ
ンプルを再びＭＯＣＶＤ装置内にセットし、７５０℃の
温度まで昇温し、ＨＣｌガスエッチングの手法を用いて
エッチングを施す（図９(b))。このガスエッチングの水
素、ＡｓＨ3 、ＨＣｌの各流量は上記サンプルＡの場合
と同様とする。上記条件により約０．８μｍエッチング
した。このとき、エッチング後のＡｌＧａＡｓ層２の表
面には、酸化膜６の一部が残っている。
【００５１】さらに、エッチングが完了したサンプルの
上にＭＯＣＶＤの手法を用いてＧａＡｓ層４を再成長す
る（図９(c))。この再成長の際に、再成長界面５には上
記酸化膜６から酸化変性層７が形成される。なお、ＨＣ
ｌガスエッチングとＧａＡｓ層４を再成長させる各工程
は、同一チャンバ内において連続して行われ、その成長
シークエンスは図８に示すようになる。
上にＭＯＣＶＤの手法を用いてＧａＡｓ層４を再成長す
る（図９(c))。この再成長の際に、再成長界面５には上
記酸化膜６から酸化変性層７が形成される。なお、ＨＣ
ｌガスエッチングとＧａＡｓ層４を再成長させる各工程
は、同一チャンバ内において連続して行われ、その成長
シークエンスは図８に示すようになる。
【００５２】次に、サンプルＣの製造方法について説明
する。まず、ＧａＡｓ基板１上に厚さ２μｍのＡｌx Ｇ
ａ1-x Ａｓ(x=0.48)層２をＭＯＣＶＤ法を用いて成長す
る（図１０(a))。次に、このサンプルを一度、大気中に
取り出し、水洗、乾燥工程を施す。この段階でＡｌＧａ
Ａｓ層表面に酸化膜６ａが形成される。その後、上記サ
ンプルを再びＭＯＣＶＤ装置内にセットし、７５０℃の
温度まで昇温し、ＨＣｌガスエッチングの手法を用いて
エッチングを施す（図１０(b))。水素、ＡｓＨ3 、ＨＣ
ｌの各流量は各流量はサンプルＡの場合と同様である。
上記条件により約０．８μｍエッチングした。このと
き、酸化膜６ａはほとんどエッチングされず、ＡｌＧａ
Ａｓ層２のみがエッチングされ、エッチング後のＡｌＧ
ａＡｓ層６表面には酸化膜６ａが残っている。
する。まず、ＧａＡｓ基板１上に厚さ２μｍのＡｌx Ｇ
ａ1-x Ａｓ(x=0.48)層２をＭＯＣＶＤ法を用いて成長す
る（図１０(a))。次に、このサンプルを一度、大気中に
取り出し、水洗、乾燥工程を施す。この段階でＡｌＧａ
Ａｓ層表面に酸化膜６ａが形成される。その後、上記サ
ンプルを再びＭＯＣＶＤ装置内にセットし、７５０℃の
温度まで昇温し、ＨＣｌガスエッチングの手法を用いて
エッチングを施す（図１０(b))。水素、ＡｓＨ3 、ＨＣ
ｌの各流量は各流量はサンプルＡの場合と同様である。
上記条件により約０．８μｍエッチングした。このと
き、酸化膜６ａはほとんどエッチングされず、ＡｌＧａ
Ａｓ層２のみがエッチングされ、エッチング後のＡｌＧ
ａＡｓ層６表面には酸化膜６ａが残っている。
【００５３】さらに、エッチングが完了したサンプル上
にＭＯＣＶＤの手法を用いてＧａＡｓ４を再成長した
（図１０(c))。なお、ＨＣｌガスエッチングとＧａＡｓ
層４を再成長させる各工程は、同一チャンバー内におい
て連続して行われ、その成長シークエンスは上記サンプ
ルＢと同様に図８に示すようになる。
にＭＯＣＶＤの手法を用いてＧａＡｓ４を再成長した
（図１０(c))。なお、ＨＣｌガスエッチングとＧａＡｓ
層４を再成長させる各工程は、同一チャンバー内におい
て連続して行われ、その成長シークエンスは上記サンプ
ルＢと同様に図８に示すようになる。
【００５４】次に、以上のようにして作製した各サンプ
ルのＡｌＧａＡｓ２の再成長界面５における不純物（酸
素，炭素）等の分析結果について説明する。ここでは、
上記サンプルの不純物の分析をＳＩＭＳの手法を用いて
行い、また、再成長ＧａＡｓ層４の転位密度を溶融ＫＯ
Ｈによるエッチピット観察の手法を用いて評価した。
ルのＡｌＧａＡｓ２の再成長界面５における不純物（酸
素，炭素）等の分析結果について説明する。ここでは、
上記サンプルの不純物の分析をＳＩＭＳの手法を用いて
行い、また、再成長ＧａＡｓ層４の転位密度を溶融ＫＯ
Ｈによるエッチピット観察の手法を用いて評価した。
【００５５】図１は再成長界面５の不純物分析結果を示
す図であり、図１(a) は炭素の分析結果を，また、図１
(b) は酸素の分析結果を示したものである。図に示され
るように、サンプルＢ，サンプルＣでは再成長界面５に
酸素，炭素が蓄積されており、再成長界面５はいわゆ
る”汚れた”状態となっている。さらにこの二つのサン
プルの転位密度を評価したところ、サンプルＣが５×１
０8 個／ｃｍ2 と極めて結晶品質が劣化していた。サン
プルＢの場合にはＧａＡｓキャップ層の効果により、サ
ンプルＣに比べて改善されており、転位密度は４×１０
4 個／ｃｍ2 まで低減されていた。しかし、半導体デバ
イスにおいては転位密度は１０4 個／ｃｍ2 以下に制御
する必要があるとされている。従って、４×１０4 個／
ｃｍ2 という転位密度の結晶は高性能な特性の要求され
る半導体デバイスに利用するには不十分であり、応用範
囲は極めて狭い分野に限られるものである。
す図であり、図１(a) は炭素の分析結果を，また、図１
(b) は酸素の分析結果を示したものである。図に示され
るように、サンプルＢ，サンプルＣでは再成長界面５に
酸素，炭素が蓄積されており、再成長界面５はいわゆ
る”汚れた”状態となっている。さらにこの二つのサン
プルの転位密度を評価したところ、サンプルＣが５×１
０8 個／ｃｍ2 と極めて結晶品質が劣化していた。サン
プルＢの場合にはＧａＡｓキャップ層の効果により、サ
ンプルＣに比べて改善されており、転位密度は４×１０
4 個／ｃｍ2 まで低減されていた。しかし、半導体デバ
イスにおいては転位密度は１０4 個／ｃｍ2 以下に制御
する必要があるとされている。従って、４×１０4 個／
ｃｍ2 という転位密度の結晶は高性能な特性の要求され
る半導体デバイスに利用するには不十分であり、応用範
囲は極めて狭い分野に限られるものである。
【００５６】一方、この発明の第１の実施例により作製
されたサンプルＡでは、再成長界面５に不純物は検出さ
れず、極めて清浄な状態が保たれていることが確認でき
た。また、転位密度を評価した結果、１×１０3 個／ｃ
ｍ2 と極めて高品質な結晶が得られていることがわかっ
た。ＧａＡｓ基板の転位密度が約５００個／ｃｍ2 であ
り、ＭＯＣＶＤ法により連続成長で形成したエピタキシ
ャル成長層の転位密度が約１×１０3 個／ｃｍ2 である
ことから、上記の値はエッチング後の再成長により作製
したサンプルとしては極めて高品質であり、再成長界面
の清浄度、再成長結晶層の結晶品質ともに連続成長で作
製したサンプルと比較して遜色がないことが示された。
上記結果は極めて酸化しやすいＡｌ組成が０．４８と高
いＡｌＧａＡｓ上の再成長において、はじめて実現され
た結果である。
されたサンプルＡでは、再成長界面５に不純物は検出さ
れず、極めて清浄な状態が保たれていることが確認でき
た。また、転位密度を評価した結果、１×１０3 個／ｃ
ｍ2 と極めて高品質な結晶が得られていることがわかっ
た。ＧａＡｓ基板の転位密度が約５００個／ｃｍ2 であ
り、ＭＯＣＶＤ法により連続成長で形成したエピタキシ
ャル成長層の転位密度が約１×１０3 個／ｃｍ2 である
ことから、上記の値はエッチング後の再成長により作製
したサンプルとしては極めて高品質であり、再成長界面
の清浄度、再成長結晶層の結晶品質ともに連続成長で作
製したサンプルと比較して遜色がないことが示された。
上記結果は極めて酸化しやすいＡｌ組成が０．４８と高
いＡｌＧａＡｓ上の再成長において、はじめて実現され
た結果である。
【００５７】この発明の第１の実施例において、再成長
界面に不純物が蓄積されず、高品質な再成長結晶層が得
られた理由は以下のように解釈される。即ち、従来のド
ライエッチングと結晶再成長を組み合わせた複合プロセ
スでは、およそ４５０℃以上の温度に昇温することによ
り、例えば、Kondo et al.,19th Inte'l Symp. on GaAs
and Related Compounds(1992:Karuizawa)に記載されて
いるように、半導体層表面の酸化膜は、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｇ
ａ2 Ｏ3 等の極めて強固かつ不揮発性の化合物に変質
し、半導体層表面に固着されてしまい、除去不可能な状
態となる。このような状態でエッチングを開始しても、
図９(a) 及び図１０(a) に示すように、表面に固着した
酸化物６及び６ａは除去されず、この酸化物６及び６ａ
の下の半導体層のみがエッチングにより除去され、エッ
チングが進行しても図９(b) ，図１０(b) に示すよう
に、表面に酸化物６，６ａが残留してしまう。特にサン
プルＣのように、ＡｌＧａＡｓ層２を表面とする構造に
おいては、酸化物６ａが一旦Ａｌと化合すると極めて強
固な結合を持つアルミ酸化物となり、これが再成長層の
結晶品質を劣化させる原因となる。また、サンプルＢに
おいて充分な結果が得られなかった理由は、ＧａＡｓキ
ャップ層３表面の酸化膜６がＨＣｌガスエッチングを行
う際の高温により、エッチングされにくい強固な化合物
となるため、ＨＣｌガスエッチング後も残留し、この化
合物中の酸素がＡｌＧａＡｓ層２表面の酸化を引き起こ
し、再成長界面５近傍に酸化変性層７を形成したためで
あると考えられる。つまり、ＨＣｌガスエッチングが進
みＡｌＧａＡｓ層２が露呈されてもＡｌＧａＡｓが酸化
されないようにするためには、ＨＣｌガスエッチング開
始前にＧａＡｓキャップ層３表面の酸化膜６、即ち酸素
を完全に除去する必要がある。
界面に不純物が蓄積されず、高品質な再成長結晶層が得
られた理由は以下のように解釈される。即ち、従来のド
ライエッチングと結晶再成長を組み合わせた複合プロセ
スでは、およそ４５０℃以上の温度に昇温することによ
り、例えば、Kondo et al.,19th Inte'l Symp. on GaAs
and Related Compounds(1992:Karuizawa)に記載されて
いるように、半導体層表面の酸化膜は、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｇ
ａ2 Ｏ3 等の極めて強固かつ不揮発性の化合物に変質
し、半導体層表面に固着されてしまい、除去不可能な状
態となる。このような状態でエッチングを開始しても、
図９(a) 及び図１０(a) に示すように、表面に固着した
酸化物６及び６ａは除去されず、この酸化物６及び６ａ
の下の半導体層のみがエッチングにより除去され、エッ
チングが進行しても図９(b) ，図１０(b) に示すよう
に、表面に酸化物６，６ａが残留してしまう。特にサン
プルＣのように、ＡｌＧａＡｓ層２を表面とする構造に
おいては、酸化物６ａが一旦Ａｌと化合すると極めて強
固な結合を持つアルミ酸化物となり、これが再成長層の
結晶品質を劣化させる原因となる。また、サンプルＢに
おいて充分な結果が得られなかった理由は、ＧａＡｓキ
ャップ層３表面の酸化膜６がＨＣｌガスエッチングを行
う際の高温により、エッチングされにくい強固な化合物
となるため、ＨＣｌガスエッチング後も残留し、この化
合物中の酸素がＡｌＧａＡｓ層２表面の酸化を引き起こ
し、再成長界面５近傍に酸化変性層７を形成したためで
あると考えられる。つまり、ＨＣｌガスエッチングが進
みＡｌＧａＡｓ層２が露呈されてもＡｌＧａＡｓが酸化
されないようにするためには、ＨＣｌガスエッチング開
始前にＧａＡｓキャップ層３表面の酸化膜６、即ち酸素
を完全に除去する必要がある。
【００５８】しかし、本実施例においてはサンプルＡに
示すように、低温ＨＣｌ処理を行うことにより、ＧａＡ
ｓキャップ層３表面の酸化膜６を強固な化合物に変質さ
せる前に容易に除去できる。そして、この低温ＨＣｌ処
理によりキャップ層３表面の酸化膜６を完全に除去した
後、ＨＣｌガスエッチング工程を行うようにしたから、
ＨＣｌガスエッチング後のＡｌＧａＡｓ層２表面を不純
物等のない清浄な状態とすることができ、結晶性に優れ
た再結晶成長を行うことができ、優れた再成長界面５を
得ることができる。即ち、上述したように、４５０℃以
上の温度に昇温すると、ＧａＡｓ酸化膜は強固な結合状
態を有する化合物に変質してしまうので、４５０℃以下
の温度で適度な表面クリーニングを施すことでＧａＡｓ
キャップ層表面の酸化膜を除去でき、再成長界面を良好
なものとすることができる。
示すように、低温ＨＣｌ処理を行うことにより、ＧａＡ
ｓキャップ層３表面の酸化膜６を強固な化合物に変質さ
せる前に容易に除去できる。そして、この低温ＨＣｌ処
理によりキャップ層３表面の酸化膜６を完全に除去した
後、ＨＣｌガスエッチング工程を行うようにしたから、
ＨＣｌガスエッチング後のＡｌＧａＡｓ層２表面を不純
物等のない清浄な状態とすることができ、結晶性に優れ
た再結晶成長を行うことができ、優れた再成長界面５を
得ることができる。即ち、上述したように、４５０℃以
上の温度に昇温すると、ＧａＡｓ酸化膜は強固な結合状
態を有する化合物に変質してしまうので、４５０℃以下
の温度で適度な表面クリーニングを施すことでＧａＡｓ
キャップ層表面の酸化膜を除去でき、再成長界面を良好
なものとすることができる。
【００５９】このような本実施例においては、ＡｌＧａ
Ａｓ層２表面にＧａＡｓキャップ層３を形成し、外気か
ら遮断した状態で、ＨＣｌガス，ＡｓＨ3 ，水素ガスを
供給しながら、４５０℃以下の温度で保持して上記キャ
ップ層上の酸化膜を除去した後、ＨＣｌガスを用いたド
ライエッチングを行い上記キャップ層３の表面から、上
記ＡｌＧａＡｓ層２に達するまでエッチングし、さらに
結晶再成長を行うようにしたから、再成長層の結晶性、
及び再成長界面の清浄度を連続成長で形成した界面と同
等のレベルまで容易に向上させることができる効果があ
る。これによりリーク電流の発生を抑えた、良好な素子
特性を有する半導体装置を容易に提供することができ
る。
Ａｓ層２表面にＧａＡｓキャップ層３を形成し、外気か
ら遮断した状態で、ＨＣｌガス，ＡｓＨ3 ，水素ガスを
供給しながら、４５０℃以下の温度で保持して上記キャ
ップ層上の酸化膜を除去した後、ＨＣｌガスを用いたド
ライエッチングを行い上記キャップ層３の表面から、上
記ＡｌＧａＡｓ層２に達するまでエッチングし、さらに
結晶再成長を行うようにしたから、再成長層の結晶性、
及び再成長界面の清浄度を連続成長で形成した界面と同
等のレベルまで容易に向上させることができる効果があ
る。これによりリーク電流の発生を抑えた、良好な素子
特性を有する半導体装置を容易に提供することができ
る。
【００６０】また、清浄度に優れた再成長界面を形成す
ることができるから、半導体装置の活性領域上に再成長
界面を設けることも可能となり、半導体装置の製造プロ
セス設計の自由度を大きく広げられる効果がある。
ることができるから、半導体装置の活性領域上に再成長
界面を設けることも可能となり、半導体装置の製造プロ
セス設計の自由度を大きく広げられる効果がある。
【００６１】なお、上記実施例１では再結晶成長を行う
層の材料としてＡｌＧａＡｓを用い、キャップ層の材料
としてＧａＡｓを用いた場合について述べたが、本発明
はＳｉ，Ｇｅ，及びIII −Ｖ族化合物等の他の半導体材
料を用いた場合についても適用でき、同様の効果を奏す
る。また、キャップ層を形成する工程を省略するように
しても良い。ただし、上述のように、再結晶成長を行う
層として、Ａｌ等の酸化しやすい構成元素を含む材料を
用いた場合には、酸化膜の除去が容易ではないため、Ａ
ｌ等を含まない層をキャップ層としてあらかじめ付加し
ておくことでより完全なプロセスとすることができる。
また、上記実施例においては低温ＨＣｌ処理を行う際
に、Ａｓの過剰脱離による表面荒れを防ぐ目的でＡｓＨ
3 ガスを供給するようにしたが、他のIII −Ｖ族化合物
半導体材料に本発明を適用する場合、低温ＨＣｌ処理を
行う材料に合わせて、Ｖ族元素の脱離を調整するための
ガスを加えるようにする。例えば、ＩｎＰ，ＧａＰ等の
リンを構成元素として含む半導体材料に適用する場合に
は、ホスフィン（ＰＨ3 ），ターシャリブチルホスフィ
ン（Ｃ4 Ｈ9 ＰＨ2 ）等を、また、ＧａＮ等の窒素を構
成元素として半導体材料に適用する場合には、アンモニ
ア（ＮＨ3 ）等を供給することにより上記実施例と同様
の効果を奏する。
層の材料としてＡｌＧａＡｓを用い、キャップ層の材料
としてＧａＡｓを用いた場合について述べたが、本発明
はＳｉ，Ｇｅ，及びIII −Ｖ族化合物等の他の半導体材
料を用いた場合についても適用でき、同様の効果を奏す
る。また、キャップ層を形成する工程を省略するように
しても良い。ただし、上述のように、再結晶成長を行う
層として、Ａｌ等の酸化しやすい構成元素を含む材料を
用いた場合には、酸化膜の除去が容易ではないため、Ａ
ｌ等を含まない層をキャップ層としてあらかじめ付加し
ておくことでより完全なプロセスとすることができる。
また、上記実施例においては低温ＨＣｌ処理を行う際
に、Ａｓの過剰脱離による表面荒れを防ぐ目的でＡｓＨ
3 ガスを供給するようにしたが、他のIII −Ｖ族化合物
半導体材料に本発明を適用する場合、低温ＨＣｌ処理を
行う材料に合わせて、Ｖ族元素の脱離を調整するための
ガスを加えるようにする。例えば、ＩｎＰ，ＧａＰ等の
リンを構成元素として含む半導体材料に適用する場合に
は、ホスフィン（ＰＨ3 ），ターシャリブチルホスフィ
ン（Ｃ4 Ｈ9 ＰＨ2 ）等を、また、ＧａＮ等の窒素を構
成元素として半導体材料に適用する場合には、アンモニ
ア（ＮＨ3 ）等を供給することにより上記実施例と同様
の効果を奏する。
【００６２】また、上記実施例１では再結晶成長を行う
層としてＡｌＧａＡｓ層を用いた場合について説明した
が、ＡｌＧａＡｓ層の代わりに、例えば、Ａｌを構成元
素として含む層を含む量子井戸構造層や，歪超格子層等
の積層構造からなる層を用いるようにしても良く、上記
実施例と同様の効果を奏する。
層としてＡｌＧａＡｓ層を用いた場合について説明した
が、ＡｌＧａＡｓ層の代わりに、例えば、Ａｌを構成元
素として含む層を含む量子井戸構造層や，歪超格子層等
の積層構造からなる層を用いるようにしても良く、上記
実施例と同様の効果を奏する。
【００６３】さらに、上記実施例１では再結晶成長を行
う面をＡｌＧａＡｓ層の結晶表面としたが、例えば、Ａ
ｌを構成元素として含む層を下地半導体層上に形成した
場合において、上記Ａｌを構成元素として含む層上にＡ
ｌを含まない保護層を設けておき、この表面にＨＣｌ処
理を行った後、上記下地半導体層に達するようにドライ
エッチングを行い、このエッチングにより露出した下地
半導体層の結晶表面に所定の半導体層を再結晶成長させ
るようにしても、上記Ａｌを構成元素として含む層をエ
ッチングする際のＡｌの強固な酸化物の生成を防ぐこと
ができ、ドライエッチング後の結晶表面への不純物の蓄
積を大幅に減少させることができるから、再成長界面の
不純物を少なくすることができるとともに、結晶性に優
れた再結晶成長層を得ることができる。
う面をＡｌＧａＡｓ層の結晶表面としたが、例えば、Ａ
ｌを構成元素として含む層を下地半導体層上に形成した
場合において、上記Ａｌを構成元素として含む層上にＡ
ｌを含まない保護層を設けておき、この表面にＨＣｌ処
理を行った後、上記下地半導体層に達するようにドライ
エッチングを行い、このエッチングにより露出した下地
半導体層の結晶表面に所定の半導体層を再結晶成長させ
るようにしても、上記Ａｌを構成元素として含む層をエ
ッチングする際のＡｌの強固な酸化物の生成を防ぐこと
ができ、ドライエッチング後の結晶表面への不純物の蓄
積を大幅に減少させることができるから、再成長界面の
不純物を少なくすることができるとともに、結晶性に優
れた再結晶成長層を得ることができる。
【００６４】また、上記実施例１において、低温ＨＣｌ
処理を行う前に半導体層表面にマスクパターンを形成
し、該マスクパターンを利用して、選択的な低温ＨＣｌ
処理，ドライエッチング，及び再結晶成長を行うように
してもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
処理を行う前に半導体層表面にマスクパターンを形成
し、該マスクパターンを利用して、選択的な低温ＨＣｌ
処理，ドライエッチング，及び再結晶成長を行うように
してもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００６５】さらに、上記実施例１では、低温ＨＣｌ処
理、ＨＣｌガスエッチング、エピタキシャル再成長の複
合プロセスを同一チャンバ内で連続して行った場合につ
いて説明したが、本発明は、上記プロセス間において半
導体層が大気に触れないようにすれば良い。即ち、上記
の各工程が専用の独立チャンバを有し、それぞれのチャ
ンバが接続され、上記チャンバ内を真空とした状態で、
または水素雰囲気下で、あるいは不活性ガス雰囲気下
で、チャンバ間をウエハが搬送されるシステムを用い、
上記の各工程を大気に触れないように行うようにしても
よい。例えば図５に示すような低温ＨＣｌ処理、ＨＣｌ
ガスエッチングを同一チャンバにおいて行った後、ウエ
ハが大気に触れないように結晶成長用チャンバに搬送
し、ウエハ上に再結晶成長を行う成長シーケンス等によ
り、ウエハに上述した複合プロセスを行うようにして
も、上記実施例と同様の効果を奏する。
理、ＨＣｌガスエッチング、エピタキシャル再成長の複
合プロセスを同一チャンバ内で連続して行った場合につ
いて説明したが、本発明は、上記プロセス間において半
導体層が大気に触れないようにすれば良い。即ち、上記
の各工程が専用の独立チャンバを有し、それぞれのチャ
ンバが接続され、上記チャンバ内を真空とした状態で、
または水素雰囲気下で、あるいは不活性ガス雰囲気下
で、チャンバ間をウエハが搬送されるシステムを用い、
上記の各工程を大気に触れないように行うようにしても
よい。例えば図５に示すような低温ＨＣｌ処理、ＨＣｌ
ガスエッチングを同一チャンバにおいて行った後、ウエ
ハが大気に触れないように結晶成長用チャンバに搬送
し、ウエハ上に再結晶成長を行う成長シーケンス等によ
り、ウエハに上述した複合プロセスを行うようにして
も、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００６６】また、上記実施例１では、酸化膜を除去す
るための低温処理の工程において、ＨＣｌガスを用いた
場合について説明したが、本発明は他のエッチングガス
として、例えば、ＨＣｌ，Ｃｌ2 等の塩素系ガス、また
は、ＨＢｒ，ＣＨ3 Ｂｒ等の臭素系ガス、あるいはＣＨ
3 Ｉ等のヨウ素系ガス等のハロゲン系ガスを用いた場合
についても適用でき、上記実施例１と同様の効果を奏す
る。
るための低温処理の工程において、ＨＣｌガスを用いた
場合について説明したが、本発明は他のエッチングガス
として、例えば、ＨＣｌ，Ｃｌ2 等の塩素系ガス、また
は、ＨＢｒ，ＣＨ3 Ｂｒ等の臭素系ガス、あるいはＣＨ
3 Ｉ等のヨウ素系ガス等のハロゲン系ガスを用いた場合
についても適用でき、上記実施例１と同様の効果を奏す
る。
【００６７】さらに、上記実施例１では、酸化膜除去の
ための低温処理の工程と、該低温処理後のガスエッチン
グの工程をともに同一のガスを用いて行うようにした
が、異なるガスを用いるようにしてもよい。ただし、同
一のガスを用いた方が、ガスの切換等の工程が不要とな
り、製造工程が容易になる点で好ましい。
ための低温処理の工程と、該低温処理後のガスエッチン
グの工程をともに同一のガスを用いて行うようにした
が、異なるガスを用いるようにしてもよい。ただし、同
一のガスを用いた方が、ガスの切換等の工程が不要とな
り、製造工程が容易になる点で好ましい。
【００６８】また、低温処理後のドライエッチングとし
て、ガスエッチングの代わりに、その他のドライエッチ
ングとしてプラズマエッチング，イオンビームエッチン
グ等を用いるようにしてもよく、上記実施例１と同様の
効果を奏する。
て、ガスエッチングの代わりに、その他のドライエッチ
ングとしてプラズマエッチング，イオンビームエッチン
グ等を用いるようにしてもよく、上記実施例１と同様の
効果を奏する。
【００６９】さらに、上記実施例１では、再結晶成長の
方法として、ＭＯＣＶＤ法を用いた場合について説明し
たが、他の再結晶成長方法として、例えばＣＶＤ（化学
気相成長法），ＭＢＥ（分子線成長法），ＧＳＭＢＥ
（ガスソース分子線成長法），ＣＢＥ（ケミカルビーム
成長法）等を用いても上記実施例１と同様の効果を得ら
れる。
方法として、ＭＯＣＶＤ法を用いた場合について説明し
たが、他の再結晶成長方法として、例えばＣＶＤ（化学
気相成長法），ＭＢＥ（分子線成長法），ＧＳＭＢＥ
（ガスソース分子線成長法），ＣＢＥ（ケミカルビーム
成長法）等を用いても上記実施例１と同様の効果を得ら
れる。
【００７０】実施例２．次に、本発明の第２の実施例に
ついて説明する。本実施例２は、上記第１の実施例の低
温ＨＣｌ処理の後、高温によるガスエッチング行うこと
なく、結晶再結晶を行うようにしたものである。上記第
１の実施例においては、低温ＨＣｌ処理と、高温による
ＨＣｌガスエッチングと、結晶再成長の工程を組み合わ
せた複合プロセスについて説明したが、以下に上記実施
例１において、高温によるＨＣｌガスエッチングを用い
た理由について説明する。
ついて説明する。本実施例２は、上記第１の実施例の低
温ＨＣｌ処理の後、高温によるガスエッチング行うこと
なく、結晶再結晶を行うようにしたものである。上記第
１の実施例においては、低温ＨＣｌ処理と、高温による
ＨＣｌガスエッチングと、結晶再成長の工程を組み合わ
せた複合プロセスについて説明したが、以下に上記実施
例１において、高温によるＨＣｌガスエッチングを用い
た理由について説明する。
【００７１】図６はＧａＡｓに対してＨＣｌガスエッチ
ングを行った時の、エッチング速度とエッチング温度と
の関係を示した図である。図に示すように、エッチング
速度は温度の増加とともに指数関数的に増加する。これ
は、エッチングガスと半導体との化学反応が温度の上昇
とともに促進されるためである。低温ＨＣｌ処理に適し
た４５０℃以下の温度ではエッチング速度は極めて遅
く、上図６から１０オングストローム／ｍｉｎ以下のエ
ッチング速度しか得られないことがわかる。従って所望
のエッチング深さ（例えば１μｍ程度）を得るためには
長時間の処理が必要であり、低温によるＨＣｌガスを用
いた表面処理を半導体層をエッチングする目的で使用す
ることは実用的ではない。従って、上記実施例において
は、低温によるＨＣｌガスを用いた表面処理を行う目的
を、表面の酸化膜を除去するための表面クリーニングに
限定し、該処理の後に引き続いてエッチング速度の早い
ＨＣｌガスを用いた７５０℃の温度によるエッチングを
行うようにしたものである。
ングを行った時の、エッチング速度とエッチング温度と
の関係を示した図である。図に示すように、エッチング
速度は温度の増加とともに指数関数的に増加する。これ
は、エッチングガスと半導体との化学反応が温度の上昇
とともに促進されるためである。低温ＨＣｌ処理に適し
た４５０℃以下の温度ではエッチング速度は極めて遅
く、上図６から１０オングストローム／ｍｉｎ以下のエ
ッチング速度しか得られないことがわかる。従って所望
のエッチング深さ（例えば１μｍ程度）を得るためには
長時間の処理が必要であり、低温によるＨＣｌガスを用
いた表面処理を半導体層をエッチングする目的で使用す
ることは実用的ではない。従って、上記実施例において
は、低温によるＨＣｌガスを用いた表面処理を行う目的
を、表面の酸化膜を除去するための表面クリーニングに
限定し、該処理の後に引き続いてエッチング速度の早い
ＨＣｌガスを用いた７５０℃の温度によるエッチングを
行うようにしたものである。
【００７２】しかし、半導体デバイスの製造工程におい
ては、エッチング深さは数十〜１００オングストローム
でよい場合もある。また、上述したように、強固な結合
を形成するＡｌ等を構成元素としない半導体層において
は、キャップ層を形成する必要がなく、キャップ層を除
去する工程が不要な場合がある。このような場合には、
エッチングレートの高い高温でのエッチングは特に必要
なく、低温ＨＣｌ処理により酸化膜を除去した後に、半
導体層の表面を上記低温ＨＣｌ処理と同様の温度で、か
つ同様のガスを使用してエッチングすることにより所望
のエッチングを行うことも可能である。つまり、必要な
エッチング深さに応じてＨＣｌガスエッチングの処理温
度を使い分けることが可能である。
ては、エッチング深さは数十〜１００オングストローム
でよい場合もある。また、上述したように、強固な結合
を形成するＡｌ等を構成元素としない半導体層において
は、キャップ層を形成する必要がなく、キャップ層を除
去する工程が不要な場合がある。このような場合には、
エッチングレートの高い高温でのエッチングは特に必要
なく、低温ＨＣｌ処理により酸化膜を除去した後に、半
導体層の表面を上記低温ＨＣｌ処理と同様の温度で、か
つ同様のガスを使用してエッチングすることにより所望
のエッチングを行うことも可能である。つまり、必要な
エッチング深さに応じてＨＣｌガスエッチングの処理温
度を使い分けることが可能である。
【００７３】したがって、外気から遮断した状態におい
て、半導体層表面に対して上記実施例１において説明し
た低温ＨＣｌ処理を行った後、該低温ＨＣｌ処理と同様
の条件で半導体層をエッチングし、その後、再結晶成長
させることにより、半導体層の再成長界面となる面の不
純物を除去した後、ガスを切り換えることなく上記半導
体層をエッチングし、その後再結晶成長を行うことがで
きるから、再成長界面が清浄で、再成長層の結晶性に優
れた半導体装置を容易に提供できる。
て、半導体層表面に対して上記実施例１において説明し
た低温ＨＣｌ処理を行った後、該低温ＨＣｌ処理と同様
の条件で半導体層をエッチングし、その後、再結晶成長
させることにより、半導体層の再成長界面となる面の不
純物を除去した後、ガスを切り換えることなく上記半導
体層をエッチングし、その後再結晶成長を行うことがで
きるから、再成長界面が清浄で、再成長層の結晶性に優
れた半導体装置を容易に提供できる。
【００７４】なお、低温ＨＣｌ処理を行った後のドライ
エッチングが不要の場合は、このドライエッチングを行
わないようにしてもよい。すなわち、上記低温ＨＣｌ処
理後に再結晶成長を行うようにしても、上記実施例２と
同様の効果を奏する。
エッチングが不要の場合は、このドライエッチングを行
わないようにしてもよい。すなわち、上記低温ＨＣｌ処
理後に再結晶成長を行うようにしても、上記実施例２と
同様の効果を奏する。
【００７５】実施例３．以下に本発明の第３の実施例に
よる、上記実施例１及び２において示した低温ＨＣｌ処
理を含む複合プロセスを用いたヘテロジャンクションバ
イポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の製造方法について説
明する。
よる、上記実施例１及び２において示した低温ＨＣｌ処
理を含む複合プロセスを用いたヘテロジャンクションバ
イポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の製造方法について説
明する。
【００７６】図７は本発明の第３の実施例によるヘテロ
ジャンクションバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の製
造方法の主要工程を示す断面構造図であり、図におい
て、１０はＳ．Ｉ．ＧａＡｓ基板，１１はｎ+ −ＧａＡ
ｓ層，１２はｎ−ＧａＡｓ層，１３はｐ+ −ＡｌＧａＡ
ｓベース層，１４はｐ+ −ＧａＡｓキャップ層，１５は
ＳｉＮ膜，１６はｐ+ −ＧａＡｓ外部ベース層，１７は
ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層，１８はＳｉＯ膜，１
９はｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層，２０はｎ+ −ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層，２１はＳｉＮ膜，２２は開口部，
２３はリセス，２４はＳｉＮ膜，２５はｎ+ −ＧａＡｓ
コレクタ層，２６はｎ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層，
２７はコレクタ電極，２８はベース電極，２９はエミッ
タ電極である。
ジャンクションバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の製
造方法の主要工程を示す断面構造図であり、図におい
て、１０はＳ．Ｉ．ＧａＡｓ基板，１１はｎ+ −ＧａＡ
ｓ層，１２はｎ−ＧａＡｓ層，１３はｐ+ −ＡｌＧａＡ
ｓベース層，１４はｐ+ −ＧａＡｓキャップ層，１５は
ＳｉＮ膜，１６はｐ+ −ＧａＡｓ外部ベース層，１７は
ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層，１８はＳｉＯ膜，１
９はｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層，２０はｎ+ −ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層，２１はＳｉＮ膜，２２は開口部，
２３はリセス，２４はＳｉＮ膜，２５はｎ+ −ＧａＡｓ
コレクタ層，２６はｎ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層，
２７はコレクタ電極，２８はベース電極，２９はエミッ
タ電極である。
【００７７】次に本実施例３のＨＢＴの製造方法につい
て説明する。まず、図７(a) に示すように、半絶縁性の
ＧａＡｓ基板１０上に、ｎ+ −ＧａＡｓ層１１，ｎ−Ｇ
ａＡｓ層１２，ｐ+ −ＡｌＧａＡｓベース層１３，ｐ+
−ＧａＡｓキャップ層１４をＭＯＣＶＤの手法を用いて
順次成長させる。このエピタキシャル成長させたウェハ
上に、ＳｉＮ膜１５を形成した後、該ＳｉＮ膜１５のエ
ミッタ層となる部分だけをパターニングにより残すよう
にして他の部分を除去する。なお、ｐ+ −ＡｌＧａＡｓ
ベース層１３は、ｎ−ＧａＡｓ層１２側がＧａＡｓとな
り、ｐ+ −ＧａＡｓキャップ層１４側がＡｌ0.1 Ｇａ0.
9 ＡｓとなるようにＡｌ組成をグレーデッドに変化させ
て形成している。次に、図７(b) に示すように、ＳｉＮ
膜１５を選択マスクとして、ｐ+ −ＧａＡｓ外部ベース
層１６、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７を選択成
長する。このとき、低温ＨＣｌ処理を施した後、選択的
に再結晶成長させることにより、ｐ+ −ＧａＡｓキャッ
プ層１４表面はクリーニングされ、再成長界面は、連続
成長を行った場合と同等レベルの状態を維持することが
できる。
て説明する。まず、図７(a) に示すように、半絶縁性の
ＧａＡｓ基板１０上に、ｎ+ −ＧａＡｓ層１１，ｎ−Ｇ
ａＡｓ層１２，ｐ+ −ＡｌＧａＡｓベース層１３，ｐ+
−ＧａＡｓキャップ層１４をＭＯＣＶＤの手法を用いて
順次成長させる。このエピタキシャル成長させたウェハ
上に、ＳｉＮ膜１５を形成した後、該ＳｉＮ膜１５のエ
ミッタ層となる部分だけをパターニングにより残すよう
にして他の部分を除去する。なお、ｐ+ −ＡｌＧａＡｓ
ベース層１３は、ｎ−ＧａＡｓ層１２側がＧａＡｓとな
り、ｐ+ −ＧａＡｓキャップ層１４側がＡｌ0.1 Ｇａ0.
9 ＡｓとなるようにＡｌ組成をグレーデッドに変化させ
て形成している。次に、図７(b) に示すように、ＳｉＮ
膜１５を選択マスクとして、ｐ+ −ＧａＡｓ外部ベース
層１６、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７を選択成
長する。このとき、低温ＨＣｌ処理を施した後、選択的
に再結晶成長させることにより、ｐ+ −ＧａＡｓキャッ
プ層１４表面はクリーニングされ、再成長界面は、連続
成長を行った場合と同等レベルの状態を維持することが
できる。
【００７８】その後、図７(c) に示すように、ＳｉＯ膜
１８を形成した後、ＳｉＮ膜１５を除去してエミッタと
なる部分を開口する。さらに、図７(d) に示すように、
ｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層１９，ｎ+ −ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層２０をこの発明の第１の実施例に示した方
法を用いて選択成長する。すなわち、選択成長に先だっ
て、低温ＨＣｌ処理、ＨＣｌガスエッチングによりｐ+
−ＧａＡｓキャップ層１４のエッチング除去を行い、ｐ
+ −ＡｌＧａＡｓベース層１３を露呈させた後、ｎ−Ａ
ｌＧａＡｓエミッタ層１９，ｎ+ −ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層２０を選択的に再成長する。上記手法を用いない
場合には、ｐ+ −ＡｌＧａＡｓベース層とｎ−ＡｌＧａ
Ａｓエミッタ層の再成長界面には多量の酸化物が残留す
る結果となり、結果としてＨＢＴの特性を著しく悪化さ
せる原因となる。
１８を形成した後、ＳｉＮ膜１５を除去してエミッタと
なる部分を開口する。さらに、図７(d) に示すように、
ｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層１９，ｎ+ −ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層２０をこの発明の第１の実施例に示した方
法を用いて選択成長する。すなわち、選択成長に先だっ
て、低温ＨＣｌ処理、ＨＣｌガスエッチングによりｐ+
−ＧａＡｓキャップ層１４のエッチング除去を行い、ｐ
+ −ＡｌＧａＡｓベース層１３を露呈させた後、ｎ−Ａ
ｌＧａＡｓエミッタ層１９，ｎ+ −ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層２０を選択的に再成長する。上記手法を用いない
場合には、ｐ+ −ＡｌＧａＡｓベース層とｎ−ＡｌＧａ
Ａｓエミッタ層の再成長界面には多量の酸化物が残留す
る結果となり、結果としてＨＢＴの特性を著しく悪化さ
せる原因となる。
【００７９】次に、図７(e) に示すように、ＳｉＮ膜２
１を形成し、図７(f) に示すように、ＳｉＮ膜２１のコ
レクタ層を形成する部分に開口部２２を形成する。その
後、図７(g) に示すように、ＳｉＮ膜２１を選択マスク
としてｎ+ −ＧａＡｓ層１１に達するまでエッチングに
より除去してリセス２４を形成する。その後、図７(h)
に示すように、全面にＳｉＮ膜２４を形成した後、リセ
ス２３内のコレクタ層を成長する部分のみを開口させ
る。さらに、図７(i) に示すように、ｎ+ −ＧａＡｓコ
レクタ層２５，ｎ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２６を
選択成長する。このとき、上記第１の実施例において示
したように、低温ＨＣｌ処理を施した後、選択的に再成
長を行うことによりｎ+ −ＧａＡｓ層１１表面はクリー
ニングされ、再成長界面は、連続成長と同等レベルの状
態を維持することができる。
１を形成し、図７(f) に示すように、ＳｉＮ膜２１のコ
レクタ層を形成する部分に開口部２２を形成する。その
後、図７(g) に示すように、ＳｉＮ膜２１を選択マスク
としてｎ+ −ＧａＡｓ層１１に達するまでエッチングに
より除去してリセス２４を形成する。その後、図７(h)
に示すように、全面にＳｉＮ膜２４を形成した後、リセ
ス２３内のコレクタ層を成長する部分のみを開口させ
る。さらに、図７(i) に示すように、ｎ+ −ＧａＡｓコ
レクタ層２５，ｎ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２６を
選択成長する。このとき、上記第１の実施例において示
したように、低温ＨＣｌ処理を施した後、選択的に再成
長を行うことによりｎ+ −ＧａＡｓ層１１表面はクリー
ニングされ、再成長界面は、連続成長と同等レベルの状
態を維持することができる。
【００８０】その後、図７(j) に示すように、二重に形
成したＳｉＮ膜２１，２４のうち、コレクタ層２５の側
壁近傍のＳｉＮ膜２４のみを残し、残りの部分を除去す
る。さらに、ＳｉＯ膜１８のベース電極を形成する部分
を開口させる。なお、上述のプロセスにおいて、絶縁膜
としてＳｉＮとＳｉＯを使い分けた理由は、絶縁膜の選
択除去を容易にするためである。その後、図７(k) に示
すように、エミッタ電極２９，ベース電極２８，コレク
タ電極２７を形成する。
成したＳｉＮ膜２１，２４のうち、コレクタ層２５の側
壁近傍のＳｉＮ膜２４のみを残し、残りの部分を除去す
る。さらに、ＳｉＯ膜１８のベース電極を形成する部分
を開口させる。なお、上述のプロセスにおいて、絶縁膜
としてＳｉＮとＳｉＯを使い分けた理由は、絶縁膜の選
択除去を容易にするためである。その後、図７(k) に示
すように、エミッタ電極２９，ベース電極２８，コレク
タ電極２７を形成する。
【００８１】以上のように、ＨＢＴの製造工程は３回の
選択再成長を含んで構成されており、特にエミッタ層１
９の再成長の際に、エミッタ層１９とベース層１６の界
面に酸素等の不純物が存在すると、リーク電流の増加に
つながり、正常なトランジスタ動作が得られないなどの
不都合が生じる。
選択再成長を含んで構成されており、特にエミッタ層１
９の再成長の際に、エミッタ層１９とベース層１６の界
面に酸素等の不純物が存在すると、リーク電流の増加に
つながり、正常なトランジスタ動作が得られないなどの
不都合が生じる。
【００８２】しかし、本実施例に示すように、これらの
選択再成長を含むプロセスに上記第１の実施例において
示した低温ＨＣｌ処理工程を含む複合プロセスを利用す
ることにより、再成長層の結晶性、及び再成長界面の清
浄度を連続成長で形成した成長層及び界面と同等のレベ
ルまで向上させることができるから、リーク電流の発生
を抑えた、良好な素子特性を備えた高性能なＨＢＴを提
供することができる。
選択再成長を含むプロセスに上記第１の実施例において
示した低温ＨＣｌ処理工程を含む複合プロセスを利用す
ることにより、再成長層の結晶性、及び再成長界面の清
浄度を連続成長で形成した成長層及び界面と同等のレベ
ルまで向上させることができるから、リーク電流の発生
を抑えた、良好な素子特性を備えた高性能なＨＢＴを提
供することができる。
【００８３】実施例４．以下に本発明の第４の実施例に
よる、上記実施例１及び２において示した低温ＨＣｌ処
理を含む複合プロセスを用いた埋め込みリッジ型半導体
レーザの製造方法について説明する。
よる、上記実施例１及び２において示した低温ＨＣｌ処
理を含む複合プロセスを用いた埋め込みリッジ型半導体
レーザの製造方法について説明する。
【００８４】図１２は本実施例４の埋め込みリッジ型レ
ーザの製造工程を示す模式図であり、図において、３１
はｎ−ＧａＡｓ層，３２はｎ−ＡｌＧａＡｓ層，３３は
活性層で、Ａｌの比率を変えた複数のＡｌＧａＡｓ層に
より量子井戸構造となっている。３４はｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ層，３５はｐ−ＧａＡｓキヤップ層，３６はＳｉＮ
膜，３７はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層，３８はｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層，３９はｐ−ＧａＡｓコンタクト層で
ある。
ーザの製造工程を示す模式図であり、図において、３１
はｎ−ＧａＡｓ層，３２はｎ−ＡｌＧａＡｓ層，３３は
活性層で、Ａｌの比率を変えた複数のＡｌＧａＡｓ層に
より量子井戸構造となっている。３４はｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ層，３５はｐ−ＧａＡｓキヤップ層，３６はＳｉＮ
膜，３７はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層，３８はｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層，３９はｐ−ＧａＡｓコンタクト層で
ある。
【００８５】次に製造方法について説明する。まず、図
１２(a) に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板３１上にｎ−
ＡｌＧａＡｓ層３２，量子井戸構造の活性層３３，ｐ−
ＡｌＧａＡｓ層３４，ｐ−ＧａＡｓキャップ層３５を順
次結晶成長させた後、キャップ層３５上にＳｉＮ膜３６
を形成し、これをストライプ上にパターニングする。
１２(a) に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板３１上にｎ−
ＡｌＧａＡｓ層３２，量子井戸構造の活性層３３，ｐ−
ＡｌＧａＡｓ層３４，ｐ−ＧａＡｓキャップ層３５を順
次結晶成長させた後、キャップ層３５上にＳｉＮ膜３６
を形成し、これをストライプ上にパターニングする。
【００８６】次に、図１２(b) に示すように、ＳｉＮ膜
３６をマスクとして、上記第１の実施例おいて示したよ
うに、チャンバ内で、４５０℃以下の温度に保持しなが
ら、ＨＣｌガス，ＡｓＨ3 ，水素ガスを供給して、キャ
ップ層３５上に自然形成された酸化膜をクリーニング
し、その後、上記チャンバと同一のチャンバ内におい
て、約７５０℃の温度で、ＨＣｌガス，ＡｓＨ3 ガス，
水素ガスを供給しながら、キャップ層３５およびｐ−Ａ
ｌＧａＡｓ層３４をドライエッチングしてリッジを形成
する。さらに、上記チャンバと同一のチャンバ内におい
て、ＭＯＣＶＤにより電流ブロック層３７，ｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層３８を再成長させ、最後にＳｉＮ膜３６を
除去した後、コンタクト層３９を形成する。
３６をマスクとして、上記第１の実施例おいて示したよ
うに、チャンバ内で、４５０℃以下の温度に保持しなが
ら、ＨＣｌガス，ＡｓＨ3 ，水素ガスを供給して、キャ
ップ層３５上に自然形成された酸化膜をクリーニング
し、その後、上記チャンバと同一のチャンバ内におい
て、約７５０℃の温度で、ＨＣｌガス，ＡｓＨ3 ガス，
水素ガスを供給しながら、キャップ層３５およびｐ−Ａ
ｌＧａＡｓ層３４をドライエッチングしてリッジを形成
する。さらに、上記チャンバと同一のチャンバ内におい
て、ＭＯＣＶＤにより電流ブロック層３７，ｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層３８を再成長させ、最後にＳｉＮ膜３６を
除去した後、コンタクト層３９を形成する。
【００８７】従来の埋め込みリッジ型レーザは、４５０
℃以上のドライエッチングによりキャップ層３５および
ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３４をエッチングしてリッジを形成
した後、これを埋め込むように電流ブロック層３７を選
択再成長させることにより形成されていた。そのため、
電流ブロック層３７の再成長界面が不純物により汚れた
り、電流ブロック層３７の結晶性が悪くなり、リーク電
流が発生してしまう等の問題があった。しかし、本実施
例４に示す半導体レーザの製造方法によれば、電流ブロ
ック層３７の再成長界面を清浄なものとすることがで
き、かつ電流ブロック層３７の結晶性を向上させること
ができるから、すぐれた特性の埋め込みリッジ型レーザ
を得られる効果がある。
℃以上のドライエッチングによりキャップ層３５および
ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３４をエッチングしてリッジを形成
した後、これを埋め込むように電流ブロック層３７を選
択再成長させることにより形成されていた。そのため、
電流ブロック層３７の再成長界面が不純物により汚れた
り、電流ブロック層３７の結晶性が悪くなり、リーク電
流が発生してしまう等の問題があった。しかし、本実施
例４に示す半導体レーザの製造方法によれば、電流ブロ
ック層３７の再成長界面を清浄なものとすることがで
き、かつ電流ブロック層３７の結晶性を向上させること
ができるから、すぐれた特性の埋め込みリッジ型レーザ
を得られる効果がある。
【００８８】実施例５．以下に本発明の第５の実施例に
よる、上記実施例１及び２において示した低温ＨＣｌ処
理を含む複合プロセスを用いた埋め込みリッジ型半導体
レーザの製造方法について説明する。
よる、上記実施例１及び２において示した低温ＨＣｌ処
理を含む複合プロセスを用いた埋め込みリッジ型半導体
レーザの製造方法について説明する。
【００８９】図１３は本発明の第５の実施例による埋め
込みリッジ型半導体レーザの製造方法を示す工程図であ
り、図において、図１２と同一符号は同一または相当す
る部分を示しており、４０は高抵抗ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層である。
込みリッジ型半導体レーザの製造方法を示す工程図であ
り、図において、図１２と同一符号は同一または相当す
る部分を示しており、４０は高抵抗ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層である。
【００９０】次に製造方法について説明する。まず、図
１３(a) に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板３１上にｎ−
ＡｌＧａＡｓ層３２，量子井戸構造の活性層３３，ｐ−
ＡｌＧａＡｓ層３４，ｐ−ＧａＡｓキャップ層３５を順
次結晶成長させた後、ｐ−ＧａＡｓキャップ層３５上に
ＳｉＮ膜３６を形成し、これをストライプ上にパターニ
ングする。
１３(a) に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板３１上にｎ−
ＡｌＧａＡｓ層３２，量子井戸構造の活性層３３，ｐ−
ＡｌＧａＡｓ層３４，ｐ−ＧａＡｓキャップ層３５を順
次結晶成長させた後、ｐ−ＧａＡｓキャップ層３５上に
ＳｉＮ膜３６を形成し、これをストライプ上にパターニ
ングする。
【００９１】次に、図１２(b) に示すように、ＳｉＮ膜
３６をマスクとして、上記第１の実施例おいて示したよ
うに、チャンバ内で、４５０℃以下の温度に保持しなが
ら、ＨＣｌガス，ＡｓＨ3 ，水素ガスを供給して、キャ
ップ層３５上に自然形成された酸化膜をクリーニング
し、その後、上記チャンバと同一のチャンバ内におい
て、約７５０℃の温度で、ＨＣｌガス，ＡｓＨ3 ガス，
水素ガスを供給しながら、キャップ層３５，ｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ層３４，ＡｌＧａＡｓ量子井戸活性層３３，およ
びｎ−ＡｌＧａＡｓ層３２上部をドライエッチングして
リッジを形成する。さらに、上記チャンバと同一のチャ
ンバ内において、上記エッチングにより露出したｎ−Ａ
ｌＧａＡｓ層３２上にＭＯＣＶＤにより高抵抗ＧａＡｓ
電流ブロック層４０，ｐ−ＧａＡｓキャップ層３８を再
成長させ、最後にＳｉＮ膜３６を除去した後、コンタク
ト層３９を形成する。
３６をマスクとして、上記第１の実施例おいて示したよ
うに、チャンバ内で、４５０℃以下の温度に保持しなが
ら、ＨＣｌガス，ＡｓＨ3 ，水素ガスを供給して、キャ
ップ層３５上に自然形成された酸化膜をクリーニング
し、その後、上記チャンバと同一のチャンバ内におい
て、約７５０℃の温度で、ＨＣｌガス，ＡｓＨ3 ガス，
水素ガスを供給しながら、キャップ層３５，ｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ層３４，ＡｌＧａＡｓ量子井戸活性層３３，およ
びｎ−ＡｌＧａＡｓ層３２上部をドライエッチングして
リッジを形成する。さらに、上記チャンバと同一のチャ
ンバ内において、上記エッチングにより露出したｎ−Ａ
ｌＧａＡｓ層３２上にＭＯＣＶＤにより高抵抗ＧａＡｓ
電流ブロック層４０，ｐ−ＧａＡｓキャップ層３８を再
成長させ、最後にＳｉＮ膜３６を除去した後、コンタク
ト層３９を形成する。
【００９２】本実施例５に示す埋め込みリッジ型半導体
レーザにおいても、キャップ層３５表面に低温ＨＣｌ処
理を行った後、キャップ層３５，及びｐ−ＡｌＧａＡｓ
層３４をドライエッチングし、さらにＡｌＧａＡｓ量子
井戸活性層３３，及びｎ−ＡｌＧａＡｓ層３２上部をエ
ッチングして、そのエッチングにより露出した面上に高
抵抗電流ブロック層４０を形成するようにしたから、ｐ
−ＡｌＧａＡｓ層３４，ＡｌＧａＡｓ量子井戸活性層３
３を、その構成元素であるＡｌを強固な酸化物に変化さ
せることなくエッチングすることができるため、高抵抗
電流ブロック層４０の再成長界面を清浄なものとするこ
とができ、かつ電流ブロック層４０の結晶性を向上させ
ることができ、すぐれた特性の埋め込みリッジ型レーザ
を得られる効果がある。
レーザにおいても、キャップ層３５表面に低温ＨＣｌ処
理を行った後、キャップ層３５，及びｐ−ＡｌＧａＡｓ
層３４をドライエッチングし、さらにＡｌＧａＡｓ量子
井戸活性層３３，及びｎ−ＡｌＧａＡｓ層３２上部をエ
ッチングして、そのエッチングにより露出した面上に高
抵抗電流ブロック層４０を形成するようにしたから、ｐ
−ＡｌＧａＡｓ層３４，ＡｌＧａＡｓ量子井戸活性層３
３を、その構成元素であるＡｌを強固な酸化物に変化さ
せることなくエッチングすることができるため、高抵抗
電流ブロック層４０の再成長界面を清浄なものとするこ
とができ、かつ電流ブロック層４０の結晶性を向上させ
ることができ、すぐれた特性の埋め込みリッジ型レーザ
を得られる効果がある。
【００９３】なお、上記実施例１及び２に述べたプロセ
スは、下地となる結晶と再結晶成長層との界面を清浄な
状態に保つことが必要な半導体デバイスの製造方法とし
て広く利用できるものであり、特定のデバイスに限定し
て利用されるものではない。したがって、本実施例５，
および上記実施例３，４においては、上記実施例１及び
２に述べた複合プロセスを埋め込みリッジ型レーザ，及
びＨＢＴの製造方法に利用した場合について示したが、
本発明は他の半導体デバイスにも適用することができ、
通常の再成長工程を用いて製造された半導体デバイスと
比較して高性能化を容易に実現できる。
スは、下地となる結晶と再結晶成長層との界面を清浄な
状態に保つことが必要な半導体デバイスの製造方法とし
て広く利用できるものであり、特定のデバイスに限定し
て利用されるものではない。したがって、本実施例５，
および上記実施例３，４においては、上記実施例１及び
２に述べた複合プロセスを埋め込みリッジ型レーザ，及
びＨＢＴの製造方法に利用した場合について示したが、
本発明は他の半導体デバイスにも適用することができ、
通常の再成長工程を用いて製造された半導体デバイスと
比較して高性能化を容易に実現できる。
【００９４】実施例６．次に、本発明の第６の実施例に
ついて説明する。上記第１の実施例においては、ＧａＡ
ｓキャップ層表面に対して、低温ＨＣｌ処理を行った
後、ＨＣｌガスエッチングにより、上記ＧａＡｓキャッ
プ層表面から、ＡｌＧａＡｓ層に達するようドライエッ
チングし、その後再結晶成長を行うようにした場合につ
いて説明したが、本実施例６においては、上記低温ＨＣ
ｌ処理と同様の処理、即ち、半導体をハロゲン系ガスを
含むガスが供給された雰囲気下で、４５０℃以下の温度
に保持することにより、半導体の結晶表面に自然形成さ
れる酸化膜を、該酸化膜と、上記ハロゲン系ガスを構成
する元素との吸着及び脱離反応により除去する処理を単
独で使用して、半導体結晶表面のクリーニングを行うよ
うにしてもよい。例えば、ＧａＡｓ基板に対して、該基
板を４５０℃以下の温度に保持し、ＨＣｌガス，水素ガ
ス，ＡｓＨ3 ガスからなる混合ガスを供給する処理を行
うことにより、酸化膜が除去され、清浄な結晶表面を備
えたＧａＡｓ基板を得ることができる。
ついて説明する。上記第１の実施例においては、ＧａＡ
ｓキャップ層表面に対して、低温ＨＣｌ処理を行った
後、ＨＣｌガスエッチングにより、上記ＧａＡｓキャッ
プ層表面から、ＡｌＧａＡｓ層に達するようドライエッ
チングし、その後再結晶成長を行うようにした場合につ
いて説明したが、本実施例６においては、上記低温ＨＣ
ｌ処理と同様の処理、即ち、半導体をハロゲン系ガスを
含むガスが供給された雰囲気下で、４５０℃以下の温度
に保持することにより、半導体の結晶表面に自然形成さ
れる酸化膜を、該酸化膜と、上記ハロゲン系ガスを構成
する元素との吸着及び脱離反応により除去する処理を単
独で使用して、半導体結晶表面のクリーニングを行うよ
うにしてもよい。例えば、ＧａＡｓ基板に対して、該基
板を４５０℃以下の温度に保持し、ＨＣｌガス，水素ガ
ス，ＡｓＨ3 ガスからなる混合ガスを供給する処理を行
うことにより、酸化膜が除去され、清浄な結晶表面を備
えたＧａＡｓ基板を得ることができる。
【００９５】このような実施例の半導体結晶表面のクリ
ーニング方法によれば、半導体結晶表面の酸化膜を４５
０℃以上の高温により強固な化合物に変質させることな
く、ハロゲン系ガスを構成する元素との吸着および脱離
反応により、酸化膜を除去することができるから、結晶
表面が清浄な半導体を容易に提供できる効果がある。
ーニング方法によれば、半導体結晶表面の酸化膜を４５
０℃以上の高温により強固な化合物に変質させることな
く、ハロゲン系ガスを構成する元素との吸着および脱離
反応により、酸化膜を除去することができるから、結晶
表面が清浄な半導体を容易に提供できる効果がある。
【００９６】実施例７．以下に、本発明の第７の実施例
について説明する。本実施例７はパターニングした絶縁
膜を用い、上記第１の実施例において説明した半導体装
置の製造方法を利用して、半導体層の選択再成長を行う
ようにしたものである。
について説明する。本実施例７はパターニングした絶縁
膜を用い、上記第１の実施例において説明した半導体装
置の製造方法を利用して、半導体層の選択再成長を行う
ようにしたものである。
【００９７】図１４は本発明の第７の実施例による半導
体装置の製造方法を示す図であり、図において、図２と
同一符号は同一部分を示しており、５０は絶縁膜であ
り、この絶縁膜５０の材料としては、ＳｉＮ等の通常の
選択エッチングにマスクとして用いられる材料を用い
る。５１は該絶縁膜５０に形成された開口部である。な
お、図中点線により囲まれている工程は、ＭＯＣＶＤ装
置内において連続的に行われている工程であることを示
している。
体装置の製造方法を示す図であり、図において、図２と
同一符号は同一部分を示しており、５０は絶縁膜であ
り、この絶縁膜５０の材料としては、ＳｉＮ等の通常の
選択エッチングにマスクとして用いられる材料を用い
る。５１は該絶縁膜５０に形成された開口部である。な
お、図中点線により囲まれている工程は、ＭＯＣＶＤ装
置内において連続的に行われている工程であることを示
している。
【００９８】次に、製造方法について説明する。ＧａＡ
ｓ基板１上に厚さ２μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ(x=0.48)
層２、厚さ０．１μｍのＧａＡｓキャップ層３をＭＯＣ
ＶＤ（有機金属気相成長）法を用いて連続的に成長させ
た後、さらに、該ＧａＡｓキャップ層３上にＳｉＮ膜５
０を形成する（図１４(a))。つぎに、上記基板１をＭＯ
ＣＶＤ装置より取り出し、ＳｉＮ膜５０上にフォトレジ
スト（図示せず）を形成し、該フォトレジストに露光に
よりパターニングを行った後、これをマスクとしてＳｉ
Ｎ膜５０に開口部５１を形成し、フォトレジストを除去
する。この時、開口部５１に露出したＧａＡｓキャップ
層３表面には外気との反応により、厚さが数オングスト
ローム〜十オングストロームの酸化膜６が形成される
（図１４(b))。この後、上記基板１を再度ＭＯＣＶＤ装
置にセットし、まず、上記基板１を水素ガスとＡｓＨ3
ガス雰囲気中で３５０℃の温度まで昇温する。３５０℃
の温度で保持しながら、水素ガス、アルシン（ＡｓＨ3
）ガスとともにＨＣｌガスを導入して５０〜１００分
間処理を行い、ＧａＡｓキャップ層３表面の酸化膜６等
を除去する（図１４(c))。このキャップ層３表面の酸化
膜６等の除去は、ＨＣｌ等のハロゲン系ガスが上記酸化
膜に対して、連続的に吸着と脱離を繰り返すことにより
行われる。この低温ＨＣｌ処理を施すことによりＧａＡ
ｓキャップ層３表面の酸化膜６を完全に除去する。この
低温ＨＣｌ処理は、水素流量：２．５ｓｌｍ（リットル
毎分）、ＡｓＨ3 （２０％）流量：１０ｓｃｃｍ（ｃｃ
毎分）、ＨＣｌ（１０％）流量：４０ｓｃｃｍの条件に
より行う。この低温ＨＣｌ処理により酸化膜６が完全に
除去された後は、ＨＣｌガスによりＧａＡｓキャップ層
３がエッチングされ、本実施例の処理時間では約１００
オングストロームエッチングされる。
ｓ基板１上に厚さ２μｍのＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ(x=0.48)
層２、厚さ０．１μｍのＧａＡｓキャップ層３をＭＯＣ
ＶＤ（有機金属気相成長）法を用いて連続的に成長させ
た後、さらに、該ＧａＡｓキャップ層３上にＳｉＮ膜５
０を形成する（図１４(a))。つぎに、上記基板１をＭＯ
ＣＶＤ装置より取り出し、ＳｉＮ膜５０上にフォトレジ
スト（図示せず）を形成し、該フォトレジストに露光に
よりパターニングを行った後、これをマスクとしてＳｉ
Ｎ膜５０に開口部５１を形成し、フォトレジストを除去
する。この時、開口部５１に露出したＧａＡｓキャップ
層３表面には外気との反応により、厚さが数オングスト
ローム〜十オングストロームの酸化膜６が形成される
（図１４(b))。この後、上記基板１を再度ＭＯＣＶＤ装
置にセットし、まず、上記基板１を水素ガスとＡｓＨ3
ガス雰囲気中で３５０℃の温度まで昇温する。３５０℃
の温度で保持しながら、水素ガス、アルシン（ＡｓＨ3
）ガスとともにＨＣｌガスを導入して５０〜１００分
間処理を行い、ＧａＡｓキャップ層３表面の酸化膜６等
を除去する（図１４(c))。このキャップ層３表面の酸化
膜６等の除去は、ＨＣｌ等のハロゲン系ガスが上記酸化
膜に対して、連続的に吸着と脱離を繰り返すことにより
行われる。この低温ＨＣｌ処理を施すことによりＧａＡ
ｓキャップ層３表面の酸化膜６を完全に除去する。この
低温ＨＣｌ処理は、水素流量：２．５ｓｌｍ（リットル
毎分）、ＡｓＨ3 （２０％）流量：１０ｓｃｃｍ（ｃｃ
毎分）、ＨＣｌ（１０％）流量：４０ｓｃｃｍの条件に
より行う。この低温ＨＣｌ処理により酸化膜６が完全に
除去された後は、ＨＣｌガスによりＧａＡｓキャップ層
３がエッチングされ、本実施例の処理時間では約１００
オングストロームエッチングされる。
【００９９】次に、低温ＨＣｌ処理を行ったサンプルを
７５０℃の温度まで昇温し、水素、ＡｓＨ3 、ＨＣｌの
各流量を低温ＨＣｌ処理と同様の条件として通常のＨＣ
ｌガスエッチングの手法を用いて、上記絶縁膜５０をマ
スクとしてＧａＡｓキャップ層３，およびＡｌＧａＡｓ
層２にエッチングを施す（図１４(d))。このＨＣｌガス
エッチングにより約０．８μｍエッチングして、ＡｌＧ
ａＡｓ層２の途中に達する深さまでエッチングする。
７５０℃の温度まで昇温し、水素、ＡｓＨ3 、ＨＣｌの
各流量を低温ＨＣｌ処理と同様の条件として通常のＨＣ
ｌガスエッチングの手法を用いて、上記絶縁膜５０をマ
スクとしてＧａＡｓキャップ層３，およびＡｌＧａＡｓ
層２にエッチングを施す（図１４(d))。このＨＣｌガス
エッチングにより約０．８μｍエッチングして、ＡｌＧ
ａＡｓ層２の途中に達する深さまでエッチングする。
【０１００】その後、上記エッチングが完了して露出し
たＡｌＧａＡｓ層２上に、上記絶縁膜５１をマスクとし
て、ＭＯＣＶＤの手法を用いてＧａＡｓ層４を選択再成
長した後、絶縁膜５１を除去して、図１４(e) に示す半
導体装置を得る。
たＡｌＧａＡｓ層２上に、上記絶縁膜５１をマスクとし
て、ＭＯＣＶＤの手法を用いてＧａＡｓ層４を選択再成
長した後、絶縁膜５１を除去して、図１４(e) に示す半
導体装置を得る。
【０１０１】本実施例においては、ＡｌＧａＡｓ層２上
に形成された保護層であるＧａＡｓキャップ層３の表面
に所望のパターニングを行った絶縁膜５０を形成し、こ
れをマスクとして、上記第１の実施例において示した低
温ＨＣｌ処理とドライエッチングと結晶再成長を組み合
わせた複合プロセスを行うようにしたから、ＡｌＧａＡ
ｓ層２上に半導体層４を選択再成長させることができる
とともに、その選択再成長界面を清浄なものとし、かつ
再成長半導体層４の結晶性を向上させることができる。
これにより再成長界面におけるリーク電流の発生等の特
性の劣化を防止し、かつ、再成長層の電気的，光学的特
性を向上させることができるから、微細な構造の半導体
装置に適用することにより、特性に優れた半導体装置を
得ることができる。さらに、従来よりも微細な構造の半
導体装置を提供することができる効果がある。
に形成された保護層であるＧａＡｓキャップ層３の表面
に所望のパターニングを行った絶縁膜５０を形成し、こ
れをマスクとして、上記第１の実施例において示した低
温ＨＣｌ処理とドライエッチングと結晶再成長を組み合
わせた複合プロセスを行うようにしたから、ＡｌＧａＡ
ｓ層２上に半導体層４を選択再成長させることができる
とともに、その選択再成長界面を清浄なものとし、かつ
再成長半導体層４の結晶性を向上させることができる。
これにより再成長界面におけるリーク電流の発生等の特
性の劣化を防止し、かつ、再成長層の電気的，光学的特
性を向上させることができるから、微細な構造の半導体
装置に適用することにより、特性に優れた半導体装置を
得ることができる。さらに、従来よりも微細な構造の半
導体装置を提供することができる効果がある。
【０１０２】なお、本実施例においても、上記第１の実
施例と同様に、再結晶成長の基となる層としてはＡｌＧ
ａＡｓ層の代わりに、Ｓｉ，Ｇｅ，及びIII −Ｖ族化合
物等の他の半導体材料からなる層を用い、再結晶成長層
としてＧａＡｓ層の代わりに他の半導体材料からなる層
を用いた場合についても適用でき、上記実施例７と同様
の効果を奏する。
施例と同様に、再結晶成長の基となる層としてはＡｌＧ
ａＡｓ層の代わりに、Ｓｉ，Ｇｅ，及びIII −Ｖ族化合
物等の他の半導体材料からなる層を用い、再結晶成長層
としてＧａＡｓ層の代わりに他の半導体材料からなる層
を用いた場合についても適用でき、上記実施例７と同様
の効果を奏する。
【０１０３】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る半導体装置
の製造方法によれば、下地半導体層上にＡｌを構成元素
として含む化合物半導体よりなる半導体層，及びＡｌを
構成元素として含まない化合物半導体からなる保護層を
連続して形成し、上記保護層及び上記Ａｌを含む半導体
層を４５０℃以下の温度に保持し、これをハロゲン系ガ
スを含むガスを供給した雰囲気下に配置し、上記保護層
の結晶表面に自然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記
ハロゲン系ガスを構成する元素との吸着及び脱離の連続
的な反応により除去した後、外気に触れない状態を保持
したまま、上記保護層及びＡｌを含む半導体層、あるい
は上記保護層，Ａｌを含む半導体層，及び下地半導体層
を上記保護層表面から、上記Ａｌを含む半導体層，ある
いは上記下地半導体層に達するようドライエッチング
し、さらに、外気に触れない状態を保持したまま、上記
ドライエッチングにより露出した半導体層の結晶表面
に、他の半導体層を結晶成長させるようにしたから、再
成長界面への不純物の蓄積を排除し、かつ連続成長と比
較して遜色のない結晶性を備えた再成長層が得られ、デ
バイス特性を飛躍的に向上させた半導体装置が提供でき
る効果がある。
の製造方法によれば、下地半導体層上にＡｌを構成元素
として含む化合物半導体よりなる半導体層，及びＡｌを
構成元素として含まない化合物半導体からなる保護層を
連続して形成し、上記保護層及び上記Ａｌを含む半導体
層を４５０℃以下の温度に保持し、これをハロゲン系ガ
スを含むガスを供給した雰囲気下に配置し、上記保護層
の結晶表面に自然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記
ハロゲン系ガスを構成する元素との吸着及び脱離の連続
的な反応により除去した後、外気に触れない状態を保持
したまま、上記保護層及びＡｌを含む半導体層、あるい
は上記保護層，Ａｌを含む半導体層，及び下地半導体層
を上記保護層表面から、上記Ａｌを含む半導体層，ある
いは上記下地半導体層に達するようドライエッチング
し、さらに、外気に触れない状態を保持したまま、上記
ドライエッチングにより露出した半導体層の結晶表面
に、他の半導体層を結晶成長させるようにしたから、再
成長界面への不純物の蓄積を排除し、かつ連続成長と比
較して遜色のない結晶性を備えた再成長層が得られ、デ
バイス特性を飛躍的に向上させた半導体装置が提供でき
る効果がある。
【０１０４】また、上記Ａｌを含む半導体層をＡｌＧａ
Ａｓとし、上記保護層をＧａＡｓとし、上記ハロゲン系
ガスを含むガスとして、ＨＣｌガス，水素ガス，及びＡ
ｓＨ3 ガスからなる混合ガスを用いるようにしたから、
再成長界面への不純物の蓄積を排除し、かつ連続成長と
比較して遜色のない結晶性を備えた再成長層が得られ、
デバイス特性を飛躍的に向上させた半導体装置が提供で
きる効果がある。
Ａｓとし、上記保護層をＧａＡｓとし、上記ハロゲン系
ガスを含むガスとして、ＨＣｌガス，水素ガス，及びＡ
ｓＨ3 ガスからなる混合ガスを用いるようにしたから、
再成長界面への不純物の蓄積を排除し、かつ連続成長と
比較して遜色のない結晶性を備えた再成長層が得られ、
デバイス特性を飛躍的に向上させた半導体装置が提供で
きる効果がある。
【０１０５】また、上記保護層をIII −Ｖ族化合物半導
体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとして、上記保
護層を構成するＶ族元素を構成元素に含むガスを含むも
のを用いるようにしたから、上記保護層表面から酸化膜
を除去する際の該保護層結晶表面からのＶ族元素の脱離
を調整することができ、より再成長界面の清浄性、及び
再成長層の結晶性に優れた半導体装置を提供できる効果
がある。
体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとして、上記保
護層を構成するＶ族元素を構成元素に含むガスを含むも
のを用いるようにしたから、上記保護層表面から酸化膜
を除去する際の該保護層結晶表面からのＶ族元素の脱離
を調整することができ、より再成長界面の清浄性、及び
再成長層の結晶性に優れた半導体装置を提供できる効果
がある。
【０１０６】また、上記保護層と上記Ａｌを含む半導体
層、あるいは上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及
び上記下地半導体層のドライエッチングとしてガスエッ
チングを用い、このガスエッチングに使用するガスを、
上記ハロゲン系ガスを含むガスと同一成分のガスとした
から、上記保護層の結晶表面の酸化膜を除去する工程か
ら上記保護層と上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記
保護層，Ａｌを含む半導体層，及び下地半導体層のドラ
イエッチング工程へと移行する際に、ガスを切り換える
操作が不要となり、作業効率を向上させることができる
効果がある。
層、あるいは上記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及
び上記下地半導体層のドライエッチングとしてガスエッ
チングを用い、このガスエッチングに使用するガスを、
上記ハロゲン系ガスを含むガスと同一成分のガスとした
から、上記保護層の結晶表面の酸化膜を除去する工程か
ら上記保護層と上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記
保護層，Ａｌを含む半導体層，及び下地半導体層のドラ
イエッチング工程へと移行する際に、ガスを切り換える
操作が不要となり、作業効率を向上させることができる
効果がある。
【０１０７】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保
持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給した
雰囲気下に配置して、第１の半導体層の結晶表面に自然
形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層の結晶表面に、第２の半導体層を結晶成
長させるようにしたから、再成長界面への不純物の蓄積
を排除し、かつ連続成長と比較して遜色のない結晶性を
備えた再成長層が得られ、デバイス特性を飛躍的に向上
させた半導体装置が提供できる効果がある。
法によれば、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保
持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給した
雰囲気下に配置して、第１の半導体層の結晶表面に自然
形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層の結晶表面に、第２の半導体層を結晶成
長させるようにしたから、再成長界面への不純物の蓄積
を排除し、かつ連続成長と比較して遜色のない結晶性を
備えた再成長層が得られ、デバイス特性を飛躍的に向上
させた半導体装置が提供できる効果がある。
【０１０８】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保
持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給した
雰囲気下に配置して、第１の半導体層の結晶表面に自然
形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層を上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向にドライエッチングし、さらに外気と触れない状
態を保持したまま、このドライエッチングにより露出し
た上記第１の半導体層の結晶表面に、第２の半導体層を
結晶成長させるようにしたから、再成長界面への不純物
の蓄積を排除し、かつ連続成長と比較して遜色のない結
晶性を備えた再成長層が得られ、デバイス特性を飛躍的
に向上させた半導体装置が提供できる効果がある。
法によれば、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保
持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを供給した
雰囲気下に配置して、第１の半導体層の結晶表面に自然
形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層を上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向にドライエッチングし、さらに外気と触れない状
態を保持したまま、このドライエッチングにより露出し
た上記第１の半導体層の結晶表面に、第２の半導体層を
結晶成長させるようにしたから、再成長界面への不純物
の蓄積を排除し、かつ連続成長と比較して遜色のない結
晶性を備えた再成長層が得られ、デバイス特性を飛躍的
に向上させた半導体装置が提供できる効果がある。
【０１０９】また、上記第１の半導体層をIII −Ｖ族化
合物半導体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとし
て、上記第１の半導体層を構成するＶ族元素を構成元素
に含むガスを含むものを用いるようにしたから、上記第
１の半導体層の表面の酸化膜を除去する際の上記第１の
半導体層の結晶表面からのＶ族元素の脱離を調整するこ
とができ、より再成長界面の清浄性，及び再成長層の結
晶性に優れた半導体装置を提供できる効果がある。
合物半導体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとし
て、上記第１の半導体層を構成するＶ族元素を構成元素
に含むガスを含むものを用いるようにしたから、上記第
１の半導体層の表面の酸化膜を除去する際の上記第１の
半導体層の結晶表面からのＶ族元素の脱離を調整するこ
とができ、より再成長界面の清浄性，及び再成長層の結
晶性に優れた半導体装置を提供できる効果がある。
【０１１０】また、上記第１の半導体層のドライエッチ
ングとしてガスエッチングを用い、このガスエッチング
に使用するガスを、上記ハロゲン系ガスを含むガスと同
一成分のガスとしたから、上記第１の半導体層の結晶表
面の酸化膜を除去する工程から上記第１の半導体層のド
ライエッチング工程へと移行する際に、ガスを切り換え
る操作が不要となり、作業効率を向上させることができ
る。
ングとしてガスエッチングを用い、このガスエッチング
に使用するガスを、上記ハロゲン系ガスを含むガスと同
一成分のガスとしたから、上記第１の半導体層の結晶表
面の酸化膜を除去する工程から上記第１の半導体層のド
ライエッチング工程へと移行する際に、ガスを切り換え
る操作が不要となり、作業効率を向上させることができ
る。
【０１１１】また、この発明に係る半導体装置によれ
ば、下地半導体層上に結晶成長により連続的に形成した
Ａｌを含む化合物半導体からなる半導体層，及びＡｌを
構成元素として含まない化合物半導体からなる保護層
を、４５０℃以下の温度に保持し、上記保護層及び上記
Ａｌを含む半導体層をハロゲン系ガスを含むガスを供給
した雰囲気下に配置することにより、上記保護層の結晶
表面に自然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲ
ン系ガスを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反
応により除去した後、外気と触れない状態を保持したま
ま、上記保護層，及び上記Ａｌを含む半導体層，あるい
は上記保護層，Ａｌを含む半導体層，及び下地半導体層
を、上記保護層の上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向に上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記下地半
導体層に達するようにドライエッチングし、さらに外気
と触れない状態を保持したまま、上記ドライエッチング
により露出した半導体層の結晶表面に、他の半導体層を
結晶成長してなるものとしたから、再成長界面の清浄性
に優れ、かつ、再成長層の結晶性に優れた半導体装置を
提供できる効果がある。
ば、下地半導体層上に結晶成長により連続的に形成した
Ａｌを含む化合物半導体からなる半導体層，及びＡｌを
構成元素として含まない化合物半導体からなる保護層
を、４５０℃以下の温度に保持し、上記保護層及び上記
Ａｌを含む半導体層をハロゲン系ガスを含むガスを供給
した雰囲気下に配置することにより、上記保護層の結晶
表面に自然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲ
ン系ガスを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反
応により除去した後、外気と触れない状態を保持したま
ま、上記保護層，及び上記Ａｌを含む半導体層，あるい
は上記保護層，Ａｌを含む半導体層，及び下地半導体層
を、上記保護層の上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向に上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記下地半
導体層に達するようにドライエッチングし、さらに外気
と触れない状態を保持したまま、上記ドライエッチング
により露出した半導体層の結晶表面に、他の半導体層を
結晶成長してなるものとしたから、再成長界面の清浄性
に優れ、かつ、再成長層の結晶性に優れた半導体装置を
提供できる効果がある。
【０１１２】また、この発明に係る半導体装置によれ
ば、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、こ
れをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層の上記酸化膜が除去された結晶表面に、
第２の半導体層を結晶成長してなるものとしたから、再
成長界面の清浄性に優れ、かつ、再成長層の結晶性に優
れた半導体装置を提供できる効果がある。
ば、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、こ
れをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層の上記酸化膜が除去された結晶表面に、
第２の半導体層を結晶成長してなるものとしたから、再
成長界面の清浄性に優れ、かつ、再成長層の結晶性に優
れた半導体装置を提供できる効果がある。
【０１１３】また、この発明に係る半導体装置によれ
ば、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、こ
れをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層を上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向にドライエッチングし、さらに外気に触れない状
態を保持したまま、上記ドライエッチングにより露出し
た上記第１の半導体の結晶表面に、第２の半導体層を結
晶成長してなるものとしたから、再成長界面の清浄性に
優れ、かつ、再成長層の結晶性に優れた半導体装置を提
供できる効果がある。
ば、第１の半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、こ
れをハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記第１の半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガス
を構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により
除去した後、外気に触れない状態を保持したまま、上記
第１の半導体層を上記酸化膜が除去された面からその深
さ方向にドライエッチングし、さらに外気に触れない状
態を保持したまま、上記ドライエッチングにより露出し
た上記第１の半導体の結晶表面に、第２の半導体層を結
晶成長してなるものとしたから、再成長界面の清浄性に
優れ、かつ、再成長層の結晶性に優れた半導体装置を提
供できる効果がある。
【０１１４】また、この発明に係る半導体結晶表面のク
リーニング方法によれば、半導体層を４５０℃以下の温
度に保持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを供
給した雰囲気下に配置し、上記半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガ
スを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応によ
り除去するようにしたから、不純物の少ない清浄性に優
れた半導体結晶表面を提供することができる効果があ
る。
リーニング方法によれば、半導体層を４５０℃以下の温
度に保持した後、これをハロゲン系ガスを含むガスを供
給した雰囲気下に配置し、上記半導体層の結晶表面に自
然形成された酸化膜を、この酸化膜と上記ハロゲン系ガ
スを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応によ
り除去するようにしたから、不純物の少ない清浄性に優
れた半導体結晶表面を提供することができる効果があ
る。
【０１１５】また、上記半導体層をIII −Ｖ族化合物半
導体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとして、上記
第１の半導体層を構成するＶ族元素を構成元素に含むガ
スを含むものを用いるようにしたから、上記半導体層の
結晶表面の酸化膜を除去する際の上記第１の半導体層の
結晶表面からのＶ族元素の脱離を調整することができ、
より結晶性に優れた半導体結晶表面を提供することがで
きる効果がある。
導体とし、上記ハロゲン系ガスを含むガスとして、上記
第１の半導体層を構成するＶ族元素を構成元素に含むガ
スを含むものを用いるようにしたから、上記半導体層の
結晶表面の酸化膜を除去する際の上記第１の半導体層の
結晶表面からのＶ族元素の脱離を調整することができ、
より結晶性に優れた半導体結晶表面を提供することがで
きる効果がある。
【０１１６】また、この発明に係る半導体装置によれ
ば、半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、該半導体
層をハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記半導体層の結晶表面に自然形成
された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成
する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去し
てなるものとしたから、再成長界面の清浄性に優れ、か
つ、再成長層の結晶性に優れた半導体装置を提供できる
効果がある。
ば、半導体層を４５０℃以下の温度に保持し、該半導体
層をハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配
置することにより、上記半導体層の結晶表面に自然形成
された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成
する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去し
てなるものとしたから、再成長界面の清浄性に優れ、か
つ、再成長層の結晶性に優れた半導体装置を提供できる
効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例の効果を説明するため
のＳＩＭＳ分析結果を示した図である。
のＳＩＭＳ分析結果を示した図である。
【図２】この発明の第１の実施例による半導体装置の製
造方法を説明するための図である。
造方法を説明するための図である。
【図３】この発明の第１の実施例における成長シーケン
スの一例を示す図である。
スの一例を示す図である。
【図４】この発明の第２の実施例における成長シーケン
スの一例を示す図である。
スの一例を示す図である。
【図５】この発明の第１の実施例における、低温ＨＣｌ
処理，ＨＣｌガスエッチング後、ウエハを他のチャンバ
に搬送して再結晶成長を行う場合の成長シーケンスの一
例を示す図である。
処理，ＨＣｌガスエッチング後、ウエハを他のチャンバ
に搬送して再結晶成長を行う場合の成長シーケンスの一
例を示す図である。
【図６】この発明の第２の実施例におけるＧａＡｓ層に
対するエッチング速度とエッチング温度との関係を示す
グラフである。
対するエッチング速度とエッチング温度との関係を示す
グラフである。
【図７】この発明の第３の実施例におけるヘテロジャン
クションバイポーラトランジスタの製造工程を示す断面
構造図である。
クションバイポーラトランジスタの製造工程を示す断面
構造図である。
【図８】従来のドライエッチングとエピタキシャル成長
を組み合わせた複合プロセスの成長シーケンスを示した
図である。
を組み合わせた複合プロセスの成長シーケンスを示した
図である。
【図９】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
図である。
図である。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法を説明するため
の図である。
の図である。
【図１１】従来の他の半導体装置の製造方法を説明する
ための図である。
ための図である。
【図１２】この発明の第４の実施例による埋め込みリッ
ジ型半導体レーザの製造方法を示す断面図である。
ジ型半導体レーザの製造方法を示す断面図である。
【図１３】この発明の第５の実施例による埋め込みリッ
ジ型半導体レーザの製造方法を示す断面図である。
ジ型半導体レーザの製造方法を示す断面図である。
【図１４】この発明の第７の実施例による半導体装置の
製造方法を示す断面図である。
製造方法を示す断面図である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ ＡｌＧａＡｓ層 ３ ＧａＡｓキャップ層 ４ ＧａＡｓ再成長層 ５ 再成長界面 ６ 酸化膜 ６ａ 酸化膜 ７ 酸化変性層 ８ ＳｉＮ膜 ９ 硫黄膜 １０ Ｓ．Ｉ．ＧａＡｓ基板 １１ ｎ+ −ＧａＡｓ層 １２ ｎ−ＧａＡｓ層 １３ ｐ+ −ＡｌＧａＡｓベース層 １４ ｐ+ −ＧａＡｓキャップ層 １５ ＳｉＮ膜 １６ ｐ+ −ＧａＡｓ外部ベース層 １７ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １８ ＳｉＯ膜 １９ ｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層 ２０，２６ ｎ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ２１，２４，３６ ＳｉＮ膜 ２２ 開口部 ２３ リセス ２５ ｎ+ −ＧａＡｓコレクタ層 ２７ コレクタ電極 ２８ ベース電極 ２９ エミッタ電極 ３１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ３２ ｎ−ＡｌＧａＡｓ層 ３３ 活性層（量子井戸構造） ３４ ｐ−ＡｌＧａＡｓ層 ３５ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ３７ ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層 ３８ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ３９ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ４０ 高抵抗ＧａＡｓ電流ブロック層 ５０ 絶縁膜 ５１ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/331 29/73 Ｈ０１Ｓ 3/18 Ｈ０１Ｌ 29/205 29/72
Claims (19)
- 【請求項１】 下地半導体層上に、Ａｌを構成元素とし
て含む化合物半導体よりなる半導体層，及びＡｌを構成
元素として含まない化合物半導体からなる保護層を連続
して結晶成長により形成する工程と、 上記Ａｌを含まない保護層及び上記Ａｌを含む半導体層
を４５０℃以下の温度に保持し、上記保護層，及び上記
Ａｌを含む半導体層をハロゲン系ガスを含むガスを供給
した雰囲気下に配置することにより、上記保護層の結晶
表面に自然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲ
ン系ガスを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反
応により除去する工程と、 上記雰囲気を、上記保護層が外気に触れないよう上記保
護層，及び上記Ａｌを含む半導体層、あるいは上記保護
層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導体層を
ドライエッチングする雰囲気に変え、上記保護層，及び
上記Ａｌを含む半導体層、あるいは上記保護層，上記Ａ
ｌを含む半導体層，及び上記下地半導体層を、上記保護
層の上記酸化膜が除去された面からその深さ方向に上記
Ａｌを含む半導体層，あるいは上記下地半導体層に達す
るようにドライエッチングする工程と、 上記ドライエッチング用雰囲気を、上記ドライエッチン
グにより露出した半導体層の結晶表面が外気に触れない
よう結晶成長用雰囲気に変えて、上記ドライエッチング
により露出した半導体層の結晶表面に、他の半導体層を
結晶成長させる工程とを備えたことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 上記Ａｌを含む半導体層は、ＡｌＧａＡｓであり、 上記保護層はＧａＡｓであり、 上記ハロゲン系ガスを含むガスは、ＨＣｌガス，水素ガ
ス，及びアルシン（ＡｓＨ3 ）ガスからなる混合ガスで
あることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 上記保護層はIII −Ｖ族化合物半導体からなり、 上記ハロゲン系ガスを含むガスは、上記保護層を構成す
るＶ族元素を構成元素として含むガスを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 上記ハロゲン系ガスはＨＣｌガスであることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 上記保護層，及び上記Ａｌを含む半導体層、あるいは上
記保護層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導
体層のドライエッチングは、ガスエッチングであり、該
ガスエッチングに用いられるガスは、上記ハロゲン系ガ
スを含むガスであることを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 上記Ａｌを含む半導体層は、Ａｌを構成元素として含む
層を含む複数の層により構成されていることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 第１の半導体層を４５０℃以下の温度に
保持し、該第１の半導体層をハロゲン系ガスを含むガス
を供給した雰囲気下に配置することにより、上記第１の
半導体層の結晶表面に自然形成された酸化膜を、該酸化
膜と上記ハロゲン系ガスを構成する元素との吸着及び脱
離の連続的な反応により除去する工程と、 上記雰囲気を、上記第１の半導体が外気に触れないよう
結晶成長用雰囲気に変えて、上記第１の半導体層の上記
酸化膜が除去された結晶表面に、第２の半導体層を結晶
成長させる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項８】 第１の半導体層を４５０℃以下の温度に
保持し、該第１の半導体層をハロゲン系ガスを含むガス
を供給した雰囲気下に配置することにより、上記第１の
半導体層の結晶表面に自然形成された酸化膜を、該酸化
膜と上記ハロゲン系ガスを構成する元素との吸着及び脱
離の連続的な反応により除去する工程と、 上記雰囲気を、上記第１の半導体層が外気に触れないよ
う上記第１の半導体層をドライエッチングする雰囲気に
変えて、上記第１の半導体層を上記酸化膜が除去された
面からその深さ方向にドライエッチングする工程と、 上記ドライエッチング用雰囲気を、上記第１の半導体層
が外気に触れないよう結晶成長用雰囲気に変えて、上記
ドライエッチングにより露出した上記第１の半導体層の
結晶表面に、第２の半導体層を結晶成長させる工程とを
備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項７または８に記載の半導体装置の
製造方法において、 上記第１の半導体層はIII −Ｖ族化合物半導体からな
り、 上記ハロゲン系ガスを含むガスは、上記第１の半導体層
を構成するＶ族元素を構成元素として含むガスを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項７または８に記載の半導体装置
の製造方法において、 上記ハロゲン系ガスはＨＣｌガスであることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項８に記載の半導体装置の製造方
法において、 上記第１の半導体層のドライエッチングはガスエッチン
グであり、該ガスエッチングに使用されるガスは、上記
ハロゲン系ガスを含むガスと同一成分のガスであること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 下地半導体層上に結晶成長により連続
的に形成したＡｌを含む化合物半導体からなる半導体
層，及びＡｌを構成元素として含まない化合物半導体か
らなる保護層を、４５０℃以下の温度に保持し、上記保
護層，及び上記Ａｌを含む半導体層をハロゲン系ガスを
含むガスを供給した雰囲気下に配置することにより、上
記保護層の結晶表面に自然形成された酸化膜を、該酸化
膜と上記ハロゲン系ガスを構成する元素との吸着及び脱
離の連続的な反応により除去し、 上記雰囲気を、上記保護層が外気に触れないよう上記保
護層，及び上記Ａｌを含む半導体層，あるいは上記保護
層，上記Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導体層を
ドライエッチングする雰囲気に変えて、上記保護層，及
び上記Ａｌを含む半導体層、あるいは上記保護層，上記
Ａｌを含む半導体層，及び上記下地半導体層を、上記保
護層の上記酸化膜が除去された面からその深さ方向に上
記Ａｌを含む半導体層，あるいは下地半導体層に達する
ようにドライエッチングし、 上記ドライエッチング用雰囲気を、上記エッチングによ
り露出した半導体層の結晶表面が外気に触れないよう結
晶成長用雰囲気に変えて、上記ドライエッチングにより
露出した半導体層の結晶表面に、他の半導体層を結晶成
長してなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の半導体装置の製造方
法において、 上記Ａｌを含む半導体層は、Ａｌを構成元素として含む
層を含む複数の層により構成されていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項１４】 第１の半導体層を４５０℃以下の温度
に保持し、該第１の半導体層をハロゲン系ガスを含むガ
スを供給した雰囲気下に配置することにより、上記第１
の半導体層の結晶表面に自然形成された酸化膜を、該酸
化膜と上記ハロゲン系ガスを構成する元素との吸着及び
脱離の連続的な反応により除去し、 上記雰囲気を、上記第１の半導体層が外気に触れないよ
う結晶成長用雰囲気に変えて、上記第１の半導体層の上
記酸化膜が除去された結晶表面に、第２の半導体層を結
晶成長させてなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１５】 第１の半導体層を４５０℃以下の温度
に保持し、該第１の半導体層をハロゲン系ガスを含むガ
スを供給した雰囲気下に配置することにより、上記第１
の半導体層の結晶表面に自然形成された酸化膜を、該酸
化膜と上記ハロゲン系ガスを構成する元素との吸着及び
脱離の連続的な反応により除去し、 上記雰囲気を、上記第１の半導体層が外気に触れないよ
う上記第１の半導体層をドライエッチングする雰囲気に
変えて、上記第１の半導体層を上記酸化膜が除去された
面からその深さ方向にドライエッチングし、 上記ドライエッチング用雰囲気を、上記第１の半導体層
が外気に触れないよう結晶成長用雰囲気に変えて、上記
ドライエッチングにより露出した上記第１の半導体の結
晶表面に、第２の半導体層を結晶成長させてなることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項１６】 半導体層を４５０℃以下の温度に保持
し、該半導体層をハロゲン系ガスを含むガスを供給した
雰囲気下に配置して、上記半導体層の結晶表面に自然形
成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構
成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去
することを特徴とする半導体結晶表面のクリーニング方
法。 - 【請求項１７】 請求項１６記載の半導体結晶表面のク
リーニング方法において、 上記半導体層はIII −Ｖ族化合物半導体からなり、 上記ハロゲン系ガスを含むガスは、上記半導体層を構成
するＶ族元素を構成元素として含むガスを含むことを特
徴とする半導体結晶表面のクリーニング方法。 - 【請求項１８】 請求項１６記載の半導体結晶表面のク
リーニング方法において、 上記ハロゲン系ガスは、ＨＣｌガスであることを特徴と
する半導体結晶表面のクリーニング方法。 - 【請求項１９】 半導体層を４５０℃以下の温度に保持
し、該半導体層をハロゲン系ガスを含むガスを供給した
雰囲気下に配置することにより、上記半導体層の結晶表
面に自然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン
系ガスを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応
により除去してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05553194A JP3330218B2 (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置の製造方法，及び半導体装置 |
| US08/409,730 US5948161A (en) | 1994-03-25 | 1995-03-24 | Method of fabricating a semiconductor device and method of cleaning a crystalline semiconductor surface |
| GB9506106A GB2288067B (en) | 1994-03-25 | 1995-03-24 | Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device |
| DE19510922A DE19510922A1 (de) | 1994-03-25 | 1995-03-24 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, Verfahren zur Reinigung einer Kristalloberfläche eines Halbleiters sowie Halbleiterbauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05553194A JP3330218B2 (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置の製造方法，及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263355A true JPH07263355A (ja) | 1995-10-13 |
| JP3330218B2 JP3330218B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=13001318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05553194A Expired - Fee Related JP3330218B2 (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置の製造方法，及び半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5948161A (ja) |
| JP (1) | JP3330218B2 (ja) |
| DE (1) | DE19510922A1 (ja) |
| GB (1) | GB2288067B (ja) |
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