JPH01319987A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH01319987A JPH01319987A JP15331488A JP15331488A JPH01319987A JP H01319987 A JPH01319987 A JP H01319987A JP 15331488 A JP15331488 A JP 15331488A JP 15331488 A JP15331488 A JP 15331488A JP H01319987 A JPH01319987 A JP H01319987A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンパクトディスク（ＣＤ） 、ビデオディ
スク、 ＣＤファイル等の光デイスク装置、光通信用光
源等に用いられる半導体レーザの製造方法に関するもの
である。
スク、 ＣＤファイル等の光デイスク装置、光通信用光
源等に用いられる半導体レーザの製造方法に関するもの
である。
半導体レーザの実用化の拡大に伴って、その量産化が望
まれている。従来、半導体レーザを製造する際の薄膜多
層へテロ接合エピタキシャル結晶成長には、液相成長法
（ＬＰＥ法）が用いられているが、このＬＰＥ法は、ウ
ェハの大面積化が困難でありしかも薄膜多層の均−性及
び制御性に劣っているという難点がある。
まれている。従来、半導体レーザを製造する際の薄膜多
層へテロ接合エピタキシャル結晶成長には、液相成長法
（ＬＰＥ法）が用いられているが、このＬＰＥ法は、ウ
ェハの大面積化が困難でありしかも薄膜多層の均−性及
び制御性に劣っているという難点がある。
そこでＬＰＥ法に代わる方法として、有機金属熱分解法
（ＭＯ−ＣＶＤ法）１分子線成長法（ＭＢＥ法）がある
。これらのＭＯ−ＣＶＤ法またはＭＢＥ法の特徴を利用
した半導体レーザの構造としてセルファライン型のもの
が公知である（アプライド・フィジツクス・レター、３
７巻、２６２頁、 １９８０年）。
（ＭＯ−ＣＶＤ法）１分子線成長法（ＭＢＥ法）がある
。これらのＭＯ−ＣＶＤ法またはＭＢＥ法の特徴を利用
した半導体レーザの構造としてセルファライン型のもの
が公知である（アプライド・フィジツクス・レター、３
７巻、２６２頁、 １９８０年）。
第２図はこのセルファライン型の半導体レーザの構造を
示す断面図である。図中１１はｎ−ＧａＡｓ基板を示し
、該ｎ−ＧａＡｓ基板１１上には、ｎ−ＡｔＸＧａ１−
Ｘ Ａｓクラッド層（ｘ ＝０．６．膜厚１．３μｍ）
１２．アンドープＡｌｘ Ｇａ、−ＸＡｓ活性層（ｘ
＝０．１５．膜厚０．０７μｒｎ’）１３、ｐ−八１、
Ｇａ、−ＸＡｓ第１クラッド層（ｘ＝０．６．膜厚０．
４μｍ） １４． ｎ−ＧａＡｓブロック層（膜厚０．
４μｍ）１６＋ Ｉ）−ＡＩＸ Ｇａ、−、Ａｓ第２ク
ラツド７１（ｘ＝０．６．膜厚１．２μｍ）１７及びｐ
−ＧａＡｓコンタクト層（膜厚０．６μｍ）１８がこの
順に積層形成されており、ｎ−ＧａＡｓブロック層１６
はその一部が除去されていて、ストライプ窓が形成され
ている。
示す断面図である。図中１１はｎ−ＧａＡｓ基板を示し
、該ｎ−ＧａＡｓ基板１１上には、ｎ−ＡｔＸＧａ１−
Ｘ Ａｓクラッド層（ｘ ＝０．６．膜厚１．３μｍ）
１２．アンドープＡｌｘ Ｇａ、−ＸＡｓ活性層（ｘ
＝０．１５．膜厚０．０７μｒｎ’）１３、ｐ−八１、
Ｇａ、−ＸＡｓ第１クラッド層（ｘ＝０．６．膜厚０．
４μｍ） １４． ｎ−ＧａＡｓブロック層（膜厚０．
４μｍ）１６＋ Ｉ）−ＡＩＸ Ｇａ、−、Ａｓ第２ク
ラツド７１（ｘ＝０．６．膜厚１．２μｍ）１７及びｐ
−ＧａＡｓコンタクト層（膜厚０．６μｍ）１８がこの
順に積層形成されており、ｎ−ＧａＡｓブロック層１６
はその一部が除去されていて、ストライプ窓が形成され
ている。
このような構成をなす半導体レーザは、以下のような工
程にて製造される。まずＭＢＥ法を用いてｎ−ＧａＡｓ
基板１１上にｎ−Ａ１． Ｇａ、ＸＡｓクラッド層１２
゜アンドープＡ１． Ｇａｐ−、＾Ｓ活性層１３＋ ｐ
−Ａ１． Ｇａｐ−、Ａｓ第１クラフト層１４＋ ｎ−
ＧａＡｓブロック層１６の各層を順次成長させた後、−
旦成長結晶を取り出してｎ−ＧａＡｓブロック層１６の
一部を選択的に化学エツチングし、その後ｐ−Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘＡｓ第２クラッド層１７及びｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層１８を成長させる。
程にて製造される。まずＭＢＥ法を用いてｎ−ＧａＡｓ
基板１１上にｎ−Ａ１． Ｇａ、ＸＡｓクラッド層１２
゜アンドープＡ１． Ｇａｐ−、＾Ｓ活性層１３＋ ｐ
−Ａ１． Ｇａｐ−、Ａｓ第１クラフト層１４＋ ｎ−
ＧａＡｓブロック層１６の各層を順次成長させた後、−
旦成長結晶を取り出してｎ−ＧａＡｓブロック層１６の
一部を選択的に化学エツチングし、その後ｐ−Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘＡｓ第２クラッド層１７及びｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層１８を成長させる。
ところがｐ−ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ第１クラツドＪｉｉ
１４のＡＩの液晶比はｘ＝０．６であるので、上述した
製造工程の選択的エツチングの際に、ｐ−＾ｌＸＧａ＋
−ｘ Ａｓ第１クラッド層１４上面に高抵抗Ｎ１９が生
じる。この高抵抗層１９の発生は、選択的エツチングの
際に生じる酸化層と大気露出に伴う炭素汚染層とに起因
しており、この高抵抗層の存在により、半導体レーザの
Ｖ−１特性が阻害され、また活性層での発光が吸収され
る。
１４のＡＩの液晶比はｘ＝０．６であるので、上述した
製造工程の選択的エツチングの際に、ｐ−＾ｌＸＧａ＋
−ｘ Ａｓ第１クラッド層１４上面に高抵抗Ｎ１９が生
じる。この高抵抗層１９の発生は、選択的エツチングの
際に生じる酸化層と大気露出に伴う炭素汚染層とに起因
しており、この高抵抗層の存在により、半導体レーザの
Ｖ−１特性が阻害され、また活性層での発光が吸収され
る。
このような高抵抗層１９の発生を防止する半導体レーザ
として第３図にその構造を示すものが提案されている（
特開昭６２−１４１７９６号公報）。
として第３図にその構造を示すものが提案されている（
特開昭６２−１４１７９６号公報）。
第３図において第２図と同番号は同一部分を示し、ここ
ではその説明を省略する。この例にあっては、ｐ−＾ｌ
ＸＧａ、−ＸＡｓ第１クラフトＪｉ１４とｎ−ＧａＡｓ
ブロック１Ｗ１６との間に、ｐ−Ａ１． Ｇａ、−、Ａ
ｓ高抵抗抑制層（ｘ ＝ ０〜０．３．膜厚０．０５μ
ｍ） １５が形成されている。またその製造工程は、前
述の工程と同様にＭＢＥ法を用いてｎ−ＧａＡｓ基板１
１上にｎ−Ａ１． ｃａｔ−ｘ Ａｓクラッド層１２．
アンドープＡＩＸＧａｐ−ｘＡｓ活性層１３゜ｐ−Ａ１
． Ｇａ、−、Ａｓ第１クラッド層１４の各層を順次成
長させた後、ｐ−［、Ｇａ１−ｘ Ａｓ高抵抗抑制層１
５及びｎ−ＧａＡｓブロック層１６の各層を順次成長さ
せ、次いで前述の工程と同様にｎ−ＧａＡｓブロック層
１６に選択的エツチングを施した後、１）−Ａｌｌｌ
Ｇａ１−、 Ａｓ第２クラッド層１７及びｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層１８を成長させる。
ではその説明を省略する。この例にあっては、ｐ−＾ｌ
ＸＧａ、−ＸＡｓ第１クラフトＪｉ１４とｎ−ＧａＡｓ
ブロック１Ｗ１６との間に、ｐ−Ａ１． Ｇａ、−、Ａ
ｓ高抵抗抑制層（ｘ ＝ ０〜０．３．膜厚０．０５μ
ｍ） １５が形成されている。またその製造工程は、前
述の工程と同様にＭＢＥ法を用いてｎ−ＧａＡｓ基板１
１上にｎ−Ａ１． ｃａｔ−ｘ Ａｓクラッド層１２．
アンドープＡＩＸＧａｐ−ｘＡｓ活性層１３゜ｐ−Ａ１
． Ｇａ、−、Ａｓ第１クラッド層１４の各層を順次成
長させた後、ｐ−［、Ｇａ１−ｘ Ａｓ高抵抗抑制層１
５及びｎ−ＧａＡｓブロック層１６の各層を順次成長さ
せ、次いで前述の工程と同様にｎ−ＧａＡｓブロック層
１６に選択的エツチングを施した後、１）−Ａｌｌｌ
Ｇａ１−、 Ａｓ第２クラッド層１７及びｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層１８を成長させる。
ところがこのような構造の半導体レーザにあっても、薄
膜の高抵抗層の発生は避けられないという問題点がある
。
膜の高抵抗層の発生は避けられないという問題点がある
。
また光吸収を生じるトラップ準位が高い変性層２９が発
生し、ｐ−クラフト層内に光が吸収されるという問題点
がある。
生し、ｐ−クラフト層内に光が吸収されるという問題点
がある。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、再成
長の前に発生する高抵抗層を除去すると共に、変性層を
除去してｐ−クラッド層内での光吸収を防止する半導体
レーザの製造方法を提供することを目的とする。
長の前に発生する高抵抗層を除去すると共に、変性層を
除去してｐ−クラッド層内での光吸収を防止する半導体
レーザの製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体レーザの製造方法は、分子線成長法
と化学エツチングとを用いて、活性層を含むＧａＡｌＡ
ｓダブルヘテロ構造をＧａＡｓ基板上に形成する半導体
レーザの製造方法において、化学エツチングの際に生じ
る酸化膜を除去するためのＨ２ガス雰囲気での熱的処理
工程と、この熱的処理工程後に生じる自然酸化膜及び化
学エツチングの際に生じる変性層を除去するための砒素
を主成分とする高真空雰囲気での熱的エツチング工程と
を有することを特徴とする。
と化学エツチングとを用いて、活性層を含むＧａＡｌＡ
ｓダブルヘテロ構造をＧａＡｓ基板上に形成する半導体
レーザの製造方法において、化学エツチングの際に生じ
る酸化膜を除去するためのＨ２ガス雰囲気での熱的処理
工程と、この熱的処理工程後に生じる自然酸化膜及び化
学エツチングの際に生じる変性層を除去するための砒素
を主成分とする高真空雰囲気での熱的エツチング工程と
を有することを特徴とする。
本発明の半導体レーザの製造方法にあっては、酸化性が
大きいＩ）−Ａｌｌｌ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層の上面に高
抵抗抑制層を付加しておくことにより、ｎ−ＧａＡｓブ
ロック層に対する化学エツチングの際に発生する酸化膜
を低減させると共に、発生した酸化膜をＨ２ガス雰囲気
にて熱処理して完全に除去する。また、この熱処理から
ＭＢＥの反応系内への装着の際に生じる自然酸化膜を、
砒素を主成分とする高真空雰囲気にて熱的エツチングに
て除去すると共に、この熱的エツチングによって、変性
層を除去する。そうすると再成長の初期に見られるトラ
ップ準位の発生が防止され、トラップ準位が少ない第２
クラッド層を形成することができる。
大きいＩ）−Ａｌｌｌ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層の上面に高
抵抗抑制層を付加しておくことにより、ｎ−ＧａＡｓブ
ロック層に対する化学エツチングの際に発生する酸化膜
を低減させると共に、発生した酸化膜をＨ２ガス雰囲気
にて熱処理して完全に除去する。また、この熱処理から
ＭＢＥの反応系内への装着の際に生じる自然酸化膜を、
砒素を主成分とする高真空雰囲気にて熱的エツチングに
て除去すると共に、この熱的エツチングによって、変性
層を除去する。そうすると再成長の初期に見られるトラ
ップ準位の発生が防止され、トラップ準位が少ない第２
クラッド層を形成することができる。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明に係る半導体レーザの製造方法の工程を
示す断面図である。まず導電性のｎ−ＧａＡｓ基板１を
ＭＢＢ反応系に装着し、該ｎ−ＧａＡｓ基板ｌ上に、Ｍ
ＢＥ法を用いて、ｎ−Ａ１． Ｇａ、−ＸＡｓクランド
層（Ｘ ＝０．６＋Ｓｉ ＝ Ｉ Ｘ ＩＱ”Ｃｌ１１
−”、膜厚１．３μｍ＞２゜アンドープＡＩＸ Ｇａ１
−ＸＡｓ活性層（ｘ＝０．１５．膜厚０．０７μｍ）
３＋ ｐ−Ａｌｘ Ｇａｐ−ｘへＳ第１クラフト層（ｘ
＝０．６．Ｂｅ＝ １ ×１０＋１１ｃｆｆｉ−３．
膜厚０．４μｍ）４゜ｐ−Ａ１． Ｇａ、−８Ａｓ高抵
抗抑制層（ｘ ＝０．２．Ｂｅ＝ ２ｘ１０”ｅｆｆｌ
−’、膜厚０．０８μｍ）５及びｎ−ＧａＡｓブロック
層（Ｓｉ ＝ Ｉ Ｘ ＩＱＩｌｌａｍ−３，膜厚０．
４．ｃｒｍ） ６を順次成長させる（第１図＋ａｌ参照
）。
示す断面図である。まず導電性のｎ−ＧａＡｓ基板１を
ＭＢＢ反応系に装着し、該ｎ−ＧａＡｓ基板ｌ上に、Ｍ
ＢＥ法を用いて、ｎ−Ａ１． Ｇａ、−ＸＡｓクランド
層（Ｘ ＝０．６＋Ｓｉ ＝ Ｉ Ｘ ＩＱ”Ｃｌ１１
−”、膜厚１．３μｍ＞２゜アンドープＡＩＸ Ｇａ１
−ＸＡｓ活性層（ｘ＝０．１５．膜厚０．０７μｍ）
３＋ ｐ−Ａｌｘ Ｇａｐ−ｘへＳ第１クラフト層（ｘ
＝０．６．Ｂｅ＝ １ ×１０＋１１ｃｆｆｉ−３．
膜厚０．４μｍ）４゜ｐ−Ａ１． Ｇａ、−８Ａｓ高抵
抗抑制層（ｘ ＝０．２．Ｂｅ＝ ２ｘ１０”ｅｆｆｌ
−’、膜厚０．０８μｍ）５及びｎ−ＧａＡｓブロック
層（Ｓｉ ＝ Ｉ Ｘ ＩＱＩｌｌａｍ−３，膜厚０．
４．ｃｒｍ） ６を順次成長させる（第１図＋ａｌ参照
）。
次に前記ｎ−ＧａＡｓブロック層６に対して、幅４μｍ
のストライプ状に化学エツチング（リン酸１：過酸化水
素２：純水５０）を深さ０．４μｍに亘って施す。この
際、ｐ−ＡｌえＧａｐ−ｘ＾Ｓ第１クラッド層４の上面
にはｐ−Ａ１． Ｇａｐ−ＸＡｓ高抵抗抑制層５が形成
されているので、ｐ−Ａ１． Ｇａ、−ＸＡｓ第１クラ
ッド層４はエツチングされずに、ＡＩ液晶比（ｘ＝０．
２）が小さいｐ−Ａ１． Ｇａ１−、 Ａｓ高抵抗抑制
層５がエツチングされるので、発生する酸化膜は１０〜
２０人と極めて薄い。
のストライプ状に化学エツチング（リン酸１：過酸化水
素２：純水５０）を深さ０．４μｍに亘って施す。この
際、ｐ−ＡｌえＧａｐ−ｘ＾Ｓ第１クラッド層４の上面
にはｐ−Ａ１． Ｇａｐ−ＸＡｓ高抵抗抑制層５が形成
されているので、ｐ−Ａ１． Ｇａ、−ＸＡｓ第１クラ
ッド層４はエツチングされずに、ＡＩ液晶比（ｘ＝０．
２）が小さいｐ−Ａ１． Ｇａ１−、 Ａｓ高抵抗抑制
層５がエツチングされるので、発生する酸化膜は１０〜
２０人と極めて薄い。
次いでこのような成長結晶を、高純度Ｈ２ガス雰囲気の
反応管に載置し、十分にＨ２ガス置換を行った後、予め
４００℃に昇温した可動式電気炉を前記成長結晶に移動
させ、２〜５分間に亘って該結晶の熱処理を行って酸化
膜を除去する。熱処理された結晶がＨ２ガス雰囲気にて
室温に達した後、この結晶を反応管から取出して、速や
かにＭＢＥ反応系に再び装着する。この際ｐ−ＡＩ、Ｇ
ａ、−ＸＡｓ高抵抗抑制層５表面には、自然酸化膜及び
変性層９が生じている（第１図（ｂ））。
反応管に載置し、十分にＨ２ガス置換を行った後、予め
４００℃に昇温した可動式電気炉を前記成長結晶に移動
させ、２〜５分間に亘って該結晶の熱処理を行って酸化
膜を除去する。熱処理された結晶がＨ２ガス雰囲気にて
室温に達した後、この結晶を反応管から取出して、速や
かにＭＢＥ反応系に再び装着する。この際ｐ−ＡＩ、Ｇ
ａ、−ＸＡｓ高抵抗抑制層５表面には、自然酸化膜及び
変性層９が生じている（第１図（ｂ））。
Ａｓ４の分子強度を２ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒとし、装
着した結晶を７５０℃に昇温させた後、５〜１５分間に
亘って熱的エツチングを行って、約５人の自然酸化膜及
び変性Ｎ９を除去する。なおこの熱的エツチングにより
、０．０５μｍのｐ−ＡｌＸＧａ１−ｘ＾Ｓ高抵抗抑制
Ｎ５がエツチングされる。また予めＨ２雰囲気での熱処
理により酸化膜が除去されているので、熱的エツチング
前の酸化膜は、ＭＢＢ反応系への装着までの間に生じる
自然酸化膜だけであり、その膜厚は５０程度であるので
、熱的エツチングを容易に行なえる。
着した結晶を７５０℃に昇温させた後、５〜１５分間に
亘って熱的エツチングを行って、約５人の自然酸化膜及
び変性Ｎ９を除去する。なおこの熱的エツチングにより
、０．０５μｍのｐ−ＡｌＸＧａ１−ｘ＾Ｓ高抵抗抑制
Ｎ５がエツチングされる。また予めＨ２雰囲気での熱処
理により酸化膜が除去されているので、熱的エツチング
前の酸化膜は、ＭＢＢ反応系への装着までの間に生じる
自然酸化膜だけであり、その膜厚は５０程度であるので
、熱的エツチングを容易に行なえる。
最後に、ｐ−ＡｌＸＧａ、−ＸＡｓ第２クラッド層（ｘ
＝０．６．Ｂｅ＝ ４ ＸＩＯ”ａｍ−’、膜厚１．２
μｍ）？及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層（Ｂｅ＝ ４
ＸＩＯ”ｃｌｌｌ−’、膜厚０．６μｍ）８を、ＭＢＥ
法を用いてこの順に成長させて半導体レーザを得る（第
１図（Ｃ））。
＝０．６．Ｂｅ＝ ４ ＸＩＯ”ａｍ−’、膜厚１．２
μｍ）？及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層（Ｂｅ＝ ４
ＸＩＯ”ｃｌｌｌ−’、膜厚０．６μｍ）８を、ＭＢＥ
法を用いてこの順に成長させて半導体レーザを得る（第
１図（Ｃ））。
このようにして熱的エツチングを施した清浄界面１０を
有するｐ−Ａｌｘ Ｇａ、−ＸＡｓクラッド層を用いて
製造した半導体レーザでは、高抵抗層に伴うＶ−１特性
の劣化、変性層における発光の吸収等の異常が見られな
い。
有するｐ−Ａｌｘ Ｇａ、−ＸＡｓクラッド層を用いて
製造した半導体レーザでは、高抵抗層に伴うＶ−１特性
の劣化、変性層における発光の吸収等の異常が見られな
い。
以上詳述した如く本発明の製造方法では、Ｈ２ガス雰囲
気での熱処理により、化学エツチングに伴う酸化膜を除
去し、また砒素を主成分とする高真空雰囲気での熱的エ
ツチングにより、自然酸化膜及び変性層を除去すること
としているので、高抵抗層の発生に起因するＶ−Ｉ特性
の劣化を防止すると共に、活性層での発光の吸収を防止
することができる。この結果ＭＢ２法を用いて再現性に
優れたセルファライン型の半導体レーザを量産できる等
、本発明は優れた効果を奏する。
気での熱処理により、化学エツチングに伴う酸化膜を除
去し、また砒素を主成分とする高真空雰囲気での熱的エ
ツチングにより、自然酸化膜及び変性層を除去すること
としているので、高抵抗層の発生に起因するＶ−Ｉ特性
の劣化を防止すると共に、活性層での発光の吸収を防止
することができる。この結果ＭＢ２法を用いて再現性に
優れたセルファライン型の半導体レーザを量産できる等
、本発明は優れた効果を奏する。
第１図は本発明の半導体レーザの製造方法の工程を示す
断面図、第２図、第３図は従来の半導体レーザの構造を
示す断面図である。
断面図、第２図、第３図は従来の半導体レーザの構造を
示す断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、分子線成長法と化学エッチングとを用いて、活性層
を含むＧａＡｌＡｓダブルヘテロ構造をＧａＡｓ基板上
に形成する半導体レーザの製造方法において、 化学エッチングの際に生じる酸化膜を除去 するためのＨ＿２ガス雰囲気での熱的処理工程と、この
熱的処理工程後に生じる自然酸化膜及び化学エッチング
の際に生じる変性層を除去するための砒素を主成分とす
る高真空雰囲気での熱的エッチング工程とを有すること
を特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15331488A JPH01319987A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15331488A JPH01319987A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319987A true JPH01319987A (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=15559785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15331488A Pending JPH01319987A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01319987A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03268471A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-11-29 | Sharp Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15331488A patent/JPH01319987A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03268471A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-11-29 | Sharp Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
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