JP2001196694A - 半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＭＢＥ法により結晶性の良いＩｎＧａＡｌＰ
系半導体層を作製するため、Ｉｎの再蒸発が生じる温度
まで成長温度を高くしても結晶性が劣化しないようにす
る。 【解決手段】 （１００）面から［０１１］方向に７°
〜１５°傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板１上にＧａ
Ａｓよりなるバッファ層２及びＧａＩｎＰよりなるバッ
ファ層３をＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）に
より形成後、バンドギャップＥgcのＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層４，６、及びバンドギャップＥgaのＡｌＧａＩｎ
Ｐ活性層５を含む半導体層を含む半導体層をＭＢＥ法に
より形成する。III族の元素の量を調整してＥga＜Ｅgc
とする。また、半導体レーザ素子は［０１−１］方向に
延伸するリッジストライプを有する。
系半導体層を作製するため、Ｉｎの再蒸発が生じる温度
まで成長温度を高くしても結晶性が劣化しないようにす
る。 【解決手段】 （１００）面から［０１１］方向に７°
〜１５°傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板１上にＧａ
Ａｓよりなるバッファ層２及びＧａＩｎＰよりなるバッ
ファ層３をＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）に
より形成後、バンドギャップＥgcのＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層４，６、及びバンドギャップＥgaのＡｌＧａＩｎ
Ｐ活性層５を含む半導体層を含む半導体層をＭＢＥ法に
より形成する。III族の元素の量を調整してＥga＜Ｅgc
とする。また、半導体レーザ素子は［０１−１］方向に
延伸するリッジストライプを有する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。特に、低
温でＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を成長することが可能な
ＭＢＥ法を用いて製造することによって良好な結晶性を
得、発振閾値が低く、発光効率が高い、半導体レーザ素
子及びその製造方法に関する。
半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。特に、低
温でＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を成長することが可能な
ＭＢＥ法を用いて製造することによって良好な結晶性を
得、発振閾値が低く、発光効率が高い、半導体レーザ素
子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子は、
光ディスクシステム、レーザプリンタ、バーコードリー
ダなど多くの分野において光源として用いられており、
従来より盛んに研究開発が行われている。ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザ素子及びその製造方法に関する先行技
術としては、例として特開平８−２２８０４１号公報，
特開平８−２２８０４７号公報，特開平６−２９６０６
２号公報，特開平２−１６８６９０号公報，特開平８−
１８１３８５号公報，特開平５−６７８３９号公報，特
開平７−５０４５３号公報，特開平７−５０４５２号公
報，特開平７−２２６９６号公報，特開平６−２７５９
１５号公報などが挙げられる。
光ディスクシステム、レーザプリンタ、バーコードリー
ダなど多くの分野において光源として用いられており、
従来より盛んに研究開発が行われている。ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザ素子及びその製造方法に関する先行技
術としては、例として特開平８−２２８０４１号公報，
特開平８−２２８０４７号公報，特開平６−２９６０６
２号公報，特開平２−１６８６９０号公報，特開平８−
１８１３８５号公報，特開平５−６７８３９号公報，特
開平７−５０４５３号公報，特開平７−５０４５２号公
報，特開平７−２２６９６号公報，特開平６−２７５９
１５号公報などが挙げられる。
【０００３】上記先行技術において、ＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザ素子を構成するＡｌＧａＩｎＰ系結晶層の
成長には主としてＭＯＣＶＤ法が用いられているが、こ
れは他の有力な結晶成長法であるＭＢＥ法に比べて結晶
性の良いものが得られていたためである。しかし、ＭＢ
Ｅ法では半導体レーザ素子の電気特性の改善に重要なｐ
型半導体層のキャリア濃度をＭＯＣＶＤ法より高くでき
ること、該キャリア濃度を達成するための不純物に拡散
の小さいＢｅを用いることができるため、長時間の信頼
性が得られる半導体レーザ素子を実現できること、の２
つの大きな利点がある。このため、ＭＢＥ法により成長
される結晶の、結晶性の改善がＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザ素子の特性改善に有効である。以下にＭＢＥ法を
用いたＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子について説明
する。
半導体レーザ素子を構成するＡｌＧａＩｎＰ系結晶層の
成長には主としてＭＯＣＶＤ法が用いられているが、こ
れは他の有力な結晶成長法であるＭＢＥ法に比べて結晶
性の良いものが得られていたためである。しかし、ＭＢ
Ｅ法では半導体レーザ素子の電気特性の改善に重要なｐ
型半導体層のキャリア濃度をＭＯＣＶＤ法より高くでき
ること、該キャリア濃度を達成するための不純物に拡散
の小さいＢｅを用いることができるため、長時間の信頼
性が得られる半導体レーザ素子を実現できること、の２
つの大きな利点がある。このため、ＭＢＥ法により成長
される結晶の、結晶性の改善がＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザ素子の特性改善に有効である。以下にＭＢＥ法を
用いたＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子について説明
する。
【０００４】図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザ素子の従来の製造方法を示す工程図で
あり、図５（Ｅ）〜図５（Ｇ）は、同じく従来の製造方
法を示す図４（Ａ）〜図４（Ｄ）から続く工程図であ
る。図４（Ａ）に示すように、面方位が（１００）ジャ
ストのｎ型ＧａＡｓ基板２１の主面上にＭＢＥ法（分子
線エピタキシャル成長法：Molecular Beam Epitaxy）に
より成長温度４５０℃で、ｎ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）
0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層２２、Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活
性層２３、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ 0.49Ｐク
ラッド層２４、ノンドープＧａ0.62Ｉｎ0.38Ｐエッチン
グストップ層２５、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ第２クラッド層２６、ｐ型Ｇａ0.5 1Ｉｎ0.49Ｐ中
間層２７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層２８を順次成長
し、次に、この上にＡｌ2Ｏ3膜２９を蒸着する。
Ｐ系半導体レーザ素子の従来の製造方法を示す工程図で
あり、図５（Ｅ）〜図５（Ｇ）は、同じく従来の製造方
法を示す図４（Ａ）〜図４（Ｄ）から続く工程図であ
る。図４（Ａ）に示すように、面方位が（１００）ジャ
ストのｎ型ＧａＡｓ基板２１の主面上にＭＢＥ法（分子
線エピタキシャル成長法：Molecular Beam Epitaxy）に
より成長温度４５０℃で、ｎ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）
0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層２２、Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活
性層２３、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ 0.49Ｐク
ラッド層２４、ノンドープＧａ0.62Ｉｎ0.38Ｐエッチン
グストップ層２５、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ第２クラッド層２６、ｐ型Ｇａ0.5 1Ｉｎ0.49Ｐ中
間層２７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層２８を順次成長
し、次に、この上にＡｌ2Ｏ3膜２９を蒸着する。
【０００５】その後、Ａｌ2Ｏ3膜２９上にレジスト膜３
０を塗布し、フォトエッチングを行ってＡｌ2Ｏ3膜２９
をストライプ状にパターン加工した後、図４（Ｂ）に示
すようにＡｌ2Ｏ3膜２９をマスクとしてエッチングを行
い、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２８、ｐ型Ｇａ0.51Ｉｎ
0.49Ｐ中間層２７、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ第２クラッド層２６を除去することにより、Ａｌ
2Ｏ3膜２９の直下にリッジを形成する。この後、図４
（Ｃ）に示すようにレジスト膜３０を除去した後、２回
目のＭＢＥ成長を行い、リッジ両側にｎ型ＧａＡｓ電流
狭窄層３１を作製する。
０を塗布し、フォトエッチングを行ってＡｌ2Ｏ3膜２９
をストライプ状にパターン加工した後、図４（Ｂ）に示
すようにＡｌ2Ｏ3膜２９をマスクとしてエッチングを行
い、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２８、ｐ型Ｇａ0.51Ｉｎ
0.49Ｐ中間層２７、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ第２クラッド層２６を除去することにより、Ａｌ
2Ｏ3膜２９の直下にリッジを形成する。この後、図４
（Ｃ）に示すようにレジスト膜３０を除去した後、２回
目のＭＢＥ成長を行い、リッジ両側にｎ型ＧａＡｓ電流
狭窄層３１を作製する。
【０００６】この時、Ａｌ2Ｏ3膜２９の表面上には多結
晶状態のＧａＡｓ結晶３２が成長する。次いで、レジス
ト膜３３をスピンナにより塗布する。この場合ｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層３１上にはレジスト３３が塗布される
が、多結晶状態のＧａＡｓ結晶３２上にはレジスト３３
がほとんど塗布されない。この後、表面全体のレジスト
３３をＯ3−ＵＶアッシングして、図４（Ｄ）に示すよ
うにｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層３１上のみにレジスト３３
が塗布されている状態にする。
晶状態のＧａＡｓ結晶３２が成長する。次いで、レジス
ト膜３３をスピンナにより塗布する。この場合ｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層３１上にはレジスト３３が塗布される
が、多結晶状態のＧａＡｓ結晶３２上にはレジスト３３
がほとんど塗布されない。この後、表面全体のレジスト
３３をＯ3−ＵＶアッシングして、図４（Ｄ）に示すよ
うにｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層３１上のみにレジスト３３
が塗布されている状態にする。
【０００７】そして、次に図５（Ｅ）に示すようにレジ
スト３３をマスクとして多結晶状態のＧａＡｓ結晶３２
をエッチング除去する。その後、図５（Ｆ）に示すよう
にレジスト３３を除去し、Ａｌ2Ｏ3膜２９もエッチング
除去する。次いで３回目のＭＢＥ成長を行いｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層３４を作製し、最後にこのようにして作
製した積層構造の上面及びｎ型ＧａＡｓ基板２１の裏面
に、電極３５，３６を形成することにより、図５（Ｇ）
に示すようなＡｌＧａＩｎＰ系赤色半導体レーザ素子が
得られる。
スト３３をマスクとして多結晶状態のＧａＡｓ結晶３２
をエッチング除去する。その後、図５（Ｆ）に示すよう
にレジスト３３を除去し、Ａｌ2Ｏ3膜２９もエッチング
除去する。次いで３回目のＭＢＥ成長を行いｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層３４を作製し、最後にこのようにして作
製した積層構造の上面及びｎ型ＧａＡｓ基板２１の裏面
に、電極３５，３６を形成することにより、図５（Ｇ）
に示すようなＡｌＧａＩｎＰ系赤色半導体レーザ素子が
得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ＭＢＥ法では材料の金
属を分子の形で供給するため、同じ気相成長法であるが
材料を有機金属の形で供給し、半導体基板上で熱分解し
て成長させるＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法：
Metal Organic Chemical Vapor Deposition）に比較し
て低温成長が可能である。また、ＭＯＣＶＤ法の場合に
は成長温度を有機金属の分解温度より高い６００℃〜７
００℃としなければ結晶成長ができない。即ち、Ｉｎ原
子の蒸発温度である５２０℃より高い温度で成長する必
要があるため、供給したＩｎの量に対し成長する結晶の
厚さが薄くなる、いわゆる再蒸発が発生している状態で
の成長となる。再蒸発が生じると結晶の混晶比が、材料
の供給量だけでなく、成長温度により変化するため発振
波長等半導体レーザ素子の光学特性の制御等が困難にな
るという問題がある。
属を分子の形で供給するため、同じ気相成長法であるが
材料を有機金属の形で供給し、半導体基板上で熱分解し
て成長させるＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法：
Metal Organic Chemical Vapor Deposition）に比較し
て低温成長が可能である。また、ＭＯＣＶＤ法の場合に
は成長温度を有機金属の分解温度より高い６００℃〜７
００℃としなければ結晶成長ができない。即ち、Ｉｎ原
子の蒸発温度である５２０℃より高い温度で成長する必
要があるため、供給したＩｎの量に対し成長する結晶の
厚さが薄くなる、いわゆる再蒸発が発生している状態で
の成長となる。再蒸発が生じると結晶の混晶比が、材料
の供給量だけでなく、成長温度により変化するため発振
波長等半導体レーザ素子の光学特性の制御等が困難にな
るという問題がある。
【０００９】しかし、ＭＢＥ法でも結晶性向上のために
はやはり高温側での成長が望ましい。例えば、ＡｌＧａ
ＩｎＰ系材料を４００℃以下で成長した場合、結晶の比
抵抗が高くなって半導体レーザ素子とすることができな
い。これは材料の金属分子が所定の位置に入らないため
に結晶性が悪くなるものと考えられる。ところが、ＭＢ
Ｅ成長法の場合、面方位が（１００）ジャストの基板を
用いた場合、成長温度を４８０℃以上と高くするとフォ
トルミネッセンス発光（以下「ＰＬ」と呼ぶ）のスペク
トルが広くなり、レーザ素子用結晶として好ましくな
い。
はやはり高温側での成長が望ましい。例えば、ＡｌＧａ
ＩｎＰ系材料を４００℃以下で成長した場合、結晶の比
抵抗が高くなって半導体レーザ素子とすることができな
い。これは材料の金属分子が所定の位置に入らないため
に結晶性が悪くなるものと考えられる。ところが、ＭＢ
Ｅ成長法の場合、面方位が（１００）ジャストの基板を
用いた場合、成長温度を４８０℃以上と高くするとフォ
トルミネッセンス発光（以下「ＰＬ」と呼ぶ）のスペク
トルが広くなり、レーザ素子用結晶として好ましくな
い。
【００１０】また、従来例のようにして成長したＡｌＧ
ａＩｎＰ系の半導体層ではＧａＡｓ基板表面の不純物の
影響を受けやすくなり、しばしばモホロジィが劣化した
り、結晶欠陥が発生するという問題が発生する。
ａＩｎＰ系の半導体層ではＧａＡｓ基板表面の不純物の
影響を受けやすくなり、しばしばモホロジィが劣化した
り、結晶欠陥が発生するという問題が発生する。
【００１１】本発明は、（１００）面から［０１１］方
向にθ°傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板上にＭＢＥ
法によりＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層を成長させ、すな
わち結晶性の良いＡｌＧａＩｎＰ半導体層を成長させる
ことにより、発振閾値が低く、発光効率が高い半導体レ
ーザ素子を提供することを目的とする。
向にθ°傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板上にＭＢＥ
法によりＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層を成長させ、すな
わち結晶性の良いＡｌＧａＩｎＰ半導体層を成長させる
ことにより、発振閾値が低く、発光効率が高い半導体レ
ーザ素子を提供することを目的とする。
【００１２】また、本発明は、Ｉｎの再蒸発温度より低
い温度で成長でき、従って、混晶比のバラツキが小さく
安定した特性の得られるＭＢＥ成長法でＡｌＧａＩｎＰ
系の半導体層の結晶性を向上することができ、更にはＧ
ａＡｓ基板表面の不純物の影響を受け難く、その上にＡ
ｌＧａＩｎＰ系の半導体層を成長させた場合に良質なモ
ホロジィを確保し、結晶欠陥を少なくすることができる
製造方法を提供することを目的とする。
い温度で成長でき、従って、混晶比のバラツキが小さく
安定した特性の得られるＭＢＥ成長法でＡｌＧａＩｎＰ
系の半導体層の結晶性を向上することができ、更にはＧ
ａＡｓ基板表面の不純物の影響を受け難く、その上にＡ
ｌＧａＩｎＰ系の半導体層を成長させた場合に良質なモ
ホロジィを確保し、結晶欠陥を少なくすることができる
製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明が前記従来技術に
鑑みてなされたもので、その第１の技術手段は、（１０
０）面から［０１１］方向にθ°傾けた面を主面とする
基板上に、III−Ｖ族化合物半導体層からなるバンドギ
ャップＥgcのクラッド層及びバンドギャップＥ gaの活性
層を積層し、リッジストライプを形成した半導体レーザ
素子において、前記バンドギャップＥga，Ｅgcの関係は
Ｅga＜Ｅgcであり、前記リッジストライプの延びる方向
は［０１−１］方向であることを特徴とする。
鑑みてなされたもので、その第１の技術手段は、（１０
０）面から［０１１］方向にθ°傾けた面を主面とする
基板上に、III−Ｖ族化合物半導体層からなるバンドギ
ャップＥgcのクラッド層及びバンドギャップＥ gaの活性
層を積層し、リッジストライプを形成した半導体レーザ
素子において、前記バンドギャップＥga，Ｅgcの関係は
Ｅga＜Ｅgcであり、前記リッジストライプの延びる方向
は［０１−１］方向であることを特徴とする。
【００１４】さらに、第２の技術手段は、第１の技術手
段の半導体レーザ素子において、（１００）面から［０
１１］方向に傾ける角度θ°は、７°〜１５°であるこ
とを特徴とする。
段の半導体レーザ素子において、（１００）面から［０
１１］方向に傾ける角度θ°は、７°〜１５°であるこ
とを特徴とする。
【００１５】さらに、第３の技術手段は、第１または２
の技術手段の半導体レーザ素子において、前記リッジス
トライプの断面形状は、断面内で前記III−Ｖ族化合物
半導体層の積層方向に延びる軸に対し、軸非対称な形状
であることを特徴とする。
の技術手段の半導体レーザ素子において、前記リッジス
トライプの断面形状は、断面内で前記III−Ｖ族化合物
半導体層の積層方向に延びる軸に対し、軸非対称な形状
であることを特徴とする。
【００１６】さらに、第４の技術手段は、第１乃至３の
技術手段の半導体レーザ素子において、前記リッジスト
ライプの断面形状は、活性層に近い側の幅が広く、遠い
側の幅が狭い形状であり、積層面と前記リッジストライ
プの側面のなす角のうち、鋭角の方の角度が５４．７°
±θ°であることを特徴とする。
技術手段の半導体レーザ素子において、前記リッジスト
ライプの断面形状は、活性層に近い側の幅が広く、遠い
側の幅が狭い形状であり、積層面と前記リッジストライ
プの側面のなす角のうち、鋭角の方の角度が５４．７°
±θ°であることを特徴とする。
【００１７】さらに、第５の技術手段は、第１乃至４の
技術手段の半導体レーザ素子において、前記活性層は、
ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸であり、前記
クラッド層はＡｌＧａＩｎＰであることを特徴とする。
技術手段の半導体レーザ素子において、前記活性層は、
ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸であり、前記
クラッド層はＡｌＧａＩｎＰであることを特徴とする。
【００１８】さらに、第６の技術手段は、第１乃至５の
技術手段の半導体レーザ素子において、前記基板はＧａ
Ａｓであり、該基板上にＧａＡｓよりなるバッファ層を
形成したことを特徴とする。
技術手段の半導体レーザ素子において、前記基板はＧａ
Ａｓであり、該基板上にＧａＡｓよりなるバッファ層を
形成したことを特徴とする。
【００１９】さらに、第７の技術手段は、第１乃至５の
技術手段の半導体レーザ素子において、前記基板はＧａ
Ａｓであり、該基板上にＧａＡｓ及びＧａＩｎＰよりな
るバッファ層を形成したことを特徴とする。
技術手段の半導体レーザ素子において、前記基板はＧａ
Ａｓであり、該基板上にＧａＡｓ及びＧａＩｎＰよりな
るバッファ層を形成したことを特徴とする。
【００２０】さらに、第８の技術手段は、（１００）面
から［０１１］方向にθ°傾けた面を主面とする基板上
に、III−Ｖ族化合物半導体層からなるバンドギャップ
Ｅgcのクラッド層及びバンドギャップＥgaの活性層を積
層し、リッジストライプを形成した半導体レーザ素子の
製造方法において、前記リッジストライプを［０１−
１］方向に延伸させる工程、及び前記リッジストライプ
の表面を化学エッチングする工程を有することを特徴と
する。
から［０１１］方向にθ°傾けた面を主面とする基板上
に、III−Ｖ族化合物半導体層からなるバンドギャップ
Ｅgcのクラッド層及びバンドギャップＥgaの活性層を積
層し、リッジストライプを形成した半導体レーザ素子の
製造方法において、前記リッジストライプを［０１−
１］方向に延伸させる工程、及び前記リッジストライプ
の表面を化学エッチングする工程を有することを特徴と
する。
【００２１】さらに、第９の技術手段は、第８の技術手
段の半導体レーザ素子の製造方法において、前記活性層
及びクラッド層を含むIII−Ｖ族化合物半導体層をＭＢ
Ｅ法により形成することを特徴とする。
段の半導体レーザ素子の製造方法において、前記活性層
及びクラッド層を含むIII−Ｖ族化合物半導体層をＭＢ
Ｅ法により形成することを特徴とする。
【００２２】さらに、第１０の技術手段は、第９の技術
手段の半導体レーザ素子の製造方法において、前記ＭＢ
Ｅ法によるＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ半導体層の成長
温度が４００〜５２０℃の条件で行われることを特徴と
する。
手段の半導体レーザ素子の製造方法において、前記ＭＢ
Ｅ法によるＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ半導体層の成長
温度が４００〜５２０℃の条件で行われることを特徴と
する。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明は、（１００）面から［０
１１］方向にθ°傾けた面を主面とする基板上に、III
−Ｖ族化合物半導体層からなるバンドギャップＥgcのク
ラッド層及びバンドギャップＥgaの活性層を積層してな
る半導体レーザ素子において、Ｅga＜Ｅgcであり、リッ
ジストライプを有し、該リッジストライプの延びる方向
は［０１−１］方向である半導体レーザ素子をＭＢＥ法
により形成する。
１１］方向にθ°傾けた面を主面とする基板上に、III
−Ｖ族化合物半導体層からなるバンドギャップＥgcのク
ラッド層及びバンドギャップＥgaの活性層を積層してな
る半導体レーザ素子において、Ｅga＜Ｅgcであり、リッ
ジストライプを有し、該リッジストライプの延びる方向
は［０１−１］方向である半導体レーザ素子をＭＢＥ法
により形成する。
【００２４】本発明者が鋭意研究した結果、ＧａＡｓ基
板の（１００）面から［０１１］方向に傾ける角度θ°
は、傾斜角θ°を大きくしていくほど、その上に成長さ
れたＡｌＧａＩｎＰ系半導体層のＰＬのスペクトルが広
くなる成長温度が高くなることを見出した。即ち、面方
位が（１００）ジャストの基板を用いた場合、成長温度
が４８０℃、５００℃、５２０℃に対し、ＰＬのスペク
トルの半値幅はそれぞれ８３ｍｅＶ、９４ｍｅＶ、１３
０ｍｅＶと広くなるのに対し、面方位が（１００）から
［０１１］方向に１５°傾いた基板を用いると成長温度
が４８０℃、５００℃、５２０℃に対し、ＰＬのスペク
トルの半値幅はそれぞれ７９ｍｅＶ、６６ｍｅＶ、６８
ｍｅＶと全ての成長温度においてジャスト基板の場合よ
り狭くＩｎの再蒸発が発生する結晶成長温度である５２
０℃までは結晶性が改善していることを見いだした。
板の（１００）面から［０１１］方向に傾ける角度θ°
は、傾斜角θ°を大きくしていくほど、その上に成長さ
れたＡｌＧａＩｎＰ系半導体層のＰＬのスペクトルが広
くなる成長温度が高くなることを見出した。即ち、面方
位が（１００）ジャストの基板を用いた場合、成長温度
が４８０℃、５００℃、５２０℃に対し、ＰＬのスペク
トルの半値幅はそれぞれ８３ｍｅＶ、９４ｍｅＶ、１３
０ｍｅＶと広くなるのに対し、面方位が（１００）から
［０１１］方向に１５°傾いた基板を用いると成長温度
が４８０℃、５００℃、５２０℃に対し、ＰＬのスペク
トルの半値幅はそれぞれ７９ｍｅＶ、６６ｍｅＶ、６８
ｍｅＶと全ての成長温度においてジャスト基板の場合よ
り狭くＩｎの再蒸発が発生する結晶成長温度である５２
０℃までは結晶性が改善していることを見いだした。
【００２５】良く知られているように、半導体レーザの
重要な特性に温度特性Ｔ０がある。Ｔ０とは発振閾値の
温度依存性を表わすパラメータであるがこれが大きいほ
ど実用的な半導体レーザであるといえる。Ｔ０を大きく
するためにはクラッド層のバンドギャップＥgcが活性層
のバンドギャップＥgaよりできるだけ大きくなるように
することが必要である。例えば、活性層がＧａＩｎＰ
（量子井戸活性層では井戸層が発光に寄与するので井戸
層を考える）、クラッド層がＡｌＧａＩｎＰであるＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子では、Ｅgcをできる限り
大きくするためにＡｌ混晶比を間接遷移の影響で実効的
にバンドギャップが低くなる手前の値０．３６７（Ｇａ
との割合では０．７２でＩｎに対するＧａとＡｌの合計
の割合が０．５１）に設定している。ところで、活性層
のバンドギャップは設定波長に合わせ込むために不変で
ある。そうすると、Ｔ０を大きくするためにはＥgcを大
きくするほかない。
重要な特性に温度特性Ｔ０がある。Ｔ０とは発振閾値の
温度依存性を表わすパラメータであるがこれが大きいほ
ど実用的な半導体レーザであるといえる。Ｔ０を大きく
するためにはクラッド層のバンドギャップＥgcが活性層
のバンドギャップＥgaよりできるだけ大きくなるように
することが必要である。例えば、活性層がＧａＩｎＰ
（量子井戸活性層では井戸層が発光に寄与するので井戸
層を考える）、クラッド層がＡｌＧａＩｎＰであるＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子では、Ｅgcをできる限り
大きくするためにＡｌ混晶比を間接遷移の影響で実効的
にバンドギャップが低くなる手前の値０．３６７（Ｇａ
との割合では０．７２でＩｎに対するＧａとＡｌの合計
の割合が０．５１）に設定している。ところで、活性層
のバンドギャップは設定波長に合わせ込むために不変で
ある。そうすると、Ｔ０を大きくするためにはＥgcを大
きくするほかない。
【００２６】ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層においては、
III族元素（Ｐ以外）のＩｎの割合が０．４９であれ
ば、その層はＧａＡｓ基板と結晶格子の長さが等しい、
いわゆる格子整合結晶となる。ＡｌとＧａの相対的な量
は、その層のバンドギャップを変えるが結晶格子の長さ
はほとんど変えない。なお、本発明の実施例における量
子井戸層はＩｎの割合が０．５２と結晶格子がＧａＡｓ
基板より大きく設定されているので圧縮歪みが加わった
歪み超格子となっている。また、活性層のうちＡｌＧａ
ＩｎＰ（５００Å）は光を閉じ込めるためのガイド層で
あり、ＡｌＧａＩｎＰ（５０Å×３）は量子井戸層を分
離して量子効果を発生させるための障壁層である。
III族元素（Ｐ以外）のＩｎの割合が０．４９であれ
ば、その層はＧａＡｓ基板と結晶格子の長さが等しい、
いわゆる格子整合結晶となる。ＡｌとＧａの相対的な量
は、その層のバンドギャップを変えるが結晶格子の長さ
はほとんど変えない。なお、本発明の実施例における量
子井戸層はＩｎの割合が０．５２と結晶格子がＧａＡｓ
基板より大きく設定されているので圧縮歪みが加わった
歪み超格子となっている。また、活性層のうちＡｌＧａ
ＩｎＰ（５００Å）は光を閉じ込めるためのガイド層で
あり、ＡｌＧａＩｎＰ（５０Å×３）は量子井戸層を分
離して量子効果を発生させるための障壁層である。
【００２７】（１００）面から［０１１］方向に傾ける
角度θを大きくしていくと、いわゆる自然超格子が形成
されなくなるので、量子井戸構造であると否とにかかわ
らず、また量子井戸に圧縮歪みや引張り歪みが加えられ
ていると否とにかかわらずＧａＩｎＰ活性層及びＡｌＧ
ａＩｎＰの結晶組成が一定であってもバンドギャップが
大きくなる。したがって、発振波長固定のため、活性層
のバンドギャップを層厚、歪あるいは組成で調整した場
合、θを大きくし、クラッド層のバンドギャップを大き
く取ればＴ０を大きくすることができる。ＭＢＥ法で成
長した結晶の場合、ＧａＡｓ基板の（１００）面から
［０１１］方向に傾ける角度は７゜くらいからこのバン
ドギャップ増大効果が現れてくる。
角度θを大きくしていくと、いわゆる自然超格子が形成
されなくなるので、量子井戸構造であると否とにかかわ
らず、また量子井戸に圧縮歪みや引張り歪みが加えられ
ていると否とにかかわらずＧａＩｎＰ活性層及びＡｌＧ
ａＩｎＰの結晶組成が一定であってもバンドギャップが
大きくなる。したがって、発振波長固定のため、活性層
のバンドギャップを層厚、歪あるいは組成で調整した場
合、θを大きくし、クラッド層のバンドギャップを大き
く取ればＴ０を大きくすることができる。ＭＢＥ法で成
長した結晶の場合、ＧａＡｓ基板の（１００）面から
［０１１］方向に傾ける角度は７゜くらいからこのバン
ドギャップ増大効果が現れてくる。
【００２８】また、本発明の半導体レーザ素子の製造方
法は、（１００）面から［０１１］方向に７°〜１５°
傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板上にＧａＡｓよりな
るバッファ層をＭＢＥ法により形成した後、バンドギャ
ップがＥgcのＡｌＧａＩｎＰクラッド層及びIII族の元
素の量を調整してバンドギャップＥgaがＥga＜Ｅgcとし
たＡｌＧａＩｎＰ活性層を含む半導体層をＭＢＥ法によ
り形成する。なお、ＧａＡｓ基板の（１００）面から
［０１１］方向に傾ける角度θ°については、活性層の
結晶性を良好にする点からは１０°〜１５°とするのが
好ましいが、前記したように自然超格子の形成を防止す
る点からは７°〜１５°とすることができる。
法は、（１００）面から［０１１］方向に７°〜１５°
傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板上にＧａＡｓよりな
るバッファ層をＭＢＥ法により形成した後、バンドギャ
ップがＥgcのＡｌＧａＩｎＰクラッド層及びIII族の元
素の量を調整してバンドギャップＥgaがＥga＜Ｅgcとし
たＡｌＧａＩｎＰ活性層を含む半導体層をＭＢＥ法によ
り形成する。なお、ＧａＡｓ基板の（１００）面から
［０１１］方向に傾ける角度θ°については、活性層の
結晶性を良好にする点からは１０°〜１５°とするのが
好ましいが、前記したように自然超格子の形成を防止す
る点からは７°〜１５°とすることができる。
【００２９】また、本発明の半導体レーザ素子の製造方
法は、（１００）面から［０１１］方向に７°〜１５°
傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板上にＧａＡｓよりな
るバッファ層及びＧａＩｎＰよりなるバッファ層をＭＢ
Ｅ法により形成した後、バンドギャップがＥgcのＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層及びIII族の量を調整してバンドギ
ャップＥgaがＥga＜ＥgcとしたＡｌＧａＩｎＰ活性層を
含む半導体層をＭＢＥ法により形成し、ＡｌＧａＩｎＰ
系の半導体層の成長温度が４００℃〜５２０℃の条件で
行う。
法は、（１００）面から［０１１］方向に７°〜１５°
傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板上にＧａＡｓよりな
るバッファ層及びＧａＩｎＰよりなるバッファ層をＭＢ
Ｅ法により形成した後、バンドギャップがＥgcのＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層及びIII族の量を調整してバンドギ
ャップＥgaがＥga＜ＥgcとしたＡｌＧａＩｎＰ活性層を
含む半導体層をＭＢＥ法により形成し、ＡｌＧａＩｎＰ
系の半導体層の成長温度が４００℃〜５２０℃の条件で
行う。
【００３０】以上のように、（１００）面から［０１
１］方向にθ°傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板の主
面上にＭＢＥ法によりＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層を成
長した場合、その上に成長されたＡｌＧａＩｎＰ系半導
体層のＰＬのスペクトルが狭く、Ｉｎが蒸発する５２０
℃まで成長温度を高くすることができる。即ち、結晶性
の良いＩｎＧａＡｌＰ層を成長することができる。した
がって、発振閾値が低く、発光効率が高いといった特性
の良い半導体レーザ素子を製造することができる。
１］方向にθ°傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板の主
面上にＭＢＥ法によりＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層を成
長した場合、その上に成長されたＡｌＧａＩｎＰ系半導
体層のＰＬのスペクトルが狭く、Ｉｎが蒸発する５２０
℃まで成長温度を高くすることができる。即ち、結晶性
の良いＩｎＧａＡｌＰ層を成長することができる。した
がって、発振閾値が低く、発光効率が高いといった特性
の良い半導体レーザ素子を製造することができる。
【００３１】また、ＭＢＥ法では同様に気相成長法であ
るＭＯＣＶＤ法に比較して低温成長が可能であり、その
ために各成長層の組成制御が容易である。なぜならば通
常ＭＯＣＶＤ法でＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を成長させ
る場合、発光素子としての結晶性のレベルを確保するた
めに６００℃〜７００℃の高温で成長が行われる。しか
し、そのために成長中にＩｎの再蒸発が発生する。した
がって正確な混晶比の制御を行うためには、再蒸発量を
一定に保つ必要があり、そのために通常の材料供給量の
制御に加えて成長温度の正確な制御が必要となる。しか
し、高温での正確な温度制御は難しいため、特にロット
間での混晶比のバラツキが大きくなる。ＭＢＥ法ではＡ
ｌＧａＩｎＰ系を成長させる場合、発光素子としての結
晶性のレベルを確保するのに４００℃〜５２０℃程度の
Ｉｎの再蒸発が生じない低温での成長が可能である。
るＭＯＣＶＤ法に比較して低温成長が可能であり、その
ために各成長層の組成制御が容易である。なぜならば通
常ＭＯＣＶＤ法でＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を成長させ
る場合、発光素子としての結晶性のレベルを確保するた
めに６００℃〜７００℃の高温で成長が行われる。しか
し、そのために成長中にＩｎの再蒸発が発生する。した
がって正確な混晶比の制御を行うためには、再蒸発量を
一定に保つ必要があり、そのために通常の材料供給量の
制御に加えて成長温度の正確な制御が必要となる。しか
し、高温での正確な温度制御は難しいため、特にロット
間での混晶比のバラツキが大きくなる。ＭＢＥ法ではＡ
ｌＧａＩｎＰ系を成長させる場合、発光素子としての結
晶性のレベルを確保するのに４００℃〜５２０℃程度の
Ｉｎの再蒸発が生じない低温での成長が可能である。
【００３２】また、本発明によればリッジストライプの
延びる方向を、主面を傾ける方向と直交する［０１−
１］方向とすることにより、リッジの形状が上部の狭い
順メサ形状となる。リッジストライプの延びる方向を
［０１１］方向とした場合、劈開により端面を形成する
と半導体レーザ素子内部の光導波路と端面が垂直になら
ず、レーザ出力光が基板面に対し傾いてしまい、光ディ
スクシステムの光源として使用することが困難となる。
また、リッジの形状は逆メサ形状となる。ＭＢＥ成長法
では分子線は直進するため、上の方が広がった逆メサ形
状の場合、リッジ下部に材料元素が到達せず、成長した
結晶に空隙が生じてしまう。一方、リッジの形状が上部
の狭い順メサ形状であればリッジを隙間なく覆うように
結晶を成長させることができるため、上述のような空隙
は発生せず、レーザ光をリッジストライプ近傍に適当な
広がりをもって閉じ込めることができ、良好な光学特性
を有する半導体レーザ素子を製造することができる。し
かしながら、傾斜角を１５°以上とすると一般的に用い
られるリッジ埋め込み構造の場合、リッジ左右の傾斜角
の非対称の度合いが大きくなりレーザ光の横モードが不
安定となるので、７°〜１５°とすることが好ましく、
特に１５°とするのが最適である。
延びる方向を、主面を傾ける方向と直交する［０１−
１］方向とすることにより、リッジの形状が上部の狭い
順メサ形状となる。リッジストライプの延びる方向を
［０１１］方向とした場合、劈開により端面を形成する
と半導体レーザ素子内部の光導波路と端面が垂直になら
ず、レーザ出力光が基板面に対し傾いてしまい、光ディ
スクシステムの光源として使用することが困難となる。
また、リッジの形状は逆メサ形状となる。ＭＢＥ成長法
では分子線は直進するため、上の方が広がった逆メサ形
状の場合、リッジ下部に材料元素が到達せず、成長した
結晶に空隙が生じてしまう。一方、リッジの形状が上部
の狭い順メサ形状であればリッジを隙間なく覆うように
結晶を成長させることができるため、上述のような空隙
は発生せず、レーザ光をリッジストライプ近傍に適当な
広がりをもって閉じ込めることができ、良好な光学特性
を有する半導体レーザ素子を製造することができる。し
かしながら、傾斜角を１５°以上とすると一般的に用い
られるリッジ埋め込み構造の場合、リッジ左右の傾斜角
の非対称の度合いが大きくなりレーザ光の横モードが不
安定となるので、７°〜１５°とすることが好ましく、
特に１５°とするのが最適である。
【００３３】また、本発明によれば良質な結晶成長が可
能なＭＢＥ法で基板と同じ化合物であるＧａＡｓバッフ
ァ層を作製することにより、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体
層を成長に対し、ＧａＡｓ基板表面の不純物の影響を避
けることができる。また、ＭＢＥ法の場合ＧａＡｓバッ
ファ層を成長した後、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層の成
長を行うためには、成長チャンバを移動する必要があ
る。そのため、そこで成長中断が起こり表面に不純物が
取り込まれやすくなる。また、ウェハ移動中にコンタミ
ネイションが発生するといった問題が発生する。したが
ってその上に、反応性の高い高Ａｌ混晶比のＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層をいきなり成長させるのではなく、Ｇａ
ＩｎＰバッファ層をまず成長させることにより、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系の半導体層の良質なモホロジィを確保し、結
晶欠陥を少なくすることができる。
能なＭＢＥ法で基板と同じ化合物であるＧａＡｓバッフ
ァ層を作製することにより、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体
層を成長に対し、ＧａＡｓ基板表面の不純物の影響を避
けることができる。また、ＭＢＥ法の場合ＧａＡｓバッ
ファ層を成長した後、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層の成
長を行うためには、成長チャンバを移動する必要があ
る。そのため、そこで成長中断が起こり表面に不純物が
取り込まれやすくなる。また、ウェハ移動中にコンタミ
ネイションが発生するといった問題が発生する。したが
ってその上に、反応性の高い高Ａｌ混晶比のＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層をいきなり成長させるのではなく、Ｇａ
ＩｎＰバッファ層をまず成長させることにより、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系の半導体層の良質なモホロジィを確保し、結
晶欠陥を少なくすることができる。
【００３４】（実施例）以下、本発明の実施例を図１及
び図２に基づいて説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｄ）
は、本発明のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子の製造
方法を示す工程図であり、図２（Ｅ）〜図２（Ｇ）は、
同じく製造方法を示す図１（Ａ）〜図１（Ｄ）から続く
工程図である。なお、本発明の半導体レーザ素子の実際
上の製造においては、多数の素子を１枚の基板の上に並
べて複数個同時に形成し、最後に個々の半導体レーザ素
子に分割されるので、図１、図２（図４、図４において
も同様）における素子の側面は波線にて表示している。
本実施例のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子は、発振
波長を６５０ｎｍに設定した場合の例であり、この半導
体レーザ素子は、例えば次のような一連の工程によって
製造することができる。まず、図１（Ａ）に示すよう
に、（１００）面から［０１１］方向に１５°傾けた面
を主面とするｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ＭＢＥ法により
成長温度６００℃でｎ型ＧａＡｓバッファ層２を０.２
５μｍ積層する。ＧａＡｓバッファ層２はＶ族元素とし
てＡｓのみを用いる成長チャンバで積層する。次に、Ｇ
ａＡｓバッファ層２を積層したＧａＡｓ基板を真空中で
Ｖ族元素としてＰのみを用いる成長チャンバに移動す
る。真空中で成長チャンバを移動した後、最初に反応性
の高いＡｌを含まないバッファ層を成長するので移動中
のコンタミネイションによる結晶性の劣化を防止するこ
とができる。
び図２に基づいて説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｄ）
は、本発明のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子の製造
方法を示す工程図であり、図２（Ｅ）〜図２（Ｇ）は、
同じく製造方法を示す図１（Ａ）〜図１（Ｄ）から続く
工程図である。なお、本発明の半導体レーザ素子の実際
上の製造においては、多数の素子を１枚の基板の上に並
べて複数個同時に形成し、最後に個々の半導体レーザ素
子に分割されるので、図１、図２（図４、図４において
も同様）における素子の側面は波線にて表示している。
本実施例のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子は、発振
波長を６５０ｎｍに設定した場合の例であり、この半導
体レーザ素子は、例えば次のような一連の工程によって
製造することができる。まず、図１（Ａ）に示すよう
に、（１００）面から［０１１］方向に１５°傾けた面
を主面とするｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ＭＢＥ法により
成長温度６００℃でｎ型ＧａＡｓバッファ層２を０.２
５μｍ積層する。ＧａＡｓバッファ層２はＶ族元素とし
てＡｓのみを用いる成長チャンバで積層する。次に、Ｇ
ａＡｓバッファ層２を積層したＧａＡｓ基板を真空中で
Ｖ族元素としてＰのみを用いる成長チャンバに移動す
る。真空中で成長チャンバを移動した後、最初に反応性
の高いＡｌを含まないバッファ層を成長するので移動中
のコンタミネイションによる結晶性の劣化を防止するこ
とができる。
【００３５】以下成長温度４００℃〜５２０℃、より好
ましくは４８０℃〜５１０℃、最も好ましくはＩｎの再
蒸発の心配が無く、ＰＬのスペクトルが狭くなる４８０
℃〜４９０℃でｎ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐバッファ層３を
０.２５μｍ、ｎ型（Ａｌ0.7 2Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49
Ｐクラッド層４を１.２μｍ、歪量子井戸活性層５とし
て（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（５００Å）＋
［Ｇａ0.48Ｉｎ0.52Ｐ（５０Å×４）＋（Ａｌ0.5Ｇａ
0.5）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（５０Å×３）］＋（Ａｌ0.5Ｇａ
0.5）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（５００Å）、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇ
ａ0.28）0.51Ｉｎ0.4 9Ｐ第１クラッド層６を０.１７μ
ｍ、ｐ型またはノンドープＧａ0.62Ｉｎ0.38Ｐエッチン
グストップ層７を８０Å、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）
0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層８を１.０３μｍ及びｐ
型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間層９を０.０５μｍ順次積層
する。本実施例では発振波長を６５０ｎｍとするため歪
量子井戸層５をＧａ0.48Ｉｎ0.52Ｐ、厚さ５０Åとし
た。
ましくは４８０℃〜５１０℃、最も好ましくはＩｎの再
蒸発の心配が無く、ＰＬのスペクトルが狭くなる４８０
℃〜４９０℃でｎ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐバッファ層３を
０.２５μｍ、ｎ型（Ａｌ0.7 2Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49
Ｐクラッド層４を１.２μｍ、歪量子井戸活性層５とし
て（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（５００Å）＋
［Ｇａ0.48Ｉｎ0.52Ｐ（５０Å×４）＋（Ａｌ0.5Ｇａ
0.5）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（５０Å×３）］＋（Ａｌ0.5Ｇａ
0.5）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（５００Å）、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇ
ａ0.28）0.51Ｉｎ0.4 9Ｐ第１クラッド層６を０.１７μ
ｍ、ｐ型またはノンドープＧａ0.62Ｉｎ0.38Ｐエッチン
グストップ層７を８０Å、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）
0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層８を１.０３μｍ及びｐ
型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間層９を０.０５μｍ順次積層
する。本実施例では発振波長を６５０ｎｍとするため歪
量子井戸層５をＧａ0.48Ｉｎ0.52Ｐ、厚さ５０Åとし
た。
【００３６】再度、真空中で基板をＶ族元素としてＡｓ
のみを用いる成長チャンバに移動し、既に積層した結晶
からＰ元素が抜けないように、成長温度５００℃で第２
導電型ＧａＡｓキャップ層１０を積層する。次いでｐ型
ＧａＡｓキャップ層１０上にＡｌ2Ｏ3膜１１を０.１５
μｍ蒸着する。
のみを用いる成長チャンバに移動し、既に積層した結晶
からＰ元素が抜けないように、成長温度５００℃で第２
導電型ＧａＡｓキャップ層１０を積層する。次いでｐ型
ＧａＡｓキャップ層１０上にＡｌ2Ｏ3膜１１を０.１５
μｍ蒸着する。
【００３７】その後、Ａｌ2Ｏ3膜１１上にレジスト膜１
２を塗布し、フォトエッチングを行ってＡｌ2Ｏ3膜１１
を［０１−１］方向に延びるストライプ状にパターン加
工した後、図１（Ｂ）に示すようにＡｌ2Ｏ3膜１１をマ
スクとしエッチングを行い、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１
０、ｐ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間層９、ｐ型（Ａｌ0. 72
Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層８を除去する
ことにより、Ａｌ2Ｏ3膜１１の直下にリッジを形成す
る。
２を塗布し、フォトエッチングを行ってＡｌ2Ｏ3膜１１
を［０１−１］方向に延びるストライプ状にパターン加
工した後、図１（Ｂ）に示すようにＡｌ2Ｏ3膜１１をマ
スクとしエッチングを行い、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１
０、ｐ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間層９、ｐ型（Ａｌ0. 72
Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層８を除去する
ことにより、Ａｌ2Ｏ3膜１１の直下にリッジを形成す
る。
【００３８】このとき、エッチング液としてｐ型ＧａＡ
ａキャップ層１０に対しては硫酸：過酸化水素水：水＝
１：２：２０（１２℃）、ｐ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間
層９に対してはＳＢＷ（飽和臭素水）：リン酸：水＝
２：１：５（２０℃）、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層８に対してはリン酸（７０
℃）を用いた。なお、上記エッチング液を構成する各溶
液は次のとおりのものであり、各溶液の混合比は重量比
で表している。 硫酸（Ｈ2ＳＯ4）：通常の濃硫酸であって日本薬局方の
特級品、 過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）：日本薬局方の特級品 水（Ｈ2Ｏ）：純水 飽和臭素水（ＳＢＷ）：臭素を水に入れ飽和させた（つ
まり、水の下方に臭素が残っている状態）溶液の上ずみ
液、 りん酸（Ｈ3ＰＯ4）：日本薬局方の特級品 このようなエッチング液を用いて化学的なエッチングを
行うことにより、次の工程で形成されるＧａＡｓ電流狭
窄層とリッジの側面との結晶界面を良好なものとするこ
とが可能となる。化学的エッチングを行うことにより基
板の主面が（１００）面から［０１１］方向にθ゜傾い
ているのに伴い、リッジの断面形状も結晶の断面内で積
層方向の軸に対し図３のように軸非対称な形状となる。
例えば、完全に化学的なエッチングを行えば、結晶面と
リッジ側面のなす角のうち鋭角の方の値はθ１＝５４．
７゜−θ゜、θ２＝５４．７゜＋θ゜となる。リッジの
作成をイオンビームエッチング等の機械的な方法によっ
て行った場合、リッジの断面形状は結晶の断面内で積層
方向の軸に対し軸対称な形状とすることができる。しか
し、そうするとリッジ側面に機械的な損傷が残って、リ
ッジ側面と電流狭窄層との界面でリークが発生し、電流
狭窄効果が悪くなってしまう。このため、機械的な方法
でリッジを形成した場合も、電流狭窄層の成長前に上記
の化学エッチング用の液で少しリッジ側面をエッチング
することが望ましい。これをリンスと呼ぶ。リンスを行
うとリッジの形状は完全に化学エッチングで形成したほ
ど軸非対称ではないが、やはり軸非対称な形状となる。
ａキャップ層１０に対しては硫酸：過酸化水素水：水＝
１：２：２０（１２℃）、ｐ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間
層９に対してはＳＢＷ（飽和臭素水）：リン酸：水＝
２：１：５（２０℃）、ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド層８に対してはリン酸（７０
℃）を用いた。なお、上記エッチング液を構成する各溶
液は次のとおりのものであり、各溶液の混合比は重量比
で表している。 硫酸（Ｈ2ＳＯ4）：通常の濃硫酸であって日本薬局方の
特級品、 過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）：日本薬局方の特級品 水（Ｈ2Ｏ）：純水 飽和臭素水（ＳＢＷ）：臭素を水に入れ飽和させた（つ
まり、水の下方に臭素が残っている状態）溶液の上ずみ
液、 りん酸（Ｈ3ＰＯ4）：日本薬局方の特級品 このようなエッチング液を用いて化学的なエッチングを
行うことにより、次の工程で形成されるＧａＡｓ電流狭
窄層とリッジの側面との結晶界面を良好なものとするこ
とが可能となる。化学的エッチングを行うことにより基
板の主面が（１００）面から［０１１］方向にθ゜傾い
ているのに伴い、リッジの断面形状も結晶の断面内で積
層方向の軸に対し図３のように軸非対称な形状となる。
例えば、完全に化学的なエッチングを行えば、結晶面と
リッジ側面のなす角のうち鋭角の方の値はθ１＝５４．
７゜−θ゜、θ２＝５４．７゜＋θ゜となる。リッジの
作成をイオンビームエッチング等の機械的な方法によっ
て行った場合、リッジの断面形状は結晶の断面内で積層
方向の軸に対し軸対称な形状とすることができる。しか
し、そうするとリッジ側面に機械的な損傷が残って、リ
ッジ側面と電流狭窄層との界面でリークが発生し、電流
狭窄効果が悪くなってしまう。このため、機械的な方法
でリッジを形成した場合も、電流狭窄層の成長前に上記
の化学エッチング用の液で少しリッジ側面をエッチング
することが望ましい。これをリンスと呼ぶ。リンスを行
うとリッジの形状は完全に化学エッチングで形成したほ
ど軸非対称ではないが、やはり軸非対称な形状となる。
【００３９】次いで、図１（Ｃ）に示すようにレジスト
膜１２を除去した後、２回目のＭＢＥ成長をＶ族元素と
してＡｓのみを用いるチャンバにて行いリッジ両側に成
長温度６００℃でｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３を１.５
８μｍ作製する。成長温度は、表面が露出しているｐ型
Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間層９及びリッジ側面が露出して
いるｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラ
ッド層８からＰまたはＩｎが再蒸発し結晶性が劣化する
ことが無い範囲で、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３の結晶
性が良くなるようにできるだけ高い温度である６００℃
としている。この時、Ａｌ2Ｏ3膜１１の表面上には多結
晶状態のＧａＡｓ結晶１４が成長する。
膜１２を除去した後、２回目のＭＢＥ成長をＶ族元素と
してＡｓのみを用いるチャンバにて行いリッジ両側に成
長温度６００℃でｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３を１.５
８μｍ作製する。成長温度は、表面が露出しているｐ型
Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間層９及びリッジ側面が露出して
いるｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラ
ッド層８からＰまたはＩｎが再蒸発し結晶性が劣化する
ことが無い範囲で、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３の結晶
性が良くなるようにできるだけ高い温度である６００℃
としている。この時、Ａｌ2Ｏ3膜１１の表面上には多結
晶状態のＧａＡｓ結晶１４が成長する。
【００４０】次いで、レジスト膜１５をスピンナにより
塗布する。この場合、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３上に
はレジスト１５が塗布されるが、多結晶状態のＧａＡｓ
結晶１４上にはレジスト１５がほとんど塗布されない。
この後、表面全体のレジスト１５をＯ3−ＵＶアッシン
グして、図１（Ｄ）に示すようにｎ型ＧａＡｓ電流狭窄
層１３上のみにレジスト１５が塗布されている状態にす
る。そして、次に図２（Ｅ）に示すようにレジスト１５
をマスクとして多結晶状態のＧａＡｓ結晶１４をエッチ
ング除去する。そして、その後図２（Ｆ）に示すように
レジスト１５を除去し、Ａｌ2Ｏ3膜１１もエッチング除
去する。その後、窒素雰囲気中で７００℃、２時間熱ア
ニールを行う。熱アニールを行うことによりｐ型半導体
層の不純物を活性化することができ、ｐ型半導体層のキ
ャリア濃度を高くすることができる。良く知られている
ように、ｐ型半導体層のキャリア濃度を高くすると半導
体レーザ素子の温度特性等を改善できる。
塗布する。この場合、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１３上に
はレジスト１５が塗布されるが、多結晶状態のＧａＡｓ
結晶１４上にはレジスト１５がほとんど塗布されない。
この後、表面全体のレジスト１５をＯ3−ＵＶアッシン
グして、図１（Ｄ）に示すようにｎ型ＧａＡｓ電流狭窄
層１３上のみにレジスト１５が塗布されている状態にす
る。そして、次に図２（Ｅ）に示すようにレジスト１５
をマスクとして多結晶状態のＧａＡｓ結晶１４をエッチ
ング除去する。そして、その後図２（Ｆ）に示すように
レジスト１５を除去し、Ａｌ2Ｏ3膜１１もエッチング除
去する。その後、窒素雰囲気中で７００℃、２時間熱ア
ニールを行う。熱アニールを行うことによりｐ型半導体
層の不純物を活性化することができ、ｐ型半導体層のキ
ャリア濃度を高くすることができる。良く知られている
ように、ｐ型半導体層のキャリア濃度を高くすると半導
体レーザ素子の温度特性等を改善できる。
【００４１】次いで、３回目のＭＢＥ成長をＶ族元素と
してＡｓのみを用いる成長チャンバにて行い成長温度６
００℃でｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６を４μｍ積層
し、最後にこのようにして作製した積層構造の上面及び
ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、電極１７，１８を形成
し、個々の素子に分割することにより、図２（Ｇ）に示
すようなＡｌＧａＩｎＰ系赤色半導体レーザ素子が得ら
れる。本発明は実施例のレーザ構造に限らず各種構造の
半導体レーザ素子に適用できる。
してＡｓのみを用いる成長チャンバにて行い成長温度６
００℃でｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６を４μｍ積層
し、最後にこのようにして作製した積層構造の上面及び
ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、電極１７，１８を形成
し、個々の素子に分割することにより、図２（Ｇ）に示
すようなＡｌＧａＩｎＰ系赤色半導体レーザ素子が得ら
れる。本発明は実施例のレーザ構造に限らず各種構造の
半導体レーザ素子に適用できる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
所定の発振波長のレーザ光を発生するＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザ素子を製造するにあたって、（１００）面
から［０１１］方向にθ°傾けた面を主面とするＧａＡ
ｓ基板上にバンドギャップＥgcのＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層及びIII族の量を調整してバンドギャップＥgaがＥg
a＜ＥgcとしたＡｌＧａＩｎＰ活性層を含む半導体層を
ＭＢＥ法により形成するので、その上に成長されたＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体層のＰＬのスペクトルが狭く、Ｉｎ
が蒸発する５２０℃まで成長温度を高くすることができ
る。即ち、結晶性の良いＩｎＧａＡｌＰ層を成長するこ
とができる。したがって、発振閾値が低く、発光効率が
高いといった特性の良い半導体レーザ素子を提供するこ
とができる。また、（１００）面から［０１１］方向に
７°〜１５°傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板上に反
応性の高いＡｌＧａＩｎＰクラッド層をいきなり成長さ
せるのでなく、ＧａＡｓよりなるバッファ層またはＧａ
ＩｎＰよりなるバッファ層をＭＢＥ法により形成した
後、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を成長させることによ
り、ＧａＡｓ基板表面の不純物の影響を受け難く、その
上にＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層を成長させた場合に良
質なモホロジィを確保し、結晶欠陥を少なくすることが
できる。
所定の発振波長のレーザ光を発生するＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザ素子を製造するにあたって、（１００）面
から［０１１］方向にθ°傾けた面を主面とするＧａＡ
ｓ基板上にバンドギャップＥgcのＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層及びIII族の量を調整してバンドギャップＥgaがＥg
a＜ＥgcとしたＡｌＧａＩｎＰ活性層を含む半導体層を
ＭＢＥ法により形成するので、その上に成長されたＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体層のＰＬのスペクトルが狭く、Ｉｎ
が蒸発する５２０℃まで成長温度を高くすることができ
る。即ち、結晶性の良いＩｎＧａＡｌＰ層を成長するこ
とができる。したがって、発振閾値が低く、発光効率が
高いといった特性の良い半導体レーザ素子を提供するこ
とができる。また、（１００）面から［０１１］方向に
７°〜１５°傾けた面を主面とするＧａＡｓ基板上に反
応性の高いＡｌＧａＩｎＰクラッド層をいきなり成長さ
せるのでなく、ＧａＡｓよりなるバッファ層またはＧａ
ＩｎＰよりなるバッファ層をＭＢＥ法により形成した
後、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を成長させることによ
り、ＧａＡｓ基板表面の不純物の影響を受け難く、その
上にＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層を成長させた場合に良
質なモホロジィを確保し、結晶欠陥を少なくすることが
できる。
【００４３】また、リッジストライプの方向を主面を傾
ける方向と直交する［０１−１］方向とするので、リッ
ジの形状が上部の狭い順メサ形状となり、リッジを隙間
なく覆うように結晶を成長させることができ良好な光学
特性を有し、隙間から外気が侵入して特性が劣化しない
半導体レーザ素子を製造することができる。また、劈開
により形成した端面と半導体レーザ素子内部の光導波路
と端面が垂直になるので光ディスクシステムの光源とし
て使用することが可能となる。
ける方向と直交する［０１−１］方向とするので、リッ
ジの形状が上部の狭い順メサ形状となり、リッジを隙間
なく覆うように結晶を成長させることができ良好な光学
特性を有し、隙間から外気が侵入して特性が劣化しない
半導体レーザ素子を製造することができる。また、劈開
により形成した端面と半導体レーザ素子内部の光導波路
と端面が垂直になるので光ディスクシステムの光源とし
て使用することが可能となる。
【００４４】また、結晶成長温度を４００℃〜５２０℃
とするので、結晶性を良好に保ったまま、Ｉｎの再蒸発
が無く、結晶の混晶比の制御が容易で、したがって、発
振波長が所定の値に制御された半導体レーザ素子を容易
に製造することができる。
とするので、結晶性を良好に保ったまま、Ｉｎの再蒸発
が無く、結晶の混晶比の制御が容易で、したがって、発
振波長が所定の値に制御された半導体レーザ素子を容易
に製造することができる。
【図１】本発明の実施例の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例の製造方法を示す図１の工程図
から続く工程図である。
から続く工程図である。
【図３】リッジストライプの断面形状を示す図である。
【図４】従来の製造方法を示す工程図である。
【図５】従来の製造方法を示す図４の工程図から続く工
程図である。
程図である。
１…ｎ型ＧａＡｓ基板、２…ｎ型ＧａＡｓバッファ層、
３…ｎ型Ｇａ0.51Ｉｎ0. 49Ｐバッファ層、４…ｎ型（Ａ
ｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層、５…Ｇａ
ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ歪量子井戸活性層、６…ｐ型
（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐ第１クラッド層、
７…Ｇａ0.62Ｉｎ0.38Ｐエッチングストップ層、８…ｐ
型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド
層、９…ｐ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間層、１０…ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層、１１…Ａｌ2Ｏ3膜、１２…レジスト
膜、１３…ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層、１４…ＧａＡｓ結
晶、１５…レジスト膜、１６…ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層、１７，１８…電極、２１…ｎ型ＧａＡｓジャスト基
板、２２…ｎ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐク
ラッド層、２３…Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層、２４…ｐ
型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0. 51Ｉｎ0.49Ｐ第１クラッド
層、２５…Ｇａ0.62Ｉｎ0.38Ｐエッチングストップ層、
２６…ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２ク
ラッド層、２７…ｐ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間層、２８
…ｐ型ＧａＡｓキャップ層、２９…Ａｌ2Ｏ3膜、３０…
レジスト膜、３１…ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層、３２…Ｇ
ａＡｓ結晶、３３…レジスト膜、３４…ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層、３５，３６…電極。
３…ｎ型Ｇａ0.51Ｉｎ0. 49Ｐバッファ層、４…ｎ型（Ａ
ｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラッド層、５…Ｇａ
ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ歪量子井戸活性層、６…ｐ型
（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐ第１クラッド層、
７…Ｇａ0.62Ｉｎ0.38Ｐエッチングストップ層、８…ｐ
型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２クラッド
層、９…ｐ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間層、１０…ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層、１１…Ａｌ2Ｏ3膜、１２…レジスト
膜、１３…ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層、１４…ＧａＡｓ結
晶、１５…レジスト膜、１６…ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層、１７，１８…電極、２１…ｎ型ＧａＡｓジャスト基
板、２２…ｎ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐク
ラッド層、２３…Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ活性層、２４…ｐ
型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0. 51Ｉｎ0.49Ｐ第１クラッド
層、２５…Ｇａ0.62Ｉｎ0.38Ｐエッチングストップ層、
２６…ｐ型（Ａｌ0.72Ｇａ0.28）0.51Ｉｎ0.49Ｐ第２ク
ラッド層、２７…ｐ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ中間層、２８
…ｐ型ＧａＡｓキャップ層、２９…Ａｌ2Ｏ3膜、３０…
レジスト膜、３１…ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層、３２…Ｇ
ａＡｓ結晶、３３…レジスト膜、３４…ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層、３５，３６…電極。
Claims (10)
- 【請求項１】 （１００）面から［０１１］方向にθ°
傾けた面を主面とする基板上に、III−Ｖ族化合物半導
体層からなるバンドギャップＥgcのクラッド層及びバン
ドギャップＥgaの活性層を積層し、リッジストライプを
形成した半導体レーザ素子において、 前記バンドギャップＥga，Ｅgcの関係はＥga＜Ｅgcであ
り、前記リッジストライプの延びる方向は［０１−１］
方向であることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 （１００）面から［０１１］方向に傾け
る角度θ°は、７°〜１５°であることを特徴とする請
求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 前記リッジストライプの断面形状は、断
面内で前記III−Ｖ族化合物半導体層の積層方向に延び
る軸に対し、軸非対称な形状であることを特徴とする請
求項１または２記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 前記リッジストライプの断面形状は、活
性層に近い側の幅が広く、遠い側の幅が狭い形状であ
り、積層面と前記リッジストライプの側面のなす角のう
ち、鋭角の方の角度が５４．７°±θ°であることを特
徴とする請求項１乃至３いずれか記載の半導体レーザ素
子。 - 【請求項５】 前記活性層は、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩ
ｎＰ多重量子井戸であり、前記クラッド層はＡｌＧａＩ
ｎＰであることを特徴とする請求項１乃至４いずれか記
載の半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 前記基板はＧａＡｓであり、該基板上に
ＧａＡｓよりなるバッファ層を形成したことを特徴とす
る請求項１乃至５いずれか記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項７】 前記基板はＧａＡｓであり、該基板上に
ＧａＡｓ及びＧａＩｎＰよりなるバッファ層を形成した
ことを特徴とする請求項１乃至５いずれか記載の半導体
レーザ素子。 - 【請求項８】 （１００）面から［０１１］方向にθ°
傾けた面を主面とする基板上に、III−Ｖ族化合物半導
体層からなるバンドギャップＥgcのクラッド層及びバン
ドギャップＥgaの活性層を積層し、リッジストライプを
形成した半導体レーザ素子の製造方法において、 前記リッジストライプを［０１−１］方向に延伸させる
工程、及び前記リッジストライプの表面を化学エッチン
グする工程を有することを特徴とする半導体レーザ素子
の製造方法。 - 【請求項９】 前記活性層及びクラッド層を含むIII−
Ｖ族化合物半導体層をＭＢＥ法により形成することを特
徴とする請求項８記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記ＭＢＥ法によるＧａＩｎＰ、Ａｌ
ＧａＩｎＰ半導体層の成長温度が４００〜５２０℃の条
件で行われることを特徴とする請求項９記載の半導体レ
ーザ素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000296629A JP3982985B2 (ja) | 1999-10-28 | 2000-09-28 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US09/691,060 US6518159B1 (en) | 1999-10-28 | 2000-10-19 | Semiconductor laser device and a method for fabricating the same |
| TW089121963A TW499786B (en) | 1999-10-28 | 2000-10-19 | A semiconductor laser device and a method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30759299 | 1999-10-28 | ||
| JP11-307592 | 1999-10-28 | ||
| JP2000296629A JP3982985B2 (ja) | 1999-10-28 | 2000-09-28 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001196694A true JP2001196694A (ja) | 2001-07-19 |
| JP3982985B2 JP3982985B2 (ja) | 2007-09-26 |
Family
ID=26565178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000296629A Expired - Lifetime JP3982985B2 (ja) | 1999-10-28 | 2000-09-28 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6518159B1 (ja) |
| JP (1) | JP3982985B2 (ja) |
| TW (1) | TW499786B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2006128491A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US7257139B2 (en) | 2004-01-23 | 2007-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup apparatus using the same |
| CN100388576C (zh) * | 2003-03-17 | 2008-05-14 | 松下电器产业株式会社 | 半导体激光器装置及使用该激光器装置的光学拾取装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7301979B2 (en) * | 2003-05-22 | 2007-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser |
| JP4164438B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2008-10-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体光素子の製造方法 |
| DE102007062050B4 (de) * | 2007-09-28 | 2019-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser und Verfahren zum Herstellen des Halbleiterlasers |
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