JPH0750453A - 可視光半導体レ−ザ装置とその製造方法 - Google Patents
可視光半導体レ−ザ装置とその製造方法Info
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- JPH0750453A JPH0750453A JP6107151A JP10715194A JPH0750453A JP H0750453 A JPH0750453 A JP H0750453A JP 6107151 A JP6107151 A JP 6107151A JP 10715194 A JP10715194 A JP 10715194A JP H0750453 A JPH0750453 A JP H0750453A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置の発振しきい値が低く、製造歩留りが高
く、且つ寿命が長いＡｌＧａＩｎＰ系の可視光半導体レ
−ザ装置とその製造方法を提供することである。 【構成】 （１００）面から［０１１］方向に５°以
上傾斜した面を主面１ａとするＧａＡｓ基板１と、この
主面１ａ上に形成されたＧａＩｎＰバッファ層２と、こ
のＧａＩｎＰバッファ層２上に形成されたＡｌ組成比の
小さいＡｌＧａＩｎＰからなる活性層４を含むＡｌＧａ
ＩｎＰ系半導体層と、を備えた。
く、且つ寿命が長いＡｌＧａＩｎＰ系の可視光半導体レ
−ザ装置とその製造方法を提供することである。 【構成】 （１００）面から［０１１］方向に５°以
上傾斜した面を主面１ａとするＧａＡｓ基板１と、この
主面１ａ上に形成されたＧａＩｎＰバッファ層２と、こ
のＧａＩｎＰバッファ層２上に形成されたＡｌ組成比の
小さいＡｌＧａＩｎＰからなる活性層４を含むＡｌＧａ
ＩｎＰ系半導体層と、を備えた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系の可
視光半導体レ−ザ装置とその製造方法に関する。
視光半導体レ−ザ装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰは０．６μｍ帯のバンド
ギャップを有し、可視光半導体レ−ザ装置の材料として
用いられている。
ギャップを有し、可視光半導体レ−ザ装置の材料として
用いられている。
【０００３】図６は従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ−
ザ装置を示し、例えば昭和６３年秋季応用物理学会予稿
集、４ｐ−ＺＣ−１０、８３６頁に開示されている。
ザ装置を示し、例えば昭和６３年秋季応用物理学会予稿
集、４ｐ−ＺＣ−１０、８３６頁に開示されている。
【０００４】図において（１１）はｎ型ＧａＡｓからな
る基板、（１２）はｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5
Ｐからなるｎ型クラッド層、（１３）はアンド−プの
（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる活性層、（１
４）はｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3） 0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるｐ
型クラッド層である。これらの層は周知のＭＯＣＶＤ
法、ＭＢＥ法等を用いて基板（１１）の一主面上に順次
エピタキシャル成長される。またｐ型クラッド層（１
４）にはエッチングにより幅５μｍのリッジが形成され
ている。（１５）はｐ型クラッド層（１４）上にエピタ
キシャル成長されたｎ型ＧａＡｓからなるブロック層
で、マスクによりｐ型クラッド層（１４）のリッジ頂部
には積層されていない。（１６）は露出したｐ型クラッ
ド層（１４）の頂部及びブロック層（１５）上にエピタ
キシャル成長されたｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層で
ある。
る基板、（１２）はｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5
Ｐからなるｎ型クラッド層、（１３）はアンド−プの
（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる活性層、（１
４）はｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3） 0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるｐ
型クラッド層である。これらの層は周知のＭＯＣＶＤ
法、ＭＢＥ法等を用いて基板（１１）の一主面上に順次
エピタキシャル成長される。またｐ型クラッド層（１
４）にはエッチングにより幅５μｍのリッジが形成され
ている。（１５）はｐ型クラッド層（１４）上にエピタ
キシャル成長されたｎ型ＧａＡｓからなるブロック層
で、マスクによりｐ型クラッド層（１４）のリッジ頂部
には積層されていない。（１６）は露出したｐ型クラッ
ド層（１４）の頂部及びブロック層（１５）上にエピタ
キシャル成長されたｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層で
ある。
【０００５】（１７）はキャップ層（１６）上に形成さ
れたＡｕ／Ｚｎ／Ａｕからなるｐ型電極、（１８）は基
板（１１）の他主面上に形成されたＡｕＧｅ／Ａｕから
なるｎ型電極である。
れたＡｕ／Ｚｎ／Ａｕからなるｐ型電極、（１８）は基
板（１１）の他主面上に形成されたＡｕＧｅ／Ａｕから
なるｎ型電極である。
【０００６】斯る装置では活性層（１３）のＡｌ組成比
をｘ＝０．１とした時、波長６４９ｎｍのレ−ザ光が得
られる。
をｘ＝０．１とした時、波長６４９ｎｍのレ−ザ光が得
られる。
【０００７】一方、現在、可視光レ−ザ光を用いた計測
器やＰＯＳ（ｐｏｉｎｔ ｏｆ ｓａｌｅｓ）システム
に用いられるバ−コ−ドスキャナの光源として波長６３
２．８ｎｍのＨｅ−Ｎｅレ−ザが用いられている。そこ
で、斯るＨｅ−Ｎｅレ−ザと同じ波長が発振可能であ
り、軽量、小型、低消費電力であるＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レ−ザ装置は、Ｈｅ−Ｎｅレ−ザに代わる光源とし
て望まれている。このために、上記従来装置をより短波
長発振させる必要がある。
器やＰＯＳ（ｐｏｉｎｔ ｏｆ ｓａｌｅｓ）システム
に用いられるバ−コ−ドスキャナの光源として波長６３
２．８ｎｍのＨｅ−Ｎｅレ−ザが用いられている。そこ
で、斯るＨｅ−Ｎｅレ−ザと同じ波長が発振可能であ
り、軽量、小型、低消費電力であるＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レ−ザ装置は、Ｈｅ−Ｎｅレ−ザに代わる光源とし
て望まれている。このために、上記従来装置をより短波
長発振させる必要がある。
【０００８】ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レ−ザ装置を短
波長化する方法として、 活性層のＡｌ組成比を大きくする 活性層を超格子構造とする（Electronics Letters、Vo
l.24、No.24(1988)、p1489参照） 各層の成長温度を７００℃より大とする（Japanese J
ournal of Applied Physics、Vol.27、No.11(1988)、p.209
8参照） 活性層にＺｎを拡散させる（ＩＥＥＥ、Journal of Q
uantum Electronics、QE-23、No.6(1987)、p.704参照） ことが考えられている。
波長化する方法として、 活性層のＡｌ組成比を大きくする 活性層を超格子構造とする（Electronics Letters、Vo
l.24、No.24(1988)、p1489参照） 各層の成長温度を７００℃より大とする（Japanese J
ournal of Applied Physics、Vol.27、No.11(1988)、p.209
8参照） 活性層にＺｎを拡散させる（ＩＥＥＥ、Journal of Q
uantum Electronics、QE-23、No.6(1987)、p.704参照） ことが考えられている。
【０００９】しかし乍ら、の方法ではＡｌ組成比率の
増加と共に活性層（１３）の結晶性が低下するため、発
振しきい値が大きくなり、連続動作が困難となる。例え
ば、活性層（１３）のＡｌ組成比をｘ＝０．２とする
と、発振波長は６３０〜６４０ｎｍとなり、Ｈｅ−Ｎｅ
レ−ザの波長と略等しくなるが、発振しきい値電流密度
は１０kA/cm2以上となり、実用的でなくなる。
増加と共に活性層（１３）の結晶性が低下するため、発
振しきい値が大きくなり、連続動作が困難となる。例え
ば、活性層（１３）のＡｌ組成比をｘ＝０．２とする
と、発振波長は６３０〜６４０ｎｍとなり、Ｈｅ−Ｎｅ
レ−ザの波長と略等しくなるが、発振しきい値電流密度
は１０kA/cm2以上となり、実用的でなくなる。
【００１０】また、、、の方法では、装置の発振
動作が不安定になり、活性層（１３）の劣化が激しくな
るため、装置の製造歩留りが低く、寿命が短いといった
問題が生じる。
動作が不安定になり、活性層（１３）の劣化が激しくな
るため、装置の製造歩留りが低く、寿命が短いといった
問題が生じる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明は
装置の発振しきい値が低く、製造歩留りが高く、且つ寿
命が長いＡｌＧａＩｎＰ系の可視光半導体レ−ザ装置と
その製造方法を提供するものである。
装置の発振しきい値が低く、製造歩留りが高く、且つ寿
命が長いＡｌＧａＩｎＰ系の可視光半導体レ−ザ装置と
その製造方法を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の可視光半導体レ
ーザ装置は、（１００）面から［０１１］方向に５°以
上傾斜した面を主面とするＧａＡｓ基板と、該主面上に
形成されたＧａＩｎＰバッファ層と、該ＧａＩｎＰバッ
ファ層上に形成されたＡｌ組成比の小さいＡｌＧａＩｎ
Ｐからなる活性層を含むＡｌＧａＩｎＰ系半導体層と、
を備えたことを特徴とする。
ーザ装置は、（１００）面から［０１１］方向に５°以
上傾斜した面を主面とするＧａＡｓ基板と、該主面上に
形成されたＧａＩｎＰバッファ層と、該ＧａＩｎＰバッ
ファ層上に形成されたＡｌ組成比の小さいＡｌＧａＩｎ
Ｐからなる活性層を含むＡｌＧａＩｎＰ系半導体層と、
を備えたことを特徴とする。
【００１３】本発明の可視光半導体レーザ装置の製造方
法は、ＧａＡｓ基板の（１００）面から［０１１］方向
に５°以上傾斜した面上に、ＧａＩｎＰバッファ層及
び、Ａｌ組成比の小さいＡｌＧａＩｎＰからなる活性層
を含むＡｌＧａＩｎＰ系半導体層をこの順序でＭＯＣＶ
Ｄ法により形成したことを特徴とする。
法は、ＧａＡｓ基板の（１００）面から［０１１］方向
に５°以上傾斜した面上に、ＧａＩｎＰバッファ層及
び、Ａｌ組成比の小さいＡｌＧａＩｎＰからなる活性層
を含むＡｌＧａＩｎＰ系半導体層をこの順序でＭＯＣＶ
Ｄ法により形成したことを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明によれば、ＧａＡｓ基板の結晶成長面に
（１００）面から［０１１］方向に５°以上傾斜した面
を用いることによって、この結晶成長面上に形成される
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層のバンドギャップが広がると
共に、Ａｌ組成比の小さいＡｌＧａＩｎＰからなる活性
層の結晶性の低下が抑えられるにとどまらず、活性層の
結晶性が向上する。
（１００）面から［０１１］方向に５°以上傾斜した面
を用いることによって、この結晶成長面上に形成される
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層のバンドギャップが広がると
共に、Ａｌ組成比の小さいＡｌＧａＩｎＰからなる活性
層の結晶性の低下が抑えられるにとどまらず、活性層の
結晶性が向上する。
【００１５】特に、この結晶成長面上に形成されたＧａ
ＩｎＰバッファ層は、結晶欠陥が非常に少なくなるの
で、活性層の結晶性が特に向上する。
ＩｎＰバッファ層は、結晶欠陥が非常に少なくなるの
で、活性層の結晶性が特に向上する。
【００１６】
【実施例】本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層のバ
ンドギャップがＧａＡｓ基板の面方位に依存して変化す
るといった現象を利用するものである。またこの現象は
本発明者らによって初めて見いだされたものである。
ンドギャップがＧａＡｓ基板の面方位に依存して変化す
るといった現象を利用するものである。またこの現象は
本発明者らによって初めて見いだされたものである。
【００１７】図２に斯る現象の一例を示す。同図はＧａ
Ａｓ基板の一主面を（１００）面から［０１１］方向に
種々傾け、この上に形成したＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐのフォト
ルミネッセンス（ＰＬ）からピ−クエネルギを測定した
ものである。また、このＧａ 0.5Ｉｎ0.5Ｐは成長温度７
１０℃、成長圧力７０Ｔｏｒｒの減圧ＭＯＣＶＤ法を用
いて形成されたものである。図から明らかな如く、傾斜
角の増加に伴いピ−クエネルギは増加していき、傾斜角
が５°以上になると飽和していく。
Ａｓ基板の一主面を（１００）面から［０１１］方向に
種々傾け、この上に形成したＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐのフォト
ルミネッセンス（ＰＬ）からピ−クエネルギを測定した
ものである。また、このＧａ 0.5Ｉｎ0.5Ｐは成長温度７
１０℃、成長圧力７０Ｔｏｒｒの減圧ＭＯＣＶＤ法を用
いて形成されたものである。図から明らかな如く、傾斜
角の増加に伴いピ−クエネルギは増加していき、傾斜角
が５°以上になると飽和していく。
【００１８】図３は基板の一主面上にＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
を形成し、この上に（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｘ
≧０）を形成した時の（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐの
Ａｌ組成比に対するフォトルミネッセンスのピ−ク波長
を示したものである。ここで基板の一主面として、（１
００）面から［０１１］方向に０°、５°、７°傾斜し
た面を夫々用いた。また一例として、Ａｌ組成比ｘを
０．１５とし、基板の傾斜角を０°、５°とした時のフ
ォトルミネッセンスのスペクトルを図４及び図５に示
す。また、測定はいずれも室温で行った。
を形成し、この上に（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｘ
≧０）を形成した時の（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐの
Ａｌ組成比に対するフォトルミネッセンスのピ−ク波長
を示したものである。ここで基板の一主面として、（１
００）面から［０１１］方向に０°、５°、７°傾斜し
た面を夫々用いた。また一例として、Ａｌ組成比ｘを
０．１５とし、基板の傾斜角を０°、５°とした時のフ
ォトルミネッセンスのスペクトルを図４及び図５に示
す。また、測定はいずれも室温で行った。
【００１９】図３から明らかな如く、基板傾斜によるピ
−ク波長の変化量はＡｌ組成比ｘにかかわらず略一定と
なっている。例えば図４及び図５に示されるようにＡｌ
組成比ｘ＝０．１５の時、傾斜角０°、５°のピ−ク波
長は夫々６４２．２ｎｍ、６２２．０ｎｍであり、その
変化量は約２０ｎｍとなる。また、基板の傾斜角に対す
るピ−ク波長は、Ａｌ組成比ｘにかかわらず図２に示し
たＧａ0,5Ｉｎ0,5Ｐの場合と同様に５°以上で飽和して
いく傾向にあった。
−ク波長の変化量はＡｌ組成比ｘにかかわらず略一定と
なっている。例えば図４及び図５に示されるようにＡｌ
組成比ｘ＝０．１５の時、傾斜角０°、５°のピ−ク波
長は夫々６４２．２ｎｍ、６２２．０ｎｍであり、その
変化量は約２０ｎｍとなる。また、基板の傾斜角に対す
るピ−ク波長は、Ａｌ組成比ｘにかかわらず図２に示し
たＧａ0,5Ｉｎ0,5Ｐの場合と同様に５°以上で飽和して
いく傾向にあった。
【００２０】以上より、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レ−
ザ装置において、基板の一主面に（１００）面から［０
１１］方向に傾斜した面を用いることにより、短波長化
が図れることは明らかである。但し本発明における基板
の一主面には（１００）面から［０１１］方向に５°以
上、好ましくは５〜７°傾斜した面が選択される。これ
は、傾斜角が５°以上で最大且つ同程度の波長変化が得
られることに加え、この面上に形成されるＧａ0.5Ｉｎ
0.5Ｐ及び（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐから結晶欠陥
が急激に減少し、結晶性が向上することによる。例えば
基板の（１００）面上に形成されたＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐに
はヒロックと呼ばれる結晶欠陥が約１００００個／cm2
発生していたが、５°傾斜した面上では１００個／cm2
以下となる。即ち、本発明は、基板の一主面に（１０
０）面から［０１１］方向へ５°以上の傾斜面を用いる
ことによって、所望の短波長化をするのに活性層のＡｌ
組成比を極力小さくし、活性層の結晶性の低下を抑える
ことにとどまらず、活性層の結晶性を向上させることが
できるものである。
ザ装置において、基板の一主面に（１００）面から［０
１１］方向に傾斜した面を用いることにより、短波長化
が図れることは明らかである。但し本発明における基板
の一主面には（１００）面から［０１１］方向に５°以
上、好ましくは５〜７°傾斜した面が選択される。これ
は、傾斜角が５°以上で最大且つ同程度の波長変化が得
られることに加え、この面上に形成されるＧａ0.5Ｉｎ
0.5Ｐ及び（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐから結晶欠陥
が急激に減少し、結晶性が向上することによる。例えば
基板の（１００）面上に形成されたＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐに
はヒロックと呼ばれる結晶欠陥が約１００００個／cm2
発生していたが、５°傾斜した面上では１００個／cm2
以下となる。即ち、本発明は、基板の一主面に（１０
０）面から［０１１］方向へ５°以上の傾斜面を用いる
ことによって、所望の短波長化をするのに活性層のＡｌ
組成比を極力小さくし、活性層の結晶性の低下を抑える
ことにとどまらず、活性層の結晶性を向上させることが
できるものである。
【００２１】図１に本発明装置の一実施例を示す。
【００２２】図において、（１）はキャリア濃度２×１
０18cm-3のｎ型ＧａＡｓからなる基板で、その一主面
（１ａ）を研摩により（１００）面から［０１１］方向
に５°以上、例えば５°傾斜したものである。
０18cm-3のｎ型ＧａＡｓからなる基板で、その一主面
（１ａ）を研摩により（１００）面から［０１１］方向
に５°以上、例えば５°傾斜したものである。
【００２３】（２）はバッファ層、（３）はｎ型クラッ
ド層、（４）は活性層、（５）はｐ型クラッド層、
（６）はキャップ層で、これらの層は成長温度６２０〜
６７０℃例えば６７０℃、反応室内圧力７０Ｔｏｒｒの
減圧ＭＯＣＶＤ法を用いて、基板（１）の一主面（１
ａ）上に順次積層される。下表にこれらの層の他の形成
条件を示す。
ド層、（４）は活性層、（５）はｐ型クラッド層、
（６）はキャップ層で、これらの層は成長温度６２０〜
６７０℃例えば６７０℃、反応室内圧力７０Ｔｏｒｒの
減圧ＭＯＣＶＤ法を用いて、基板（１）の一主面（１
ａ）上に順次積層される。下表にこれらの層の他の形成
条件を示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】（７）はキャップ層（６）上にスパッタ法
を用いて積層されたＳｉＯ2からなるブロック層で、キ
ャップ層（６）に達する幅６μｍのストライプ溝（８）
がエッチング形成されている。
を用いて積層されたＳｉＯ2からなるブロック層で、キ
ャップ層（６）に達する幅６μｍのストライプ溝（８）
がエッチング形成されている。
【００２６】（９）は露出したキャップ層（６）上及び
ブロック層（７）上にＣｒ膜、Ａｕ膜がこの順に真空蒸
着されたＡｕ／Ｃｒ電極からなるｐ型電極、（１０）は
基板（１）の他主面（１ｂ）上にＣｒ膜、Ｓｎ膜、Ａｕ
膜がこの順に真空蒸着されたＡｕ／Ｓｎ／Ｃｒ電極から
なるｎ型電極である。これらの電極は４００℃の熱処理
によって、キャップ層（６）あるいは基板（１）とオ−
ミック接触する。
ブロック層（７）上にＣｒ膜、Ａｕ膜がこの順に真空蒸
着されたＡｕ／Ｃｒ電極からなるｐ型電極、（１０）は
基板（１）の他主面（１ｂ）上にＣｒ膜、Ｓｎ膜、Ａｕ
膜がこの順に真空蒸着されたＡｕ／Ｓｎ／Ｃｒ電極から
なるｎ型電極である。これらの電極は４００℃の熱処理
によって、キャップ層（６）あるいは基板（１）とオ−
ミック接触する。
【００２７】また、装置の動作電圧の増加を抑える目的
で、ｐ型クラッド層（５）とキャップ層（６）の間にＧ
ａ0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる周知の中間層を設けてもよい。
で、ｐ型クラッド層（５）とキャップ層（６）の間にＧ
ａ0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる周知の中間層を設けてもよい。
【００２８】以上、本実施例ではブロック層（７）にＳ
ｉＯ2を用いた所謂オキサイドストライプ構造のものに
ついて説明したが、本発明は図６に示す従来装置の様な
インナ−ストライプ構造等の他の構造にも容易に適用し
得る。
ｉＯ2を用いた所謂オキサイドストライプ構造のものに
ついて説明したが、本発明は図６に示す従来装置の様な
インナ−ストライプ構造等の他の構造にも容易に適用し
得る。
【００２９】また、本実施例装置では活性層（４）のＡ
ｌ組成比ｘを０．１５としたが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、所望の波長を得るため、種々の値が
選択されることは勿論である。例えば、Ｈｅ−Ｎｅレ−
ザの代用を目的として、６３０ｎｍ程度の波長を得る場
合、例えば基板（１）の傾斜角を５°として、活性層
（４）のＡｌ組成比ｘを０．１〜０．１５とすれば良
い。尚、Ａｌ組成比が小さいとは、例えば０より大きく
０．１５以下である。
ｌ組成比ｘを０．１５としたが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、所望の波長を得るため、種々の値が
選択されることは勿論である。例えば、Ｈｅ−Ｎｅレ−
ザの代用を目的として、６３０ｎｍ程度の波長を得る場
合、例えば基板（１）の傾斜角を５°として、活性層
（４）のＡｌ組成比ｘを０．１〜０．１５とすれば良
い。尚、Ａｌ組成比が小さいとは、例えば０より大きく
０．１５以下である。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ＧａＡｓ基板の主面に
（１００）面から［０１１］方向に５°以上傾斜した面
を用いることにより、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ−ザ装
置の短波長化を図ることができる。したがって、所望の
波長を得る場合、従来よりも活性層のＡｌ組成比を小さ
くしつつしきい値電流の増加を抑えることができる。ま
た、本発明では、上記傾斜した面を用いることに加え
て、この上に形成されたＧａＩｎＰバッファ層の結晶欠
陥が非常に少なくなるので、Ａｌ組成比の小さい活性層
は結晶性が向上する。従って、本発明装置の製造歩留り
は高くなり、寿命も長くなる。
（１００）面から［０１１］方向に５°以上傾斜した面
を用いることにより、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ−ザ装
置の短波長化を図ることができる。したがって、所望の
波長を得る場合、従来よりも活性層のＡｌ組成比を小さ
くしつつしきい値電流の増加を抑えることができる。ま
た、本発明では、上記傾斜した面を用いることに加え
て、この上に形成されたＧａＩｎＰバッファ層の結晶欠
陥が非常に少なくなるので、Ａｌ組成比の小さい活性層
は結晶性が向上する。従って、本発明装置の製造歩留り
は高くなり、寿命も長くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】基板傾斜角に対するＰＬピ−クエネルギを示す
特性図である。
特性図である。
【図３】Ａｌ組成比に対するピ−ク波長を示す特性図で
ある。
ある。
【図４】Ａｌ組成比を０．１５とし、基板の傾斜角を０
°としたときのＰＬスペクトル特性図である。
°としたときのＰＬスペクトル特性図である。
【図５】Ａｌ組成比を０．１５とし、基板の傾斜角を５
°としたときのＰＬスペクトル特性図である。
°としたときのＰＬスペクトル特性図である。
【図６】従来装置を示す断面図である。
１ ＧａＡｓ基板 １ａ 一主面 ２ バッファ層 ３ ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層 ４ 活性層 ５ ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層
フロントページの続き (72)発明者 山口 隆夫 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 （１００）面から［０１１］方向に５°
以上傾斜した面を主面とするＧａＡｓ基板と、該主面上
に形成されたＧａＩｎＰバッファ層と、該ＧａＩｎＰバ
ッファ層上に形成されたＡｌ組成比の小さいＡｌＧａＩ
ｎＰからなる活性層を含むＡｌＧａＩｎＰ系半導体層
と、を備えたことを特徴とする可視光半導体レ−ザ装
置。 - 【請求項２】 上記Ａｌ組成比が０より大きく０．１５
以下であることを特徴とする請求項１記載の可視光半導
体レ−ザ装置。 - 【請求項３】 ＧａＡｓ基板の（１００）面から［０１
１］方向に５°以上傾斜した面上に、ＧａＩｎＰバッフ
ァ層及び、Ａｌ組成比の小さいＡｌＧａＩｎＰからなる
活性層を含むＡｌＧａＩｎＰ系半導体層をこの順序でＭ
ＯＣＶＤ法により形成したことを特徴とする可視光半導
体レ−ザ装置の製造方法。 - 【請求項４】 上記Ａｌ組成比が０より大きく０．１５
以下であることを特徴とする請求項３記載の可視光半導
体レ−ザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107151A JPH0750453A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 可視光半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107151A JPH0750453A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 可視光半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1083107A Division JPH077863B2 (ja) | 1988-09-29 | 1989-03-31 | 可視光半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750453A true JPH0750453A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=14451807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6107151A Pending JPH0750453A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 可視光半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750453A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518159B1 (en) | 1999-10-28 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method for fabricating the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02260682A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 可視光半導体レーザ装置 |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP6107151A patent/JPH0750453A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02260682A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 可視光半導体レーザ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518159B1 (en) | 1999-10-28 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method for fabricating the same |
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