JP2000151020A - 半導体レーザ - Google Patents
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2077—Methods of obtaining the confinement using lateral bandgap control during growth, e.g. selective growth, mask induced
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- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2206—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on III-V materials
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- H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】歩留りの向上を図りつつ端面付近のバンドギャ
ップを広くでき、ひいては信頼性の向上、最大光出力の
増大を図れる半導体レーザを提供する。 【解決手段】逆メサ方向にストライプ状の凹凸形状を持
つ化合物半導体基板上に、クラッド層、活性層等からな
る多層膜半導体レーザ構造を有するものであって、１回
のＭＯＣＶＤ結晶成長で活性層の横方向に屈折率差をつ
け、かつ電流狭窄のための電流ブロック層が存在したＢ
Ｈ構成のＳＤＨ構造を有する半導体レーザ１００におい
て、ストライプ部１００ａの共振器方向において端面部
１００ｂのストライプ幅を中央部１００ｃのストライプ
幅より大きく設定し、かつ、端面部１００ｂにおける活
性層の厚さを中央部１００ｃにおける活性層の厚さより
薄く形成して、端面部１００ｂにおける活性層のバンド
ギャップＥｇｂを中央部における活性層のバンドギャッ
プＥｇｃより広く構成する。
ップを広くでき、ひいては信頼性の向上、最大光出力の
増大を図れる半導体レーザを提供する。 【解決手段】逆メサ方向にストライプ状の凹凸形状を持
つ化合物半導体基板上に、クラッド層、活性層等からな
る多層膜半導体レーザ構造を有するものであって、１回
のＭＯＣＶＤ結晶成長で活性層の横方向に屈折率差をつ
け、かつ電流狭窄のための電流ブロック層が存在したＢ
Ｈ構成のＳＤＨ構造を有する半導体レーザ１００におい
て、ストライプ部１００ａの共振器方向において端面部
１００ｂのストライプ幅を中央部１００ｃのストライプ
幅より大きく設定し、かつ、端面部１００ｂにおける活
性層の厚さを中央部１００ｃにおける活性層の厚さより
薄く形成して、端面部１００ｂにおける活性層のバンド
ギャップＥｇｂを中央部における活性層のバンドギャッ
プＥｇｃより広く構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＤＨ（Separate
d Double Heterostructure）構造を備えた半導体レーザ
に関するものである。
d Double Heterostructure）構造を備えた半導体レーザ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０および図１１は、ＳＤＨ構造を有
する従来の半導体レーザを示す図であって、図１０は平
面図、図１１は図１０のＡ−Ａ線における断面図であ
る。
する従来の半導体レーザを示す図であって、図１０は平
面図、図１１は図１０のＡ−Ａ線における断面図であ
る。
【０００３】この半導体レーザ１０は、ｐ型の化合物半
導体（ＧａＡｓ）基板１１の一主面が（１００）結晶面
を有し、この主面１１ａにストライプ状（図１１におい
ては、紙面と直交する方向に延びるストライプ）にメサ
状突起１１ｂが形成されている。このストライプ状メサ
突起１１ｂを有する半導体基板１１の主面１１ａ上に、
１回のＭＯＣＶＤ結晶成長によって連続的に、ｐ型の第
１のクラッド層１２、低不純物あるいはアンドープの活
性層１３、およびｎ型の第２のクラッド層１４をエピタ
キシャル成長させた断面が三角形状のエピタキシャル成
長層が形成されている。
導体（ＧａＡｓ）基板１１の一主面が（１００）結晶面
を有し、この主面１１ａにストライプ状（図１１におい
ては、紙面と直交する方向に延びるストライプ）にメサ
状突起１１ｂが形成されている。このストライプ状メサ
突起１１ｂを有する半導体基板１１の主面１１ａ上に、
１回のＭＯＣＶＤ結晶成長によって連続的に、ｐ型の第
１のクラッド層１２、低不純物あるいはアンドープの活
性層１３、およびｎ型の第２のクラッド層１４をエピタ
キシャル成長させた断面が三角形状のエピタキシャル成
長層が形成されている。
【０００４】そして、ｐ型の電流ブロック層１５が、メ
サ状突起１１ｂ上に形成されたｐ型の第１のクラッド層
１２、活性層１３、および第２のクラッド層１４を含む
エピタキシャル層の両側面に接して形成されている。さ
らに、電流ブロック層１５およびメサ状突起１１ｂ上に
形成された第２のクラッド層１４上に、ｎ型のクラッド
層１６が形成され、このクラッド層１６上にｎ型のキャ
ップ層１７が形成されている。
サ状突起１１ｂ上に形成されたｐ型の第１のクラッド層
１２、活性層１３、および第２のクラッド層１４を含む
エピタキシャル層の両側面に接して形成されている。さ
らに、電流ブロック層１５およびメサ状突起１１ｂ上に
形成された第２のクラッド層１４上に、ｎ型のクラッド
層１６が形成され、このクラッド層１６上にｎ型のキャ
ップ層１７が形成されている。
【０００５】ｎ型キャップ層１７の上には、たとえばＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｎ側電極１８が形成されて
いる。一方、ｐ型基板１１の裏面には、たとえばＡｕＧ
ｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｐ側電極１９が形成されて
いる。そして、半導体レーザ１０の共振器方向のストラ
イプ部１０ａの幅は、均一に設定されている。
ｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｎ側電極１８が形成されて
いる。一方、ｐ型基板１１の裏面には、たとえばＡｕＧ
ｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｐ側電極１９が形成されて
いる。そして、半導体レーザ１０の共振器方向のストラ
イプ部１０ａの幅は、均一に設定されている。
【０００６】このように、半導体レーザ１０はＳＤＨ構
造を用いるため、複雑な構造が１回のＭＯＣＶＤ（有機
金属気相成長法；Metal Organic Chemical Vapour Depo
sition）結晶成長で作製可能であり、比較的安定して均
一な特性を有する。
造を用いるため、複雑な構造が１回のＭＯＣＶＤ（有機
金属気相成長法；Metal Organic Chemical Vapour Depo
sition）結晶成長で作製可能であり、比較的安定して均
一な特性を有する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たレーザ構造では、共振器の端面付近で、界面準位、熱
放出効率の悪さ、光密度の高さ等により、バンドギャッ
プ（Ｅｇ）が発光領域より小さくなり易く、内部で発生
したレーザ光を吸収し、より多くの発熱、そして最高発
振出力の制限、場合によっては端面破壊を起こすおそれ
もあり、レーザの信頼性を低下させていた。特に、スト
ライプ幅が１０μｍ以上に設定されたブロードストライ
プレーザにおいてワット（Ｗ）クラスのレーザ光を出力
する場合、端面からの劣化が進む場合がある。
たレーザ構造では、共振器の端面付近で、界面準位、熱
放出効率の悪さ、光密度の高さ等により、バンドギャッ
プ（Ｅｇ）が発光領域より小さくなり易く、内部で発生
したレーザ光を吸収し、より多くの発熱、そして最高発
振出力の制限、場合によっては端面破壊を起こすおそれ
もあり、レーザの信頼性を低下させていた。特に、スト
ライプ幅が１０μｍ以上に設定されたブロードストライ
プレーザにおいてワット（Ｗ）クラスのレーザ光を出力
する場合、端面からの劣化が進む場合がある。
【０００８】したがって、端面保護を行うことが、レー
ザの信頼性の点で重要になる。この点に関して、端面付
近のバンドギャップＥｇを上昇させる、いわゆる窓構造
が提案されている。これには、バンドギャップＥｇの高
い材料で埋め込む方法、および不純物（Ｚｎなど）を拡
散し、超格子構造を壊し、バンドギャップＥｇを上げる
方法の２つの方法が知られている。しかし、両方法とも
に複雑なプロセス技術に依存しているため、歩留り等を
悪くする可能性が高い。
ザの信頼性の点で重要になる。この点に関して、端面付
近のバンドギャップＥｇを上昇させる、いわゆる窓構造
が提案されている。これには、バンドギャップＥｇの高
い材料で埋め込む方法、および不純物（Ｚｎなど）を拡
散し、超格子構造を壊し、バンドギャップＥｇを上げる
方法の２つの方法が知られている。しかし、両方法とも
に複雑なプロセス技術に依存しているため、歩留り等を
悪くする可能性が高い。
【０００９】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、歩留りの向上を図りつつ端面付
近のバンドギャップを広くでき、ひいては信頼性の向
上、最大光出力の増大を図れる半導体レーザを提供する
ことにある。
のであり、その目的は、歩留りの向上を図りつつ端面付
近のバンドギャップを広くでき、ひいては信頼性の向
上、最大光出力の増大を図れる半導体レーザを提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、結晶面の主面にストライプ状のメサ状突
起が形成された半導体基板上に、第１導電型の第１のク
ラッド層と、活性層と、第２導電型の第２のクラッド層
とが順次にエピタキシャル成長されたエピタキシャル成
長層を有し、活性層の横方向に屈折率差をつけ、かつ電
流狭窄のための電流ブロック層が存在するＳＤＨ（Sepa
rated Double Heterostructure）構造を備えた半導体レ
ーザであって、共振器方向において端面部の上記ストラ
イプ幅が中央部のストライプ幅より大きく設定されてお
り、端面部における活性層のバンドギャップが中央部に
おける活性層のバンドギャップより広い。
め、本発明は、結晶面の主面にストライプ状のメサ状突
起が形成された半導体基板上に、第１導電型の第１のク
ラッド層と、活性層と、第２導電型の第２のクラッド層
とが順次にエピタキシャル成長されたエピタキシャル成
長層を有し、活性層の横方向に屈折率差をつけ、かつ電
流狭窄のための電流ブロック層が存在するＳＤＨ（Sepa
rated Double Heterostructure）構造を備えた半導体レ
ーザであって、共振器方向において端面部の上記ストラ
イプ幅が中央部のストライプ幅より大きく設定されてお
り、端面部における活性層のバンドギャップが中央部に
おける活性層のバンドギャップより広い。
【００１１】また、本発明では、端面部における活性層
の厚さが中央部における活性層の厚さより薄い。
の厚さが中央部における活性層の厚さより薄い。
【００１２】また、本発明は、結晶面の主面にストライ
プ状のメサ状突起が形成された半導体基板上に、第１導
電型の第１のクラッド層と、活性層と、第２導電型の第
２のクラッド層とが順次にエピタキシャル成長されたエ
ピタキシャル成長層を有し、活性層の横方向に屈折率差
をつけ、かつ電流狭窄のための電流ブロック層が存在す
るＳＤＨ構造を備えた半導体レーザであって、上記スト
ライプ部には、共振器方向により幅の狭い複数本の第２
ストライプ部が形成されている。
プ状のメサ状突起が形成された半導体基板上に、第１導
電型の第１のクラッド層と、活性層と、第２導電型の第
２のクラッド層とが順次にエピタキシャル成長されたエ
ピタキシャル成長層を有し、活性層の横方向に屈折率差
をつけ、かつ電流狭窄のための電流ブロック層が存在す
るＳＤＨ構造を備えた半導体レーザであって、上記スト
ライプ部には、共振器方向により幅の狭い複数本の第２
ストライプ部が形成されている。
【００１３】また、本発明では、上記第２ストライプ部
は、共振器方向における中央部に形成され、端面部では
これら第２ストライプ部が融合し、一つの幅広ストライ
プを形成している。
は、共振器方向における中央部に形成され、端面部では
これら第２ストライプ部が融合し、一つの幅広ストライ
プを形成している。
【００１４】また、本発明では、端面部における活性層
のバンドギャップが中央部における活性層のバンドギャ
ップより広い。
のバンドギャップが中央部における活性層のバンドギャ
ップより広い。
【００１５】また、本発明では、端面部における活性層
の厚さが中央部における活性層の厚さより薄い。
の厚さが中央部における活性層の厚さより薄い。
【００１６】本発明によれば、いわゆるマイグレーショ
ン効果により、ストライプ幅が小さく設定された中央部
では、メサ突起上の断面三角形部内において上方に活性
層が形成されやすい。すなわち、中央部の活性層の厚さ
は厚くなる。これに対して、ストライプ幅が大きく設定
された端面部では、メサ突起上の断面三角形部内におい
て下方に活性層が形成されやすい。すなわち、端面部の
活性層の厚さは薄くなる。このように、端面部における
活性層の厚さが中央部における活性層の厚さより薄く形
成されることから、端面部において、中央部に比べて量
子井戸構造を用いた場合、そのバンドギャップエネルギ
ーが上昇する。その結果、端面部の光吸収量が少なくな
り、発熱が少なくなる。すなわち、端面部が強化されて
いる。
ン効果により、ストライプ幅が小さく設定された中央部
では、メサ突起上の断面三角形部内において上方に活性
層が形成されやすい。すなわち、中央部の活性層の厚さ
は厚くなる。これに対して、ストライプ幅が大きく設定
された端面部では、メサ突起上の断面三角形部内におい
て下方に活性層が形成されやすい。すなわち、端面部の
活性層の厚さは薄くなる。このように、端面部における
活性層の厚さが中央部における活性層の厚さより薄く形
成されることから、端面部において、中央部に比べて量
子井戸構造を用いた場合、そのバンドギャップエネルギ
ーが上昇する。その結果、端面部の光吸収量が少なくな
り、発熱が少なくなる。すなわち、端面部が強化されて
いる。
【００１７】また、本発明によれば、ストライプ部の中
央部はアレイ型のＳＤＨ構造となっていることから、両
側からのマイグレーション増強効果で、量子井戸活性層
の膜が厚く形成される。一方、端面部の活性層の膜厚
は、ストライプ幅が幅広であることから、マイグレーシ
ョン効果が少なく、中央部より薄く形成される。このよ
うに、端面部における活性層の厚さが中央部における活
性層の厚さより薄く形成されることから、端面部におい
て、中央部に比べて量子井戸構造を用いた場合、そのバ
ンドギャップエネルギーが上昇する。その結果、端面部
の光吸収量が少なくなり、発熱が少なくなる。すなわ
ち、端面部が強化されている。
央部はアレイ型のＳＤＨ構造となっていることから、両
側からのマイグレーション増強効果で、量子井戸活性層
の膜が厚く形成される。一方、端面部の活性層の膜厚
は、ストライプ幅が幅広であることから、マイグレーシ
ョン効果が少なく、中央部より薄く形成される。このよ
うに、端面部における活性層の厚さが中央部における活
性層の厚さより薄く形成されることから、端面部におい
て、中央部に比べて量子井戸構造を用いた場合、そのバ
ンドギャップエネルギーが上昇する。その結果、端面部
の光吸収量が少なくなり、発熱が少なくなる。すなわ
ち、端面部が強化されている。
【００１８】また、端面部においては、第２ストライプ
部が融合し、一つの幅広ストライプを形成していること
から、近視野像は均一発光となる。
部が融合し、一つの幅広ストライプを形成していること
から、近視野像は均一発光となる。
【００１９】また、ＳＤＨ構造を用いるため、複雑な構
造が１回のＭＯＣＶＤ成長で作製可能である。
造が１回のＭＯＣＶＤ成長で作製可能である。
【００２０】
【発明の実施の形態】第１実施形態 図１は本発明に係る半導体レーザの第１の実施形態を示
す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面図、図３
は図１のＢ−Ｂ線における断面図である。
す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面図、図３
は図１のＢ−Ｂ線における断面図である。
【００２１】本半導体レーザ１００は、逆メサ方向にス
トライプ状の凹凸形状を持つ化合物半導体基板上に、ク
ラッド層、活性層等からなる多層膜半導体レーザ構造を
有するものであって、１回のＭＯＣＶＤ（有機金属気相
成長法）結晶成長で活性層の横方向に屈折率差をつけ、
かつ電流狭窄のための電流ブロック層が存在したＢＨ
（Buried Hetero Structure ）構成の、いわゆるＳＤＨ
構造を有し、ｐ型基板を用いたものである。
トライプ状の凹凸形状を持つ化合物半導体基板上に、ク
ラッド層、活性層等からなる多層膜半導体レーザ構造を
有するものであって、１回のＭＯＣＶＤ（有機金属気相
成長法）結晶成長で活性層の横方向に屈折率差をつけ、
かつ電流狭窄のための電流ブロック層が存在したＢＨ
（Buried Hetero Structure ）構成の、いわゆるＳＤＨ
構造を有し、ｐ型基板を用いたものである。
【００２２】そして、本半導体レーザ１００は、図１に
示すように、ストライプ部１００ａの共振器方向におい
て端面部１００ｂのストライプ幅が中央部１００ｃのス
トライプ幅より大きく設定されており、かつ、端面部１
００ｂにおける活性層のバンドギャップＥｇｂが中央部
における活性層のバンドギャップＥｇｃより広く構成さ
れている。このバンドギャップの調整は、活性層の膜厚
で行われている。具体的には、端面部１００ｂにおける
活性層の厚さが中央部１００ｃにおける活性層の厚さよ
り薄く形成されている。
示すように、ストライプ部１００ａの共振器方向におい
て端面部１００ｂのストライプ幅が中央部１００ｃのス
トライプ幅より大きく設定されており、かつ、端面部１
００ｂにおける活性層のバンドギャップＥｇｂが中央部
における活性層のバンドギャップＥｇｃより広く構成さ
れている。このバンドギャップの調整は、活性層の膜厚
で行われている。具体的には、端面部１００ｂにおける
活性層の厚さが中央部１００ｃにおける活性層の厚さよ
り薄く形成されている。
【００２３】以下に、半導体レーザ１００の具体的な構
造について説明する。
造について説明する。
【００２４】本半導体レーザ１００は、図２および図３
に示すように、第１導電型、たとえばｐ型の化合物半導
体（ＧａＡｓ）基板１０１の一主面が（１００）結晶面
を有し、この主面１０１ａにストライプ状（図２および
図３においては、紙面と直交する方向に延びるストライ
プ）にメサ状突起１０１ｂが形成されている。このスト
ライプ状メサ突起１０１ｂを有する半導体基板１０１の
主面１０１ａ上に、１回のＭＯＣＶＤ結晶成長によって
連続的に、ｐ型の第１のクラッド層（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6
Ａｓ）１０２、低不純物あるいはアンドープの活性層
（Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ）１０３、および第２導電型
（ｎ型）の第２のクラッド層（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ）
１０４をエピタキシャル成長させた断面が三角形状のエ
ピタキシャル成長層が形成されている。
に示すように、第１導電型、たとえばｐ型の化合物半導
体（ＧａＡｓ）基板１０１の一主面が（１００）結晶面
を有し、この主面１０１ａにストライプ状（図２および
図３においては、紙面と直交する方向に延びるストライ
プ）にメサ状突起１０１ｂが形成されている。このスト
ライプ状メサ突起１０１ｂを有する半導体基板１０１の
主面１０１ａ上に、１回のＭＯＣＶＤ結晶成長によって
連続的に、ｐ型の第１のクラッド層（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6
Ａｓ）１０２、低不純物あるいはアンドープの活性層
（Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ）１０３、および第２導電型
（ｎ型）の第２のクラッド層（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ）
１０４をエピタキシャル成長させた断面が三角形状のエ
ピタキシャル成長層が形成されている。
【００２５】ここで、活性層１０３の厚さは、ストライ
プ部１００ａの共振器方向において端面部１００ｂのス
トライプ幅を中央部１００ｃのストライプ幅より大きく
設定していることから、後述するマイグレーション効果
により、端面部１００ｂにおける活性層１０３ｂ（図
２）の厚さが中央部１００ｃにおける活性層１００ｃ
（図３）の厚さより薄く形成される。
プ部１００ａの共振器方向において端面部１００ｂのス
トライプ幅を中央部１００ｃのストライプ幅より大きく
設定していることから、後述するマイグレーション効果
により、端面部１００ｂにおける活性層１０３ｂ（図
２）の厚さが中央部１００ｃにおける活性層１００ｃ
（図３）の厚さより薄く形成される。
【００２６】このように、断面が三角形状のエピタキシ
ャル成長層が形成されるが、これは以下の理由による。
すなわち、ストライプ状メサ状突起１０１ｂの形状、そ
の結晶方位との関係が所定の関係を持つように選定され
て、その上面の（１００）面に対して角度が約５５°の
（１１１）Ｂ結晶面による斜面の断層部が形成される。
これは、基体１０１上のメサ突起１０１ｂ上に成長した
エピタキシャル層に（１１１）Ｂ面が一旦生じ始める
と、この（１１１）Ｂ面へのエピタキシャル成長速度
は、他のたとえば（１００）結晶面の成長速度に比し、
数十分の１以下程度にも低いことからその断層部が（１
１１）Ｂによる斜面に沿って生じる。したがって、メサ
突起１０１ｂ上には断面三角形のエピタキシャル成長層
が断層部に挟まれて形成される。
ャル成長層が形成されるが、これは以下の理由による。
すなわち、ストライプ状メサ状突起１０１ｂの形状、そ
の結晶方位との関係が所定の関係を持つように選定され
て、その上面の（１００）面に対して角度が約５５°の
（１１１）Ｂ結晶面による斜面の断層部が形成される。
これは、基体１０１上のメサ突起１０１ｂ上に成長した
エピタキシャル層に（１１１）Ｂ面が一旦生じ始める
と、この（１１１）Ｂ面へのエピタキシャル成長速度
は、他のたとえば（１００）結晶面の成長速度に比し、
数十分の１以下程度にも低いことからその断層部が（１
１１）Ｂによる斜面に沿って生じる。したがって、メサ
突起１０１ｂ上には断面三角形のエピタキシャル成長層
が断層部に挟まれて形成される。
【００２７】そして、ｐ型の電流ブロック層１０５が、
メサ状突起１０１ｂ上に形成されたｐ型の第１のクラッ
ド層１０２、活性層１０３、および第２のクラッド層１
０４を含むエピタキシャル層の両側面に接して形成され
ている。さらに、電流ブロック層１０５およびメサ状突
起１０１ｂ上に形成された第２のクラッド層１０４上
に、ｎ型のクラッド層１０６が形成され、このクラッド
層１０６上にｎ型のキャップ層１０７が形成されてい
る。
メサ状突起１０１ｂ上に形成されたｐ型の第１のクラッ
ド層１０２、活性層１０３、および第２のクラッド層１
０４を含むエピタキシャル層の両側面に接して形成され
ている。さらに、電流ブロック層１０５およびメサ状突
起１０１ｂ上に形成された第２のクラッド層１０４上
に、ｎ型のクラッド層１０６が形成され、このクラッド
層１０６上にｎ型のキャップ層１０７が形成されてい
る。
【００２８】ｎ型キャップ層１０７の上には、たとえば
Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｎ側電極１０８が形成さ
れている。一方、ｐ型基板１０１の裏面には、たとえば
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｐ側電極１０９が形
成されている。
Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｎ側電極１０８が形成さ
れている。一方、ｐ型基板１０１の裏面には、たとえば
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｐ側電極１０９が形
成されている。
【００２９】なお、第１の電流ブロック層（Ａｌ0.1 Ｇ
ａ0.9 Ａｓ）１０５は、ＳＤＨ構造の作製上の特徴とし
て自由にその組成と極性を選ぶことができる。
ａ0.9 Ａｓ）１０５は、ＳＤＨ構造の作製上の特徴とし
て自由にその組成と極性を選ぶことができる。
【００３０】以上のような構造を有する半導体レーザ１
００においては、上述したように、活性層１０３の厚さ
は、ストライプ部１００ａの共振器方向において端面部
１００ｂのストライプ幅を中央部１００ｃのストライプ
幅より大きく設定していることから、マイグレーション
効果により、端面部１００ｂにおける活性層１０３ｂの
厚さが中央部１００ｃにおける活性層１００ｃの厚さよ
り薄く形成されるが、以下にその理由について、図面
（図４、図５、図６）に関連付けて説明する。
００においては、上述したように、活性層１０３の厚さ
は、ストライプ部１００ａの共振器方向において端面部
１００ｂのストライプ幅を中央部１００ｃのストライプ
幅より大きく設定していることから、マイグレーション
効果により、端面部１００ｂにおける活性層１０３ｂの
厚さが中央部１００ｃにおける活性層１００ｃの厚さよ
り薄く形成されるが、以下にその理由について、図面
（図４、図５、図６）に関連付けて説明する。
【００３１】図４は、ＭＯＣＶＤ成長におけるマイグレ
ーションの効果を説明するための図である。ＳＤＨ構造
のような凹凸基板上に成長させる場合、上述したよう
に、（１１１）Ｂ面が形成され、この上には成長が抑止
されることが知られている。この状態で（１１１）Ｂ面
に囲まれた、メサ突起１０１ｂ上の断面三角形部に、活
性層薄膜を形成すると、図４中に破線で示した領域に供
給される原料は、成長を阻止されているため、マイグレ
ーションによって近傍の成長可能領域に移動し膜形成が
起こる。原料のマイグレーション長は成長条件や原料に
よっても異なるが、Ａｌ原料で２μｍ程度、Ｇａ原料で
１０μｍ程度である。つまり、その程度の距離にある活
性層の厚みを厚くする働きを、成長抑止領域に供給され
た原料が行うことがわかる。
ーションの効果を説明するための図である。ＳＤＨ構造
のような凹凸基板上に成長させる場合、上述したよう
に、（１１１）Ｂ面が形成され、この上には成長が抑止
されることが知られている。この状態で（１１１）Ｂ面
に囲まれた、メサ突起１０１ｂ上の断面三角形部に、活
性層薄膜を形成すると、図４中に破線で示した領域に供
給される原料は、成長を阻止されているため、マイグレ
ーションによって近傍の成長可能領域に移動し膜形成が
起こる。原料のマイグレーション長は成長条件や原料に
よっても異なるが、Ａｌ原料で２μｍ程度、Ｇａ原料で
１０μｍ程度である。つまり、その程度の距離にある活
性層の厚みを厚くする働きを、成長抑止領域に供給され
た原料が行うことがわかる。
【００３２】また、図５は、（１１１）Ｂ面に囲まれた
メサ突起１０１ｂ上の断面三角形部における膜厚の変化
ついて説明するための図である。図５に示すように、メ
サ突起１０１ｂ上の断面三角形部において上方に進むほ
ど、つまり結晶成長が進むにつれて、成長抑止領域（図
４中破線で示した領域）の幅が広くなることから、マイ
グレーション効果が強くなり、膜厚は厚くなる。すなわ
ち、メサ突起１０１ｂ上の断面三角形部内において上方
に活性層を形成した方が、下方に形成するより膜厚は薄
くなることを意味している。
メサ突起１０１ｂ上の断面三角形部における膜厚の変化
ついて説明するための図である。図５に示すように、メ
サ突起１０１ｂ上の断面三角形部において上方に進むほ
ど、つまり結晶成長が進むにつれて、成長抑止領域（図
４中破線で示した領域）の幅が広くなることから、マイ
グレーション効果が強くなり、膜厚は厚くなる。すなわ
ち、メサ突起１０１ｂ上の断面三角形部内において上方
に活性層を形成した方が、下方に形成するより膜厚は薄
くなることを意味している。
【００３３】したがって、ストライプ幅が小さく設定さ
れた中央部１００ｃでは、メサ突起１０１ｂ上の断面三
角形部内において上方に活性層が形成されやすい。すな
わち、中央部１００ｃの活性層１０３ｃの厚さは厚くな
る。これに対して、ストライプ幅が大きく設定された端
面部１００ｂでは、メサ突起１０１ｂ上の断面三角形部
内において下方に活性層が形成されやすい。すなわち、
端面部１００ｂの活性層１０３ｂの厚さは薄くなる。
れた中央部１００ｃでは、メサ突起１０１ｂ上の断面三
角形部内において上方に活性層が形成されやすい。すな
わち、中央部１００ｃの活性層１０３ｃの厚さは厚くな
る。これに対して、ストライプ幅が大きく設定された端
面部１００ｂでは、メサ突起１０１ｂ上の断面三角形部
内において下方に活性層が形成されやすい。すなわち、
端面部１００ｂの活性層１０３ｂの厚さは薄くなる。
【００３４】このように、端面部１００ｂにおける活性
層１０３ｂ（図２）の厚さが中央部１００ｃにおける活
性層１００ｃ（図３）の厚さより薄く形成されることか
ら、端面図１００ｂにおいて、中央部に比べて量子井戸
構造を用いた場合、そのバンドギャップエネルギーＥｇ
ｂを上昇させることができる。その結果、端面部１００
ｂの光吸収量が少なくなり、発熱が少なくなる。すなわ
ち、端面部が強化されている。たとえば静電気耐性が強
化される。換言すれば、サージ電流印加によるレーザ端
面のダメージが抑制される。
層１０３ｂ（図２）の厚さが中央部１００ｃにおける活
性層１００ｃ（図３）の厚さより薄く形成されることか
ら、端面図１００ｂにおいて、中央部に比べて量子井戸
構造を用いた場合、そのバンドギャップエネルギーＥｇ
ｂを上昇させることができる。その結果、端面部１００
ｂの光吸収量が少なくなり、発熱が少なくなる。すなわ
ち、端面部が強化されている。たとえば静電気耐性が強
化される。換言すれば、サージ電流印加によるレーザ端
面のダメージが抑制される。
【００３５】なお、図６は、ＳＤＨ構造が両側にもある
場合のマイグレーション効果を説明するための図であ
る。このように、隣接した領域にも成長阻止領域がある
と、マイグレーション効果が両隣からも生じるため、よ
り膜厚が厚く形成される。
場合のマイグレーション効果を説明するための図であ
る。このように、隣接した領域にも成長阻止領域がある
と、マイグレーション効果が両隣からも生じるため、よ
り膜厚が厚く形成される。
【００３６】以上説明したように、本第１の実施形態に
よれば、逆メサ方向にストライプ状の凹凸形状を持つ化
合物半導体基板上に、クラッド層、活性層等からなる多
層膜半導体レーザ構造を有するものであって、１回のＭ
ＯＣＶＤ結晶成長で活性層の横方向に屈折率差をつけ、
かつ電流狭窄のための電流ブロック層が存在したＢＨ構
成のＳＤＨ構造を有する半導体レーザ１００において、
ストライプ部１００ａの共振器方向において端面部１０
０ｂのストライプ幅を中央部１００ｃのストライプ幅よ
り大きく設定し、かつ、端面部１００ｂにおける活性層
の厚さを中央部１００ｃにおける活性層の厚さより薄く
形成して、端面部１００ｂにおける活性層のバンドギャ
ップＥｇｂを中央部における活性層のバンドギャップＥ
ｇｃより広く構成したので、端面部において、内部で発
生したレーザ光の吸収を少なくでき、発熱が抑えられ、
歩留りの向上、コスト削減を図りつつ端面付近のバンド
ギャップを広くでき、また、端面破壊を起こすおそれも
なく、ひいては信頼性の向上、最大光出力の増大を図れ
る利点がある。
よれば、逆メサ方向にストライプ状の凹凸形状を持つ化
合物半導体基板上に、クラッド層、活性層等からなる多
層膜半導体レーザ構造を有するものであって、１回のＭ
ＯＣＶＤ結晶成長で活性層の横方向に屈折率差をつけ、
かつ電流狭窄のための電流ブロック層が存在したＢＨ構
成のＳＤＨ構造を有する半導体レーザ１００において、
ストライプ部１００ａの共振器方向において端面部１０
０ｂのストライプ幅を中央部１００ｃのストライプ幅よ
り大きく設定し、かつ、端面部１００ｂにおける活性層
の厚さを中央部１００ｃにおける活性層の厚さより薄く
形成して、端面部１００ｂにおける活性層のバンドギャ
ップＥｇｂを中央部における活性層のバンドギャップＥ
ｇｃより広く構成したので、端面部において、内部で発
生したレーザ光の吸収を少なくでき、発熱が抑えられ、
歩留りの向上、コスト削減を図りつつ端面付近のバンド
ギャップを広くでき、また、端面破壊を起こすおそれも
なく、ひいては信頼性の向上、最大光出力の増大を図れ
る利点がある。
【００３７】また、ＳＤＨ構造を用いるため、複雑な構
造が１回のＭＯＣＶＤ成長で作製可能である。
造が１回のＭＯＣＶＤ成長で作製可能である。
【００３８】ほお、本第１の実施形態では、ＡｌＧａＡ
ｓ系の半導体レーザを例に説明したが、本発明が、他の
材料系、たとえばＡｌＧａＩｎＰ系等の半導体レーザに
ついても適用でき、同様の効果を得ることができること
はいうまでもない。
ｓ系の半導体レーザを例に説明したが、本発明が、他の
材料系、たとえばＡｌＧａＩｎＰ系等の半導体レーザに
ついても適用でき、同様の効果を得ることができること
はいうまでもない。
【００３９】第２実施形態 図７は、本発明に係る半導体レーザの第２の実施形態を
示す平面図、図８は図７のＡ−Ａ線における簡略断面
図、図９は図７のＢ−Ｂ線における簡略断面図である。
示す平面図、図８は図７のＡ−Ａ線における簡略断面
図、図９は図７のＢ−Ｂ線における簡略断面図である。
【００４０】本第２の実施形態に係る半導体レーザ１０
０Ａは、ストライプ幅が１０μｍ以上に設定された出力
がワット（Ｗ）クラスの、いわゆるブロードストライプ
構造のスーパーハイパワー（ＳＨＰ）半導体レーザであ
る。
０Ａは、ストライプ幅が１０μｍ以上に設定された出力
がワット（Ｗ）クラスの、いわゆるブロードストライプ
構造のスーパーハイパワー（ＳＨＰ）半導体レーザであ
る。
【００４１】本半導体レーザ１００Ａは、第１の実施形
態と同様に、逆メサ方向にストライプ状の凹凸形状を持
つ化合物半導体基板上に、クラッド層、ガイド層、活性
層等からなる多層膜半導体レーザ構造を有するものであ
って、１回のＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）結晶成
長で活性層の横方向に屈折率差をつけ、かつ電流狭窄の
ための電流ブロック層が存在したＢＨ構成のＳＤＨ構造
を有し、ｐ型基板を用いたものであるが、以下の点で第
１の実施形態と異なる。
態と同様に、逆メサ方向にストライプ状の凹凸形状を持
つ化合物半導体基板上に、クラッド層、ガイド層、活性
層等からなる多層膜半導体レーザ構造を有するものであ
って、１回のＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）結晶成
長で活性層の横方向に屈折率差をつけ、かつ電流狭窄の
ための電流ブロック層が存在したＢＨ構成のＳＤＨ構造
を有し、ｐ型基板を用いたものであるが、以下の点で第
１の実施形態と異なる。
【００４２】すなわち、本半導体レーザ１００Ａは、図
７に示すように、ストライプ部１００ａには、その中央
部１００ｃにおいて共振器方向に、より幅の狭い複数本
の第２ストライプ部１１０が形成されている。すなわ
ち、本半導体レーザ１００Ａは、図９に示すように、ス
トライプ部１００ａの中央部１００ｃはアレイ型のＳＤ
Ｈ構造となっている。このような構造においては、共振
器中央のストライプ部は全領域が活性化されない。換言
すれば、全領域に電流が注入されないが、特性上の支障
はない。
７に示すように、ストライプ部１００ａには、その中央
部１００ｃにおいて共振器方向に、より幅の狭い複数本
の第２ストライプ部１１０が形成されている。すなわ
ち、本半導体レーザ１００Ａは、図９に示すように、ス
トライプ部１００ａの中央部１００ｃはアレイ型のＳＤ
Ｈ構造となっている。このような構造においては、共振
器中央のストライプ部は全領域が活性化されない。換言
すれば、全領域に電流が注入されないが、特性上の支障
はない。
【００４３】ただし、全ての共振器方向でストライプが
分離されていると、アレイ型のＳＨＰ半導体レーザとな
り応用が限定されるが、本第２の実施形態では、ストラ
イプ部１１０の端面部１１０ｂにおいては、第２ストラ
イプ部１１１が融合し、一つの幅広ストライプを形成し
ている。
分離されていると、アレイ型のＳＨＰ半導体レーザとな
り応用が限定されるが、本第２の実施形態では、ストラ
イプ部１１０の端面部１１０ｂにおいては、第２ストラ
イプ部１１１が融合し、一つの幅広ストライプを形成し
ている。
【００４４】このように、端面部において幅広にストラ
イプが融合していることから、近視野像は均一発光とな
っている。
イプが融合していることから、近視野像は均一発光とな
っている。
【００４５】そして、上述したように、ストライプ部１
１０の中央部１１０ａはアレイ型のＳＤＨ構造となって
いることから、中央部の活性層１０３ｃは、図６に関連
つけて説明したように、両側からのマイグレーション増
強効果で、量子井戸活性層の膜が厚く形成される。一
方、端面部１００ｂに活性層１０３ｂの膜厚は、ストラ
イプ幅が幅広であることから、マイグレーション効果が
少なく、中央部より薄く形成される。
１０の中央部１１０ａはアレイ型のＳＤＨ構造となって
いることから、中央部の活性層１０３ｃは、図６に関連
つけて説明したように、両側からのマイグレーション増
強効果で、量子井戸活性層の膜が厚く形成される。一
方、端面部１００ｂに活性層１０３ｂの膜厚は、ストラ
イプ幅が幅広であることから、マイグレーション効果が
少なく、中央部より薄く形成される。
【００４６】このように、本第２の実施形態において
も、端面部１００ｂにおける活性層１０３ｂ（図８）の
厚さが中央部１００ｃにおける活性層１００ｃ（図９）
の厚さより薄く形成されることから、端面部１００ｂに
おいて、中央部に比べて量子井戸構造を用いた場合、そ
のバンドギャップエネルギーＥｇｂを上昇させることが
できる。その結果、端面部１００ｂの光吸収量が少なく
なり、発熱が少なくなる。すなわち、端面部が強化され
ている。
も、端面部１００ｂにおける活性層１０３ｂ（図８）の
厚さが中央部１００ｃにおける活性層１００ｃ（図９）
の厚さより薄く形成されることから、端面部１００ｂに
おいて、中央部に比べて量子井戸構造を用いた場合、そ
のバンドギャップエネルギーＥｇｂを上昇させることが
できる。その結果、端面部１００ｂの光吸収量が少なく
なり、発熱が少なくなる。すなわち、端面部が強化され
ている。
【００４７】以上説明したように、本第２の実施形態に
よれば、歩留りの向上、コスト削減を図りつつ端面付近
のバンドギャップを広くでき、また、端面破壊を起こす
おそれもなく、ひいては信頼性の向上、最大光出力の増
大を図れる利点がある。
よれば、歩留りの向上、コスト削減を図りつつ端面付近
のバンドギャップを広くでき、また、端面破壊を起こす
おそれもなく、ひいては信頼性の向上、最大光出力の増
大を図れる利点がある。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
歩留りの向上、コスト削減を図りつつ端面付近のバンド
ギャップを広くでき、また、端面破壊を起こすおそれも
なく、ひいては信頼性の向上、最大光出力の増大を図れ
る利点がある。また、ＳＤＨ構造を用いるため、複雑な
構造が１回のＭＯＣＶＤ成長で作製可能である。
歩留りの向上、コスト削減を図りつつ端面付近のバンド
ギャップを広くでき、また、端面破壊を起こすおそれも
なく、ひいては信頼性の向上、最大光出力の増大を図れ
る利点がある。また、ＳＤＨ構造を用いるため、複雑な
構造が１回のＭＯＣＶＤ成長で作製可能である。
【図１】本発明に係る半導体レーザの第１の実施形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図４】ＭＯＣＶＤ成長におけるマイグレーションの効
果を説明するための図である。
果を説明するための図である。
【図５】（１１１）Ｂ面に囲まれたメサ突起上の断面三
角形部における膜厚の変化ついて説明するための図であ
る。
角形部における膜厚の変化ついて説明するための図であ
る。
【図６】ＳＤＨ構造が両側にもある場合のマイグレーシ
ョン効果を説明するための図である。
ョン効果を説明するための図である。
【図７】本発明に係る半導体レーザの第２の実施形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線における簡略断面図である。
【図９】図７のＢ−Ｂ線における簡略断面図である。
【図１０】従来の半導体レーザの平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線における断面図である。
１００，１００Ａ…半導体レーザ、１００ａ…ストライ
プ部、１００ｂ…端面部、１００ｃ…中央部、１０１…
ｐ型半導体基板、１０１ａ…主面、１０１ｂ…メサ状突
起、１０２…ｐ型第１のクラッド層、１０３…活性層、
１０３ｂ…端面部の活性層、１００ｃ…中央部の活性
層、１０４…ｎ型第２のクラッド層、１０５…ｐ型の電
流ブロック層、１０６…ｎ型クラッド層、１０７…ｎ型
キャップ層、１０８…ｎ側電極、１０９…ｐ側電極、１
１０…第２ストライプ部。
プ部、１００ｂ…端面部、１００ｃ…中央部、１０１…
ｐ型半導体基板、１０１ａ…主面、１０１ｂ…メサ状突
起、１０２…ｐ型第１のクラッド層、１０３…活性層、
１０３ｂ…端面部の活性層、１００ｃ…中央部の活性
層、１０４…ｎ型第２のクラッド層、１０５…ｐ型の電
流ブロック層、１０６…ｎ型クラッド層、１０７…ｎ型
キャップ層、１０８…ｎ側電極、１０９…ｐ側電極、１
１０…第２ストライプ部。
Claims (8)
- 【請求項１】 結晶面の主面にストライプ状のメサ状突
起が形成された半導体基板上に、 第１導電型の第１のクラッド層と、活性層と、第２導電
型の第２のクラッド層とが順次にエピタキシャル成長さ
れたエピタキシャル成長層を有し、活性層の横方向に屈
折率差をつけ、かつ電流狭窄のための電流ブロック層が
存在するＳＤＨ（Separated Double Heterostructure）
構造を備えた半導体レーザであって、 共振器方向において端面部の上記ストライプ幅が中央部
のストライプ幅より大きく設定されており、 端面部における活性層のバンドギャップが中央部におけ
る活性層のバンドギャップより広い半導体レーザ。 - 【請求項２】 端面部における活性層の厚さが中央部に
おける活性層の厚さより薄い請求項１記載の半導体レー
ザ。 - 【請求項３】 結晶面の主面にストライプ状のメサ状突
起が形成された半導体基板上に、 第１導電型の第１のクラッド層と、活性層と、第２導電
型の第２のクラッド層とが順次にエピタキシャル成長さ
れたエピタキシャル成長層を有し、活性層の横方向に屈
折率差をつけ、かつ電流狭窄のための電流ブロック層が
存在するＳＤＨ（Separated Double Heterostructure）
構造を備えた半導体レーザであって、 上記ストライプ部には、共振器方向により幅の狭い複数
本の第２ストライプ部が形成されている半導体レーザ。 - 【請求項４】 上記第２ストライプ部は、共振器方向に
おける中央部に形成され、端面部ではこれら第２ストラ
イプ部が融合し、一つの幅広ストライプを形成している
請求項３記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】 端面部における活性層のバンドギャップ
が中央部における活性層のバンドギャップより広い請求
項３記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】 端面部における活性層のバンドギャップ
が中央部における活性層のバンドギャップより広い請求
項４記載の半導体レーザ。 - 【請求項７】 端面部における活性層の厚さが中央部に
おける活性層の厚さより薄い請求項５記載の半導体レー
ザ。 - 【請求項８】 端面部における活性層の厚さが中央部に
おける活性層の厚さより薄い請求項６記載の半導体レー
ザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10318136A JP2000151020A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 半導体レーザ |
| KR1019990049234A KR20000035300A (ko) | 1998-11-09 | 1999-11-08 | 반도체 레이저 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10318136A JP2000151020A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000151020A true JP2000151020A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18095913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10318136A Pending JP2000151020A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 半導体レーザ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000151020A (ja) |
| KR (1) | KR20000035300A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268315A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2011151238A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 多重横モードレーザ |
| US20210184427A1 (en) * | 2018-05-30 | 2021-06-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor Laser |
-
1998
- 1998-11-09 JP JP10318136A patent/JP2000151020A/ja active Pending
-
1999
- 1999-11-08 KR KR1019990049234A patent/KR20000035300A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268315A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2011151238A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 多重横モードレーザ |
| US20210184427A1 (en) * | 2018-05-30 | 2021-06-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor Laser |
| US11557876B2 (en) * | 2018-05-30 | 2023-01-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000035300A (ko) | 2000-06-26 |
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