JP2009135331A - 半導体光集積素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】個体間での素子分離抵抗のばらつきを抑えることができる半導体光集積素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子1の製造方法では、素子分離部32を形成するためのウェットエッチングを行うにあたり、InGaAsからなるコンタクト層16の表面に、導電型がp型のInPからなる形状保持層31を形成している。この形状保持層31は、リッジ部5の頂部の最表層を構成し、SiO2からなる絶縁膜44とコンタクト層16との間の密着性を補うように作用する。そのため、ウェットエッチングの際、リッジ部5の角部5aと他の部分との間のエッチングレートの差が緩和され、サイドエッチングを抑制することが可能となる。したがって、この半導体光集積素子1の製造方法では、素子分離部32の形状寸法のばらつきの発生を抑制され、個体間での素子分離抵抗のばらつきが抑えられる。
【選択図】図1
【解決手段】半導体光集積素子1の製造方法では、素子分離部32を形成するためのウェットエッチングを行うにあたり、InGaAsからなるコンタクト層16の表面に、導電型がp型のInPからなる形状保持層31を形成している。この形状保持層31は、リッジ部5の頂部の最表層を構成し、SiO2からなる絶縁膜44とコンタクト層16との間の密着性を補うように作用する。そのため、ウェットエッチングの際、リッジ部5の角部5aと他の部分との間のエッチングレートの差が緩和され、サイドエッチングを抑制することが可能となる。したがって、この半導体光集積素子1の製造方法では、素子分離部32の形状寸法のばらつきの発生を抑制され、個体間での素子分離抵抗のばらつきが抑えられる。
【選択図】図1
Description
本発明は、複数の半導体光素子を同一の基板上に集積してなる半導体光集積素子の製造方法に関する。
従来の半導体光集積素子として、例えば特許文献1及び特許文献2に記載の半導体装置がある。この半導体装置では、半導体基板の一面側に、半導体レーザ素子とEA変調素子とをそれぞれ形成している。また、各素子の間には、リッジ部の頂部に設けられたコンタクト層をウェットエッチングすることによって、凹状の素子分離部が形成されている。
特開平11−97799号公報
特開2006−351818号公報
素子分離部の形成にあたってウェットエッチングを用いる理由としては、ドライエッチングを用いる場合と異なり、ダメージ層の形成による素子分離抵抗の低下を回避できる点が挙げられる。しかしながら、ウェットエッチングでは、マスクとして用いる絶縁層と半導体層との密着性の不十分さに起因して、素子分離部に形成されるリッジ部の角部でエッチングレートが他の部分よりも大きくなり、サイドエッチングが生じることが考えられる。
このようなリッジ部のサイドエッチングが生じると、素子分離部の形状寸法にばらつきが生じ易くなる。その結果、半導体基板上に集積した各素子間の素子分離抵抗が、半導体光集積素子の個体間でばらついてしまうおそれがある。
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、個体間での素子分離抵抗のばらつきを抑えることができる半導体光集積素子の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題の解決のため、本発明に係る半導体光集積素子の製造方法は、半導体基板上に、第1の活性層を含む第1の化合物半導体層及び第2の活性層を含む第2の化合物半導体層を形成する工程と、第1の化合物半導体層及び第2の化合物半導体層の表面に、InGaAs又はInGaAsPからなるコンタクト層を形成する工程と、コンタクト層の表面にInPからなる形状保持層を形成する工程と、第1の化合物半導体層、第2の化合物半導体層、コンタクト層、及び形状保持層をストライプ状に切り出してリッジ部を形成する工程と、リッジ部を覆うように絶縁膜からなるマスク層を形成する工程と、マスク層に開口部を形成し、第1の活性層と第2の活性層との境界部分に相当する位置でリッジ部の頂部を露出させる工程と、マスク層を用いたウェットエッチングにより、リッジ部の頂部において形状保持層及びコンタクト層を除去し、第1の化合物半導体層と第2の化合物半導体層とを分離する素子分離部を形成する工程とを備えたことを特徴としている。
この半導体光集積素子の製造方法では、素子分離部を形成するためのウェットエッチングを行うにあたり、InGaAs又はInGaAsPからなるコンタクト層の表面に、InPからなる形状保持層を形成している。この形状保持層はリッジ部の頂部に位置し、絶縁膜からなるマスク層とコンタクト層との間の密着性を補うように作用する。そのため、ウェットエッチングの際に形成されるリッジ部の角部と他の部分との間でエッチングレートの差が緩和され、サイドエッチングを抑制することが可能となる。したがって、この半導体光集積素子の製造方法では、素子分離部の形状寸法のばらつきの発生を抑制でき、個体間での素子分離抵抗のばらつきを抑えることができる。
また、形状保持層を20nm以上の厚さで形成することが好ましい。形状保持層の厚さが不十分であると、コンタクト層のウェットエッチングの際に形状保持層ごとサイドエッチングが入ってしまうことが考えられる。したがって、形状保持層を上記の厚さ以上とすることで、素子分離部の形状寸法のばらつきの発生をより確実に抑制できる。
また、形状保持層を1000nm以下の厚さで形成することが好ましい。形状保持層の厚さが過剰になると、コンタクト層と、これに接続する表面電極との段差が大きくなり、表面電極の断線が生じ易くなる。したがって、形状保持層を上記の厚さ以下とすることで、表面電極での不具合の発生を防止できる。
また、ウェットエッチングにおいて、H2SO4、H2O2、及びH2Oの混合溶液をエッチャントとして用いることが好ましい。この場合、コンタクト層とクラッド層とのエッチング選択比を十分に確保できるので、良好なウェットエッチングを行うことができる。
本発明によれば、半導体光集積素子における個体間での素子分離抵抗のばらつきを抑えることができる。
以下、図面を参照しながら、本発明に係る半導体光集積素子の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
図1及び図2は、本発明に係る半導体光集積素子の製造方法の一実施形態を適用して作製した半導体光集積素子の構成を示す斜視図である。また、図3は、図1におけるIII−III線断面図である。同図に示すように、半導体光集積素子1は、半導体基板2の一面側に、半導体レーザ素子3と、変調素子4とを集積してなる素子であり、各素子3,4の機能的な構成層が半導体基板2の所定の方向に沿ってストライプ状のリッジ部5をなす、いわゆるリッジ型半導体光集積素子である。
半導体基板2は、例えば導電型がn型のInP基板である。半導体基板2の厚さは、例えば約100μmとなっている。半導体基板2の表面側には、例えば導電型がn型のInPからなるバッファ層(図示せず)が設けられている。半導体基板2の裏面側には、AuGeNiを蒸着して得られる裏面電極6が形成されている。
半導体レーザ素子3は、半導体基板2における一側の略半分の領域に設けられた第1の化合物半導体層11によって形成されている。第1の化合物半導体層11は、活性層(第1の活性層)12と、回折格子形成層13と、クラッド層14と、クラッド層15とが半導体基板2側から順次形成されて構成されている。
活性層12は、多重量子井戸−分離閉じ込めヘテロ(MQW−SCH)構造を有している。すなわち、活性層12は、交互に積層された複数のノンドープInGaAs半導体(バンドギャップ波長1.4μm)からなるウェルと、複数のノンドープInGaAsP半導体(バンドギャップ波長1.1μm)からなるバリアとを有する多重量子井戸構造を有し、多重量子井戸の上下には、SCH層(図示せず)が設けられている。活性層12からの発光波長は、例えば1.3μmとなっている。
回折格子形成層13は、例えばInGaAsP層である。回折格子形成層13の表面には、回折格子13aが形成されている(図3参照)。回折格子13aの凹凸パターンは、リッジ部5の延在方向に沿って設けられており、凹凸パターンのピッチは約200nmとなっている。回折格子13aは、リッジ部5の長手方向に沿って活性層12の内部を進行する光の一部を、進行方向とは反対の方向に反射させる。これにより、活性層12の内部では、回折格子13aにおける凹凸パターンのピッチで決まる波長の光が帰還される。
クラッド層14及びクラッド層15は、例えば導電型がp型のInP層である。クラッド層14の厚さは、例えば約0.1μmとなっており、クラッド層15の厚さは、例えば2.0μmとなっている。これらの第1の化合物半導体層11は、活性層12で発生した光を閉じ込めて導波する光導波路を形成している。
一方、変調素子4は、半導体基板2における他側の略半分の領域に設けられた第2の化合物半導体層21によって形成されている。第2の化合物半導体層21は、活性層(第2の活性層)22と、第1の化合物半導体層11と共通のクラッド層15とが半導体基板2側から順次形成されて構成されている。
活性層22は、例えばノンドープのInGaAsP半導体材料からなり、活性層12と同様に、多重量子井戸−分離閉じ込めヘテロ(MQW−SCH)構造を有している。活性層22は、活性層12から出射するレーザ光を受けて増幅し、変調素子4に一定の逆方向電圧が印加された場合には、レーザ光を吸収する。第2の化合物半導体層21は、光を主として活性層22に閉じ込めて導波する光導波路を形成している。
リッジ部5は、クラッド層15及びコンタクト層16によって半導体基板2の一面側に形成されている。リッジ部5は、例えば幅約0.5μm、高さ約2.0μmのストライプ状をなし、半導体基板2の長手方向の中心線に沿って延在している。コンタクト層16は、例えば導電型がp型のInGaAs層である。コンタクト層16の厚さは、例えば約0.5μmとなっている。リッジ部5の頂部において、コンタクト層16の表面には、例えば導電型がp型のInPからなる形状保持層31が形成されている。形状保持層31の厚さは、例えば20nm〜1000nmとなっている。
リッジ部5における頂部の略中央部分、すなわち、第1の化合物半導体層11の活性層12と、第2の化合物半導体層21の活性層22との境界部分に相当する位置には、図3にも示すように、素子分離部32が形成されている。素子分離部32は、リッジ部5の頂部のウェットエッチングによって形状保持層31及びコンタクト層16を除去することにより、断面矩形の凹状に形成されている。この素子分離部32により、第1の化合物半導体層11と第2の化合物半導体層21とは電気的に分離された状態となっている。
リッジ部5の表面には、例えばSiO2からなる保護層33が全面に形成されている。保護層33において、リッジ部5の頂部を覆う部分には、第1の化合物半導体層11のコンタクト層16を露出させる開口部33aと、第2の化合物半導体層21のコンタクト層16を露出させる開口部33bとがそれぞれ形成されている。
リッジ部5の側部には、例えばポリイミドといった低誘電率樹脂からなる埋込層34が形成されている。埋込層34は、リッジ部5の両側部を覆うように半導体基板2の一面にそれぞれ形成されており、リッジ部5の埋め込みが実現されている。埋込層34の上面は、埋込層34から露出するリッジ部5の上面と略面一になっており、半導体光集積素子1の平坦化がなされている。
リッジ部5及び埋込層34の表面には、例えばTi/Pt/Auをそれぞれ蒸着して得られる3層構造の表面電極7,8がそれぞれ形成されている。Ti、Pt、Auの厚さは、それぞれ例えば500Å、500Å、8000Åとなっている。
表面電極7は、第1の化合物半導体層11上において保護層33の開口部33aを塞ぐように形成され、開口部33aの底部でコンタクト層16と接触している。表面電極7は、埋込層34,34の表面にそれぞれ張り出す矩形のパッド部7aを有している。
また、表面電極8は、第2の化合物半導体層21上において保護層33の開口部33bを塞ぐように形成され、表面電極7と同様に、開口部33bの底部でコンタクト層16と接触している。表面電極8は、埋込層34の表面に張り出す円形のパッド部8aを有している。
続いて、上述した構成を有する半導体光集積素子1の製造方法について説明する。
図4〜図8は、半導体光集積素子1の製造工程を示す図である。まず、導電型がn型のInPからなる半導体基板2を用意する。次に、例えば有機金属気相成長法により、図4(a)に示すように、半導体基板2の一面に、導電型がn型のInPからなるバッファ層と、InGaAsPからなる半導体レーザ素子3の活性層12と、InGaAsPからなる回折格子形成層13を成長させる。
次に、回折格子形成層13の表面にレジストを塗布し、例えば電子ビーム露光装置を用いてレジストに約200nmピッチのライン&スペースを形成する。そして、例えばHBr、H2O2、H2Oを混合した臭素系エッチャントを用いて回折格子形成層13の表面をウェットエッチングし、図4(b)に示すように、回折格子13aを形成する。回折格子13aの形成の後、図4(c)に示すように、回折格子形成層13の表面に、導電型がp型のInPからなるクラッド層14を成長させる。
次に、例えばフォトリソグラフィーを用いることにより、クラッド層15の表面の一側の端部から中央部にかけてストライプ状の絶縁層41を形成する。そして、この絶縁層41をマスクとし、例えばBCl3等のガスを用いたドライエッチングによってクラッド層14、回折格子形成層13、及び活性層12をエッチングすることにより、図5(a)に示すように、半導体レーザ素子3のメサ部42を形成する。
メサ部42の形成の後、例えば有機金属気相成長法により、図5(b)に示すように、半導体基板2の表面にInGaAsPからなる変調素子4の活性層22を成長させる。次に、例えばHFを用いることにより、メサ部42の形成に用いた絶縁層41を除去する。絶縁層41の除去後、例えば有機金属気相成長法により、図5(c)に示すように、活性層22の表面に、導電型がp型のInPからなるクラッド層15と、導電型がp型のInGaAsからなるコンタクト層16と、導電型がp型のInPからなる形状保持層31とをそれぞれ成長させる。
次に、例えばフォトリソグラフィーを用いることにより、図6(a)に示すように、形状保持層31の表面にストライプ状の絶縁層43を形成する。この絶縁層43は、半導体レーザ素子3の活性層12と重なるように、形状保持層31の表面の一側の端部から他側の端部にかけて形成する。そして、この絶縁層43をマスクとし、例えばBCl3等のガスを用いたドライエッチングによって形状保持層31、コンタクト層16、クラッド層15をエッチングすることにより、図6(b)に示すように、半導体基板2上にリッジ部5を形成する。
この後、例えばHCl、H2O2、H2Oを混合した塩素系エッチャントを用いてリッジ部5をウェットエッチングし、ドライエッチング時に形成された変性層を除去する。また、例えばHFを用いることにより、図6(c)に示すように、リッジ部5の形成に用いた絶縁層43を除去する。
次に、図7(a)に示すように、リッジ部5の表面を覆うように、例えばSiO2からなる絶縁膜44を半導体基板2上に成長させる。また、この絶縁膜44の表面全面にレジスト層(図示せず)を塗布する。そして、フォトリソグラフィー及びセルフアライメント法を併用することにより、図7(b)に示すように、リッジ部5の頂部の略中央部分を露出させる矩形の開口部44aを絶縁膜44に形成する。
開口部44aを形成した後、例えばCH4ガスを用いたRIEにより、図7(c)に示すように、リッジ部5の最表層である形状保持層31を除去する。更に、例えばH2SO4、H2O2、H2Oを混合した硫酸系エッチャントを用いたウェットエッチングにより、図8(a)に示すように、形状保持層31の下層であるコンタクト層16を除去する。これにより、第1の化合物半導体層11の活性層12と、第2の化合物半導体層21の活性層22との境界部分に相当する位置に、素子分離部32が形成される。
素子分離部32の形成の後、例えばHFを用いることにより、図8(b)に示すように、絶縁膜44を除去する。次に、図9(a)に示すように、素子分離部32を含むリッジ部5の表面を覆うように、例えばSiO2からなる保護層33を半導体基板2上に成長させる。そして、図9(b)に示すように、リッジ部5の両側部を覆う厚さで、例えばポリイミドからなる埋込層34を半導体基板2上に形成する。
次に、保護層33において、第1の化合物半導体層11に対応する開口部33aと、第2の化合物半導体層21に対応する開口部33bとをそれぞれパターニングする。そして、例えばHCl及びH2Oを混合した塩素系エッチャントを用いて開口部33a及び開口部33bから露出する形状保持層31をウェットエッチングし、コンタクト層16を露出させる。
次に、Ti(500Å)/Pt(500Å)/Au(8000Å)を蒸着してリフトオフすることにより、コンタクト層16と接続される表面電極7,8をそれぞれ形成する。最後に、半導体基板2の裏面を研磨して100μm程度に薄くし、例えばAuGeNiを蒸着して裏面電極6を形成すると、図1〜図3に示した半導体光集積素子1が完成する。
以上説明したように、この半導体光集積素子1の製造方法では、素子分離部32を形成するためのウェットエッチングを行うにあたり、InGaAsからなるコンタクト層16の表面に、導電型がp型のInPからなる形状保持層31を形成している。
形状保持層31を設けない場合、絶縁膜44と半導体層であるコンタクト層16との密着性の不十分さに起因して、絶縁膜44とコンタクト層16との間にエッチャントが浸入し易くなる。この場合、図10(a)にしめすように、コンタクト層16のウェットエッチングによって形成されるリッジ部5の角部5aにおいてエッチングレートが他の部分よりも大きくなり、サイドエッチングが生じることが考えられる。
このようなサイドエッチングが生じると、リッジ部5の角部5aが丸みを帯びてしまうため、素子分離部32の形状寸法(特に、リッジ部5の長手方向に沿う素子分離部32の長さ)にばらつきが生じ易くなり、半導体レーザ素子3と変調素子4との間の素子分離抵抗が、半導体光集積素子1の個体間でばらついてしまうおそれがある。
これに対し、本実施形態では、形状保持層31がリッジ部5の頂部の最表層を構成し、SiO2からなる絶縁膜44とコンタクト層16との間の密着性を補うように作用する。そのため、ウェットエッチングの際、リッジ部5の角部5aと他の部分との間のエッチングレートの差が緩和され、図10(b)に示すように、サイドエッチングを抑制することが可能となる。したがって、この半導体光集積素子1の製造方法では、素子分離部32の形状寸法のばらつきの発生を抑制でき、個体間での素子分離抵抗のばらつきを抑えることができる。
また、上記ウェットエッチングにおいては、H2SO4、H2O2、及びH2Oの混合溶液をエッチャントとして用いている。この場合、コンタクト層16とクラッド層15とのエッチング選択比を十分に確保できるので、良好なウェットエッチングを行うことができる。
また、この半導体光集積素子1の製造方法では、形状保持層31を20nm〜1000nmの厚さで形成している。形状保持層31の厚さが不十分であると、コンタクト層16のウェットエッチングの際に形状保持層31ごとサイドエッチングが入ってしまうことが考えられる。したがって、形状保持層31の厚さを20nm以上とすることで、素子分離部32の形状寸法のばらつきの発生をより確実に抑制できる。
一方、形状保持層31の厚さが過剰になると、コンタクト層16と、これに接続する表面電極7との段差L(図3参照)が大きくなり、表面電極7の断線が生じ易くなる。したがって、形状保持層31の厚さを1000nm以下とすることで、表面電極7での不具合の発生を防止できる。
本発明は、上記実施形態に限られるものではない。例えば上述した実施形態では、InGaAsからなるコンタクト層16を例示したが、InGaAsPからなるコンタクト層であってもよい。絶縁膜44は、SiNであってもよい。また、コンタクト層と絶縁層との間に形状保持層を設ける構成は、GaAsからなる半導体基板を用いた半導体光集積素子に適用することも可能である。この場合、コンタクト層として例えばGaAsを用いると共に、形状保持層として例えばGaInPを用いることができる。
1…半導体光集積素子、2…半導体基板、5…リッジ部、11…第1の化合物半導体層、12…活性層(第1の活性層)、16…コンタクト層、21…第2の化合物半導体層、22…活性層(第2の活性層)、31…形状保持層、32…素子分離部、44…絶縁層(マスク層)、44a…開口部。
Claims (4)
- 半導体基板上に、第1の活性層を含む第1の化合物半導体層及び第2の活性層を含む第2の化合物半導体層を形成する工程と、
前記第1の化合物半導体層及び前記第2の化合物半導体層の表面に、InGaAs又はInGaAsPからなるコンタクト層を形成する工程と、
前記コンタクト層の表面にInPからなる形状保持層を形成する工程と、
前記第1の化合物半導体層、前記第2の化合物半導体層、前記コンタクト層、及び前記形状保持層をストライプ状に切り出してリッジ部を形成する工程と、
前記リッジ部を覆うように絶縁膜からなるマスク層を形成する工程と、
前記マスク層に開口部を形成し、前記第1の活性層と前記第2の活性層との境界部分に相当する位置で前記リッジ部の頂部を露出させる工程と、
前記マスク層を用いたウェットエッチングにより、前記リッジ部の前記頂部において前記形状保持層及び前記コンタクト層を除去し、前記第1の化合物半導体層と前記第2の化合物半導体層とを分離する素子分離部を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体光集積素子の製造方法。 - 前記形状保持層を20nm以上の厚さで形成することを特徴とする請求項1記載の半導体光集積素子の製造方法。
- 前記形状保持層を1000nm以下の厚さで形成することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体光集積素子の製造方法。
- 前記ウェットエッチングにおいて、H2SO4、H2O2、及びH2Oの混合溶液をエッチャントとして用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体光集積素子の製造方法。
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