JP5098878B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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(積層体形成工程)
(マスク形成工程)
(回折格子形成工程)
(酸化処理工程)
(エッチング処理工程)
(清浄化熱処理工程)
(オーバーグロース工程)
(仕上げ工程)
定されない。例えば、半導体発光素子10は、例えばLED、ファブリペロー型量子細線レーザ、量子箱レーザ、又は、量子細線若しくは量子箱活性層を有する面発光レーザ等であってもよい。
Claims (3)
- 回折格子を有する半導体発光素子の製造方法であって、
基板上に、Alを含む活性層及び前記活性層上に積層されたInP層を有する積層体を形成するステップと、
前記積層体上に、前記回折格子を形成するためのマスクを形成するステップと、
前記マスクを用いて、前記活性層に達する深さまで前記積層体をエッチングして、前記活性層に周期的な凹部を形成することで前記回折格子を形成するステップと、
前記回折格子が形成された前記積層体の前記活性層及び前記InP層に対してO2プラズマ酸化処理をおこない、前記エッチングにより露出した前記活性層及び前記InP層の側面に、前記活性層と前記InP層とで厚さの異なる酸化膜を形成するステップと、
前記活性層及び前記InP層の側面の前記酸化膜をエッチング除去するステップであって、該エッチング除去により、前記InP層が前記活性層からひさし状に張り出した形状とする、ステップと、
前記酸化膜をエッチング除去するステップの後、前記活性層側面の清浄化熱処理をおこなうステップであって、前記InP層のマストランスポートにより、前記活性層側面を含む前記凹部内面を覆う、ステップと、
前記酸化膜を除去した後、前記活性層の前記凹部を覆うオーバーグロース層を成長させるステップと
を備える、半導体発光素子の製造方法。 - 前記回折格子を形成ステップの際、前記活性層を貫通する深さまで前記積層体をエッチングする、請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記マスクはSiO 2 からなり、
前記酸化膜をエッチング除去するステップでは、バッファードフッ酸水溶液を用いて、前記活性層の側面の前記酸化膜とともに前記マスクをエッチング除去する、請求項1又は2に記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008199761A JP5098878B2 (ja) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008199761A JP5098878B2 (ja) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010040649A JP2010040649A (ja) | 2010-02-18 |
JP5098878B2 true JP5098878B2 (ja) | 2012-12-12 |
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ID=42012907
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008199761A Expired - Fee Related JP5098878B2 (ja) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 半導体発光素子の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5098878B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5599243B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2014-10-01 | 富士通株式会社 | 光半導体素子及びその製造方法、並びに光装置 |
CN106094085B (zh) * | 2016-06-21 | 2019-07-02 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 相移光栅制作方法及相移光栅 |
CN117174798B (zh) * | 2023-11-03 | 2024-02-09 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种led芯片及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01215086A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
JPH03131593A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-05 | Nippon Mining Co Ltd | エピタキシヤル成長用基板の前処理方法 |
JPH0878781A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Canon Inc | 光半導体装置の作製方法 |
JPH10242563A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光素子の製造方法 |
JP4072938B2 (ja) * | 2001-05-11 | 2008-04-09 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子及びその製造方法 |
JP3863454B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2006-12-27 | 富士通株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP4751124B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2011-08-17 | 住友電気工業株式会社 | 半導体発光素子を作製する方法 |
JP4091647B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2008-05-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
JP4421618B2 (ja) * | 2007-01-17 | 2010-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | フィン型電界効果トランジスタの製造方法 |
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2008
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Publication number | Publication date |
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JP2010040649A (ja) | 2010-02-18 |
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