JP2008227287A - 半導体光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】InP基板10上に設けられた活性層12上に、Ga、In、及びAsを含むIII−V族化合物半導体層16を形成する。III−V族化合物半導体層16の表面16sにおける第1及び第2の領域r1,r2上に、第1及び第2のマスク20a,20bをそれぞれ形成する。マスク20a,20bを用いて、活性層12及びIII−V族化合物半導体層16をエッチングすることにより、第1及び第2の半導体メサ22a,22bをそれぞれ形成する。マスク20a,20bを用いて、半導体メサ22a,22bを埋め込むInP層24を形成する。III−V族化合物半導体層16bの表面16sにおける第2の領域r2を、所定のラインLに沿ってスクライブする。スクライブラインSLを起点として、InP基板10aを劈開する。
【選択図】図6
Description
まず、図1(A)に示されるように、第1導電型(例えばn型)のInP基板10上に、活性層12、第2導電型(例えばp型)のクラッド層14、及びGa、In、及びAsを含む第2導電型のIII−V族化合物半導体層16をこの順に形成する。III−V族化合物半導体層16は、コンタクト層である。III−V族化合物半導体層16は、多層構造を有してもよい。III−V族化合物半導体層16は、例えばGaInAs、GaInAsP等からなる。III−V族化合物半導体層16には、例えばZn、Si等のドーパントがドープされていてもよい。III−V族化合物半導体層16は、InPと格子整合する単結晶からなることが好ましい。III−V族化合物半導体層16の厚さは、0.2〜0.5μmであることが好ましい。III−V族化合物半導体層16上に、例えばInPからなるキャップ層を形成してもよい。
・InPバッファ層:0.5μm
・活性層12:0.3μm
・クラッド層14:2.0μm
・III−V族化合物半導体層16:0.2μm
次に、図1(B)及び図2に示されるように、III−V族化合物半導体層16の表面16sにおける第1の領域r1及び第2の領域r2上に、第1のマスク20a及び第2のマスク20bをそれぞれ形成する。表面16sは、例えばIII−V族化合物半導体層16の(001)面である。マスク20a,20bは、互いに離間している。本実施形態では、複数のマスク20aと複数のマスク20bとが、表面16sに平行な方向に沿って交互に配列される。離間距離は、例えば150μmである。マスク20a,20bは、例えば、III−V族化合物半導体層16の表面16s上に絶縁層を形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて絶縁層をパターニングすることにより形成される。マスク20a,20bは、例えばSiO2、SiN等からなる。マスク20a,20bは、例えばストライプ状に形成される。その場合、ストライプ状のマスク20aの幅は、例えば1〜2μmである。ストライプ状のマスク20bの幅は、20〜30μmであることが好ましい。一実施例において、マスク20a,20bの厚さは0.3μmである。
次に、図3(A)に示されるように、マスク20a,20bを用いて、InP基板10の一部、活性層12、クラッド層14、及びIII−V族化合物半導体層16をエッチングすることにより、InP基板10a上に第1の半導体メサ22a及び第2の半導体メサ22bをそれぞれ形成する。これにより、半導体メサ22aと半導体メサ22bとの間に溝が形成される。このとき、InP基板10をエッチングしなくてもよい。半導体メサ22a,22bは、例えばCH4ガス及びH2ガスを用いたドライエッチング(RIE)により形成される。ドライエッチング後に、例えば0.1μm程度ウェットエッチングしてもよい。半導体メサ22aは、活性層12a、クラッド層14a、及びIII−V族化合物半導体層16aをこの順に積層してなる。半導体メサ22aは、光導波路となる。半導体メサ22bは、活性層12b、クラッド層14b、及びIII−V族化合物半導体層16bをこの順に積層してなる。半導体メサ22a,22bは、例えばストライプ状に形成される。
次に、図3(B)に示されるように、マスク20a,20bを用いて、半導体メサ22a,22bを埋め込むように、InP基板10a上にInP層24を形成する。InP層24は例えばFeドープされているが、Znドープ又はSiドープされてもよい。InP層24は例えばOMVPE(有機金属気相成長)により形成される。InP層24は、その表面が半導体メサ22a,22bの頂面と略同じ位置になるように形成されることが好ましい。
続いて、図4(A)に示されるように、半導体メサ22a,22b及びInP層24上に、絶縁層26を形成する。絶縁層26は例えばSiO2、SiN等からなる。
次に、図4(C)に示されるように、半導体メサ22aのIII−V族化合物半導体層16aに電気的に接続された電極32を半導体メサ22a上に形成する。電極32は、各半導体メサ22aに対してそれぞれ形成される。電極32は、開口部28a内に形成され、ストライプ状の半導体メサ22aの延在方向に沿って延びる。また、InP基板10aの裏面に電極34を形成する。電極34は、各半導体メサ22aに対してそれぞれ形成される。電極34を形成する前に、必要に応じてInP基板10aの裏面を研磨する。例えばInP基板10aの厚さが100μmになるまで研磨することが好ましい。
次に、図5及び図6に示されるように、III−V族化合物半導体層16bの表面16sにおける第2の領域r2を、所定のラインLに沿ってスクライブする。図6では絶縁層28及び電極34の記載が省略されている。第2の領域r2をスクライブする際には、例えば、ダイヤモンドペン等のスクライブ装置36を用いる。これにより、所定のラインLに対応するスクライブラインSLが表面16sの第2の領域r2に形成される。
次に、第2の領域r2をスクライブすることによって形成されるスクライブラインSLを起点として、半導体メサ22b、及びInP基板10aを劈開する。これにより、InP基板10aはチップ化される。例えばブレードをスクライブラインSLに押し当てることによって劈開を行うことが好ましい。ストライプ状に形成された半導体メサ22a,22bの延在方向と交差する方向に沿って劈開を行った後、その延在方向に沿って劈開を行うことが好ましい。この場合、最初に半導体光素子50の光出射面を形成することができる。
Claims (3)
- InP基板上に設けられた活性層上に、Ga、In、及びAsを含むIII−V族化合物半導体層を形成する工程と、
前記III−V族化合物半導体層の表面における第1の領域及び第2の領域上に、第1のマスク及び第2のマスクをそれぞれ形成する工程と、
前記第1のマスク及び前記第2のマスクを用いて、前記活性層及び前記III−V族化合物半導体層をエッチングすることにより、第1の半導体メサ及び第2の半導体メサをそれぞれ形成する工程と、
前記第1のマスク及び前記第2のマスクを用いて、前記第1の半導体メサ及び前記第2の半導体メサを埋め込むInP層を形成する工程と、
前記III−V族化合物半導体層の表面における前記第2の領域を、所定のラインに沿ってスクライブする工程と、
前記第2の領域をスクライブすることによって形成されるスクライブラインを起点として、前記InP基板を劈開する工程と、
を含む、半導体光素子の製造方法。 - 前記InP層はFeドープされている、請求項1に記載の半導体光素子の製造方法。
- 前記III−V族化合物半導体層の表面における前記第2の領域をスクライブする前に、前記所定のライン上に開口部を有する絶縁層を前記III−V族化合物半導体層上に形成する工程を更に含む、請求項1又は2に記載の半導体光素子の製造方法。
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JP4862965B1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウェハ、半導体バー、半導体ウェハの製造方法、半導体バーの製造方法、半導体素子の製造方法 |
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2007
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