JP6036926B2 - 圧電デバイス - Google Patents
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Description
このイオン注入層を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法を用いた圧電デバイスの製造方法について以下説明する。
支持体上に形成され、結晶軸である+Z軸及び−Z軸に沿って分極した圧電薄膜と、
−Z軸に垂直な圧電薄膜の結晶面に形成され、圧電薄膜の結晶面に対して平行な結晶面を有する電極と、を備える。
また、この構成では、製造時において、エピタキシャル成長可能な上記圧電薄膜の結晶面を露出させるために、圧電薄膜の−Z軸側の主面をエッチングすることになる。ここで、圧電薄膜の−Y軸方向のエッチングレートは、圧電薄膜の+Y軸方向のエッチングレートに比べて極めて速い。そのため、エピタキシャル成長可能な上記圧電薄膜の結晶面を露出させるための、エッチング液の濃度やエッチング時間を大幅に低減させることができる。これにより、圧電薄膜と支持体の間に誘電体膜を設けた場合でも、エッチングによる誘電体膜のエッチング量を極めて少量に抑えることができる。
従って、この構成によれば、圧電薄膜上に形成する電極の耐電力性を向上させるとともに、製造時におけるエッチング液の濃度やエッチング時間を大幅に低減させることができる。
また、上記電極形成工程において電極は、結晶方位が圧電薄膜の−Z軸方向に配向するよう圧電薄膜の結晶面に形成されるため、耐電力性に優れた電極を得ることができる。
なお、圧電単結晶基板1は、タンタル酸リチウム基板の他、ニオブ酸リチウム基板、四ホウ酸リチウム基板やランガサイト基板、ニオブ酸カリウム基板、を用いても構わない。
なお、圧電単結晶基板1にタンタル酸リチウム基板以外の素材を用いた場合、それぞれの基板に応じた条件でイオン注入を行う。
なお、被エッチング層31は設けられずともよい。
S103では仮支持体41の構成材料として圧電単結晶基板1と同種のタンタル酸リチウム基板を採用し、被エッチング層31の構成材料としてCu膜およびSiO2膜をそれぞれスパッタ成膜により積層したものを採用する。したがって仮支持体41単体の線膨張係数と圧電単結晶基板1単体の線膨張係数は等しく、これにより、被エッチング層31と仮支持体41とからなる複合材である仮支持基板と圧電単結晶基板1(圧電薄膜20)との界面に作用する熱応力を問題とならない程度に十分小さくすることができる。
なお、被エッチング層31の線膨張係数はタンタル酸リチウム基板の線膨張係数と相違するが、上記Cu膜のような延性が高い構成材料(金属材料など)を圧電単結晶基板1に直接積層するとともに、被エッチング層31の厚みを必要十分な程度に薄くしておくことにより、圧電単結晶基板1(圧電薄膜20)との界面における熱応力を低減することができる。
なお、S104の分離工程は、減圧雰囲気下で加熱すれば、加熱温度を低くすることが可能である。
ここで、支持体51は誘電体膜90とともに支持基板を構成する。誘電体膜90と支持基板51とからなる支持基板は、前述の仮支持基板のように加熱工程における圧電単結晶基板1(圧電薄膜20)との界面に作用する熱応力を考慮する必要が無く、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。そのため、誘電体膜90や支持体51として、単体での線膨張係数が圧電薄膜20に比べて著しく小さな構成材料を採用することも可能になり、弾性表面波デバイスの温度―周波数特性を大幅に改善させられる。また、誘電体膜90や支持体51として熱伝導性の良い構成材料を採用することで、弾性表面波デバイスの放熱性、耐電力性を良化できる。さらに、誘電体膜90や支持体51として安価な構成材料、形成方法を採用することで、弾性表面波デバイスの製造コストを低廉にできる。
また、ここでは、被エッチング層31および仮支持体41からなる仮支持基板を除去するために、被エッチング層31をウェットエッチング、あるいはドライエッチングする。一般的には、被エッチング層31が無機系材料、金属系材料であればウェットエッチングを用い、有機系材料であればドライエッチングを用いる。これにより、圧電薄膜20に不要な応力や衝撃を与えることなく被エッチング層31および仮支持体41を除去でき、圧電薄膜20における不具合の発生を抑止できる。なお、被エッチング層31から分離した仮支持体41は、その後の弾性表面波デバイスの製造で再利用すると好適である。
詳述すると、S110では、まず、例えばTiを、結晶成長面(001)が圧電薄膜20の−Z面21と平行になるよう圧電薄膜20の−Z面21に−Z軸方向へエピタキシャル成長させる。次に、Alを、結晶成長面(111)が圧電薄膜20の−Z面21及びTiの結晶面(001)と平行になるようTi電極65の表面に−Z軸方向へエピタキシャル成長させる。これにより、図6(B)に示すように、結晶方位が圧電薄膜20の−Z軸方向に配向したAl電極66が圧電薄膜20上に得られる。そのため、耐電力性に優れたAl電極66を圧電薄膜20上に形成できる。
この第2の実施形態は、上記第1の実施形態と、仮支持体を形成しない点で異なり、エッチング工程以降は同じである。
なお、この接合には、直接接合と呼ばれる活性化接合や親水化接合や金属層を介した
相互拡散を利用した接合を用いることができる。また、本実施形態では、支持基板50を圧電単結晶基板1に接合しているが、実施の際は、支持基板50を、成膜等により圧電単結晶基板1上に形成しても構わない。
S204の分離形成工程により、支持基板50上に、単結晶の圧電薄膜120が形成される。ここで、第2の実施形態により得られる圧電薄膜120は+C面22側からイオン注入されており、−C面12側からイオン注入された第1の実施形態の圧電薄膜20(図4、図5参照)とイオン注入面が逆になっている。また、この実施形態では、イオン注入、分離により単結晶薄膜を形成しているため、スパッタ、蒸着、CVD法等で成膜される多結晶薄膜より圧電性に優れた薄膜を形成することができる。
また、上述の実施形態では、強酸によるウォットエッチングを用いたが、実施の際は、化学機械研磨、スクラバ洗浄等、他の方法を用いてもよい。
2 圧電基板
3 加工変質層
4 圧電薄膜
5 圧電基板
6 イオン注入層
7 表面
8 結合材
9 支持基板
11 Al電極
12 −C面
13 加工変質層
14 +Z面
20、120 圧電薄膜
21 −Z面
22 +C面
31 被エッチング層
41 仮支持体
50 支持基板
51 支持体
60A,60B 上部電極
60C IDT電極
61A、B バンプパッド
62A、B バンプ
65 下地電極層
66 Al電極
70 絶縁膜
90 誘電体膜
100、200 イオン注入部分
Claims (8)
- 支持体と、
前記支持体上に形成され、結晶軸である+Z軸及び−Z軸に沿って分極し、+Z軸側の結晶面が露出する主面である+C面と、−Z軸側の結晶面が露出する主面である−C面と、を有する圧電薄膜と、
前記圧電薄膜の−C面側に形成され、前記圧電薄膜の結晶面に対して平行な結晶面を有する電極と、を備え、
前記−C面は、前記結晶面を平坦面とする階段状構造を有する、圧電デバイス。 - 前記支持体は、前記圧電薄膜の前記+C面側に形成された、請求項1に記載の圧電デバイス。
- 前記支持体と前記圧電薄膜との間に、誘電体膜を備える、請求項2に記載の圧電デバイス。
- 前記誘電体膜は、前記圧電薄膜のエッチングによって影響を受ける材料からなる、
請求項3に記載の圧電デバイス。 - 前記電極材料は、アルミニウム、又はアルミニウムを主成分とした材料である、請求項1から4のいずれか1項に記載の圧電デバイス。
- 前記電極は、前記アルミニウムの結晶面(111)が前記圧電薄膜の結晶面と平行になるよう前記圧電薄膜の結晶面に形成された、請求項5に記載の圧電デバイス。
- 前記圧電薄膜の材質は、ニオブ酸リチウムの単結晶、又はタンタル酸リチウムの単結晶からなる、請求項1から6のいずれか1項に記載の圧電デバイス。
- 前記圧電薄膜の材質は、ニオブ酸リチウムの単結晶、又はタンタル酸リチウムの単結晶のうちのいずれかであり、
前記誘電体膜の材質は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、金属酸化物、金属窒化物、ダイヤモンドライクカーボンのうちのいずれかである、
請求項3または4に記載の圧電デバイス。
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