JP5522263B2 - 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 - Google Patents

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Description

この発明は、圧電単結晶材料の薄膜を用いた圧電デバイス、及び当該圧電デバイスの製造方法に関するものである。
現在、圧電薄膜を用いた薄膜型圧電デバイスが多く開発されている。このような薄膜型圧電デバイスを形成するための圧電薄膜の製造方法は複数あるが、例えば、特許文献１に示すように、イオン注入層を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法を用いた圧電デバイスの製造方法が考案されている。
このイオン注入層を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法を用いた圧電デバイスの製造方法について、図１を用いて以下説明する。
図１は、特許文献１の圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。まず、図１（Ａ）に示すように、圧電基板５の表面７側から水素イオンを注入することで、圧電基板５の所定の深さｄの位置にイオン注入層６を形成する。次に、図１（Ｂ）に示すように、圧電基板５の表面７に結合材８をスパッタリングにより堆積させる。次に、図１（Ｃ）に示すように、圧電基板５と支持基板９とを接合させる。最後に、圧電基板５と支持基板９の接合体に加熱処理を施し、イオン注入層６を分離面とした分離を行う。この結果、図１（Ｄ）に示すような圧電薄膜５′が支持基板９上に形成される。
特表２００２−５３４８８６号公報
しかしながら、上記特許文献１の製造方法においてイオンを注入すると（図１（Ａ）参照）、圧電基板５は、図２（Ａ）に示すように、圧電基板５のイオン注入層６側を凸にして反りが生じる。この反りが生じる理由は、圧電基板５のイオン注入部分において圧電材料の結晶格子間距離が、注入されたイオン元素によって拡がるためである。
このように反った状態で圧電基板５と支持基板９とを接合すると（図１（Ｃ）参照）、イオン注入層６側の面７の圧電材料は、結晶格子間距離がイオン注入前の結晶格子間距離に比べて伸びた状態で支持基板９と接合されることになる。そのため、支持基板９と接合した後にイオン注入層で分離した時、図２（Ｂ）に示すように、支持基板９の圧電薄膜５′側の面に対向する裏面４を圧縮する圧縮応力が圧電薄膜５′によりかかり、分離後の支持基板９は、圧電薄膜５′側を凸にして反ってしまう。
よって、特許文献１の製造方法で製造された圧電薄膜デバイスでは、この分離時に該圧縮応力が分離面にかかるため、圧電薄膜５′の表面粗さが劣化してしまうという問題があった。また、当該圧縮応力が分離面に局所的に発生するため、分離後に支持基板９が割れ易いという問題もあった。
したがって、本発明の目的は、イオン注入を起因とした、圧電薄膜の表面粗さの劣化と支持基板の割れを防ぐ圧電デバイス、及び当該圧電デバイスの製造方法を提供することにある。
本発明の圧電デバイスは、上記課題を解決するために以下の構成を備えている。
（１）本発明の圧電デバイスは、支持体と、イオン化した元素を注入された圧電単結晶基板から、注入された元素の濃度がピークとなる部分を分離面とした分離を行って支持体上に形成された圧電単結晶薄膜と、圧電単結晶薄膜上に形成された電極膜と、支持体の圧電単結晶薄膜側の面を収縮させる応力層と、を備える。
この構成では、応力層が支持体における圧電単結晶薄膜側の面を収縮させる。即ち、支持体では、応力層による収縮応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。
そのため、本発明の圧電デバイスを製造するとき、イオン化した元素を注入された圧電単結晶基板から、注入された元素の濃度がピークとなる部分を分離面とした分離を行って圧電単結晶薄膜を支持体上に形成する分離形成工程において、次のような分離が行われる。即ち、圧電単結晶薄膜による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。よって、圧電単結晶薄膜の表面粗さの劣化を防止できる。また、圧電単結晶薄膜による圧縮応力が分離面に局所的に発生することも無くなるため、分離後に支持体が割れることもない。
従って、この構成の圧電デバイスの製造方法によれば、圧電単結晶薄膜の表面粗さの劣化と支持体の割れを防ぐことができる。
（２）上記応力層は、支持体の圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に形成されており、支持体の圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する圧縮応力膜である。
この構成では、圧縮応力膜が支持体における圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、圧縮応力膜による圧縮応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。
（３）上記圧縮応力膜の材質は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化亜鉛、酸化タンタル、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムである。
（４）上記応力層は、圧電単結晶薄膜と支持体との間に形成され、圧電単結晶薄膜を引っ張る引張応力膜である。
この構成では、引張応力膜が圧電単結晶薄膜を引っ張ることにより支持体における圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、引張応力膜による引張応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。
（５）上記引張応力膜の材質は、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムである。
（６）上記支持体は、圧電単結晶薄膜を支持する支持層と、圧電単結晶薄膜と圧縮応力膜との間に形成された空隙層と、を有する。
この構成では、引張応力膜が支持体の圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、引張応力膜による引張応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。
（７）前記電極膜がＩＤＴ電極である。
また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、上記課題を解決するために以下の構成を備えている。本発明は、支持体と、支持体上に接合する圧電単結晶薄膜とを備える圧電デバイスの製造方法に関するものである。
（８）この圧電デバイスの製造方法では、少なくとも、イオン注入工程、応力層形成工程、支持体形成工程、および分離形成工程を有する。イオン注入工程は、圧電単結晶基板にイオン化した元素を注入することで、圧電単結晶基板の中に注入された元素の濃度がピークとなる部分を形成する。支持体形成工程は、支持体を圧電単結晶基板のイオン注入面側に形成する。応力層形成工程は、支持体の圧電単結晶薄膜側の面を収縮させる応力層を形成する。分離形成工程は、注入された元素の濃度がピークとなる部分を分離面とした分離を圧電単結晶基板に対して行い、圧電単結晶薄膜を支持体上に形成する。
この製造方法では、上記分離形成工程において、応力層が形成された状態で、圧電薄膜が支持体上に形成される。このとき、応力層が支持体における圧電単結晶薄膜側の面を収縮する。即ち、支持体では、応力層による収縮応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。
よって、この製造方法では、分離形成工程において、圧電単結晶薄膜による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。そのため、圧電単結晶薄膜の表面粗さの劣化を防止できる。また、圧電単結晶薄膜による圧縮応力が分離面に局所的に発生することも無くなるため、分離後に支持体が割れることもない。
従って、この構成の圧電デバイスの製造方法によれば、圧電単結晶薄膜の表面粗さの劣化と支持体の割れを防ぐことができる。
（９）上記応力層形成工程は、支持体の圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する圧縮応力膜を応力層として支持体の圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に形成する。
この製造方法では、上記分離形成工程において、圧縮応力膜が支持体の圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面に形成された状態で、圧電薄膜が支持体上に形成される。このとき、圧縮応力膜が支持体における圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、圧縮応力膜による圧縮応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。
（１０）上記応力層形成工程は、応力層として支持体の圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に、イオン注入層を形成する。
この製造方法において上記分離形成工程を経ると、イオン注入層が支持体における圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、イオン注入層による圧縮応力と圧電薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。
（１１）上記支持体形成工程は、応力層形成工程の後に行われ、
上記応力層形成工程は、圧電単結晶薄膜を引っ張る引張応力膜を応力層として圧電単結晶基板のイオン注入面側に形成する。
この製造方法では、上記分離形成工程において支持体の表面には、引張応力膜と単結晶の圧電薄膜とがこの順に積層される。このとき、引張応力膜が圧電薄膜を引っ張ることにより支持体における圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、引張応力膜による引張応力と圧電薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。
（１２）この発明の圧電デバイスの製造方法では、少なくとも電極膜形成工程を有する。電極膜形成工程は、支持体の表面上に形成された圧電単結晶薄膜上にＩＤＴ（ＩｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極膜を形成する。
（１３）この発明の圧電デバイスの製造方法では、少なくとも、犠牲層形成工程、露出工程、および犠牲層除去工程を有する。犠牲層形成工程は、圧電単結晶薄膜と支持体との間に形成される空隙層となる空間に犠牲層を形成する。露出工程は、圧電結晶薄膜をエッチングし、犠牲層の一部を圧電薄膜の表面側に露出させる孔部を形成する。犠牲層除去工程は、孔部を介して犠牲層を除去する。
この製造方法では、メンブレン構造を有する圧電デバイスを製造する。この製造方法では、上記分離形成工程において支持体の支持層と犠牲層の表面には、引張応力膜と単結晶の圧電薄膜とがこの順に積層される。このとき、引張応力膜が支持体の圧電単結晶薄膜側と犠牲層の面を圧縮する。即ち、支持体では、引張応力膜による引張応力と圧電薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。
この発明によれば、圧電単結晶薄膜の表面粗さの劣化と支持体の割れを防ぐことができる。
特許文献１の圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。 図２（Ａ）は、イオン注入された圧電薄膜により圧電基板が反る様子を模式的に示す図である。図２（Ｂ）は、分離工程終了時に圧電薄膜により支持基板が反る様子を模式的に示す図である。 第１の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 図３に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。 図３に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。 図６（Ａ）は、イオン注入された圧電薄膜により圧電単結晶基板が反る様子を模式的に示す図である。図６（Ｂ）は、圧縮応力膜形成工程を経ていない分離工程終了時に圧電薄膜により支持基板が反る様子を模式的に示す図である。図６（Ｃ）は、圧縮応力膜形成工程を経た後の分離工程終了時に圧縮応力膜により支持基板の反りが発生しない様子を模式的に示す図である。 図３に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。 図３に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。 第２の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 図９に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。 図９に示す引張応力膜形成工程を経た後の分離工程終了時に引張応力膜により支持基板の反りが発生しない様子を模式的に示す図である。 図９に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。 図９に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。 第３の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 図１４に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。 図１４に示す引張応力膜形成工程を経た後の分離工程終了時に引張応力膜により支持基板の反りが発生しない様子を模式的に示す図である。 図１４に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。
本発明の第１の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。なお、以下の説明では、圧電デバイスの製造方法として弾性表面波デバイスの製造方法を例に説明する。
図３は、第１の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図４、図５、図７、図８は、第１の実施形態に係る圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。図６（Ａ）は、イオン注入された圧電薄膜により圧電単結晶基板が反る様子を模式的に示す図である。図６（Ｂ）は、圧縮応力膜形成工程を経ていない分離工程終了時に圧電薄膜により支持基板が反る様子を模式的に示す図である。図６（Ｃ）は、圧縮応力膜形成工程を経た後の分離工程終了時に圧縮応力膜により支持基板の反りが発生しない様子を模式的に示す図である。
まず、図４（Ａ）に示すように、所定厚みからなる圧電単結晶基板１を用意する。また、後述の図５（Ａ）に示すように、所定厚みからなる支持基板５０を用意する。圧電単結晶基板１は、タンタル酸リチウム基板を利用し、支持基板５０は、Ｓｉ基板を利用する。ここで、圧電単結晶基板１は、タンタル酸リチウム基板の他、ニオブ酸リチウム基板、四ホウ酸リチウム基板やランガサイト基板、ニオブ酸カリウム基板、を用いても構わない。また、支持基板５０は、Ｓｉ基板の他、ガラス等のセラミック、水晶、又はサファイア等を用いても構わない。より好ましくは、線膨張係数を合わせることができるので、圧電基板と同じ材料を用いるのがよい。
そして、図４（Ｂ）に示すように、圧電単結晶基板１の表面１２側から水素イオンを注入することで、圧電単結晶基板１にイオン注入部分１００を形成する（図３：Ｓ１０１）。例えば圧電単結晶基板１にタンタル酸リチウム基板を用いれば、加速エネルギー１５０ＫｅＶで１．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ2のドーズ量により水素イオン注入を行うことにより、表面１２から深さ約１μｍの位置に水素分布部分が形成されて、イオン注入部分１００が形成される。このイオン注入部分１００は、圧電単結晶基板１に注入されたイオン元素の濃度がピークになる部分である。ここで、圧電単結晶基板１の厚みは、水素イオン層の深さに対して１０倍以上の厚みであることが好ましい。この理由は、１０倍以上の厚みがない場合、圧電単結晶基板１に過剰な反りが生じるためである。
なお、圧電単結晶基板１にタンタル酸リチウム基板以外の素材を用いた場合、それぞれの基板に応じた条件でイオン注入を行う。
次に、図５（Ａ）に示すように、支持基板５０を圧電単結晶基板１に接合する（図３：Ｓ１０２）。ここで、支持基板５０が、本発明の「支持体」に相当する。
なお、この接合には、直接接合と呼ばれる活性化接合や親水化接合や金属層を介した
相互拡散を利用した接合を用いることができる。また、本実施形態では、支持基板５０を圧電単結晶基板１に接合しているが、実施の際は、支持基板５０を、成膜等により圧電単結晶基板１上に形成しても構わない。
ここで、上記Ｓ１０１のイオン注入工程においてイオンを注入すると、圧電単結晶基板１は、図６（Ａ）に示すように、圧電単結晶基板１のイオン注入部分１００側を凸にして反りが生じる。この反りが生じる理由は、圧電単結晶基板１のイオン注入部分において圧電材料の結晶格子間距離が、注入されたイオン元素によって拡がるためである。
仮に、このように反った状態で圧電単結晶基板１と支持基板５０とを接合した場合、イオン注入部分１００側の面１２の圧電材料は、結晶格子間距離がイオン注入前の結晶格子間距離に比べて伸びた状態で支持基板５０と接合することになる。そのため、支持基板５０と接合した後の分離形成工程で、イオン注入部分を分離面として分離した時、支持基板５０の圧電薄膜１０側の面１４に対向する裏面１５を圧縮する圧縮応力が圧電薄膜１０により（よって）かかり、分離後の支持基板５０は、図６（Ｂ）に示すように圧電薄膜１０側を凸にして反ってしまう。
そこで、図５（Ｂ）に示すように、支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４に対向する裏面１５に圧縮応力膜９０を形成する（図３：Ｓ１０３）。圧縮応力膜９０は、支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４を圧縮する膜、即ち支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４を収縮させる応力層である。圧縮応力膜９０は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化タンタルを利用する。圧縮応力膜９０は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等により、支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４に対向する裏面１５に成膜される。ただし、いずれの成膜方法でも支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４を圧縮する膜が成膜されるよう、材料や膜厚などの成膜条件を設定する。
なお、支持基板５０の面１４が、本発明の「支持体の圧電単結晶薄膜側の面」に相当する。
次に、図５（Ｂ）に示す圧電単結晶基板１と支持基板５０との接合体を（この実施形態では５００℃まで）加熱し、イオン注入部分１００を分離面とした分離を行う（図３：Ｓ１０４）。ここで、Ｓ１０４の分離形成工程は、減圧雰囲気下で加熱すれば、加熱温度を低くすることができる。
Ｓ１０４の分離形成工程により、図５（Ｃ）に示すように、支持基板５０の表面１４に、単結晶の圧電薄膜１０が形成される。
ここで、Ｓ１０４の分離形成工程において支持基板５０には、図６（Ｃ）に示すように、圧縮応力膜９０が裏面１５に形成された状態で、圧電薄膜１０が表面１４に形成される。このとき、圧縮応力膜９０が支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４を圧縮する。即ち、支持基板５０では、圧縮応力膜９０による圧縮応力と圧電薄膜１０による圧縮応力とが釣り合った状態となる。そのため、支持基板５０は、反りが生じず平らになる。
よって、分離形成工程では、圧電薄膜１０による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。そのため、圧電薄膜１０の表面粗さの劣化を防止できる。実験では、圧縮応力膜９０を形成しない特許文献１の製造方法では表面粗さＲａが５０〜１００ｎｍであるのに対し、圧縮応力膜９０を形成した本実施形態の製造方法では表面粗さＲａを１０〜２０ｎｍにまで改善できることが明らかとなっている。また、圧電薄膜１０による圧縮応力が分離面に局所的に発生することも無くなるため、分離後に支持基板５０が割れることもない。
従って、この実施形態の圧電デバイスの製造方法によれば、圧電薄膜１０の表面粗さの劣化と支持基板５０の割れを防ぐことができる。
また、圧電薄膜１０を単結晶薄膜とすることで、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ法等で成膜される多結晶薄膜より圧電性に優れた薄膜を形成することができる。また、圧電単結晶基板１の結晶方位が圧電薄膜１０の結晶方位となるため、圧電デバイスの特性に応じた結晶方位を有する圧電単結晶基板１を用意することで、該特性に応じた結晶方位を有する圧電薄膜１０を形成できる。また、イオン注入、接合、分離により単結晶薄膜を形成しているため、１枚の圧電単結晶基板１から複数の圧電薄膜１０を形成することができるため、単結晶の圧電材料を節約することができる。
なお、この実施形態ではＳ１０３の圧縮応力膜形成工程において、支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４に対向する裏面１５に圧縮応力膜９０を形成しているが、実施の際は、支持基板５０の当該裏面１５側から水素イオンを注入することで、イオン注入部分１００と同様のイオン注入層を支持基板５０中に形成しても構わない。この場合、イオン注入層が支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４を圧縮する。即ち、支持基板５０では、イオン注入層による圧縮応力と圧電薄膜１０による圧縮応力とが釣り合った状態となる。そのため、この場合でも支持基板５０は、反りが生じず平らになるため、この実施形態の製造方法と同様の効果を奏する。
次に、分離形成した圧電薄膜１０の表面をＣＭＰ処理等により研磨して平坦化する（図３：Ｓ１０５）。この表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．５ｎｍ以下が好ましい。
次に、図７（Ａ）に示すように、圧電薄膜１０の表面上に、Ａｌ（アルミニウム）等を用いて、所定膜厚の上部電極６０Ａ，６０ＢとＩＤＴ（ＩｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極６０Ｃを形成する（図３：Ｓ１０６）。ここで、上部電極６０Ａ、６０ＢとＩＤＴ電極６０Ｃが、本発明の「電極膜」に相当する。
なお、電極６０Ａ〜６０Ｃには、Ａｌのみでなく、デバイスの仕様に応じて、Ａｌ，Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｕ等を単体もしくは複数積層して用いてもよい。
次に、図７（Ｂ）に示すように、圧電薄膜１０及び電極６０Ａ〜６０Ｃを保護するため、圧電薄膜１０及び電極６０Ａ〜６０Ｃの表面に絶縁膜７０を形成する（図３：Ｓ１０７）。
次に、図８（Ａ）に示すように、絶縁膜７０の上部電極６０Ａ，６０Ｂを露出させる領域に開口部８２Ａ、８２Ｂをエッチング等で形成する（図３：Ｓ１０８）。
次に、図８（Ｂ）に示すように、外部端子を形成する（図３：Ｓ１０９）。詳述すると、上部電極６０Ａ、６０Ｂ上にバンプパッド６１Ａ、６１Ｂを形成し、両バンプパッド６１Ａ、６１Ｂ上にバンプ６２Ａ、６２Ｂを形成する。
最後に、支持基板５０上に形成された複数の薄膜型圧電デバイスから個別の薄膜型圧電デバイスに分割する分割工程を経て、モールド金型を用いたパッケージングを行う。このようにして薄膜型圧電デバイスを形成する。そのため、複数の薄膜型圧電デバイスを一括製造できる。従って、この実施形態によれば、複数の薄膜型圧電デバイスを一括製造できるため、薄膜型圧電デバイスの製造コストを大幅に削減できる。
以上の製造方法で製造された圧電デバイスは、図８（Ｂ）に示すように、支持基板５０と、イオンを注入された圧電単結晶基板１からイオン注入部分１００で分離して支持基板５０上に形成された単結晶の圧電薄膜１０であって支持基板５０上に接合された圧電薄膜１０と、圧電薄膜１０上に形成されたＩＤＴ電極膜６０Ｃと、を備える。さらに、当該圧電デバイスは、支持基板５０の圧電薄膜１０側の面に対向する裏面に形成され、支持基板５０の圧電薄膜１０側の面を圧縮する圧縮応力膜９０を備える。圧縮応力膜９０は、圧電薄膜１０の支持基板５０側に形成され、支持基板５０の圧電薄膜１０側の面を収縮させる。
この実施形態では、分離形成工程後に、圧縮応力膜９０による圧縮応力と圧電薄膜１０による圧縮応力とが釣り合った状態となる。よって、この構成の圧電デバイスにおいては、分離形成工程において、圧電単結晶薄膜１０による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。従って、この実施形態の圧電デバイスによれば、製造時における、圧電薄膜１０の表面粗さの劣化と支持基板５０の割れを防ぐことができる。
次に、第２の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。なお、以下の説明では、圧電デバイスの製造方法として弾性表面波デバイスの製造方法を例に説明する。
図９は、第２の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図１０、図１２、図１３は、図９に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。図１１は、引張応力膜形成工程を経た後の分離工程終了時に引張応力膜により支持基板の反りが発生しない様子を模式的に示す図である。
この実施形態の圧電デバイスの製造方法が第１の実施形態に示した圧電デバイスの製造方法と相違する点は、引張応力膜形成工程（Ｓ２０２）を行い、その後に接合工程（Ｓ２０３）を行う点である。即ち、図９のＳ２０１、Ｓ２０４〜Ｓ２０９は、それぞれ第１の実施形態に示した図３のＳ１０１、Ｓ１０４〜Ｓ１０９と同じである。
詳述すると、まず、Ｓ２０１のイオン注入工程を経た圧電単結晶基板１を用意する。
次に、図１０（Ａ）に示すように、引張応力膜９１を圧電単結晶基板１のイオン注入部分１００側の面１２に形成する（図９：Ｓ２０２）。そして、引張応力膜９１の表面をＣＭＰ等により平坦化処理する。引張応力膜９１は、支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４を圧縮する膜、即ち支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４を収縮させる応力層である。引張応力膜９１は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化タンタルを利用する。引張応力膜９１は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等により、圧電単結晶基板１のイオン注入部分１００側の面１２に成膜される。ただし、いずれの成膜方法でも支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４を引っ張る膜が成膜されるよう、材料や膜厚などの成膜条件を設定する。
次に、図１０（Ｂ）に示すように、支持基板５０を圧電単結晶基板１に接合する（図９：Ｓ２０３）。なお、この接合方法は、第１の実施形態と同じである。
次に、図１０（Ｃ）に示す圧電単結晶基板１と支持基板５０との接合体を（この実施形態では５００℃まで）加熱し、イオン注入部分１００を分離面とした分離を行う（図９：Ｓ２０４）。なお、この分離方法は、第１の実施形態と同じである。
ここで、上記Ｓ２０４の分離形成工程により、支持基板５０の表面１４には、引張応力膜９１と単結晶の圧電薄膜１０とがこの順に積層される。このとき、図１１に示すように、引張応力膜９１が圧電薄膜１０を引っ張ることにより支持基板５０における圧電単結晶基板１側の面１４を圧縮する。即ち、支持基板５０では、引張応力膜９１による引張応力と圧電薄膜１０による圧縮応力とが釣り合った状態となる。そのため、この実施形態においても分離後の支持基板５０は、反りが生じず平らになる。
従って、この実施形態の圧電デバイスの製造方法によれば、第１の実施形態の圧電デバイスの製造方法と同様の効果を奏する。
以後、Ｓ２０４の分離形成工程以降の全工程を経ると、図１３（Ｂ）に示す構造を有する圧電デバイスが得られる。この圧電デバイスは、支持基板５０と、イオンを注入された圧電単結晶基板１からイオン注入部分１００で分離して支持基板５０上に形成された単結晶の圧電薄膜１０であって支持基板５０上に接合された圧電薄膜１０と、圧電薄膜１０上に形成されたＩＤＴ電極膜６０Ｃと、を備える。さらに、当該圧電デバイスは、圧電薄膜１０と支持基板５０との間に形成され、圧電薄膜１０を引っ張る引張応力膜９１を備える。引張応力膜９１は、圧電薄膜１０の支持基板５０側に形成され、支持基板５０の圧電薄膜１０側の面を収縮させる。
この実施形態では、分離形成工程後に、引張応力膜９１による引張応力と圧電薄膜１０による圧縮応力とが釣り合った状態となる。よって、この構成の圧電デバイスにおいては、分離形成工程において、圧電単結晶薄膜１０による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。従って、この実施形態の圧電デバイスによれば、製造時における、圧電薄膜１０の表面粗さの劣化と支持基板５０の割れを防ぐことができる。
次に、第３の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。
図１４は、第３の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図１５、図１７は、図１４に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。図１６は、引張応力膜形成工程を経た後の分離工程終了時に引張応力膜により支持基板の反りが発生しない様子を模式的に示す図である。なお、以下の説明では、圧電デバイスの製造方法として、板波デバイス（図１７参照）などのメンブレン構造を持つ圧電デバイスの製造方法を例に説明する。
この実施形態の圧電デバイスの製造方法は、図１４のＳ３０１、Ｓ３０７〜Ｓ３０９、Ｓ３１２の工程が図９のＳ２０１、Ｓ２０５〜Ｓ２０７、Ｓ２０９の工程と共通し、その他の工程（Ｓ３０２〜Ｓ３０６、Ｓ３１０、Ｓ３１１）が相違するものである。
まず、Ｓ３０１のイオン注入工程を経た圧電単結晶基板１を用意する。
そして、圧電単結晶基板１におけるイオン注入部分１００側の面１２に、所定膜厚の犠牲層３０を形成する（図１４：Ｓ３０２）。犠牲層３０は、具体的には、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌ等の金属膜や、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＰＳＧ（リンケイ酸ガラス）等の絶縁膜や、有機膜等から、条件に応じて適宜設定する。犠牲層３０は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、スピン塗布等により、支持基板５０の表面上における空隙層８０となる空間（即ち、圧電薄膜１０が圧電デバイスとして機能する振動領域および孔部８１Ａ、８１Ｂの直下の空間）に、成膜される。なお、実施の際は、犠牲層３０を引張応力膜となるよう形成しても構わない。
次に、圧電単結晶基板１におけるイオン注入部分１００側の面１２に、図１５（Ａ）に示すように、所定膜厚の支持層４０を形成する（図１４：Ｓ３０３）。支持層４０は、絶縁性材料からなり、シリコン酸化物や窒化物、アルミニウム酸化物、ＰＳＧ等の無機物や、樹脂等の有機物を利用し、犠牲層３０の除去のためのエッチングガスやエッチング液に対して強い耐性を有するものであればよい。支持層４０は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、スピン塗布等により、支持基板５０の表面の一定領域（犠牲層３０を形成する領域を除外した領域）に成膜される。即ち、この支持層４０は、圧電薄膜１０が圧電デバイスとして機能しない非振動領域の直下に形成される。そして、支持層４０の膜厚は、メンブレンの中空領域を構成する空隙層８０の深さに応じて平坦化される。
なお、支持層４０は、圧電単結晶基板１や犠牲層３０に対して、線膨張係数を加味した上で材質を決定するとよりよい。
次に、図１５（Ｂ）に示すように、引張応力膜９１を圧電単結晶基板１の犠牲層３０及び支持層４０の表面に形成する（図１４：Ｓ３０４）。そして、引張応力膜９１の表面をＣＭＰ等により平坦化処理する。引張応力膜９１の形成方法は、図９のＳ２０２と同じである。
次に、図１５（Ｃ）に示すように、支持基板５０を圧電単結晶基板１上の引張応力膜９１の表面に接合する（図１４：Ｓ３０５）。なお、この接合方法は、第２の実施形態と同じである。
次に、図１５（Ｃ）に示す圧電単結晶基板１と支持基板５０とを接合した接合体を（この実施形態では５００℃まで）加熱し、イオン注入部分１００を分離面とした分離を行う（図１４：Ｓ３０６）。なお、この分離方法は、第２の実施形態と同じである。
ここで、上記Ｓ３０６の分離形成工程により、支持基板５０の犠牲層３０及び支持層４０の表面１４′には、単結晶の圧電薄膜１０が形成される（図１６参照）。このとき、図１６に示すように、引張応力膜９１が支持基板５０の犠牲層３０及び支持層４０の面１４′を圧縮する。即ち、支持基板５０では、引張応力膜９１による引張応力と圧電薄膜１０による圧縮応力とが釣り合った状態となる。そのため、この実施形態においても支持基板５０は、反りが生じず平らになる。
従って、この実施形態の圧電デバイスの製造方法によれば、第１の実施形態の圧電デバイスの製造方法と同様の効果を奏する。
次に、第２の実施形態の製造方法と同様に、ポリッシング（Ｓ３０７）、図１７に示すような上部電極６０Ａ，６０ＢとＩＤＴ電極６０Ｃの形成（Ｓ３０８）、絶縁膜の形成（Ｓ３０９）を行う。
次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜をパターニングした後、エッチングガスを流入させることで、犠牲層３０の一部を圧電薄膜１０の表面側に露出させる孔部８１Ａ，８１Ｂを形成する（図１４：Ｓ３１０）。
そして、エッチングガスもしくはエッチング液を孔部８１Ａ，８１Ｂを介して流入させることで、犠牲層３０を除去する（図１４：Ｓ３１１）。これにより、犠牲層３０が形成されていた空間は、図１７に示すような空隙層８０となる。
次に、第２の実施形態の圧電デバイスの製造方法と同様に、外部端子を形成する（図１４：Ｓ３１２）。
最後に、支持基板５０上に形成された複数の薄膜型圧電デバイスから個別の薄膜型圧電デバイスに分割する分割工程を経て、モールド金型を用いたパッケージングを行う。これにより、図１７に示す構造を有する圧電デバイスが得られる。この圧電デバイスは、支持基板５０と空隙層８０と支持層４０とからなる支持体と、イオンを注入された圧電単結晶基板１からイオン注入部分１００で分離して支持体上に形成された単結晶の圧電薄膜１０であって支持体上に接合された圧電薄膜１０と、圧電薄膜１０上に形成されたＩＤＴ電極膜６０Ｃと、を備える。さらに、当該圧電デバイスは、圧電薄膜１０と支持体との間に形成され、圧電薄膜１０を引っ張る引張応力膜９１を備える。引張応力膜９１は、圧電薄膜１０の支持体側に形成され、支持体の圧電薄膜１０側の面を収縮させる。
この実施形態では、分離形成工程後に、引張応力膜９１による引張応力と圧電薄膜１０による圧縮応力とが釣り合った状態となる。よって、この構成の圧電デバイスにおいては、分離形成工程において、圧電単結晶薄膜１０による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。従って、この実施形態の圧電デバイスによれば、製造時における、圧電薄膜１０の表面粗さの劣化と支持基板５０の割れを防ぐことができる。
なお、上述の実施形態では、板波デバイスを例に説明したが、他に、ジャイロ、ＲＦスイッチ、振動発電素子等、圧電単結晶薄膜からなりメンブレンを有する各種デバイスに対しても、本発明の製造方法を適用することができる。
また、上述の各実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
１ 圧電単結晶基板
４ 裏面
５ 圧電基板
６ イオン注入層
７ 表面
８ 結合材
９ 支持基板
１０ 圧電薄膜
２０ 下部電極膜
２１ 誘電体膜
２２ 接合膜
３０ 犠牲層
４０ 支持層
５０ 支持基板
６０Ａ、６０Ｂ 上部電極膜
６０Ｃ ＩＤＴ電極膜
６１Ａ、６１Ｂ バンプパッド
６２Ａ、６２Ｂ バンプ
６３Ａ 引き回し配線
６３Ｂ、６３Ｃ 上部電極膜
７０ 絶縁膜
８０ 空隙層
８１Ａ，８１Ｂ 孔部
８２Ａ，８２Ｂ 開口部
９０ 圧縮応力膜
９１ 引張応力膜
１００ イオン注入部分

Claims (13)

  1. 支持体と、
    イオン化した元素を注入された圧電単結晶基板から、注入された元素の濃度がピークとなる部分を分離面とした分離を行って前記支持体上に形成された圧電単結晶薄膜と、
    前記圧電単結晶薄膜上に形成された電極膜と、
    前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面を収縮させる応力層と、を備える圧電デバイス。
  2. 前記応力層は、前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に形成されており、前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する圧縮応力膜である、請求項１に記載の圧電デバイス。
  3. 前記圧縮応力膜の材質は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化亜鉛、酸化タンタル、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムである、請求項２に記載の圧電デバイス。
  4. 前記応力層は、前記圧電単結晶薄膜と前記支持体との間に形成され、前記圧電単結晶薄膜を引っ張る引張応力膜である、請求項１に記載の圧電デバイス。
  5. 前記引張応力膜の材質は、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムである、請求項４に記載の圧電デバイス。
  6. 前記支持体は、前記圧電単結晶薄膜を支持する支持層と、前記圧電単結晶薄膜と前記圧縮応力膜との間に形成された空隙層と、を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の圧電デバイス。
  7. 前記電極膜がＩＤＴ電極である、請求項１から６のいずれか１項に記載の圧電デバイス。
  8. 支持体と、前記支持体上に形成する圧電単結晶薄膜とを備える、圧電デバイスの製造方法であって、
    圧電単結晶基板にイオン化した元素を注入することで、前記圧電単結晶基板の中に注入された元素の濃度がピークとなる部分を形成するイオン注入工程と、
    前記支持体を前記圧電単結晶基板のイオン注入面側に形成する支持体形成工程と、
    前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面を収縮させる応力層を形成する応力層形成工程と、
    前記注入された元素の濃度がピークとなる部分を分離面とした分離を前記圧電単結晶基板に対して行い、前記圧電単結晶薄膜を前記支持体上に形成する分離形成工程と、を有する圧電デバイスの製造方法。
  9. 前記応力層形成工程は、前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する圧縮応力膜を前記応力層として前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に形成する、請求項８に記載の圧電デバイスの製造方法。
  10. 前記応力層形成工程は、前記応力層として、前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に、イオン注入層を形成する、請求項８に記載の圧電デバイスの製造方法。
  11. 前記支持体形成工程は、前記応力層形成工程の後に行われ、
    前記応力層形成工程は、前記圧電単結晶薄膜を引っ張る引張応力膜を前記応力層として前記圧電単結晶基板の前記イオン注入面側に形成する、請求項８に記載の圧電デバイスの製造方法。
  12. 前記圧電単結晶薄膜上にＩＤＴ電極膜を形成する電極膜形成工程を有する、請求項８から１１のいずれか１項に記載の圧電デバイスの製造方法。
  13. 前記圧電単結晶薄膜と前記支持体との間に形成される空隙層となる空間に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
    前記圧電結晶薄膜をエッチングし、前記犠牲層の一部を前記圧電薄膜の表面側に露出させる孔部を形成する露出工程と、
    前記孔部を介して前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を有する、請求項８から１２のいずれか１項に記載の圧電デバイスの製造方法。
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