WO2014104098A1 - 複合基板、その製法及び弾性波デバイス - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a composite substrate, a manufacturing method thereof, and an acoustic wave device.
  • CVD and smart cut can provide thin films with very uniform thickness, they have the following problems. 1) CVD ⁇ The crystallinity is very bad. -The direction of the crystal axis is limited. 2) Damage due to smart cut ion implantation cannot be fully recovered and crystal defects remain.
  • the present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to obtain a piezoelectric single crystal thin film having high crystallinity and having an arbitrary crystal axis and a uniform thickness.
  • the method for producing the composite substrate of the present invention includes: (A) mirror polishing the piezoelectric substrate side of a bonded substrate having a diameter of 4 inches or more formed by bonding the piezoelectric substrate and the support substrate until the thickness of the piezoelectric substrate is 3 ⁇ m or less; (B) creating data of thickness distribution of the mirror-polished piezoelectric substrate; (C) By performing processing with an ion beam processing machine based on the data of the thickness distribution, the thickness of the piezoelectric substrate is 3 ⁇ m or less, the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness is 60 nm or less on all planes, X-rays Obtaining a composite substrate having a crystallinity of a half-value width of a rocking curve obtained by diffraction of 100 arcsec or less; Is included.
  • the composite substrate of the present invention is A composite substrate having a diameter of 4 inches or more formed by bonding a piezoelectric substrate and a support substrate,
  • the piezoelectric substrate has a thickness of 3 ⁇ m or less, the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness is 60 nm or less on all planes of the piezoelectric substrate, and the rocking curve obtained by X-ray diffraction has a half-value width of 100 arcsec or less. It is.
  • This composite substrate can be easily obtained by the manufacturing method described above.
  • the composite substrate can be used for an acoustic wave device.
  • FIG. 2 is a cross-sectional photograph of the piezoelectric substrate of Example 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional photograph of the piezoelectric substrate of Example 2.
  • the composite substrate of this embodiment has a diameter of 4 inches or more formed by bonding a piezoelectric substrate and a support substrate.
  • the piezoelectric substrate has a thickness of 3 ⁇ m or less, and the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness is 60 nm or less over the entire plane of the piezoelectric substrate.
  • the piezoelectric substrate exhibits crystallinity where the half-value width of the rocking curve obtained by X-ray diffraction is 100 arcsec or less.
  • Examples of the material of the piezoelectric substrate include lithium tantalate, lithium niobate, lithium niobate-lithium tantalate solid solution single crystal, lithium borate, langasite, and quartz.
  • the material of the supporting substrate is silicon, sapphire, aluminum nitride, alumina, alkali-free glass, borosilicate glass, quartz glass, lithium tantalate, lithium niobate, lithium niobate-lithium tantalate solid solution single crystal, lithium borate, Examples include langasite and crystal.
  • the support substrate has the same diameter as the piezoelectric substrate and a thickness of 100 to 1000 ⁇ m, preferably 150 to 500 ⁇ m.
  • the composite substrate of this embodiment can be used as an acoustic wave device by forming an electrode pattern on the surface of a piezoelectric substrate.
  • a bonded substrate (composite substrate before polishing) having a diameter of 4 inches or more formed by bonding a piezoelectric substrate having a thickness of 100 to 1000 ⁇ m and a supporting substrate having a thickness of 100 to 1000 ⁇ m is 3 ⁇ m in thickness. Mirror finish until below.
  • This bonded substrate is a substrate obtained by bonding a piezoelectric substrate and a support substrate through an organic adhesive layer, or is integrated by direct bonding. Examples of the material for the organic adhesive layer include an epoxy resin and an acrylic resin.
  • Direct bonding is performed by activating the respective bonding surfaces of the piezoelectric substrate and the support substrate and then pressing both substrates in a state where the bonding surfaces face each other. Examples of the method for activating the bonding surface include irradiation of an ion beam of an inert gas (such as argon) to the bonding surface, irradiation of plasma or a neutral atom beam, and the like.
  • the piezoelectric substrate side of the bonded substrate is first polished with a cylinder processing machine, then polished with a lapping machine, and further until the thickness of the piezoelectric substrate becomes 3 ⁇ m or less with a CMP polishing machine. Mirror polishing may be performed. In this way, the thickness of the piezoelectric substrate can be efficiently reduced to 3 ⁇ m or less.
  • CMP is an abbreviation for chemical mechanical polishing.
  • ⁇ Process (b) Data on the thickness distribution of the mirror-polished piezoelectric substrate is created.
  • thickness distribution data may be created by measuring the thickness of a mirror-polished piezoelectric substrate with an optical film thickness measuring instrument using laser interference. In this way, thickness distribution data can be created with high accuracy.
  • the piezoelectric substrate is processed by an ion beam processing machine.
  • the piezoelectric substrate has a thickness of 3 ⁇ m or less, the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness is 60 nm or less in all planes, and the rocking curve obtained by X-ray diffraction has a half-value width of 100 arcsec or less. A substrate is obtained.
  • step (c) thickness distribution data may be input to an ion beam processing machine to determine a beam irradiation time at each point on the surface of the piezoelectric substrate, and processing may be performed using the beam irradiation time. In this way, processing can be performed with high accuracy.
  • the beam output value is constant, and the beam irradiation time may be increased as the thickness increases.
  • the thickness distribution data may be input to an ion beam processing machine to determine the beam output value at each point on the surface of the piezoelectric substrate, and processing may be performed using the beam output value. Good. Even in this case, processing can be performed with high accuracy.
  • the beam irradiation time is fixed, and the beam output value may be increased as the thickness increases.
  • the processing is preferably performed using an ion beam processing machine equipped with a DC excitation type Ar beam source.
  • an ion beam processing machine equipped with a plasma excitation type Ar beam source may be used, but the ion beam processing machine equipped with a DC excitation type Ar beam source is more suitable for the surface of the piezoelectric substrate. This is preferable because the damage given is further reduced.
  • the problems of CVD and smart cut are solved, and a piezoelectric single crystal thin film having a uniform thickness and high crystallinity and having an arbitrary crystal axis is obtained. Can do.
  • the composite substrate manufactured by this manufacturing method can be used for an acoustic wave device.
  • Example 1 A silicon substrate (support substrate) and a LiTaO 3 substrate (piezoelectric substrate) having a thickness of 230 ⁇ m and a diameter of 4 inches polished on both sides were prepared. These substrates were introduced into a vacuum chamber maintaining a degree of vacuum on the order of 10 ⁇ 6 Pa, and the bonded surfaces were held facing each other. The bonded surfaces of both substrates were irradiated with Ar beam for 80 seconds, and the inactive layer on the surface was removed and activated. Next, the substrates were brought into contact with each other and bonded under a load of 1200 kgf. After taking out the bonded substrate thus obtained, the piezoelectric substrate side was ground by a grinder processing machine until the thickness became 10 ⁇ m.
  • the bonded substrate was set on a lapping machine and polished with a diamond slurry until the thickness of the piezoelectric substrate became 3 ⁇ m. Further, the surface of the piezoelectric substrate was mirror-polished with a CMP grinder until the thickness became 0.8 ⁇ m. At this time, colloidal silica was used as an abrasive.
  • the thickness of the piezoelectric substrate was measured with an optical film thickness measuring device using laser interference, the thickness was within the range of ⁇ 0.1 ⁇ m over the entire surface of the piezoelectric substrate centered on 0.8 ⁇ m. The total number of measurement points was 80 on all planes except for the chamfered end of the piezoelectric substrate.
  • the bonded substrate thus obtained was set in an ion beam processing machine equipped with a plasma excitation type Ar beam source.
  • the thickness data of the piezoelectric substrate measured by the optical film thickness measuring instrument described above was imported into an ion beam processing machine, and the processing amount at each measurement point of the piezoelectric substrate, here, the irradiation time of the Ar beam was determined.
  • the irradiation time of the beam was adjusted by the feeding speed of the bonded substrate.
  • an Ar beam having a constant output was irradiated on the entire surface of the piezoelectric substrate while changing the feeding speed of the bonded substrate.
  • the beam spot was 6 mm in diameter.
  • RF plasma was excited under the conditions of an ion acceleration voltage of 1300 eV and an ion current of 30 mA. Actual processing time was approximately 5 minutes.
  • the center film thickness was 0.76 ⁇ m, and the difference between the maximum value and the minimum value was 24 nm over the entire surface.
  • the half-width (FWHM) was 80 arcsec, which was exactly the same as that of a bulk single crystal, and it was confirmed that no deterioration in crystallinity occurred.
  • This composite substrate can be used for an elastic wave filter to obtain a device with small frequency variation and excellent filter characteristics.
  • Example 2 A bonded substrate was produced in the same manner as in Example 1.
  • the thickness of the piezoelectric substrate was measured with an optical film thickness measuring instrument using laser interference, the thickness was within the range of ⁇ 0.12 ⁇ m over the entire surface of the piezoelectric substrate centered at 1.0 ⁇ m.
  • the total number of measurement points was 80 as in Example 1.
  • the bonded substrate thus obtained was set in an ion beam processing machine equipped with a DC excitation type Ar beam source.
  • the thickness data of the piezoelectric substrate measured by the optical film thickness measuring instrument described above was imported into an ion beam processing machine, and the processing amount at each measurement point of the piezoelectric substrate, here, the output value of the Ar beam was determined.
  • the output of the Ar beam was changed between 20 and 100 W, and the entire surface of the piezoelectric substrate was irradiated with the Ar beam.
  • the beam spot was 6 mm in diameter. Since the feed speed is constant, the beam irradiation time is the same over the entire surface of the piezoelectric substrate.
  • the center film thickness was 0.92 ⁇ m, and the difference between the maximum value and the minimum value was 50 nm over the entire surface.
  • the rocking curve was measured with an X-ray diffractometer, the half-width (FWHM) was 65 arcsec, which was exactly the same as that of a bulk single crystal, and it was confirmed that no deterioration in crystallinity occurred.
  • FIG. 1 is a cross-sectional photograph of Example 1
  • FIG. 2 is a cross-sectional photograph of Example 2.
  • the thickness of the damaged layer (black layer on the surface) of Example 1 was 10 nm
  • the thickness of the damaged layer of Example 2 was 3 nm. From this, it was found that the ion beam processing machine provided with the DC excitation type Ar beam source caused less damage to the surface than the ion beam processing machine provided with the plasma excitation type Ar beam source.
  • an electrode of a SAW resonator was formed on the piezoelectric substrate of the composite substrate of Examples 1 and 2.
  • the electrode pitch was 4 ⁇ m.
  • the resonator characteristics having a center frequency of about 930 MHz were not different from those of a resonator formed on a normal piezoelectric substrate. That is, it was found that a damaged layer having a thickness of about 10 nm does not affect the characteristics.
  • the present invention can be used for an acoustic wave device such as a SAW filter.

Abstract

　本発明の複合基板の製法は、（ａ）圧電基板と支持基板とを接合してなる直径４インチ以上の貼り合わせ基板の圧電基板側を、前記圧電基板の厚みが３μｍ以下になるまで鏡面研磨する工程と、（ｂ）前記鏡面研磨した圧電基板の厚み分布のデータを作成する工程と、（ｃ）前記厚み分布のデータに基づいてイオンビーム加工機で加工を行うことにより、前記圧電基板の厚みが３μｍ以下、その厚みの最大値と最小値の差が全平面で６０ｎｍ以下、Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示す複合基板を得る工程と、を含むものである。

Description

複合基板、その製法及び弾性波デバイス
　本発明は、複合基板、その製法及び弾性波デバイスに関する。
　非常に薄い圧電薄膜を用いることで、従来にない高周波での動作が可能な弾性波デバイスを実現することが期待される。このような薄膜を得る手法として、化学気相成長法（ＣＶＤ）とスマートカットとの二つが挙げられる。この二つの手法はいずれも周知技術である。例えば、スマートカットについては、特許文献１に記載されている。
特開２０１０－１０９９４９（段落０００４）
　ＣＶＤ、スマートカットの両者とも非常に均一な厚みを持つ薄膜を得られるが、それぞれ次のような問題点がある。
１）ＣＶＤ
・結晶性が非常に悪い。
・結晶軸の方向が限定される。
２）スマートカット
・イオン注入によるダメージが十分に回復できず、結晶欠陥が残る。
　上記二つの手法のほかに、圧電膜を薄く削る方法も試してみたが、研磨途中で割れが生じたり、膜厚が均一にならないなどの問題点があった。
　本発明はこのような問題を鑑みてなされたもので、結晶性が高く、任意の結晶軸を持つ、均一な厚みの圧電単結晶薄膜を得ることを目的とする。
　本発明の複合基板の製法は、
（ａ）圧電基板と支持基板とを接合してなる直径４インチ以上の貼り合わせ基板の圧電基板側を、前記圧電基板の厚みが３μｍ以下になるまで鏡面研磨する工程と、
（ｂ）前記鏡面研磨した圧電基板の厚み分布のデータを作成する工程と、
（ｃ）前記厚み分布のデータに基づいてイオンビーム加工機で加工を行うことにより、前記圧電基板の厚みが３μｍ以下、その厚みの最大値と最小値の差が全平面で６０ｎｍ以下、Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示す複合基板を得る工程と、
　を含むものである。
　この製法によれば、ＣＶＤやスマートカットの問題点が解消され、結晶性が高く、任意の結晶軸を持つ、均一な厚みの圧電単結晶薄膜を得ることができる。
　本発明の複合基板は、
　圧電基板と支持基板とを接合してなる直径４インチ以上の複合基板であって、
　前記圧電基板の厚みが３μｍ以下、その厚みの最大値と最小値の差は前記圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下、Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示す
　ものである。
　この複合基板は、上述した製法により容易に得ることができる。また、この複合基板は、弾性波デバイスに利用可能である。
実施例１の圧電基板の断面写真。 実施例２の圧電基板の断面写真。
　本発明の好適な一実施形態の複合基板について、以下に説明する。本実施形態の複合基板は、圧電基板と支持基板とを接合してなる直径４インチ以上のものである。圧電基板は、厚みが３μｍ以下であり、その厚みの最大値と最小値の差は圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下である。また、圧電基板は、Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示す。
　圧電基板の材質としては、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム－タンタル酸リチウム固溶体単結晶、硼酸リチウム、ランガサイト、水晶などが挙げられる。
　支持基板の材質としては、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、無アルカリガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム－タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶などが挙げられる。支持基板の大きさは、直径が圧電基板と同じであり、厚さが１００～１０００μｍ、好ましくは１５０～５００μｍである。
　本実施形態の複合基板は、圧電基板の表面に電極パターンを形成して弾性波デバイスとして利用可能である。
　次に、本実施形態の複合基板を製造するプロセスについて、以下に説明する。
・工程（ａ）
　厚みが１００～１０００μｍの圧電基板と厚みが１００～１０００μｍの支持基板とを接合してなる直径４インチ以上の貼り合わせ基板（研磨前の複合基板）の圧電基板側を、圧電基板の厚みが３μｍ以下になるまで鏡面研磨する。この貼り合わせ基板は、圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせたものであるか、直接接合により一体化したものである。有機接着層の材質としては、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などが挙げられる。直接接合は、圧電基板と支持基板のそれぞれの接合面を活性化した後、両接合面を向かい合わせにした状態で両基板を押圧することにより行う。接合面を活性化する方法は、例えば、接合面への不活性ガス（アルゴンなど）のイオンビームの照射のほか、プラズマや中性原子ビームの照射などが挙げられる。
　工程（ａ）では、例えば、貼り合わせ基板の圧電基板側を、まずクラインダー加工機で研磨し、次いでラップ加工機で研磨し、更にＣＭＰ研磨機で前記圧電基板の厚みが３μｍ以下になるまで鏡面研磨してもよい。こうすれば、圧電基板の厚みを効率よく３μｍ以下にすることができる。なお、ＣＭＰは、化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing）の略である。
・工程（ｂ）
　鏡面研磨した圧電基板の厚み分布のデータを作成する。例えば、鏡面研磨した圧電基板の厚みをレーザーの干渉を用いた光学式膜厚測定器で測定して厚み分布のデータを作成してもよい。こうすれば、厚み分布のデータを精度よく作成することができる。
・工程（ｃ）
　厚み分布のデータに基づいてイオンビーム加工機で圧電基板に加工を行う。こうすることにより、圧電基板の厚みが３μｍ以下、その厚みの最大値と最小値の差が全平面で６０ｎｍ以下、Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示す複合基板が得られる。
　工程（ｃ）では、厚み分布のデータをイオンビーム加工機に入力して圧電基板の表面の各点におけるビーム照射時間を決定し、該ビーム照射時間を用いて加工を行ってもよい。こうすれば、加工を精度よく行うことができる。この場合、ビームの出力値は一定とし、厚いところほどビーム照射時間を長くすればよい。あるいは、工程（ｃ）では、厚み分布のデータをイオンビーム加工機に入力して圧電基板の表面の各点におけるビームの出力値を決定し、該ビームの出力値を用いて加工を行ってもよい。こうしても、加工を精度よく行うことができる。この場合、ビーム照射時間は一定とし、厚いところほどビームの出力値を大きくすればよい。
　また、工程（ｃ）では、加工を、ＤＣ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機を用いて行うことが好ましい。イオンビーム加工機としては、プラズマ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機を用いてもよいが、ＤＣ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機を用いた方が圧電基板の表面に与えるダメージが一層少なくなるため好ましい。
　以上詳述した本実施形態の複合基板の製法によれば、ＣＶＤやスマートカットの問題点が解消され、結晶性が高く、任意の結晶軸を持つ、均一な厚みの圧電単結晶薄膜を得ることができる。また、この製法によって製造された複合基板は、弾性波デバイスに利用可能である。
　なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
［実施例１］
　両面研磨された厚みが２３０μｍ、直径が４インチのシリコン基板（支持基板）、ＬｉＴａＯ3基板（圧電基板）をそれぞれ用意した。これら基板を１０-6Ｐａ台の真空度を保つ真空チャンバーに導入し、接合面を対向させ保持した。両基板の接合面にＡｒビームを８０ｓｅｃ間照射し、表面の不活性層を除去し活性化した。ついで互いの基板を接触させ、１２００ｋｇｆの荷重をかけて接合した。このようにして得られた貼り合わせ基板を取り出した後、グラインダー加工機により圧電基板側をその厚みが１０μｍになるまで研削した。ついで、その貼り合わせ基板をラップ加工機にセットし、ダイヤモンドスラリーを用いて圧電基板の厚みが３μｍになるまで研磨した。更に、その圧電基板の表面をＣＭＰ研磨機で厚みが０．８μｍになるまで鏡面研磨した。この時、研磨剤としてコロイダルシリカを用いた。レーザーの干渉を用いた光学式膜厚測定器で圧電基板の厚みを測定したところ、その厚みは０．８μｍを中心として圧電基板の全面で±０．１μｍの範囲に収まっていた。測定点は、圧電基板の面取りがされた端部を除く全平面で合計８０点とした。
　このようにして得られた貼り合わせ基板を、プラズマ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機にセットした。次いで、前述した光学式膜厚測定器で測定した圧電基板の厚みデータをイオンビーム加工機にインポートして、圧電基板の各測定点における加工量、ここではＡｒビームの照射時間を決定した。ビームの照射時間は、貼り合わせ基板の送り速度によって調整した。そして、貼り合わせ基板の送り速度を変化させながら、圧電基板の全面に出力一定のＡｒビームを照射した。ビームスポットは直径６ｍｍとした。また、イオン加速電圧を１３００ｅＶ、イオン電流を３０ｍＡ一定の条件とし、ＲＦプラズマを励起した。実加工時間はおおよそ５分であった。
　加工後の貼り合わせ基板（本実施例の複合基板）の圧電基板の厚みを再度測定したところ、中心膜厚が０．７６μｍで厚みの最大値と最小値の差は全面で２４ｎｍであった。Ｘ線回折装置によりロッキングカーブを測定したところ、その半値幅（ＦＷＨＭ）は８０ａｒｃｓｅｃとバルクの単結晶と全く同等の値が得られ、結晶性の劣化が生じていないことが確認された。
　この複合基板は、弾性波フィルタに活用することにより、周波数ばらつきが小さく、フィルタ特性が優れたデバイスを得ることができる。
［実施例２］
　実施例１と同じようにして貼り合わせ基板を作製した。レーザーの干渉を用いた光学式膜厚測定器で圧電基板の厚みを測定したところ、その厚みは１．０μｍを中心として圧電基板の全面で±０．１２μｍの範囲に収まっていた。測定点は、実施例１と同じく合計８０点とした。
　このようにして得られた貼り合わせ基板を、ＤＣ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機にセットした。次いで、前述した光学式膜厚測定器で測定した圧電基板の厚みデータをイオンビーム加工機にインポートして、圧電基板の各測定点における加工量、ここではＡｒビームの出力値を決定した。そして、貼り合わせ基板を送り速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ（一定）で送りながら、Ａｒビームの出力を２０～１００Ｗの間で変化させ、圧電基板の全面にＡｒビームを照射した。ビームスポットは直径６ｍｍとした。送り速度を一定としたため、ビーム照射時間は圧電基板の全面で同じになる。
　加工後の貼り合わせ基板（本実施例の複合基板）の圧電基板の厚みを再度測定したところ、中心膜厚が０．９２μｍで厚みの最大値と最小値の差は全面で５０ｎｍであった。Ｘ線回折装置によりロッキングカーブを測定したところ、その半値幅（ＦＷＨＭ）は６５ａｒｃｓｅｃとバルクの単結晶と全く同等の値が得られ、結晶性の劣化が生じていないことが確認された。
　実施例１と実施例２の圧電基板の表面付近の断面をＴＥＭで観察したところ、それぞれの表面にダメージ層が見受けられた。図１は実施例１の断面写真、図２は実施例２の断面写真である。実施例１のダメージ層（表面の黒い層）の厚みは１０ｎｍ、実施例２のダメージ層の厚みは３ｎｍであった。このことから、ＤＣ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機の方が、プラズマ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機に比べて、表面へのダメージが少ないことが分かった。
　ダメージ層の素子特性への影響を推し量るため、実施例１，２の複合基板の圧電基板上にＳＡＷ共振器の電極を作成した。電極ピッチは４μｍとした。約９３０ＭＨｚの中心周波数を持つ共振器特性は、通常の圧電基板上に作成された共振器との間で差異は見られなかった。すなわち、厚み１０ｎｍ程度のダメージ層は特性に影響を与えないことが分かった。
　本出願は、２０１２年１２月２６日に出願された米国仮出願第６１／７４５８９８号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。
　本発明は、ＳＡＷフィルタなどの弾性波デバイスに利用可能である。

Claims (8)

  1. （ａ）圧電基板と支持基板とを接合してなる直径４インチ以上の貼り合わせ基板の圧電基板側を、前記圧電基板の厚みが３μｍ以下になるまで鏡面研磨する工程と、
    （ｂ）前記鏡面研磨した圧電基板の厚み分布のデータを作成する工程と、
    （ｃ）前記厚み分布のデータに基づいてイオンビーム加工機で加工を行うことにより、前記圧電基板の厚みが３μｍ以下、その厚みの最大値と最小値の差が全平面で６０ｎｍ以下、Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示す複合基板を得る工程と、
    　を含む複合基板の製法。
  2. 　前記工程（ａ）では、前記貼り合わせ基板の圧電基板側を、まずクラインダー加工機で研磨し、次いでラップ加工機で研磨し、更にＣＭＰ研磨機で前記圧電基板の厚みが３μｍ以下になるまで鏡面研磨する、
    　請求項１に記載の複合基板の製法。
  3. 　前記工程（ｂ）では、前記鏡面研磨した圧電基板の厚みをレーザーの干渉を用いて光学式膜厚測定器で測定して厚み分布のデータを作成する、
    　請求項１又は２に記載の複合基板の製法。
  4. 　前記工程（ｃ）では、前記厚み分布のデータを前記イオンビーム加工機に入力して前記圧電基板の表面の各点におけるビーム照射時間を決定し、該ビーム照射時間を用いて加工を行う、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の複合基板の製法。
  5. 　前記工程（ｃ）では、前記厚み分布のデータを前記イオンビーム加工機に入力して前記圧電基板の表面の各点におけるビームの出力値を決定し、該ビームの出力値を用いて加工を行う、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の複合基板の製法。
  6. 　前記工程（ｃ）では、前記イオンビーム加工機として、ＤＣ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機を用いる、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の複合基板の製法。
  7. 　圧電基板と支持基板とを接合してなる直径４インチ以上の複合基板であって、
    　前記圧電基板の厚みが３μｍ以下、その厚みの最大値と最小値の差は前記圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下、Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示す、複合基板。
  8. 　請求項７に記載の複合基板を用いた弾性波デバイス。
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