JP2002171008A - 圧電素子片及び圧電デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波化に対応した超薄型の圧電素子片をそ
の厚さ及び外形寸法を高精度に管理しつつ安定的にかつ
低コストで量産する。 【解決手段】 水晶ウエハ２の表面を所定の厚さまでラ
ッピング加工した後、弗酸等のエッチング液を用いてウ
ェットエッチングし、ラッピング加工による加工変質層
を除去すると同時に、所望の水晶チップの厚さに加工す
る。このウエハを所望の水晶チップの外形寸法に切断す
る。更に、各水晶チップをエッチングして周波数の粗調
整を行い、スパッタリング等により電極膜を形成し、パ
ッケージに実装して周波数調整を行い、パッケージを封
止することにより、高周波化を実現可能な水晶振動子が
完成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば圧電振動
子、圧電センサ、圧電フィルタ、圧電発振器等の圧電デ
バイスの製造に関し、特に圧電材料を所望の形状・寸法
に加工して、圧電デバイスに使用する圧電素子片を製造
する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より掲帯電話、ＰＨＳ等の情報通信
機器やコンピュータ等のＯＡ機器、電子時計等の民生機
器を含む様々な電子機器には、電子回路のクロック源と
して圧電振動子が広く採用されている。特に携帯電話等
による情報通信の分野では、情報伝送の大容量化及び高
速化に伴う通信周波数の高周波化、システムの高速化に
対応するため、従来の数十ＭＨｚ程度よりも高い周波数
で動作する振動子が要求されている。圧電振動子の高周
波化を図るためには、水晶等の圧電材料からなる圧電振
動片の厚さをより薄くする必要がある。

【０００３】一般にＡＴカット水晶振動子の製造は、図
７に例示する工程に従って行われ、先ず水晶原石から所
定寸法・形状のウエハを切り出し、これをラッピング加
工して所望の厚さにした後、切断して多数の水晶素子片
即ち水晶チップを製造する。ウエハのラッピング加工に
は、例えば特開平１０−１８０６２３号公報等に記載さ
れるような、同軸上に回転自在な太陽ギヤ及びリングギ
ヤと、これらと歯合して自転かつ公転する薄板状のキャ
リアとを有する研磨加工装置を使用する。ウエハは、キ
ャリアに開設した貫通孔に挿入・保持され、スラリーを
供給しながらキャリアを自転かつ公転させることによ
り、ウエハの上下両面を上下定盤間で研磨して、所望の
厚さに加工する。

【０００４】次に、水晶チップをウェットエッチングし
て、前記ラッピング加工による表面の加工変質層を除去
した後、各チップの周波数を測定し、かつその測定値に
応じて更にウェットエッチングして周波数を粗調整す
る。図８は、ＡＴカット水晶振動子用の水晶チップを示
している。この短冊状の水晶薄板からなるチップは、そ
の主面がＹ面即ち水晶のＹ軸に直交する平面、長手方向
の側面がＺ面即ち水晶のＺ軸に直交する平面、長手方向
の端面がＸ面即ち水晶のＸ軸に直交する平面である。Ｙ
面のエッチングレートは、加工変質層を除去した後は略
一定であるから、水晶チップの周波数を決定するＹ面の
厚さ即ちチップの厚さｙは、エッチング量により制御す
ることが可能である。

【０００５】周波数を粗調整した水晶チップは、その表
面に必要な電極膜を形成して水晶振動片を製造し、これ
をパッケージに実装しかつ周波数調整した後に、パッケ
ージ内に封止する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のラッピング加工では、その厚さが薄くなるほど
ウエハ自体の強度が低下するから、加工中にも割れや欠
けを生じ易く、歩留まりが低下しかつコストが増大する
と共に、手作業によるウエハの取扱いが難しく、作業者
に熟練が要求されるという問題がある。また、ウエハを
薄く加工するためには、それ以上に薄いキャリアが要求
されるが、現在生産されているウエハの２０〜３０μｍ
程度の厚さより薄いキャリアは、製造が困難で価格が高
くなり、またキャリア自体の強度・耐用寿命が低下する
ので、製造コストの増加を招く結果となる。例えば、約
２５．４mm（１インチ）サイズ（直径又は対角寸法）の
水晶ウエハを使用する場合、量産ベースで安定して加工
し得るウエハの厚さは約３０μｍが限界である。これを
用いて製造されるＡＴカット水晶振動子の周波数（基本
波）は、Ｆ（周波数）×Ｔ（厚さ）＝一定であるから、
５５ＭＨｚ程度に制限され、最近の高周波化の要求に十
分対応することができない。

【０００７】また、ウエハは、その厚さが薄くかつラッ
ピングによる研磨量が多くなると、機械的な内部応力に
よる反りが出易くかつ大きくなるため、均一な厚さに研
磨することが困難である。このようにウエハのラッピン
グ加工には限界があり、ウエハの研磨量がそのサイズに
よって或る範囲（又は値）を超えると歩留まりが急激に
低下し、それ以上に研磨量を多くすると実際には加工で
きなくなる。また、不均一な厚さのウエハから切断され
たチップは、それぞれの厚さに大きなばらつきがあるた
め、周波数にも大きなばらつきが生じ易いという問題が
ある。

【０００８】更に、水晶チップのエッチングは、数千個
のチップを収容したバケツ状の大きな容器を揺動させな
がらエッチング液に浸漬して行う。しかしながら、同一
容器内では、エッチング液中でチップが重なることを完
全に回避することが困難でエッチングにむらが生じ易
い。そのため、水晶チップに周波数のばらつきが生じ、
これがそのまま水晶振動子の周波数に残ってしまう虞が
ある。

【０００９】また、上述したように寸法ｙ即ち水晶チッ
プの厚さが周波数に直接関係するのに対し、寸法ｚ即ち
水晶チップの幅は、Ｚ辺比＝ｚ／ｙが他の振動モード
（スプリアス）を回避するための重要な因子で、１μｍ
の厳しい精度で寸法管理することが要求される。ところ
が、水晶のＹ面と他のＸ面、Ｚ面とはエッチングレート
が異なるので、Ｙ面のエッチング量即ち寸法ｙを制御す
ることによりＺ辺比を制御・管理することができない。
そのため、水晶チップをエッチングして加工変質層の除
去及び周波数の粗調整を行う従来の加工方法では、最終
的に水晶振動子の周波数特性に悪影響を与える虞があ
る。

【００１０】そこで本発明は、上述した従来の問題点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、加工作業にそ
れほどの熟練を要することなく、高周波化の要求に対応
し得る超薄型の圧電素子片を、その厚さ及び外形寸法を
高精度に管理しつつ、安定的にかつ低コストで量産し得
る製造方法を提供することにある。

【００１１】更に本発明の目的は、高周波化の要求に対
応し得る圧電デバイスを安定的にかつ低コストで量産す
る製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的を達成するために、圧電材料からなるウエハの表面を
所定の厚さまでラッピングする過程と、前記ウエハの表
面を所望の厚さまでウェットエッチングする過程と、前
記ウエハを圧電素子片の外形に切断する過程とを有する
ことを特徴とする圧電素子片の製造方法が提供される。

【００１３】これにより、従来のラッピング加工だけで
ウエハを薄型化する方法に比して、ウェットエッチング
によりウエハをより薄く、しかも割れや欠けを生じるこ
となく安定的に加工できる。従って、圧電素子片の厚さ
をウエハの状態で制御して薄型化を図ることができ、か
つそのウエハを切断することにより、圧電素子片の外形
寸法を高精度に管理して、所望のＺ辺比を得ることがで
きる。例えば上述した２５．４mmサイズのウエハで最終
的に厚さを３０μｍ以下に加工することが可能となり、
厚さ３０μｍ以下の水晶振動子が得られる。

【００１４】また、ウエハの両面をそれぞれ少なくとも
約３．５μｍウェットエッチングすることにより、ラッ
ピング加工による加工変質層をウエハの状態で除去で
き、圧電素子片から加工変質層を除去する従来のエッチ
ング工程が省略される。このため、圧電素子片における
エッチングのむらが無くなって、周波数のばらつきを解
消することができ、かつ圧電素子片の状態で取り扱う工
程が減るので、作業が容易になりかつ圧電素子片の破損
・紛失の虞が少なくなる。

【００１５】或る実施例では、圧電素子片をエッチング
して、その周波数を調整する過程を更に含むことによ
り、所望の周波数に合わせ込むことができる。

【００１６】圧電材料は、その加工性及びコストの点か
ら、水晶であることが好ましい。特に、ウェットエッチ
ングを施すウエハの主面が水晶のＹ面である場合には、
ＡＴカット水晶振動子の製造に適しており、エッチング
レートの制御及び寸法管理が容易であるので好ましい。

【００１７】或る実施例では、前記ウェットエッチング
過程において、多数のウエハを１つずつトレイの楕円形
孔内にそれぞれ収容し、エッチング液に浸漬する。これ
により、個々のウエハがエッチング液中で互いに付着し
たり重なり合う虞が無く、しかも楕円形の孔はウエハ
を、その内壁面にウエハの各主面が接触しないように収
容することができる。このため、多数のウエハを同時
に、かつ均等にばらつき無くエッチングすることがで
き、作業効率及び生産性が向上し、歩留まりが改善さ
れ、コストの低減化を図ることができる。

【００１８】別の実施例では、前記ウェットエッチング
過程の後で圧電素子片に切断する前記過程の前に、ウエ
ハを容器内の液面に静止状態で浮かせて、非接触で品質
検査する過程を更に含むことにより、圧電振動子の特性
に重要な品質、即ちウエハカット面のカットアングルや
平坦度、うねりなどの表面状態をウエハの状態で検査す
ることができる。ウエハは、液面にその表面張力で浮か
せることによって、その下面全面が均等に支持されて変
形しないので、正確な測定が可能である。検査の結果不
良品が出た場合には、その後のチップへの切断工程を省
略でき、しかも多数のチップを個々に品質検査する手間
・作業を大幅に省くすることができるので、生産性が向
上する。

【００１９】本発明の別の側面によれば、上述した本発
明の方法により製造された圧電素子片の表面に電極膜を
形成する過程と、圧電素子片をパッケージに実装しかつ
封止する過程とを有することを特徴とする圧電デバイス
の製造方法が提供される。上述した本発明の圧電素子片
は、その外形寸法を高精度に管理しつつより薄型化する
ことができ、かつ周波数のばらつきが少ないので、圧電
振動子の高周波化及び周波数特性の安定を図ることがで
きる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明について添付図面
を参照しつつ好適な実施例を用いて詳細に説明する。図
１は、本発明によるＡＴカット水晶振動子の製造工程の
好適な実施例を示している。先ず、図３に関連して上述
した従来の工程と同様に、人工水晶の原石を所定寸法・
形状のブロックに切断し、面取り、研磨などにより外形
を整えた後、例えばマルチブレードソーを用いて所定の
厚さのウエハに切り出す。このとき、水晶ウエハの主面
はＹ面であり、各側面はＸ面又はＺ面である。水晶ウエ
ハの厚さは、後のラッピング加工のための研磨代及びエ
ッチング加工におけるエッチング量を考慮して決定す
る。

【００２１】次に、例えば上記特開平１０−１８０６２
３号公報等に記載されるような公知の研磨加工装置を用
いて水晶ウエハの上下両面をラッピングする。ラッピン
グ加工は、使用する砥粒を粗いものから徐々に中程度、
更に細かいもの（例えば、ＦＯ＃４０００程度）に移行
して、ウエハ切断時の加工変質層を除去し、かつ所定の
ウエハ厚さ及び表面状態が得られるように行う。

【００２２】ラッピング加工を終えた水晶ウエハは、洗
浄した後に、例えば弗酸、緩衝弗酸等の適当なエッチン
グ液を用いて所望の厚さにウェットエッチングする。本
実施例では、図２に示すようなトレイを用いて、ウエハ
のウェットエッチングを行う。このトレイ１は、耐薬品
性に優れているテフロン（登録商標）材料で一体成形さ
れ、それぞれ各１枚の角形水晶ウエハ２を収容するため
に、上下方向に貫通する多数のウエハ収容孔３が形成さ
れている。ウエハ収容孔３は、図２Ｂに良く示すよう
に、その内周面に水晶ウエハ２の主面が接しないように
断面が薄い長円形に形成されると共に、その下側開口に
は、これを短径方向に横断する帯状のウエハ支持部４が
設けられている。図２Ａに想像線で示すように、多数の
トレイ１を、その中央に開設した上下方向孔５に垂直ロ
ッド６を貫通させて積み重ね、これをエッチング液中に
浸漬することにより、一度に多数の水晶ウエハをむらな
く均一にエッチングする。

【００２３】このとき、弗酸に僅かな量の界面活性剤を
添加してエッチング液の表面張力を下げかつその温度を
約４５℃前後に調整すると、ウエハのラップ加工面を均
一にエッチングすることができる。このウェットエッチ
ングにより、水晶ウエハの表面から加工変質層を除去
し、かつウエハの厚さを所望の水晶チップの厚さに調整
する。上述したように水晶ウエハの主面はＹ面であるの
で、そのエッチング量は比較的容易に制御することがで
きる。

【００２４】弗酸は、エッチング面の状態がエッチング
量の多少によらず略一定で、ウエハ毎にエッチング量が
異なっても、常に略一定品質の面状態が得られるので、
好ましい。他のエッチング液としては、同様に従来より
公知のＮＨ₄Ｆ系のエッチングを用いることができる。

【００２５】例えばウエハのサイズ（円形ウエハの直径
又は矩形ウエハの対角寸法）によって、ラッピング加工
で得られるウエハの厚さと、ウェットエッチングで得ら
れるウエハの厚さは、表１のようになる。このとき、ウ
ェットエッチングの最小エッチング量は、少なくともラ
ッピング加工による加工変質層を除去するために、約
３．５μｍが必要である。より具体的に言えば、２５．
４ｍｍ（１インチ）未満のウエハを厚さ２４μｍにする
場合、ラッピング加工上がりの厚さを２７．５μｍに、
ウェットエッチングの加工量を３．５μｍに設定するこ
とができる。

【００２６】

【表１】

【００２７】また、本願発明者によれば、ウェットエッ
チングはその加工量が３．５μｍを超えるとエッチング
レートが安定し、その制御が容易になる。従って、本発
明によれば、ウエハのウェットエッチング量をエッチン
グレートが安定する範囲に設定することによって、ラッ
ピングによる加工変質層をチップの状態で除去する従来
のウェットエッチング工程が省略される。

【００２８】次に、水晶ウエハは、従来と同様にリンス
してエッチング液を洗い流した後、所定の外形寸法の水
晶チップに切断する。例えば、複数の水晶ウエハを貼合
せかつその状態で切断すると、水晶チップ間の外形寸法
のばらつきを少なくし、かつ生産効率を上げることがで
きる。切断した水晶チップは、その端面を軽くラッピン
グして整える。この後、各水晶チップの周波数を測定
し、かつその測定値に応じてウェットエッチングするこ
とにより周波数の粗調整を行い、各水晶チップを所定の
周波数範囲に合わせ込む。このようにして、所望の厚さ
に薄型化されかつ所望の外形寸法を有する水晶チップを
安定して量産することができる。

【００２９】各水晶チップには、従来と同様に例えばＣ
ｒ層とＡｕ層とをスパッタリングにより成膜して電極膜
を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて所定の励振
電極及び引出電極を形成する。このようにして得られた
各水晶振動片は、パッケージに実装され、周波数調整を
行った後に封止されて、高周波化に対応した水晶振動子
が完成する。

【００３０】図３は、本発明によるＡＴカット水晶振動
子の製造工程の変形例を示しており、ウエハを所望の厚
さにウェットエッチングした。後にチップ個片に切断す
る前に、該ウエハの品質即ちカットアングルや、平坦
度、うねりなどの表面状態を検査する工程を追加した点
において、図１の実施例と異なる。このウエハの品質検
査は、例えば図４又は図５に示す手法を用いて非接触で
行なうことが好ましい。

【００３１】図４はウエハのカットアングルを検査する
ための装置の構成を概略的に示しており、ウエハ保持装
置７と、Ｘ線源８及びＸ線検出器９を有するＸ線光学系
と、ウエハ搬送装置（図示せず）とを備える。ウエハ保
持装置７は、直方体ブロック状のウエハ支持台１０の上
面に楕円形の凹所１１が設けられ、例えばその底面に開
設した給排水口を介して外部の給水タンクから所定量の
液体１２（例えば水、好適には純水）が注入される。被
測定物の水晶ウエハ１３は、凹所１１の液面にその表面
張力で浮かせることができる。

【００３２】ウエハ支持台１０の凹所１１内の液体１２
に静止させて浮かせた水晶ウエハ１３の表面に、Ｘ線源
８から所定の角度でＸ線１４を水晶ウエハの表面に照射
すると、Ｘ線は水晶ウエハ内部の結晶格子面で回折され
る。回折Ｘ線１５は、水晶ウエハ１３のカット面が結晶
格子面に対して所定の傾斜角度を有する場合には、Ｘ線
検出器９により検出され、カット面の傾斜角度のずれの
有無が検出される。水晶ウエハ１３のカット面の傾斜角
度が所定値からずれている場合、Ｘ線検出器９は回折Ｘ
線１５を検出できない。そこで、Ｘ線検出器９を傾動さ
せてその設置角度を補正し、回折Ｘ線１５を検出できる
ようにし、そのＸ線強度が最大となるＸ線検出器９の補
正角度から、カット面の傾斜角度のずれ量を求める。

【００３３】図５は、ウエハの平坦度又はうねりを測定
する装置の構成を概略的に示しており、図４と同様の構
成を有するウエハ保持装置７と、レーザ光源１６、ハー
フミラー１７、フィゾーフラット１８、及びＴＶカメラ
からなる従来の観察光学系１９を有するフィゾー式レー
ザ干渉計と、ウエハ搬送装置（図示せず）とを有する。
図４の場合と同様に、水晶ウエハ１３をウエハ支持台１
０の凹所１１内に配置し、液体１２を注入してその液面
に水晶ウエハを静止状態で浮かせる。次に、レーザ光源
１６から平行ビームとしてレーザ光２０を水晶ウエハ表
面に向けて垂直に照射する。ハーフミラー１７を通過し
たレーザ光２０は、その一部がフィゾーフラット１８で
反射されて参照光となり、ハーフミラー１７で反射され
て観察光学系１９に入射する。フィゾーフラット１８を
通過した残りのレーザ光２１は、水晶ウエハ１３の表面
で反射され、フィゾーフラット１８を抜けてハーフミラ
ー１７で反射され、観察光学系に入射する。この反射光
と参照光とが観察光学系において干渉を起こし、前記Ｔ
Ｖカメラの撮像面に干渉縞が形成されるので、この干渉
縞をコンピュータを用いて公知の解析法により解析する
と、水晶ウエハ１３の表面高さ分布が得られ、その平坦
度を測定できる。

【００３４】このようにしてカットアングル等の品質を
検査したウエハは、図１の場合と同様の後工程により水
晶振動子を製造する。即ち、前記ウエハを個々のチップ
に切断し、それぞれウェットエッチングにより周波数の
粗調整を行い、その表面に電極膜を形成した後、パッケ
ージに実装し、更に周波数を微調整して封止することに
より完成する。尚、ウェットエッチング後のウエハの品
質検査は、図４及び図５に関連して上述した検査装以外
の様々な従来公知の方法・装置を用いて行なうことがで
きる。

【００３５】図６は、本発明によるＡＴカット水晶振動
子の製造工程の別の実施例を示している。この実施例で
は、従来と同様にウエハを所定の厚さまでラッピング加
工した後に個々のチップに切断する。次に、各チップか
らラッピングによる加工変質層を除去し、更に所望の振
動片の厚さになるまで、各チップをウェットエッチング
する。ここで、各チップの周波数を測定し、必要により
更にウェットエッチングして周波数を粗調整する。この
後、図１及び図３の実施例と同様に、各チップに電極膜
を形成し、パッケージに実装し、最終的に周波数を微調
整した後、パッケージを封止する。

【００３６】この実施例では、上記各実施例の場合と同
様に、従来よりも水晶振動子を厚さを薄くして、その高
周波化を図ることができる。しかしながら、チップの状
態でのウェットエッチング量が上記実施例に比して多く
なるため、従来技術に関連して上述したように、チップ
の外形寸法に無視し得ない誤差が生じ、ＣＩ値の劣化や
他モードのスプリアスの影響等、水晶振動子の特性を低
下させる虞がある。

【００３７】以上、本発明についてその好適な実施例を
用いて詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本
発明はその技術的範囲内において上記実施例に様々な変
形・変更を加えて実施することができる。当然ながら、
本発明は、水晶振動子以外の水晶発振器、水晶センサ、
水晶フィルタ等の各種水晶デバイスの製造について、か
つ水晶以外の様々な圧電材料について同様に適用するこ
とができる。

【００３８】

【発明の効果】本発明は、上述したように構成すること
により、以下に記載するような格別の効果を奏する。本
発明の圧電素子片の製造方法によれば、圧電素子片の厚
さをウエハの状態で制御しながらより薄く加工でき、か
つ圧電素子片の外形寸法を高精度に管理できるので、高
周波化に対応した圧電素子片の薄型化と同時に、圧電振
動子の周波数特性の安定を実現することができる。しか
も、加工中及び手作業での取扱いによるウエハ及び圧電
素子片の破損や紛失が減少し、かつ生産効率の向上が図
れるので、薄型化した圧電素子片を歩留まり良く安定的
に製造し、かつコストの低減を図ることができる。

【００３９】また、本発明の圧電デバイスの製造方法に
よれば、薄型化及び外形寸法の高精度な管理が可能で、
周波数のばらつきが少ない圧電素子片を用いることによ
り、圧電振動子の高周波化を実現することができかつ周
波数特性を安定させた圧電デバイスを安価に量産するこ
とが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明により水晶振動子を製造する過程を工程
順に示すフロー図である。

【図２】Ａ図はウエハのウェットエッチングに使用する
トレイを示す概略斜視図、Ｂ図はウエハ収容孔を示す部
分拡大平面図である。

【図３】本発明の変形例による水晶振動子の製造工程を
示すフロー図である。

【図４】ウエハのカットアングルを測定する装置の構成
を示す概略斜視図である。

【図５】ウエハの平坦度を測定する装置の構成を示す概
略斜視図である。

【図６】本発明の別の実施例による水晶振動子の製造工
程を示すフロー図である。

【図７】従来の方法により水晶振動子を製造する過程を
工程順に示すフロー図である。

【図８】水晶チップを示す斜視図である。

【符号の説明】

１ トレイ ２ 水晶ウエハ ３ ウエハ収容孔 ４ ウエハ支持部 ５ 上下方向孔 ６ 垂直ロッド ７ ウエハ保持装置 ８ Ｘ線源 ９ Ｘ線検出器 １０ ウエハ支持台 １１ 凹所 １２ 液体 １３ 水晶ウエハ １４ Ｘ線 １５ 回折Ｘ線 １６ レーザ光源 １７ ハーフミラー １８ フィゾーフラット １９ 観察光学系 ２０、２１ レーザ光

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電材料からなるウエハの表面を所定
   の厚さまでラッピングする過程と、 前記ウエハの表面を所望の厚さまでウェットエッチング
   する過程と、 前記ウエハを圧電素子片の外形に切断する過程とを有す
   ることを特徴とする圧電素子片の製造方法。
2. 【請求項２】 前記圧電素子片をエッチングして、そ
   の周波数を調整する過程を更に含むことを特徴とする請
   求項１に記載の圧電素子片の製造方法。
3. 【請求項３】 前記圧電材料が水晶であることを特徴
   とする請求項１又は２に記載の圧電素子片の製造方法。
4. 【請求項４】 前記ウェットエッチングがなされる前
   記ウエハの主面が水晶のＹ面であることを特徴とする請
   求項３に記載の圧電素子片の製造方法。
5. 【請求項５】 前記ウェットエッチング過程におい
   て、多数の前記ウエハを１つずつトレイの楕円形孔内に
   それぞれ収容し、エッチング液に浸漬することを特徴と
   する請求項１乃至４のいずれかに記載の圧電素子片の製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記ウェットエッチング過程の後で圧
   電素子片に切断する前記過程の前に、前記ウエハを容器
   内の液面に静止状態で浮かせて、非接触で品質検査する
   過程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至５のいず
   れかに記載の圧電素子片の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載の方
   法により製造された圧電素子片の表面に電極膜を形成す
   る過程と、 前記圧電素子片をパッケージに実装しかつ封止する過程
   とを有することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。