JP6097896B1 - 複合基板及び圧電基板の厚み傾向推定方法 - Google Patents
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Abstract
Description
直径2インチ以上の支持基板と、
前記支持基板に接合されてなり、厚みが20μm以下で光を透過する圧電基板と、
を備えた複合基板であって、
前記圧電基板は、縞状の厚み分布を有し、
前記縞に直交する線に沿って前記複合基板を切断した断面における、前記圧電基板の厚み分布に、厚み方向の振幅が5nm以上100nm以下で幅方向のピッチが0.5mm以上20mm以下の波形が現れ、該波形のピッチは前記縞の幅と相関があるものである。
上述した複合基板における圧電基板の厚み傾向を推定する方法であって、
複合基板の前記圧電基板に単色光を照射し、
前記縞状の厚み分布による第1の干渉縞とは異なる第2の干渉縞が現れているか否かを判定し、
前記第2の干渉縞が現れていると判定した場合には、前記第1の干渉縞の明線と前記第2の干渉縞の暗線とが交わる交差部分の形状から、前記交差部分での前記第1の干渉縞の明線が凹となっているならばへこんだ方向に向かって厚みが厚く、前記交差部分での第1の干渉縞の明線が凸となっているならば張り出した方向に向かって厚みが厚い、との基準に基づいて前記圧電基板の厚み傾向を判定し、前記第2の干渉縞が現れていないと判定した場合には、前記圧電基板の厚みに傾向は見られないと判定することにより、圧電基板の厚み傾向を推定するものである。
まず、圧電基板12と支持基板14とを接合してなる直径2インチ以上の貼り合わせ基板10を用意する(図2(A))。貼り合わせ基板10において、圧電基板12は、厚さが100〜1000μm、好ましくは150〜500μmであるものとしてもよい。
圧電基板12の厚みの最大値と最小値の差が全平面で100nm以下となるように圧電基板12の表面をイオンビーム加工する(図2(C))。
直径5mm以上30mm以下の研磨パッドを用い、研磨パッドによる押圧力を一定に保ちながら研磨パッドを回転させるとともに研磨対象である圧電基板12に対して相対的に移動させてCMP研磨を行う(以下、小径工具CMP研磨とも称する)。こうした小径工具CMP研磨では、研磨パッドの直径が圧電基板12に対して十分に小さいため、研磨パッドを回転させながら圧電基板12に対して相対的に移動させると、圧電基板12に縞状の厚み分布ができる。また、直径5mm以上30mm以下の研磨パッドを用いるため、縞に直交する線に沿って複合基板20を切断した断面における、圧電基板12の厚み分布に、幅方向のピッチPが0.5mm以上20mm以下の波形Wが現れるような研磨を効率良く行える。また、研磨パッドによる押圧力を一定に保ちながらCMP研磨を行うため、高い精度で厚みを制御することができ、波形Wにおける厚み方向の振幅Aを5nm以上100nm以下に制御するのが容易である。
両面研磨された厚みが230μm、直径が4インチのシリコン基板(支持基板)、LiNbO3基板(圧電基板)をそれぞれ用意した。これら基板を10-6Pa台の真空度を保つ真空チャンバーに導入し、接合面を対向させ保持した。両基板の接合面にArビームを80sec間照射し、表面の不活性層を除去し活性化した。ついで互いの基板を接触させ、1200kgfの荷重をかけて接合した。このようにして得られた貼り合わせ基板を取り出した後、グラインダー加工機により圧電基板側をその厚みが10μmになるまで研削した。ついで、その貼り合わせ基板をラップ加工機にセットし、ダイヤモンドスラリーを用いて圧電基板の厚みが3μmになるまで研磨した。更に、その圧電基板の表面をCMP研磨機で厚みが0.8μmになるまで鏡面研磨した。この時、研磨剤としてコロイダルシリカを用いた。(工程(a))
工程(b)において、外周部の厚みと内周部の厚みとが同程度となるようにイオンビーム加工を行った。また、工程(c)において、外周部での研磨パッドの滞留時間が内周部よりも短くなるようにした。それ以外は、実施例1と同様に実施例2の複合基板を作製し、実施例1と同様の実験を行った。
工程(c)において、外周部での滞留時間を内周部での滞留時間と同程度とした。それ以外は、実施例2と同様に実施例3の複合基板を作製し、実施例2と同様の実験を行った。
工程(b)をなくした。また、工程(c)において、外周部での研磨パッドの滞留時間が内周部よりも短くなるようにした。それ以外は、実施例1と同様に実施例4の複合基板を作製し、実施例1と同様の実験を行った。
工程(c)を省略した(縞状の厚み分布がないものとした)以外は、実施例1と同様に比較例1の複合基板を作製し、実施例1と同様の実験を行った。
Claims (6)
- 直径2インチ以上の支持基板と、
前記支持基板に接合されてなり、厚みが20μm以下で光を透過する圧電基板と、
を備えた複合基板であって、
前記圧電基板は、縞状の厚み分布を有し、
前記縞に直交する線に沿って前記複合基板を切断した断面における、前記圧電基板の厚み分布に、厚み方向の振幅が5nm以上100nm以下で幅方向のピッチが0.5mm以上20mm以下の波形が現れ、該波形のピッチは前記縞の幅と相関がある、
複合基板。 - 前記圧電基板において、前記縞は平行な縞である、請求項1に記載の複合基板。
- 前記圧電基板において、前記縞は渦巻き状又は同心円状の縞である、請求項1に記載の複合基板。
- 前記圧電基板は、厚みの最大値と最小値の差が全平面で100nm以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の複合基板。
- 前記圧電基板は、前記支持基板に直接接合で接合されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の複合基板。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の複合基板における圧電基板の厚み傾向を推定する方法であって、
複合基板の前記圧電基板に単色光を照射し、
前記縞状の厚み分布による第1の干渉縞とは異なる第2の干渉縞が現れているか否かを判定し、
前記第2の干渉縞が現れていると判定した場合には、前記第1の干渉縞の明線と前記第2の干渉縞の暗線とが交わる交差部分の形状から、前記交差部分での前記第1の干渉縞の明線が凹となっているならばへこんだ方向に向かって厚みが厚く、前記交差部分での第1の干渉縞の明線が凸となっているならば張り出した方向に向かって厚みが厚い、との基準に基づいて前記圧電基板の厚み傾向を判定し、前記第2の干渉縞が現れていないと判定した場合には、前記圧電基板の厚みに傾向は見られないと判定する、
圧電基板の厚み傾向推定方法。
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- 2016-09-14 JP JP2016574206A patent/JP6097896B1/ja active Active
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