JP2015146512A - 水晶加工装置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 測定工程と加工工程との間で発生する誤差を低減することにより加工精度を向上し得る、水晶加工装置及び方法を提供する。
【解決手段】 水晶加工装置１０は、水晶ウェハ２０に対する電気的な測定と水晶ウェハ２０に対する電気的な加工とに兼用される電極３０と、水晶ウェハ２０に対する電極３０の位置を変える位置決め手段４０と、水晶ウェハ２０の厚み２３を電極３０によって電気的に測定する測定手段５０と、水晶ウェハ２０を電極３０によって電気的に加工する加工手段６０と、位置決め手段４０及び測定手段５０を制御することによって水晶ウェハ２０の厚み２３の分布を取得し、この厚み２３の分布に基づき加工の量を水晶ウェハ２０に対する電極３０の位置ごとに決定し、位置決め手段４０及び加工手段６０を制御することによって水晶ウェハ２０を加工する制御手段７０と、を備えている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、厚みすべり振動素子などの水晶デバイスを製造する技術に関し、詳しくは、その製造工程で用いられる水晶加工装置及び方法に関する。

厚みすべり振動素子の製造工程において、水晶ウェハの厚み分布を予め測定する測定工程と、その厚み分布に対応して水晶ウェハを一定厚みに加工する加工工程と、を含む技術が知られている（例えば特許文献１参照）。以下、この技術を関連技術の水晶加工装置及び方法として説明する。図３及び図４は関連技術の水晶加工装置を示す構成であり、図３は測定工程での動作を示し、図４は加工工程での動作を示す。

関連技術の水晶加工装置１８０は、測定工程で使用するＸＹステージ１８１、金属板１８２及び電極棒１８３と、加工工程で使用する真空チャンバ１９０、ＸＹステージ１９１、金属板１９２及びイオンガン１９３と、これらを制御するコントローラ１８４と、を備えている。

図３に示す測定工程では、ＡＴカットの水晶ウェハ１７０の一方の主面１７１をＸＹステージ１８１の金属板１８２上に載置し、他方の主面１７２に電極棒１８３を当接して個々の水晶片となる領域ごとに振動周波数をコントローラ１８４で測定する。その振動周波数は各領域における水晶ウェハ１７０の厚み１７３に相当する。コントローラ１８４は、測定結果を内蔵メモリに順次に記憶し、個々の水晶片となる領域について、一定の厚みとなる加工量（加工データ）を設定する。

図４に示す加工工程では、真空チャンバ１９０内においてＸＹステージ１９１の金属板１９２上に水晶ウェハ１７０を固定し、真空チャンバ１９０内を排気して所定の真空度にした後、イオンガン１９３からのイオンビーム１９４を個々の水晶片となる領域に順次に照射して切削し、水晶ウェハ１７０を一定の厚みに加工する。この場合、コントローラ１８４は、イオンビーム１９４の照射時間を、個々の水晶片となる領域の加工データに基づき設定する。

特開２００４−２２１８１６号公報（図１等） 特開２０１０−２０９３８６号公報（図１等）

しかしながら、関連技術の水晶加工装置１８０では、次のような誤差１、２が累積することにより、本来の位置からずれた箇所を加工してしまうことになるので、加工精度が低下していた。

１．水晶ウェハ１７０をＸＹステージ１８１から取り外しＸＹステージ１９１に付け直す際に発生する誤差。
２．水晶ウェハ１７０に対する電極棒１８３の位置と水晶ウェハ１７０に対するイオンガン１９３の位置との誤差。

そこで、本発明の目的は、測定工程と加工工程との間で発生する誤差を低減することにより加工精度を向上し得る、水晶加工装置及び方法を提供することにある。

本発明に係る水晶加工装置は、
水晶ウェハに対する電気的な測定と前記水晶ウェハに対する電気的な加工とに兼用される電極と、
前記水晶ウェハに対する前記電極の位置を変える位置決め部と、
前記水晶ウェハの厚みを前記電極によって電気的に測定する測定部と
前記水晶ウェハを前記電極によって電気的に加工する加工部と、
前記位置決め部及び前記測定部を制御することによって前記水晶ウェハの厚みの分布を取得し、この厚みの分布に基づき前記加工する量を前記水晶ウェハに対する前記電極の位置ごとに決定し、前記位置決め部及び前記加工部を制御することによって前記水晶ウェハを加工する制御部と、
を備えたものである。

本発明に係る水晶加工方法は、
水晶ウェハに対する電極の位置を位置決め部によって変えつつ、前記水晶ウェハの厚みを前記電極によって電気的に測定することにより、前記水晶ウェハの厚みの分布を取得する測定工程と、
前記水晶ウェハに対する前記電極の位置を前記位置決め部によって変えつつ、前記水晶ウェハを前記電極によって電気的に加工し、かつその加工の量を前記測定工程で取得した前記厚みの分布に基づき変えることにより、前記水晶ウェハを加工する加工工程と、
を含むものである。

本発明によれば、測定工程で使用する電極及び位置決め部と加工工程で使用する電極及び位置決め部とが同じであることにより、測定工程と加工工程との間で発生する誤差を低減できるので、加工精度を向上できる。

実施形態１の水晶加工装置を示す構成図であり、測定工程での動作を示す。 実施形態１の水晶加工装置を示す構成図であり、加工工程での動作を示す。 関連技術の水晶加工装置を示す構成図であり、測定工程での動作を示す。 関連技術の水晶加工装置を示す構成図であり、加工工程での動作を示す。

以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。

図１及び図２は実施形態１の水晶加工装置を示す構成図であり、図１は測定工程での動作を示し、図２は加工工程での動作を示す。以下、これらの図面に基づき説明する。ただし、プロセスガス６７及びプラズマ６８については、図２にのみ示す。

本実施形態１の水晶加工装置１０は、水晶ウェハ２０に対する電気的な測定と水晶ウェハ２０に対する電気的な加工とに兼用される電極３０と、水晶ウェハ２０に対する電極３０の位置を変える位置決め部４０と、水晶ウェハ２０の厚み２３を電極３０によって電気的に測定する測定部５０と、水晶ウェハ２０を電極３０によって電気的に加工する加工部６０と、位置決め部４０及び測定部５０を制御することによって水晶ウェハ２０の厚み２３の分布を取得し、この厚み２３の分布に基づき加工の量を水晶ウェハ２０に対する電極３０の位置ごとに決定し、位置決め部４０及び加工部６０を制御することによって水晶ウェハ２０を加工する制御部７０と、を備えている。

水晶ウェハ２０は第一の主面２１及び第二の主面２２を有する。電極３０は第一の電極３１及び第二の電極３２を有する。第二の電極３２は、第二の主面２２の全体に接触する状態を維持する。測定部５０は、第一の主面２１に第一の電極３１を部分的に接触させて、第一の電極３１及び第二の電極３２によって挟まれた部分の水晶ウェハ２０の厚み２３に対応する電気的特性を測定する。位置決め部４０は、第一の主面２１に対する第一の電極３１の位置を順次変える。加工部６０は、水晶ウェハ２０の第一の主面２１に第一の電極３１を部分的に対向させて、第一の電極３１及び第二の電極３２によって挟まれた部分の水晶ウェハ２０と第一の電極３１との空間に大気圧下でエッチング用のプラズマ６８を発生させる。制御部７０は、厚み２３の分布に基づき、プラズマ６８によるエッチング量を、第一の主面２１に対する第一の電極３１の位置ごとに決定する。

次に、各構成要素について更に詳しく説明する。

水晶ウェハ２０は、ＡＴカット板であり、最終的に複数の厚みすべり振動素子に加工される。第一の電極３１は、アルミニウム合金や銅などの金属からなり、棒状に形成されたものである。第二の電極３２は、金属から平板状に形成されたものであり、接地される。

図中に示すＸ，Ｙ，Ｚは、三次元直交座標系の座標軸である。位置決め部４０の一例がＸＹＺステージ４１である。ＸＹＺステージ４１は、第二の電極３２を介して水晶ウェハ２０を載置し、コントローラ７１から出力された制御信号によって、水晶ウェハ２０をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向へ移動させる。例えば、ＸＹＺステージ４１はステッピングモータ、送りねじ機構などからなる市販品である。

なお、位置決め部４０は、ＸＹＺステージ４１に限らず、例えば、第一の電極３１をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向へ移動させるもの、水晶ウェハ２０をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させ、第一の電極３１をＺ軸方向へ移動させるもの、水晶ウェハ２０をＺ軸方向に移動させ、第一の電極３１をＸ軸方向及びＹ軸方向へ移動させるもの等としてもよい。

測定部５０の一例が測定器５１である。測定器５１は、第一の電極３１及び第二の電極３２によって挟まれた部分の水晶ウェハ２０を含む水晶発振回路を有し、その発振周波数（電気的特性）によって厚み２３を間接的に測定する。つまり、厚み２３をｄ［ｍ］、発振周波数をｆ［Ｈｚ］とすると、水晶ウェハ２０がＡＴカット板であることにより、ｆ＝１６７０／ｄが成り立つ。そのため、厚み２３はｄ＝１６７０／ｆで与えられる。

なお、測定部５０は、測定器５１に限らず、例えば第一の電極３１及び第二の電極３２によって挟まれた部分の水晶ウェハ２０の静電容量（電気的特性）を測定するもの等としてもよい。その場合、厚み２３をｄ［ｍ］、静電容量をＣ［Ｆ］、第一の電極３１の接触面積をＳ［ｍ²］、水晶の誘電率をεとすると、平行平板電極間の静電容量であるＣ＝εＳ／ｄが成り立つ。そのため、厚み２３はｄ＝εＳ／Ｃで与えられる。

加工部６０は、一例として、高周波電源６１、ガスボンベ６２、マスフローコントローラ（以下「ＭＦＣ」という。）６３、電磁弁６４、電極カバー６５、配管６６などからなる、大気開放型プラズマエッチング装置である（例えば特許文献２参照）。高周波電源６１は、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を、第一の電極３１と第二の電極３２との間に印加する。ガスボンベ６２は、例えば四フッ化炭素（ＣＦ₄）及び酸素（Ｏ₂）からなるプロセスガス６７、並びに、プロセスガス６７に混合されるアルゴン（Ａｒ）などのキャリアガスを、それぞれのガスごとにボンベに充填したものである。ＭＦＣ６３は、コントローラ７１からの制御信号に応じて、各ガスの流量を調整できるものである。電磁弁６４は、コントローラ７１からの制御信号に応じて、ガスの流路を「開」又は「閉」にする。電極カバー６５は、例えばポリテトラフルオロエチレンなどの絶縁物からなり、プロセスガス６７を第一の電極３１の先端へ導くノズルである。配管６６は、例えばステンレスなどからなり、ガスボンベ６２から電極カバー６５までのガスの流路となる。

なお、加工部６０は、大気開放型プラズマエッチング装置に限らず、例えば真空中で使用するプラズマエッチング装置等を用いてもよい。ただし、その場合の測定工程は真空チャンバ内で行うことになる。

制御部７０は、一例として、コントローラ７１、電子的スイッチ７２などからなる。コントローラ７１は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、入出力インタフェース等からなるマイクロコンピュータを有する。電子的スイッチ７２は、コントローラ７１から出力された制御信号に応じて、第一の電極３１の入力配線３３を測定器５１の出力配線５２に接続したり、第一の電極３１の入力配線３３を高周波電源の出力配線６９に接続したりする切り替えスイッチである。

なお、コントローラ７１は、水晶ウェハ２０の厚み２３が水晶ウェハ２０内で同じになるようにエッチング量を設定することに限らず、例えば水晶ウェハ２０の厚み２３が水晶ウェハ２０内で変化するようにエッチング量を設定することも可能である。

次に、図１に基づき、測定工程における水晶加工装置１０の動作を説明する。

まず、ＸＹＺステージ４１上の第二の電極３２上に、水晶ウェハ２０を真空チャックなどで固定する。続いて、コントローラ７１は、高周波電源６１及びＭＦＣ６３をオフ、電磁弁６４を閉にした状態で、測定器５１をオンにし、電子的スイッチ７２の接点を測定器５１側にし、ＸＹＺステージ４１を用いて水晶ウェハ２０上の原点に第一の電極３１の先端を接触させる。すると、測定器５１は、その位置における発振周波数すなわち厚み２３を測定し、そのデータをコントローラ７１へ出力する。そして、コントローラ７１は、ＸＹＺステージ４１を用いて水晶ウェハ２０上の第一の電極３１の接触位置を変え、測定器５１から厚み２３のデータを入力し、この動作を水晶ウェハ２０上の全体で実行することにより、厚み２３の分布を取得する。

次に、図２に基づき、加工工程における水晶加工装置１０の動作を説明する。

まず、コントローラ７１は、測定器５１をオフにし、電子的スイッチ７２の接点を高周波電源６１側にし、ＸＹＺステージ４１を用いて水晶ウェハ２０上の原点に第一の電極３１を空間を介して対向させる。この状態で、コントローラ７１は、高周波電源６１及びＭＦＣ６３をオン、電磁弁６４を開にして、第一の電極３１の先端へ高周波電力及びプロセスガス６７を供給する。これにより、第一の電極３１の先端にプラズマ６８が生じて、第一の電極３１に対向する部分の水晶ウェハ２０がエッチングされる。そして、コントローラ７１は、ＸＹＺステージ４１を用いて水晶ウェハ２０上の第一の電極３１の対向位置を変え、その部分の水晶ウェハ２０を厚み２３の分布に応じてエッチングし、この動作を水晶ウェハ２０上の全体で実行することにより、水晶ウェハ２０の厚み２３を均一にする。

このとき、コントローラ７１は、取得した厚み２３の分布に基づき、厚み２３が所定値になるように、プラズマ６８によるエッチング量を決定する。つまり、厚み２３の値が大きい箇所はエッチング量を多くし、厚み２３の値が小さい箇所はエッチング量を少なくする。一般にエッチング量は、水晶ウェハ２０と第一の電極３１との距離が近いほど、高周波電力が大きいほど、プロセスガス６７が多いほど、又は、ＸＹＺステージ４１の動きが遅いほど、多くなる。

次に、水晶加工装置１０の作用及び効果について説明する。

（１）本実施形態１によれば、測定工程で使用する電極３０及び位置決め部４０と加工工程で使用する電極３０及び位置決め部４０とが同じであることにより、測定工程と加工工程との間で発生する誤差を低減できるので、加工精度を向上できる。以下に詳しく説明する。

図３及び図４に示す関連技術では、水晶ウェハ１７０をＸＹステージ１８１から取り外し別のＸＹステージ１９１に付け直す際に誤差が発生し、かつ、水晶ウェハ１７０に対する電極棒１８３の位置と水晶ウェハ１７０に対するイオンガン１９３の位置とにも誤差が発生することにより、これらの誤差が累積して本来の位置からずれた箇所を加工してしまうので、加工精度が低下していた。

これに対して、本実施形態１では、測定工程と加工工程とで水晶ウェハ２０はＸＹＺステージ４１に固定されたまま移し替える必要がないことにより、その移し替えで発生する誤差がない。これに加え、測定工程で使用する第一の電極３１は加工工程でもそのまま使用することにより、測定工程と加工工程とで異なる電極を使用した場合の電極の位置ずれも発生しない。したがって、本来の位置を的確に加工できるので、加工精度が大幅に向上する。

（２）本実施形態１によれば、測定工程と加工工程とで水晶ウェハ２０はＸＹＺステージ４１に固定されたまま移し替える必要がないことにより、その移し替えに要する時間を省略できるので、製造時間を短縮できる。

（３）本実施形態１によれば、加工部６０として大気開放型プラズマエッチング装置を採用したことにより、真空チャンバや真空ポンプが不要になるので設備を簡素化できるとともに、所定の真空度に達するまで待つ時間も省略できるので、製造時間を短縮できる。これに加え、測定工程及び加工工程が真空チャンバ内ではなく大気圧下で行えるので、装置の操作や調整が容易になる。

次に、本発明に係る水晶加工方法の一実施形態を、実施形態２の水晶加工方法として図１及び図２に基づき説明する。

本実施形態２の水晶加工方法は、実施形態１の水晶加工装置１０の動作を方法の発明として捉えたものであり、次の工程を含む。水晶ウェハ２０に対する電極３０の位置を位置決め部４０によって変えつつ、水晶ウェハ２０の厚み２３を電極３０によって電気的に測定することにより、水晶ウェハ２０の厚みの分布を取得する測定工程（図１）。水晶ウェハ２０に対する電極３０の位置を位置決め部４０によって変えつつ、水晶ウェハ２０を電極３０によって電気的に加工し、かつその加工の量を測定工程で取得した厚み２３の分布に基づき変えることにより、水晶ウェハ２０を加工する加工工程（図２）。以下に更に詳しく説明する。

水晶ウェハ２０は第一の主面２１及び第二の主面２２を有する。電極３０は第一の電極３１及び第二の電極３２を有する。測定工程（図１）では、第二の主面２２の全体に第二の電極３２を接触させた状態で、第一の主面２１に第一の電極３１を部分的に接触させて、第一の電極３１及び第二の電極３２によって挟まれた部分の水晶ウェハ２０の厚み２３に対応する電気的特性を測定し、かつ、第一の主面２１に対する第一の電極３１の接触位置を位置決め部４０によって順次変えることにより、前記電気的特性に基づいて水晶ウェハ２０の厚み２３の分布を取得する。加工工程（図２）では、第二の主面２２の全体に第二の電極３２を接触させた状態で、水晶ウェハ２０の第一の主面２１に第一の電極３１を部分的に対向させて、第一の電極３１及び第二の電極３２によって挟まれた部分の水晶ウェハ２０と第一の電極３１との空間に大気圧下でエッチング用のプラズマ６８を発生させ、かつ、第一の主面２１に対する第一の電極３１の対向位置を位置決め部４０によって順次変えつつ、プラズマ６８によるエッチング量を厚み２３の分布に基づき変え、水晶ウェハ２０を加工する。

また、本実施形態２の水晶加工方法は、次の工程を更に含んでもよい。加工工程の後に、水晶ウェハ２０に対する電極３０の位置を位置決め部４０によって変えつつ、水晶ウェハ２０の厚み２３を電極３０によって電気的に再測定することにより、水晶ウェハ２０の厚み２３の分布を再取得する再測定工程。

なお、加工工程によって厚み２３が均一化された水晶ウェハ２０は、ウェットエッチングによってフレームに多数の水晶片が連結された形状となる。各水晶片は、電極が形成されて厚みすべり振動素子となる。そして、各厚みすべり振動素子は、電気的な検査を経て、フレームから切り離され、一つずつパッケージに実装される。

次に、本実施形態２の水晶加工方法の作用及び効果について説明する。

（１）本実施形態２の水晶加工方法は、実施形態１の水晶加工装置１０の動作を方法の発明として捉えたものであるから、実施形態１の水晶加工装置１０と同様の作用及び効果を奏する。

（２）再測定工程を更に含む場合は、加工工程の結果を確認でき、必要に応じてもう一度加工工程を行うことにより、加工精度をより向上できる。このように測定工程と加工工程とを何度繰り返しても、水晶ウェハ２０はＸＹＺステージ４１に固定されたまま移し替える必要がないので、その移し替えに要する時間が発生しない。

以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。例えば、上記各実施形態では厚みすべり振動素子の製造工程を採り上げたが、本発明は音叉型屈曲振動素子や輪郭すべり振動素子などの他の水晶振動素子、又は、ＳＡＷデバイス、光デバイスなどの水晶デバイスの製造工程にも適用可能である。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。

１０ 水晶加工装置
２０ 水晶ウェハ
２１ 第一の主面
２２ 第二の主面
２３ 厚み
３０ 電極
３１ 第一の電極
３２ 第二の電極
３３ 入力配線
４０ 位置決め部
４１ ＸＹＺステージ
５０ 測定部
５１ 測定器
５２ 出力配線
６０ 加工部
６１ 高周波電源
６２ ガスボンベ
６３ マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
６４ 電磁弁
６５ 電極カバー
６６ 配管
６７ プロセスガス
６８ プラズマ
６９ 出力配線
７０ 制御部
７１ コントローラ
７２ 電子的スイッチ

１７０ 水晶ウェハ
１７１ 一方の主面
１７２ 他方の主面
１７３ 厚み
１８０ 水晶加工装置
１８１ ＸＹステージ
１８２ 金属板
１８３ 電極棒
１８４ コントローラ
１９０ 真空チャンバ
１９１ ＸＹステージ
１９２ 金属板
１９３ イオンガン
１９４ イオンビーム

Claims (5)

1. 水晶ウェハに対する電気的な測定と前記水晶ウェハに対する電気的な加工とに兼用される電極と、
   前記水晶ウェハに対する前記電極の位置を変える位置決め部と、
   前記水晶ウェハの厚みを前記電極によって電気的に測定する測定部と
   前記水晶ウェハを前記電極によって電気的に加工する加工部と、
   前記位置決め部及び前記測定部を制御することによって前記水晶ウェハの厚みの分布を取得し、この厚みの分布に基づき前記加工する量を前記水晶ウェハに対する前記電極の位置ごとに決定し、前記位置決め部及び前記加工部を制御することによって前記水晶ウェハを加工する制御部と、
   を備えた水晶加工装置。
2. 前記水晶ウェハは第一及び第二の主面を有し、前記電極は第一及び第二の電極を有し、
   前記第二の電極は、前記第二の主面の全体に接触する状態を維持し、
   前記測定部は、前記第一の主面に前記第一の電極を部分的に接触させて、前記第一及び第二の電極によって挟まれた部分の前記水晶ウェハの厚みに対応する電気的特性を測定し、
   前記位置決め部は、前記第一の主面に対する前記第一の電極の位置を順次変え、
   前記加工部は、前記水晶ウェハの前記第一の主面に前記第一の電極を部分的に対向させて、前記第一及び第二の電極によって挟まれた部分の前記水晶ウェハと前記第一の電極との空間に大気圧下でエッチング用のプラズマを発生させ、
   前記制御部は、前記厚みの分布に基づき前記プラズマによるエッチング量を前記第一の主面に対する前記第一の電極の位置ごとに決定する、
   請求項１記載の水晶加工装置。
3. 水晶ウェハに対する電極の位置を位置決め部によって変えつつ、前記水晶ウェハの厚みを前記電極によって電気的に測定することにより、前記水晶ウェハの厚みの分布を取得する測定工程と、
   前記水晶ウェハに対する前記電極の位置を前記位置決め部によって変えつつ、前記水晶ウェハを前記電極によって電気的に加工し、かつその加工の量を前記測定工程で取得した前記厚みの分布に基づき変えることにより、前記水晶ウェハを加工する加工工程と、
   を含む水晶加工方法。
4. 前記水晶ウェハは第一及び第二の主面を有し、前記電極は第一及び第二の電極を有し、
   前記測定工程では、
   前記第二の主面の全体に前記第二の電極を接触させた状態で、前記第一の主面に前記第一の電極を部分的に接触させて、前記第一及び第二の電極によって挟まれた部分の前記水晶ウェハの厚みに対応する電気的特性を測定し、かつ、
   前記第一の主面に対する前記第一の電極の接触位置を前記位置決め部によって順次変えることにより、前記電気的特性に基づいて前記水晶ウェハの厚みの分布を取得し、
   前記加工工程では、
   前記第二の主面の全体に前記第二の電極を接触させた状態で、前記水晶ウェハの前記第一の主面に前記第一の電極を部分的に対向させて、前記第一及び第二の電極によって挟まれた部分の前記水晶ウェハと前記第一の電極との空間に大気圧下でエッチング用のプラズマを発生させ、かつ、
   前記第一の主面に対する前記第一の電極の対向位置を前記位置決め部によって順次変えつつ、前記プラズマによるエッチング量を前記厚みの分布に基づき変え、前記水晶ウェハを加工する、
   請求項３記載の水晶加工方法。
5. 前記加工工程の後に、前記水晶ウェハに対する前記電極の位置を前記位置決め部によって変えつつ、前記水晶ウェハの厚みを前記電極によって電気的に再測定することにより、前記水晶ウェハの厚みの分布を再取得する再測定工程を、
   更に含む請求項３記載の水晶加工方法。

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