JP4410117B2 - ガス設定方法,ガス設定装置,エッチング装置及び基板処理システム - Google Patents
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Description
4 エッチング装置
52 内側上部電極
73 バッファ室
110 装置制御部
140 ガス設定装置
W 基板
Claims (7)
- 基板をプラズマエッチングする処理室内に供給される混合ガスの混合比と流量を設定するガス設定方法であって,
基板の中央部に対して供給される第1の混合ガスの混合比と流量を設定する第1の工程と,
その後,第1の混合ガスの設定を固定した状態で,基板の外周部に対して供給される第2の混合ガスの混合比を変更してエッチングを行い,そのエッチング結果から,エッチング選択比とエッチング形状の少なくとも一方が基板の中央部と外周部との間で均一になるように第2の混合ガスの混合比を設定する第2の工程と,
その後,第1の混合ガスの設定と第2の混合ガスの混合比の設定を固定した状態で,第2の混合ガスの流量を変更してエッチングを行い,そのエッチング結果から,エッチング速度が基板の中央部と外周部との間で均一になるように第2の混合ガスの流量を設定する第3の工程と,を有することを特徴とする,ガス設定方法。 - 基板をプラズマエッチングする処理室内に供給される混合ガスの混合比と流量を設定するガス設定装置であって,
基板の中央部に対して供給される第1の混合ガスの混合比及び流量の設定を固定した状態で,基板の外周部に対して供給される第2の混合ガスの混合ガスの混合比を変更してエッチングを行い,そのエッチング結果から,エッチング選択比とエッチング形状の少なくとも一方が基板の中央部と外周部との間で均一になるように第2の混合ガスの混合比を設定し,その後第1の混合ガスの設定と第2の混合ガスの混合比の設定を固定した状態で,第2の混合ガスの流量を変更してエッチングを行い,そのエッチング結果から,エッチング速度が基板の中央部と外周部との間で均一になるように第2の混合ガスの流量を設定する機能を有することを特徴とする,ガス設定装置。 - 基板をプラズマエッチングする処理室内に供給される混合ガスの混合比と流量を設定するガス設定装置であって,
基板の中央部に対して供給される第1の混合ガスの混合比及び流量を固定し,基板の外周部に対して供給される第2の混合ガスの流量又は混合比の少なくとも一方を変更して行われたエッチング結果に基づいて,第1の混合ガスの設定と第2の混合ガスの設定とそのエッチング結果との相関関係を作成する機能と,
既存のガス設定でエッチングを行い,そのエッチング結果と前記相関関係に基づいて,エッチング選択比とエッチング形状との少なくとも一方が基板の中央部と外周部との間で均一になるような,固定された第1の混合ガスの設定に対する第2の混合ガスの混合比を算出し,その後エッチング速度が基板の中央部と外周部との間で均一になるような,固定された第1の混合ガスの設定に対する第2の混合ガスの流量を算出する機能と,を有することを特徴とする,ガス設定装置。 - 既存のガス設定のエッチング結果が許容範囲を超えている場合に,前記第2の混合ガスの混合比及び流量の算出を行う機能を有することを特徴とする,請求項3に記載のガス設定装置。
- 前記第2の混合ガスの設定を前記算出された混合比と流量に設定する機能を有することを特徴とする,請求項3又は4のいずれかに記載のガス設定装置。
- 請求項2〜5のいずれかに記載のガス設定装置を備えたエッチング装置。
- 請求項6に記載のエッチング装置と,エッチング結果を測定する測定装置とを有する基板処理システム。
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