TWI441254B - A gas supply device, a substrate processing device, and a supply gas setting method - Google Patents
A gas supply device, a substrate processing device, and a supply gas setting method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI441254B TWI441254B TW094143443A TW94143443A TWI441254B TW I441254 B TWI441254 B TW I441254B TW 094143443 A TW094143443 A TW 094143443A TW 94143443 A TW94143443 A TW 94143443A TW I441254 B TWI441254 B TW I441254B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- gas
- pipe
- mixed
- gas supply
- supplied
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 485
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本發明是關於一種將氣體供給於處理容器的氣體供給裝置，被連接於該氣體供給裝置的基板處理裝置及供給氣體設定方法。
例如在半導體裝置或液晶顯示裝置等的電子元件製程中，例如進行於基板表面形成導電性的膜或絕緣膜的成膜處理，或是蝕刻被形成於基板上的膜的蝕刻處理等。
例如在上述蝕刻裝置是在收容基板的處理容器內，具有載置基板的下部電極，及朝下部電極的基板噴出氣體的噴氣頭。噴氣頭是構成上部電極。蝕刻處理是在從噴氣頭噴出所定混合氣體的狀態下將高頻施加於兩電極間，而藉由處理容器內生成電漿，來蝕刻基板上的膜。
可是，蝕刻率或蝕刻選擇比等的蝕刻特性是受到被供給於基板上的氣體濃度的影響。又，將蝕刻特性在基板面內作成均勻，而提高基板面內的蝕刻的均勻性，乃為來自習知的重要課題。在此，提案著將噴氣頭內部隔開成複數氣體室，於各氣體室別地獨立地連接氣體導入管，而將任意的種類或流量的混合氣體供給於基板面內的各部分(例如，參照專利文獻1)。藉此，局部地調整基板面內的氣體濃度，而可提高蝕刻的基板面內的均勻性。
然而，使用於蝕刻處理時的混合氣體，是藉由例如直接關連於蝕刻的蝕刻氣體，或控制反應生成物的堆積所用的氣體，組合惰性氣體等的傳輸氣體等的多種類的氣體所構成，因應於被蝕刻材料或製程條件而被選擇。所以，例如將噴氣頭內分割成複數氣體室，而各氣體室別地連接氣體導入管時，例如表示於日本特開平9-45624號公報(專利文獻2)的第1圖，各氣體導入管別地，連接連通於多數氣體供給源的配管，又各配管別地作成設置流量控制器。因此，使得氣體供給系統的配管構造成為複雜化，而控制各配管的氣體流量也成為複雜化，所以例如成為需要廣大配管空間，而也增加裝置控制系統的負擔。
專利文獻1：日本特開平8-158072號公報
專利文獻2：日本特開平9-45624號公報
本發明是鑑於該諸缺失而創作者，其目的是在提供一種在蝕刻裝置等的基板處理裝置的處理容器的複數部位供給任意的混合氣體，可實現簡單的配管構成的氣體供給裝置，及具備連接於氣體供給裝置的處理容器的基板處理裝置及使用氣體供給裝置的供給氣體設定方法。
達成上述目的的本發明，是屬於在處理基板的處理容器供給氣體的氣體供給裝置，其特徵為具備：複數氣體供給源；混合從上述複數氣體供給源所供給的複數氣體的混合配管；使在上述混合配管所混合的混合氣體分流而供給於處理容器的複數部位的複數分岐配管；以及在流在至少
一支分岐配管的混合氣體供給所定的附加氣體的附加氣體供給裝置。
依照本發明，複數氣體供給源的氣體在混合配管中被混合，之後被分流成複數分岐配管。又，在特定分岐配管中附加有所定附加氣體，而進行調整混合氣體的氣體成分或流量。在未附加有附加氣體的分岐配管中，來自混合配管的混合氣體直接供給於處理容器。該情形，例如在混合配管中，生成有氣體成分的共通混合氣體，而在各分岐配管中，視需要，混合氣體的氣體成分或流量被調整之故，因而必需最小限的配管數就足夠。結果，以單純的配管構成可實現供給任意混合氣體至處理容器的複數部位。
上述氣體供給裝置，將用以調整氣體流量的閥與壓力計具備於各分岐配管，又具備：依據上述壓力計的計測結果，進行調整上述閥的開閉度，而將上述混合配管的混合氣體以所定壓力比分流於上述分岐配管的壓力比控制裝置也可以。該情形，分岐配管的流量以壓力比(分壓比)被控制成基準之故，因而即使如分岐配管內的壓力較低時，也可適當地進行分岐配管的流量控制。
上述附加氣體供給裝置是具有連通於上述分岐配管的附加氣體供給配管，上述附加氣體供給配管是被連接於上述壓力計與上述閥的下游側也可以。
上述壓力比控制裝置是在未將上述附加氣體從上述附加氣體供給裝置供給於分岐配管的狀態下，將被分流於上述各分岐配管的混合氣體的壓力比藉由上述閥來調整成所
定壓力比，而在該狀態下固定上述閥的開閉度也可以。
上述氣體供給裝置是又具備上述分岐配管的混合氣體藉由上述壓力比控制裝置被調整成所定壓力比之後，將附加氣體從上述附加氣體供給裝置供給於上述分岐配管的控制部也可以。
依照其他觀點所致的本發明，提供具備被連接於申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的氣體供給裝置的分岐配管的處理容器的基板處理裝置。該基板處理裝置是在減壓的狀態下處理基板的減壓處理裝置也可以。
其他觀點所致的本發明是使用申請專利範圍第2項或第3項所述的氣體供給裝置的供給氣體設定方法，其特徵為具備：
在未將附加氣體從附加氣體供給裝置供給於分岐配管的狀態下，將從混合配管被分流於各分岐配管的混合氣體的壓力比藉由閥來調整成所定混合比，然後固定分岐配管的閥的開閉度的工程，及然後，將所定流量的附加氣體從附加氣體供給裝置供給於所定的分岐配管的工程。
依照本發明，配管構成被單純化，而可減低配管空間或減低流量控制的負擔。
以下，針對於本發明的較佳實施形態加以說明。第1圖是表示作為本實施形態的氣體供給裝置所適用的基板處理裝置的電漿蝕刻裝置1的構成的概略縱斷面的說明圖。
電漿蝕刻裝置1是平行平板型電極構造的容量結合型電漿蝕刻裝置。電漿蝕刻裝置1是具有大約圓筒形狀的處理容器10。處理容器10是例如藉由鋁合金所形成，而內壁面藉由氧化鋁膜或氧化釔膜加以覆蓋。處理容器10是被接地。
在處理容器10的中央底部，介著絕緣板12而設有圓柱狀基座支持台14。在基座支持台14上，支持著作為將作為基板的晶圓W加以載置的載置部的基座16。基座16是構成平行平板型電極構造的下部電極。基座16是藉由如鋁合金所形成。
在基座16上部，設有保持晶圓W的靜電夾頭18。靜電夾頭18是於內部具有電極20。在電極20電性地連接有直流電源22。藉由將直流電壓從直流電源22施加於電極20，而發生庫侖力，可將晶圓W吸附於基座16的上面。
在靜電夾頭18周圍的基座16上面設有聚焦環24。在基座16及基座支持台14的外周面，黏貼有如石英所成的圓筒狀內壁構件26。
在基座支持台14的內部，形成有環狀冷媒室28。冷媒室28是經配管30a、30b，連通於被設在處理容器10外部的冷卻裝置(未圖示)。在冷媒室28，經配管30a、30b而循環供給有冷媒或冷卻水，而藉由該循環供給而可控制基座16上的晶圓W的溫度。在靜電夾頭18上面，連通有經基座16及基座支持台14內的氣體供給線32，可將He氣體等的傳熱氣體供給於晶圓W與靜電夾頭18之間。
在基座16上方，設有與基座16平行地面對面的上部電極34。在基座16與上部電極34之間，形成有電漿生成空間PS。
上部電極34是具備環狀外側上部電極36，與其內側的圓板形狀的內側上部電極38。在外側上部電極36與內側上部電極38之間，介裝有環狀電介質42。在外側上部電極36與處理容器10的內周壁之間，氣密地介有如氧化鋁所成的環狀絕緣性遮蔽構件44。
在外側上部電極36，經匹配器46，上部給電棒48，連接器50及給電筒52電性地連接有第一高頻電源54。第一高頻電源54是可輸出40MHz以上例如60MHz頻率的高頻電壓。
給電筒52是例如形成下面被開口的大約圓筒狀，而下端部被連接於外側上部電極36。給電筒52的上面中央部，藉由連接器50電性地連接有上部給電棒48的下端部。上部給電棒48的下端部。上部給電棒48的上端部是被連接於匹配器46的輸出側。匹配器46是被連接於第一高頻電源54，而可匹配第一高頻電源54的內部阻抗與負載阻抗。給電筒52外方是藉由具有與處理容器10相同直徑的側壁的圓筒狀接地導體10a進行覆蓋。接地導體10a的下端部是被連接於處理容器10的側壁上部。在接地導體10a的上面中央部，貫通有上述上部給電棒48，而在接地導體10a與上部給電棒48的接觸部，介裝有絕緣構件56。
內側上部電極38是構成將所定混合氣體噴出至被載置於基座16的晶圓W上。內側上部電極38是具備：具多數氣體噴出孔60a的圓形狀電極板60，及裝卸自如地支持於電極板60上面側的電極支持體62。電極支持體62是形成與電極板60相同直徑的圓盤形狀，而在內部形成有緩衝室63。在緩衝室63內，如第2圖所示地設有O形環所成的環狀隔開壁構件64，將緩衝室63分割成中心部側的第一緩衝室63a與外周部側的第二緩衝室63b。第一緩衝室63a是面對面於基座16上的晶圓W的中央部，而第二緩衝室63b是面對面於基座16上的晶圓W的外周部。在各緩衝室63a、63b的下面，連通有氣體噴出孔60a，而自第一緩衝室63a朝晶圓W的中央部可噴出所定混合氣體，而自第二緩衝室63b朝晶圓W的外周部可噴出所定混合氣體。又，針對於將所定混合氣體供給於各緩衝室63的氣體供給裝置100將在以後說明。
在電極支持體62的上面，如第1圖所示地電性地連接有被連接於上部給電棒48的下部給電筒70。在下部給電筒70設有可變電容器72。可變電容器72是藉由取決於第一高頻電源54的高頻電壓可調整形成在外側上部電極36正下方的電場強度，及形成於內側上部電極38正下方的電場強度的相對性比率。
在處理容器10的底部，形成有排氣口74。排氣口74是經排氣管76，被連接於具備真空泵等的排氣裝置78。藉由排氣裝置78，可減壓成處理容器10內的所期望的真空度。
在基座16，經由匹配器80電性地連接有第二高頻電源82，第二高頻電源82是可輸出例如2MHz~20MHz的範圍，例如20MHz頻率的高頻電壓。
在內側上部電極38，電性地連接有遮斷來自第一高頻電源54的高頻，而將來自第二高頻電源82的高頻電源82的高頻連通於接地所用的低通濾波器84。在基座16將來自第一高頻電源54的高頻電性地連接有連通於接地所用的低通濾波器86。
在電漿蝕刻裝置1，設有控制用以實行直流電源22，第一高頻電源54及第二高頻電源82等的蝕刻處理的各種因素的動作的設置控制部90。
以下，針對於將混合氣體供給於電漿蝕刻裝1的內側上部電極38的氣體供給裝置100加以說明。
如第3圖所示地，氣體供給裝置100是具備：收容有例如三個的複數氣體供給源110a、110b、110c的第一氣體箱111，及收容有例如兩個的複數附加氣體供給源112a、112b的第二氣體箱113。在本實施形態中，例如在氣體供給源110a，封入作為蝕刻氣體的例如碳氟化合物系的氟化合物，例如CF4
、C4
F6
、C4
F8
、C5
F8
等的CX
FY
等，在氣體供給源110b，封入有作為控制如CF系的反應生成物的堆積的氣體的如O2
氣體，在氣體供給源110c封入有作為傳輸氣體的稀有氣體的如Ar氣體。又，在附加氣體供給源112a，封入有可促進如蝕刻的CX
FY
氣體，在附加氣體供給源112b，封入有可控制如CF系的反應生成物的堆積的O2
氣體。
在第一氣體箱111的各氣體供給源110a~110c，連接有合流來自各氣體供給源110a~110c的各種氣體而被混合的混合配管120。在混合配管120，調整來自各氣體供給源110a~110c的氣體流量的流量控制器121設置於每一氣體供給源。在混合配管120，連接有分流在混合配管120被混合的混合氣體的第一分岐配管122與第二分岐配管123。第一分岐配管122是被連接於上述處理容器10的內側上部電極38的第一緩衝室63a。第二分岐配管123是被連接於內側上部電極38的第二緩衝室63b。
在第一分岐配管122，設有壓力調整部124。同樣地在第二分岐配管123，設有壓力調整部125。壓力調整部124是具備壓力計124a與閥124b。同樣地壓力調整部125是具備壓力計125a與閥125b。取決於壓力調整部124的壓力計124a的計測結果，及取決於壓力調整部125的壓力計125a的計測結果，是可輸出至壓力比控制裝置126。壓力比控制裝置126是依據壓力計124a、125a的計測結果，來調整各閥124b、125b的開閉度，而可控制被分流在第一分岐配管122與第二分岐配管123的混合氣體的壓力比，亦即可控制流量比。又，壓力比控制裝置126是在設定供給氣體時，在沒有附加氣體從下述的第二氣體箱113供給於第二分岐配管123的狀態下，則將流在第一分岐配管122與第二分岐配管123的混合氣體的壓力比調整成所定目標壓力比，在該狀態下可固定閥124b、125b的開閉度。
在第二氣體箱113的各附加氣體供給源112a、112b，連接有連通於如第二分岐配管123的附加氣體供給管130。例如附加氣體供給配管130是被連接於各附加氣體供給源112a、112b，而在途中集合，被連接於第二分岐配管123。附加氣體供給配管130，是被連接於壓力調整部125的下游側。在附加氣體供給配管130，調整來自各附加氣體供給源112a、112b的附加氣體的流量的流量控制器131設於每一附加氣體供給源。藉由該構成，可將第二氣體箱113的附加氣體經由選擇或混合而可供給於第二分岐配管123。又，在本實施形態中，藉由第二氣體箱113，附加氣體供給源112a、112b，附加氣體供給配管130及流量控制器131來構成附加氣體供給裝置。
第一氣體箱111的流量控制器121，及第二氣體箱113的流量控制器131的動作，是藉由如電漿蝕刻裝置1的裝置控制部90被控制。因此，藉由裝置控制部90，可控制來自第一氣體箱111及第二氣體箱113的各種氣體的供給開始與停止，各種氣體的氣體流量。
以下，針對於如上所構成的氣體供給裝置100的動作加以說明。第4圖是表示被供給於處理容器10的混合氣體成分或設定流量之際的流程圖。首先，藉由裝置控制部90的指示訊號，第一氣體箱111內的事先所設的氣體以所定流量流在混合配管120(第4圖中的工程S1)。例如氣體供給源110a~110c的CX
FY
氣體，O2
氣體及Ar氣體以所定流量分別被供給，而在混合配管120中被混合，而生成所定混合比CX
FY
氣體，O2
氣體及Ar氣體所成的混合氣體。之後，藉由壓力比控制裝置126，依據壓力計124a、125a的計測結果，來調整閥124b、125b的開閉度，使得流在第一分岐配管122及第二分岐配管123的混合氣體的壓力比被調整成目標壓力比(第4圖中的工程S2)。藉此，連通第一分岐配管122來設定被供給於第一緩衝室63a的混合氣體的氣體成分(混合比)與流量。又，在連通著第二分岐配管123的第二緩衝室63b，在該時候，至少供給與第一緩衝室63a相同的混合氣體，亦即供給可進行蝕刻處理的混合氣體。
然後，當流在第一分岐配管122及第二分岐配管123的混合氣體被調整成目標壓力比而穩定，則藉由壓力比控制裝置126，壓力調整部124、125的閥124b、125b的開閉度被固定(第4圖中的工程S3)。估計閥124b、125b的開閉度被固定，藉由裝置控制部90的指示訊號，使得由第二氣體箱113事先所設定的附加氣體以所定流量流在附加氣體供給配管130(第4圖中的工程S4)。開始來自該第二氣體箱113的附加氣體的供給所用的指示訊號，是藉由經過事先設定於裝置控制部90的設定時間而被送訊。可促進蝕刻的CX
FY
氣體，例如CF4
氣體由如附加氣體供給源112a以所定流量被供給，而被合流於第二分岐配管123。藉此，在第二分岐配管123所連通的第二緩衝室63b，比第二緩衝室63a供給還多CF4
氣體的混合氣體。如此，設定被供給於第二緩衝室63b的混合氣體的氣體成分及流量。又，藉由附加氣體的供給於該第二分岐配管123，第一分岐配管122與第二分岐配管123的壓力比會變動，惟閥124b、125b被固定之故，因而在第一緩衝室63a，供給當初流量的混合氣體。
又，在電漿蝕刻裝置1中，減壓環境下，在基座16上的晶圓W的中心部附近，供給來自第一緩衝室63a的混合氣體，而在晶圓W的外周部，供給來自第二緩衝室63b的較多CF4
氣體的混合氣體，藉此，晶圓W的外周部的蝕刻特性是對於晶圓W約中心部相對地被調整，使得晶圓W面內的蝕刻特性成為均勻。
依照以上的實施形態，來自第一氣體箱的複數種類的氣體在混合配管120被混合，使得其混合氣體分流至第一分岐配管122與第二分岐配管123而被供給於處理容器10的第一緩衝室63a與第二緩衝室63b。在第二分岐配管123，供給調整蝕刻特性所用的附加氣體，而在第二緩衝室63b，供給與第一緩衝室63不相同的成分或流量的混合氣體。如此地，以簡單的配管構成可任意地調整被供給於處理容器10的第一緩衝室63a與第二緩衝室63b的混合氣體的氣體成分或流量。
又，藉由壓力調整部124、125調整第一分岐配管122與第二分岐配管123的流量之故，因而即使如電漿蝕刻裝置1般地氣體供給處的壓力極低時，也可適當地進行供給配管的流量調整。
在以上的實施形態中，在第二分岐配管123，供給可促進蝕刻的CF4
氣體，惟例如CF系的反應生成物的堆積在外周部比晶圓W的中心部還多，而延遲蝕刻時，則將除去CF系的反應生成物的O2
氣體供給於第二分岐配管123也可以。又，將CF4
氣體與O2
氣體的雙方以所定混合比混合供給於第二分岐配管123也可以。
在上述實施形態中，將附加氣體由第二氣體箱113供給於第二分岐配管123的時機，是藉由裝置控制部90的設定時間進行事先設定，惟例如裝置控制部90經壓力比控制裝置126來監視取決於壓力計124a、125a的計測值，而在所期望的目標壓力比作成穩定的時候，將指示訊號發訊至第二氣體箱113側，才開始供給附加氣體也可以。
又，將第二氣體箱113的各附加氣體供給源112a、112b，藉由附加氣體供給配管130也連接於第一分岐配管122側也可以。作成如此，視需要，也可稍微調整被供給於第一緩衝室63的混合氣體的氣體成分或流量。
在以上的實施形態所述的第二氣體箱，設有CF4
氣體與O2
氣體的附加氣體供給源，惟設有作為促進或抑制蝕刻的其他附加氣體，例如作為促進蝕刻的氣體的CHF3
、CH2
F2
、CH3
F等的CX
HY
FZ
氣體，作為控制CF系反應生成物的氣體的N2
氣體或CO氣體，作為稀釋氣體的Xe氣體或He氣體等的附加氣體供給源也可以。此外，被收容於以上的實施形態所述的第一氣體箱111或第二氣體箱113的氣體的氣體種類或數，是因應於被蝕刻材料或製程條件等，可任意地加以選擇。
在以上的實施形態所述的氣體供給裝置100，是於處理容器10的第一緩衝室63a與第二緩衝室63b的兩處供給混合氣體，惟於處理容器10的三處以上供給混合氣體也可以。第5圖是表示該些一例者。亦即，例如在內側上部電極38，形成有同心圓狀的三個緩衝室63。亦即，於內側上部電極38的第二緩衝室63b的更外側，形成有環狀的第三緩衝室63c。這時候，在混合配管120，除了第一、第二分岐配管122、123之外，還分岐有第三分岐配管150。第三分岐配管150是被連接於第三緩衝室63c。在第三分岐配管150，與其他的分岐配管122、123同樣地設有壓力調整室151、壓力計151a及閥151b。又，在本例的氣體供給裝置100，於第三分岐配管150設有供給所定附加氣體所用的第三氣體箱152。第三氣體箱152是具有例如與第二氣體箱113同樣的構成，並具備CF4
的附加氣體供給源153a與O2
氣體的附加氣體供給源153b，各附加氣體供給源153a、153b，是藉由附加氣體供給配管154被連接於第三分岐配管150，而在附加氣體供給配管154，每一附加氣體供給源設有流量控制器155。又，其他部分的構成，是與上述實施形態同樣，故省略說明。
又，當混合氣體供給於各緩衝室63a~63c之際，則第一氣體箱111的例如氣體供給源110a~110c的氣體被供給至混合配管120，經混合之後，該混合氣體被分流至三支分岐配管122、123、150。藉由壓力控制裝置126，分岐配管122、123、150的壓力比被調整成所定的目標壓力比，然後閥124b、125b、151b的開閉度被固定。藉此，被設定第一分岐配管122所連通的第一緩衝室63a的混合氣體的氣體成分與流量。之後，所定種類的所定流量的附加氣體從第二氣體箱133經由附加氣體供給配管130供給於第二分岐配管123，又，所定種類的所定流量的附加氣體從第三氣體箱152經由附加氣體供給配管154供給於第三分岐配管150。如此，被供給於第二緩衝室63b，第三緩衝室63c的混合氣體的氣體成分與流量被設定。在該情形，也以簡單的配管構成，可將任意的混合氣體供給於處理容器10的三處。
在以上的實施形態中，從氣體供給裝置100所供給的混合氣體，從處理容器10的上部朝晶圓W噴出，惟處理容器10的其他部，例如從處理容器10的電漿生成空間PS的側面也噴出混合氣體也可以。該些情形，如第6圖所示地，上述第三分岐配管150被連接於處理容器10的兩側面，而例如從被接地於處理容器10兩側面的噴嘴，氣體噴出至電漿生成空間PS。該些情形，從電漿生成空間PS的上部與側部可分別供給所定混合氣體之故，因而可調整電漿生成空間PS內的氣體濃度，可更提高晶圓面內的蝕刻特性的均勻性。
在以上的實施形態中，藉由壓力調整部來調整分岐配管的流量，惟使用流量控制器也可以。又，在以上的實施形態所述的氣體供給裝置100，是將混合氣體供給於電漿蝕刻裝置1者，惟在供給混合氣體的其他基板處理裝置，例如電漿CVD裝置、濺鍍裝置、熱氧化裝置等的成膜也可適用本發明。又，本發明是也可適用於晶圓以外的例如平面顯示器(FPD)，光罩等的基板處理裝置或MEMS(Micro Electro Mechanical System)製造裝置。
1．．．電漿蝕刻裝置
10．．．處理容器
38．．．內側上部電極
63．．．緩衝室
90．．．裝置控制部
100．．．氣體供給裝置
111．．．第一氣體箱
113．．．第二氣體箱
120．．．混合配管
122．．．第一分岐配管
123．．．第二分岐配管
124、125．．．壓力調整部
130．．．附加氣體供給配管
126．．．壓力比控制裝置
W．．．晶圓
第1圖是表示說明電漿蝕刻裝置的構成的概略縱斷面圖。
第2圖是表示內側上部電極的橫斷面圖第3圖是表示說明氣體供給裝置的構成的概略模式圖。
第4圖是表示的設定供給氣體時的流程圖。
第5圖是表示將混合氣體供給於處理容器的三處的氣體供給裝置的構成的概略模式圖。
第6圖是表示從處理容器的側面供給混合氣體的氣體供給裝置的構成的概略模式圖。
10．．．處理容器
16．．．基座
38．．．內側上部電極
90．．．裝置控制部
63a．．．第一緩衝室
63b．．．第二緩衝室
100．．．氣體供給裝置
110a~110c．．．氣體供給源
111．．．第一氣體箱
112a、112b．．．附加氣體供給源
113．．．第二氣體箱
120．．．混合配管
121．．．流量控制器
122．．．第一分岐配管
124、125．．．壓力調整部
124a、125a．．．壓力計
124b、125b．．．閥
126．．．壓力比控制裝置
130．．．附加氣體供給配管
131．．．流量控制器
PS．．．電漿生成空間
W．．．晶圓
Claims (12)
- 一種氣體供給裝置，屬於在處理基板的處理容器供給氣體的氣體供給裝置，其特徵為具備：複數氣體供給源；混合從上述複數氣體供給源所供給的複數氣體的混合配管；使在上述混合配管所混合的混合氣體分流而供給於處理容器的複數部位的複數分岐配管；在流在至少一支分岐配管的混合氣體供給所定的附加氣體的附加氣體供給裝置；以及配置於上述各分岐配管，依據用以調整氣體流量的閥、壓力計與上述壓力計的計測結果，進行調整上述閥的開閉度，而將上述混合配管的混合氣體以所定壓力比分流於上述分岐配管的壓力比控制裝置，上述附加氣體供給裝置是具備有連通於上述分岐配管的附加氣體供給配管，且被連接於上述壓力計與上述閥的下游側，上述壓力比控制裝置是在未將上述附加氣體從上述附加氣體供給裝置供給於分岐配管的狀態下，將被分流於上述各分岐配管的混合氣體的壓力比藉由上述閥來調整成所定壓力比，而在該狀態下固定上述閥的開閉度。
- 一種基板處理裝置，其特徵為具備：收容基板的處理容器；複數氣體供給源； 混合從上述複數氣體供給源所供給的複數氣體的混合配管；使在上述混合配管所混合的混合氣體分流而供給於上述處理容器的複數部位的複數分岐配管，在流在至少一支分岐配管的混合氣體供給所定的附加氣體的附加氣體供給裝置，配置於上述處理容器內，而將氣體吐出於上述處理容器內的處理空間所用的噴氣頭；以及配置於上述各分岐配管，依據用以調整氣體流量的閥、壓力計與上述壓力計的計測結果，進行調整上述閥的開閉度，而將上述混合配管的混合氣體以所定壓力比分流於上述分岐配管的壓力比控制裝置，上述複數分岐配管係連接於上述噴氣頭，上述附加氣體供給裝置是具備有連通於上述分岐配管的附加氣體供給配管，且被連接於上述壓力計與上述閥的下游側，上述壓力比控制裝置是在未將上述附加氣體從上述附加氣體供給裝置供給於分岐配管的狀態下，將被分流於上述各分岐配管的混合氣體的壓力比藉由上述閥來調整成所定壓力比，而在該狀態下固定上述閥的開閉度。
- 一種氣體供給裝置，屬於在處理容器供給氣體之混合氣體，其特徵為具備：各別收容複數第1氣體之複數第1氣體供給源；收容第2氣體之第2氣體供給源； 混合上述複數之上述第1氣體，產生上述第1氣體之混合氣體的混合配管；使上述混合配管分岐，使上述第1氣體之混合氣體分流而進行供給之複數分岐配管；各自配置於上述分岐配管，調節各自之上述混合氣體之氣體流量的壓力調整部，連接於上述分岐配管的至少一支，供給上述第2氣體於該分岐配管的第2氣體供給配管；以及介隔著上述混合配管，供給上述第1氣體之混合氣體於上述分岐配管，在上述第2氣體不供給於上述分岐配管的狀態下，上述壓力調整部之各閥的開閉度會被固定，將上述被分流的混合氣體以所定壓力比供給於上述分岐配管，藉由壓力比控制裝置進行調整且固定上述閥的開閉度，在固定維持上述閥之開閉度的狀態下，將所定之上述第2氣體供給於連接上述第2氣體供給配管之至少一支上述分岐配管，且控制將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述處理容器內之控制部。
- 一種氣體供給裝置，屬於在處理容器供給氣體之混合氣體，其特徵為具備：各別收容複數第1氣體之複數第1氣體供給源；收容第2氣體之第2氣體供給源；混合上述複數之第1氣體，產生上述第1氣體之混合氣體的混合配管；使上述混合配管分岐，使上述第1氣體之混合氣體分 流而進行供給第1混合氣體之第1分岐配管；使上述混合配管分岐，使上述第1氣體之混合氣體分流而進行供給第2混合氣體之第2分岐配管；配置於上述第1分岐配管，調節上述第1混合氣體的氣體流量之第1壓力調整部；配置於上述第2分岐配管，調節上述第2混合氣體的氣體流量之第2壓力調整部；以及連接於上述第1及第2分岐配管的至少一支，供給上述第2氣體於該分岐配管的第2氣體供給配管；介隔著混合配管，供給上述第1氣體之混合氣體於上述第1及第2分岐配管，在上述第2氣體不供給於上述第1及第2分岐配管的狀態下，上述第1及上述第2壓力調整部之各閥的開閉度會被固定，以被分流之上述混合氣體之上述第1及上述第2混合氣體的壓力比供給於上述第1及上述第2分岐配管，藉由壓力比控制裝置進行調整且固定上述閥的開閉度，在固定維持上述閥之開閉度的狀態下，將所定流量之上述第2氣體供給於連接上述第2氣體供給配管之上述第1及上述第2分岐配管至少一支分岐配管，且控制將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述處理容器內之控制部。
- 如請求項3或4所述的氣體供給裝置，其中，上述第2氣體供給配管各自連接於上述分岐配管。
- 如請求項3~5中任一項所述的氣體供給裝置，其中 ，上述第2氣體供給源係複數個。
- 一種基板處理裝置，屬於對基板供給氣體的混合氣體且進行處理，其特徵為具備：處理容器；載置上述基板之載置部；與上述載置部相對向且設置之噴氣頭；配置於上述噴氣頭之複數個緩衝室；以及在上述緩衝室供給上述氣體之混合氣體之氣體供給裝置，上述氣體供給裝置係具備：各別收容複數上述第1氣體之複數第1氣體供給源；收容上述第2氣體之第2氣體供給源；混合上述複數之上述第1氣體，產生上述第1混合氣體的混合配管；使上述混合配管分岐，使上述第1混合氣體分流而進行供給之複數分岐配管；各自配置於上述分岐配管，調節各自之上述第1混合氣體的氣體流量之壓力調整部，連接於上述分岐配管的至少一支，供給上述第2氣體於該分岐配管的第2氣體供給配管；以及在上述處理容器內供給上述第1氣體及上述第2氣體時，介隔著上述混合配管在上述分岐配管供給上述第1混合氣體，在上述第2氣體不供給於上述分岐配管的狀態下，上 述壓力調整部之各閥的開閉度會被固定，將被分流的混合氣體以所定壓力比供給於上述分岐配管，藉由壓力比控制裝置進行調整且固定上述閥的開閉度，在固定維持上述閥之開閉度的狀態下，將所定流量之上述第2氣體供給於連接上述第2氣體供給配管之至少一支分岐配管，且控制將上述第1氣體及上述第2氣體供給於上述處理容器內之控制部。
- 如請求項7所述的基板處理裝置，其中，上述第2氣體供給配管各自連接於上述分岐配管。
- 如請求項7或8所述的基板處理裝置，其中，上述第2氣體供給源係複數個。
- 一種氣體供給方法，屬於在處理容器內使用氣體供給裝置，且供給氣體之混合氣體，其特徵係，上述氣體供給裝置係具備：各別收容複數第1氣體之複數第1氣體供給源；收容第2氣體之第2氣體供給源；混合上述複數第1氣體，產生上述第1氣體之混合氣體的混合配管；使上述混合氣體分流，供給上述被分流之各個上述第1氣體的混合氣體之複數分岐配管；配置於上述各自之分岐配管，調節上述各自之第1氣體之混合氣體的氣體流量之壓力調整部，連接於上述分岐配管的至少一支，供給上述第2氣體於該分岐配管的第2氣體供給配管， 上述氣體供給方法係具備：以上述混合配管混合上述複數第1氣體且產生上述第1氣體之混合氣體的步驟；介隔著上述混合配管在上述分岐配管供給上述第1氣體之混合氣體的步驟；在上述第2氣體不供給於上述分岐配管的狀態下，上述壓力調整部之各閥的開閉度會被固定，以上述被分流之混合氣體之壓力比提供於上述分岐配管，藉由上述壓力調整部進行調整且固定上述閥的開閉度之步驟；在固定維持上述閥之開閉度的狀態下，將所定流量之上述第2氣體供給於連接上述第2氣體供給配管之上述分岐配管的至少一支之步驟。
- 一種基板處理方法，屬於在基板處理裝置之處理容器內供給氣體之混合氣體，對基板加以處理，其特徵係，上述基板處理裝置係具備：上述處理容器；載置上述基板之載置部；與上述載置部相對向且設置之噴氣頭；配置於上述噴氣頭之複數緩衝室；以及在上述緩衝室供給上述氣體之混合氣體之氣體供給裝置，上述氣體供給裝置係具備：各別收容複數之上述第1氣體之複數第1氣體供給 源；收容上述第2氣體之第2氣體供給源；混合上述複數之上述第1氣體，產生上述第1氣體之混合氣體的混合配管；使上述混合配管分岐，使上述第1氣體之混合氣體分流而進行供給之複數分岐配管；各自配置於上述分岐配管，調節各自之上述第1氣體之混合氣體的氣體流量之壓力調整部，以及連接於上述分岐配管的至少一支，供給上述第2氣體於該分岐配管的第2氣體供給配管；上述電漿處理方法係具有：在上述處理容器內配置上述基板之步驟；由上述氣體供給裝置介隔著上述噴氣頭，在上述處理容器內供給混合氣體之步驟；以及處理上述基板之步驟，介隔著混合配管在上述第1及第2分岐配管供給上述第1氣體之混合氣體，在上述第2氣體不供給於上述第1及上述第2分岐配管的狀態下，上述第1及上述第2壓力調整部之各閥的開閉度會被固定，以被分流之上述混合氣體之上述第1及上述第2混合氣體的壓力比供給於上述第1及上述第2分岐配管，藉由上述壓力調整部進行調整且固定上述閥的開閉度，在固定維持上述閥之開閉度的狀態下，控制將所定流量之上述第2氣體供給於連接上述第2氣體供給配管之上 述第1及上述第2分岐配管至少一支分岐配管，且在上述處理容器內供給上述第1氣體及上述第2氣體。
- 一種氣體供給裝置，屬於在處理容器供給氣體的混合氣體，其特徵為具備：各別收容複數第1氣體之複數第1氣體供給源；收容第2氣體之第2氣體供給源；混合上述複數之第1氣體，產生上述第1氣體之混合氣體的混合配管；使上述混合配管分岐，使上述第1氣體之混合氣體分流且供給第1混合氣體之第1分岐配管；使上述混合配管分岐，使上述第1氣體之混合氣體分流且供給第2混合氣體之第2分岐配管；配置於上述第1分岐配管，調節上述第1混合氣體的氣體流量之第1壓力調整部；配置於上述第2分岐配管，調節上述第2混合氣體的氣體流量之第2壓力調整部；以及連接於上述第1及第2分岐配管的至少一支，供給上述第2氣體於該分岐配管的第2氣體供給配管，介隔著混合配管，供給上述第1氣體之混合氣體於上述第1及第2分岐配管，在上述第2氣體不供給於上述第1及上述第2分岐配管的狀態下，上述第1及上述第2壓力調整部之各閥的開閉度會被固定，以被分流之上述混合氣體之上述第1及上述第2混合氣體的壓力比供給於上述第1及上述第2分岐配管，而固定上述閥的開閉度， 在固定維持上述閥之開閉度的狀態下，將所定流量之上述第2氣體供給於連接上述第2氣體供給配管之上述第1及上述第2分岐配管至少一支分岐配管，且在上述處理容器內供給上述第1氣體及上述第2氣體。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004357292A JP4358727B2 (ja) | 2004-12-09 | 2004-12-09 | ガス供給装置，基板処理装置及び供給ガス設定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200633049A TW200633049A (en) | 2006-09-16 |
| TWI441254B true TWI441254B (zh) | 2014-06-11 |
Family
ID=36667053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW094143443A TWI441254B (zh) | 2004-12-09 | 2005-12-08 | A gas supply device, a substrate processing device, and a supply gas setting method |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4358727B2 (zh) |
| KR (1) | KR100753692B1 (zh) |
| CN (1) | CN100390933C (zh) |
| TW (1) | TWI441254B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI694222B (zh) * | 2015-05-17 | 2020-05-21 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 氣體櫃 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4550507B2 (ja) | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JP4895167B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置，基板処理装置，ガス供給方法 |
| JP5211450B2 (ja) * | 2006-08-15 | 2013-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| US20080078746A1 (en) | 2006-08-15 | 2008-04-03 | Noriiki Masuda | Substrate processing system, gas supply unit, method of substrate processing, computer program, and storage medium |
| JP5192214B2 (ja) | 2007-11-02 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5378706B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びそれに用いられる処理ガス供給装置 |
| JP5452133B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2014-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP5562712B2 (ja) * | 2010-04-30 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置用のガス供給装置 |
| JP5689294B2 (ja) | 2010-11-25 | 2015-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP5792563B2 (ja) | 2011-08-31 | 2015-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| JP2014003234A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 |
| JP6034655B2 (ja) | 2012-10-25 | 2016-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6030994B2 (ja) | 2013-05-15 | 2016-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
| US9620417B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-04-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method of manufacturing fin-FET devices |
| JP6502779B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-04-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給系のバルブのリークを検査する方法 |
| JP7073710B2 (ja) | 2017-01-20 | 2022-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CH713539A1 (fr) * | 2017-03-03 | 2018-09-14 | Pelco Sarl | Mélangeur de gaz automatique. |
| JP7296854B2 (ja) * | 2019-11-07 | 2023-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給方法及び基板処理装置 |
| CN117198848A (zh) * | 2022-06-01 | 2023-12-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 气体分配装置、等离子体处理装置及方法 |
| CN114774887A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-07-22 | 拓荆科技(北京)有限公司 | 气体传输装置、方法和半导体沉积设备 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136098A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| US5916369A (en) * | 1995-06-07 | 1999-06-29 | Applied Materials, Inc. | Gas inlets for wafer processing chamber |
| JPH09289170A (ja) * | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
| US6210482B1 (en) * | 1999-04-22 | 2001-04-03 | Fujikin Incorporated | Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing |
| CN1240113C (zh) * | 2002-08-20 | 2006-02-01 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体蚀刻方法及装置 |
| JP4127779B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2008-07-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 熱間等方圧加圧装置および熱間等方圧加圧方法 |
| US20040050326A1 (en) * | 2002-09-12 | 2004-03-18 | Thilderkvist Karin Anna Lena | Apparatus and method for automatically controlling gas flow in a substrate processing system |
-
2004
- 2004-12-09 JP JP2004357292A patent/JP4358727B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-12-08 KR KR1020050119216A patent/KR100753692B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-08 TW TW094143443A patent/TWI441254B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-09 CN CNB2005101303873A patent/CN100390933C/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI694222B (zh) * | 2015-05-17 | 2020-05-21 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 氣體櫃 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1787170A (zh) | 2006-06-14 |
| TW200633049A (en) | 2006-09-16 |
| CN100390933C (zh) | 2008-05-28 |
| KR100753692B1 (ko) | 2007-08-30 |
| JP2006165399A (ja) | 2006-06-22 |
| KR20060065510A (ko) | 2006-06-14 |
| JP4358727B2 (ja) | 2009-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI441254B (zh) | A gas supply device, a substrate processing device, and a supply gas setting method | |
| US9441791B2 (en) | Gas supply unit, substrate processing apparatus and supply gas setting method | |
| TWI457974B (zh) | A gas supply device, a substrate processing device, and a gas supply method | |
| TWI397112B (zh) | A gas supply device, a substrate processing device, and a gas supply method | |
| US6632322B1 (en) | Switched uniformity control | |
| US8790529B2 (en) | Gas supply system, substrate processing apparatus and gas supply method | |
| JP4357487B2 (ja) | ガス供給装置，基板処理装置，ガス供給方法 | |
| JP2005150612A (ja) | プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 | |
| US8261691B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP4559202B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| US8561572B2 (en) | Gas supply system, substrate processing apparatus and gas supply method | |
| JP2002151496A (ja) | 陰極に接地コンデンサを有する多重周波数プラズマチャンバ | |
| JP2021128956A (ja) | 載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法 | |
| JP4911982B2 (ja) | ガス供給装置，基板処理装置，ガス供給方法及びガス供給制御方法 | |
| JP4410117B2 (ja) | ガス設定方法，ガス設定装置，エッチング装置及び基板処理システム | |
| KR20080073416A (ko) | 플라즈마 식각 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |