CN100390933C - 气体供给装置、基板处理装置及供给气体设定方法 - Google Patents
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Abstract
在气体供给装置(100)上设置具有多个气体供给源的第一气体箱(111)和具有多个附加气体供给源的第二气体箱(113)。各气体供给源连接有混合管道(120)，混合管道(120)连接有通过不同缓冲室(63a、63b)的分支管道(122、123)。分支管道中分别设有压力调整部，由压力比控制部(126)调整压力比。在分支管道(123)的压力调整部下游侧连接有通过第二气体箱(113)的附加气体供给管道(130)。第一气体箱(111)的各气体由混合管道(120)混合，由分支管道分流，供给到各缓冲室。分支管道(123)上附加有第二气体箱(113)的附加气体，向缓冲室(63b)供给与缓冲室(63a)不同的混合气体。由此由简单管道结构向处理容器的多处供给任意的混合气体。
Description
技术领域
本发明涉及向处理容器供给气体的气体供给装置、与该气体供给装置相连接的基板处理装置以及供给气体设定方法。
背景技术
在半导体装置及液晶显示装置等电子设备的制造工序中，例如进行在基板的表面上形成导电性的膜或者绝缘膜的成膜处理、以及对在基板上形成的膜进行刻蚀的蚀刻处理等。
在上述蚀刻处理中，例如广泛使用等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻装置在收容有基板的处理容器中，包括装载基板的下部电极、以及向下部电极的基板喷出气体的喷淋头。喷淋头构成上部电极。蚀刻处理是在从喷淋头喷出规定的混合气体的状态下，向两电极之间施加高频，通过在处理容器中生成等离子体来对基板上的膜进行蚀刻。
然而，蚀刻速度以及蚀刻选择比等的蚀刻特性会受到供给至基板上的气体浓度的影响。而且，使基板面内的蚀刻特性均匀化，提高基板面内蚀刻的均匀性是现阶段研究的重要课题。因此，提出了将喷淋头的内部分为多个气体室，对每个气体室独立地连接气体导入管，对基板面内的各部分供给任意种类或者流量的气体的方法(例如，参考专利文献1)，由此，能够局部地调整基板面内的气体浓度，提高蚀刻的基板面内的均匀性。
但是，蚀刻处理中所使用的混合气体，例如是由能够给予直接蚀刻的气体、用于控制反应生成物的堆积的气体、以及惰性气体等多种气体的组合而构成的，根据被蚀刻材料以及工艺条件来进行选择。因此，当在喷淋头内分割成多个气体室、对每个气体室连接气体导入管的情况下，例如，在(日本专利)特开平9-45624号公报(专利文献2)中的图1所示，在每个气体导入管上连接有通过多个气体供给源的管道，而且，在每个管道上设置有质量流量控制器。因此，使气体供给系统的管道结构复杂化，各管道的气体流量的控制也复杂化。所以，需要较大的管道空间，而且装置控制系统的负担也增大。
专利文献1：(日本专利)特开平8-158072号公报
专利文献2：(日本专利)特开平9-45624号公报
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出，其目的在于提供一种在向蚀刻装置等的基板处理装置中的处理容器的多处供给任意的混合气体时，能够简单地实现管道结构的气体供给装置、具有与气体供给装置连接的处理容器的基板处理装置、以及使用气体供给装置的供给气体设定方法。
为了实现上述目的，本发明的特征在于，是一种向处理基板的处理容器中供给气体的气体供给装置，包括：多个气体供给源，将从上述多个气体供给源所供给的多种气体进行混合的混合管道，将由上述混合管道所混合的气体分流并供给到处理容器的多处的多个分支管道，以及向至少一个分支管道中所流过的混合气体供给规定的附加气体的附加气体供给装置。
根据本发明，多个气体供给源的气体在混合管道内混合，其后分流到各分支管道。而且，在特定的分支管道内，附加规定的附加气体，调整混合气体的气体成分以及流量。在不附加上述附加气体的分支管道内，来自混合管道的混合气体原封不动地供给到处理容器。在这种情况下，由于例如在混合管道内生成气体成分共同的混合气体，而在各分支管道内，可根据需要来调整混合气体的气体成分以及流量，所以，由最小必要限度的管道数量就足够。其结果是，能够由简单的管道结构实现向处理容器的多处供给任意的混合气体。
上述的气体供给装置，在各分支管道上设置有用于调整气体流量的阀门与压力计，还包括基于上述压力计的测量结果来调整上述阀门的开闭程度，从而使上述混合管道的混合气体以规定的压力比分流到上述分支管道的压力比控制装置。在这种情况下，由于分支管道的流量能够基于压力比(分压比)进行控制，所以，例如即使是在分支管道内的压力低的情况下，也能够正确地进行分支管道的流量控制。
上述的气体供给装置，具有与上述分支管道连通的附加气体供给管道，上述附加气体供给管道连接于上述压力计与上述阀门的下游侧。
上述压力比控制装置，也可以在上述附加气体供给装置不向分支管道供给上述附加气体的状态下，由上述阀门将分流到上述各分支管道的混合气体的压力比调整为规定的压力比，在该状态下固定上述阀门的开闭程度。
上述的气体供给装置，也可以还包括控制部，在由上述压力比控制装置将上述分支管道的混合气体调整为规定的压力比之后，从上述附加气体供给装置向上述分支管道供给附加气体。
根据另一观点的本发明，能够提供设置有连接于上述气体供给装置中的分支管道的处理容器的基板处理装置，该基板处理装置中也可以是在减压状态下处理基板的减压处理装置。
上述的基板处理装置具有装载基板的装载部，对装载于上述装载部的基板的中央部与外周部，通过不同的分支管道供给气体。
根据另一观点的本发明，是使用上述气体供给装置的供给气体设定方法，包括：在上述附加气体供给装置不向分支管道供给上述附加气体的状态下，将分流到上述各分支管道的混合气体的压力比调整由上述阀门调整为规定的压力比，在该状态下固定上述阀门的开闭程度的工序，和从上述附加气体供给装置向上述分支管道供给附加气体的工序。
根据本发明，能够实现简化管道结构，减小管道空间以及流量控制负担的目的。
附图说明
图1是用于说明等离子体蚀刻结构的简要纵截面图。
图2是内侧上部电极的纵截面图。
图3是说明气体供给装置结构的简要模式图。
图4是供给气体设定时的流程图。
图5是表示向处理容器的三处供给混合气体的气体供给装置的结构的简要模式图。
图6是从处理容器的侧面供给混合气体的气体供给装置的结构的简要模式图。
符号说明：
1： 等离子体蚀刻装置
10： 处理容器
38： 内侧上部电极
63： 缓冲室
90： 装置控制部
100：气体供给装置
111：第一气体箱
113：第二气体箱
120：混合管道
122：第一分支管道
123：第二分支管道
124、125：压力调整部
130：附加气体供给管道
126：压力比控制装置
W： 晶片
具体实施方式
以下，对本发明最优实施方式加以说明。图1是用于说明作为本实施方式的气体供给装置所适用的基板处理装置的等离子体蚀刻装置1的构成的简要纵截面图。
等离子体蚀刻装置1是平行平板型电极结构的电容耦合型等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻装置1具有大致呈圆筒状的处理容器10。处理容器10例如由铝合金所形成，内壁面由氧化铝膜或者氧化铱膜所覆盖。处理容器10接地。
在处理容器10内的中央底部，通过绝缘板12而设置有圆柱状的基座支撑台14。在基座支撑台14上，支撑有装载作为基板的晶片W的装载部、即基座16。基座16构成平行平板型电极结构的下部电极。基座16例如由铝合金所构成。
在基座16的上部，设置有保持晶片W的静电卡盘18。静电卡盘18的内部具有电极20。电极20与直流电源22电气连接。通过从直流电源22向电极20施加直流电压而产生库仑力，而在基座16的上面吸附晶片W。
在静电卡盘18周围的基座16的上面，设置有聚焦环24。在基座16和基座支撑台14的外周面上，例如贴附有由石英构成的圆筒状的内壁部件26。
在基座支撑台14的内部，形成环状的制冷剂室28。制冷剂室28通过管道30a、30b而连接于设置在处理容器10的外部的冷却单元(未图示)。通过管道30a、30b向制冷剂室28内循环供给制冷剂或者冷却水，通过该循环供给而能够控制基座16上的晶片W的温度，在静电卡盘18的上面连通有通过基座16以及基座支撑台14内的气体供给管线32，向晶片W与静电卡盘18之间供给He气体等的传热气体。
在基座16的上方，设置有与基座16平行相对的上部电极34。在基座16与上部电极34之间形成有等离子体生成空间PS。
上部电极34包括环状的外侧上部电极36、和其内侧的圆板状的内侧上部电极38。在外侧上部电极36与内侧上部电极38之间存在有环状的电介质42。在外侧上部电极36与处理容器10的内周壁之间，气密性地存在有例如由氧化铝等构成的环状的绝缘性屏蔽部件44。
在外侧上部电极36上，通过匹配器46、上部供电棒48、连接器50以及供电筒52而电气连接有第一高频电源54。第一高频电源54输出40MHz以上、例如60MHz的高频电压。
供电筒52例如形成下面开口的大体圆筒状，下端部与外侧上部电极36相连接。在供电简52的上面的中央部，通过连接器50与上部供电棒48的下端部电气连接。上部供电棒48的上端部与匹配器46的输出侧连接。匹配器46与第一高频电源54连接，能够匹配第一高频电源54的内部阻抗与负荷阻抗。供电筒52的外部由具有与处理容器10相同直径的侧壁的圆筒状的接地导体10a所覆盖。接地导体10a的下端部与处理容器10的侧壁的上部连接。在接地导体10a的上面中央部，贯通上述的上部供电棒48，在接地导体10a与上部供电棒48的接触部，存在有绝缘部件56。
内侧上部电极38构成向装载于基座16上的晶片W上喷出规定的混合气体的喷淋头。内侧上部电极38包括：具有多个气体喷出孔60a的圆形的电极板60、和可自由装卸地支撑电极板60的上面侧的电极支撑体62。电极支撑体62形成与电极板60同样直径的圆盘形状，在内部形成有圆盘状的缓冲室63。在缓冲室63内，如图2所示，例如设置有由O形环所形成的环状隔离壁部件64，将缓冲室63分为中心部侧的第一缓冲室63a与外周部侧的第二缓冲室63b。第一缓冲室63a与基座16上的晶片W的中央部相对，第二缓冲室63b与基座16上的晶片W的外周部相对。在各缓冲室63a、63b的下面，与气体喷出孔60a相连接，而从第一缓冲室63a向晶片W的中央部、从第二缓冲室63b向晶片W的外周部喷射规定的混合气体。其中，关于向各缓冲室63供给规定的混合气体的气体供给装置100，在后面进行叙述。
如图1所示，在电极支撑体62的上面，电气地连接有与上部供电棒48连接的下部供电筒70。在下部供电筒70上设置有可变电容器72。可变电容器72能够调整通过第一高频电源54的高频电压而在外侧上部电极36的正下方所形成的电场强度、和在内侧上部电极38的正下方形成的电场强度的相对比例。
在处理容器10的底部形成排气口74。排气口74通过排气管76与设置有真空泵等的排气装置78连接。通过排气装置78将处理容器10内减压至所希望的真空度。
在基座16上，通过匹配器80而电气连接有第二高频电源82。第二高频电源82输出例如2MHz～20MHz的范围，例如20MHz的高频电压。
在内侧上部电极38上连接有用于屏蔽来自第一高频电源54的高频、使来自第二高频电源82的高频通过地面的低通滤波器84。在基座16上连接有用于使来自第一高频电源54的高频通过地面的高通滤波器86。
在等离子体蚀刻装置1上，设置有用于控制实行直流电源22、第一高频电源54以及第二高频电源82等的蚀刻处理的各单元的动作的控制部90。
接着，对向等离子体蚀刻装置1的内侧上部电极38供给混合气体的气体供给装置100加以说明。
如图3所示，气体供给装置100例如包括：收容三个气体供给源110a、110b、110c的第一气体箱111，和收容有多个、例如两个附加气体供给源112a、112b的第二气体箱113。在本实施方式中，在气体供给源110a中，封入有作为蚀刻气体的例如氟碳系的氟化物，例如CF4、C4F6、C4F8、C5F8等的CXFY气体；在气体供给源110b中，封入有作为控制CF系的反应生成物的堆积的气体，例如O2气体；在气体供给源110c中，封入有作为载体气体的稀有气体，例如氩气。而且，在附加气体供给源112a中，例如封入能够促进蚀刻的CXFY气体，在附加气体供给源112b中封入能够控制CF系的反应物的堆积的气体，例如O2气体。
在第一气体箱111的各气体供给源110a～110c上，连接有将来自各气体供给源110a～110c的各种气体进行合流混合的混合管道120。在混合管道120上，对每个气体供给源设置有调整来自各气体供给源110a～110c的气体流量的质量流量控制器121。在混合管道120上，连接有将在混合管道120中混合的气体进行分流的第一分支管道122与第二分支管道123。第一分支管道122与上述处理容器10的内侧电极38的第一缓冲室63a连接。第二分支管123与内侧上部电极38的第二缓冲室63b连接。
在第一分支管道122上设置有压力调整部124。同样，在第二分支管道123上设置有压力调整部125。压力调整部124设置有压力计124a与阀124b。同样，压力调整部125设置有压力计125a与阀125b。压力调整部124的压力计124a的测量结果与压力调整部125的压力计125a的测量结果，输出到压力比控制装置126。压力比控制装置126能够根据压力计124a、125a的测量结果来调整各阀124b、125b的开闭程度，控制第一分支管道122与第二分支管道123中分流的混合气体的压力比、即流量比。而且，压力比控制装置126在供给气体的设计时，在从后述的第二气体箱113不向第二分支管道123供给附加气体的状态下，将流过第一分支管道122与第二分支管道123的混合气体的压力比调整为规定的目标压力，在该状态下固定阀124b、125b的开闭程度。
在第二气体箱113的各附加气体供给源112a、112b上，连接有例如与第二分支管道123连通的附加气体供给管道130。例如，附加气体供给管道130与各附加气体供给源112a、112b连接，在中途集合而连接于第二分支管道123。附加气体供给管130连接于压力调整部125的下游侧。在附加气体供给管130上，对每个附加气体供给源设置有调整来自各附加气体供给源112a、112b的附加气体的流量的质量流量控制器131。根据该结构，能够选择或者混合第二气体箱113的附加气体，供给到第二分支管道123。其中，在本实施方式中，由第二气体箱113、附加气体供给源112a、112b、附加气体供给管道130、和质量流量控制器131构成附加气体供给装置。
第一气体箱111中的质量流量控制器121与第二气体箱113中的质量流量控制器131的动作，例如由等离子体蚀刻装置1的装置控制部90所控制。因此，由装置控制部90能够控制来自第一气体箱111以及第二气体箱113的各种气体的供给的开始与停止，以及各种气体的流量。
接着，对以上结构的气体供给装置100的动作加以说明。图4是在设定供给到处理容器10内的混合气体的气体成分和流量时的流程图。首先，根据装置控制部90的指示信号，使第一气体箱111中预先设定的气体以规定的流量流入混合管道120(图4中的工序S1)。例如，分别以规定的流量供给至气体供给源110a～110c的CXFY气体、O2气体以及氩气，在混合管道120中混合，生成由规定混合比例的CXFY气体、O2气体以及氩气所构成的混合气体。接着，通过压力比控制装置126，基于压力计124a、125a的测量结果，来调整阀124b、125b的开闭程度，从而将第一分支管道122和第二分支管道123中流过的混合气体的压力比调整为目标压力比(图4中的工序S2)。由此，能够设定通过第一分支管道122供给到第一缓冲室63a的混合气体的气体成分(混合比)与流量。而且，在第二分支管道123所通过的第二缓冲室63b中，在此时刻至少供给与第一缓冲室63a相同的混合气体，即供给能够进行蚀刻处理的混合气体。
而且，在将于第一分支管道122和第二分支管道123中流过的混合气体调整为目标压力比并稳定后，通过压力控制装置126来固定压力控制部124、125的阀124b、125b的开闭程度(图4的工序S3)。预计阀124b、125b的开闭程度固定，根据装置控制部90的指示信号，从第二气体箱113以规定的流量使预先设定的附加气体流到附加气体供给管道130(图4的工序S4)。用于开始来自该第二气体箱113的附加气体的供给的指示信号，在装置控制部90内预先设定的设定时间经过时而发送。例如，从附加气体供给源112a以规定的流量供给能够促进蚀刻的CXFY气体、例如CF4气体，而流到第二分支管123。由此，在第二分支管道123所连通的第二缓冲室63b中，供给比第一缓冲室63a的多的CF4气体。这样，就能够设定供给到第二缓冲室63b的混合气体的气体成分和流量。其中，虽然通过向该第二分支管道123供给附加气体而使第一分支管道122与第二分支管道123的压力比发生变动，但是，由于阀124b、125b固定，所以对第一缓冲室63a仍供给最初流量的混合气体。
而且，在等离子体蚀刻装置1中，在减压气氛下，在基座16上的晶片W的中心部附近，供给来自第一缓冲室63a的混合气体，在晶片W的外周部，供给来自第二缓冲室63b的CF4气体的多混合气体。由此，晶片W的外周部的蚀刻特性相对于晶片W的中心部作相对的调整，使晶片W面内的蚀刻特性均匀。
根据以上的实施方式，来自第一气体箱的多种气体在混合管道120中混合，该混合气体分流到第一分支管道122和第二分支管道123，并供给到处理容器10的第一缓冲室63a和第二缓冲室63b。对第二分支管道123供给用于调整蚀刻特性的附加气体，对第二缓冲室63b供给与第一缓冲室63a不同成分的流量的混合气体。这样，能够以简单的管道结构任意地调整供给到处理容器10中的第一缓冲室63a和第二缓冲室63b的混合气体的成分及流量。
而且，由于能够通过压力调整部124、125来调整第一分支管122和第二分支管道123的流量，所以，即使是在等离子体蚀刻装置1那样气体的供给处的压力极低的情况下，也能够适当地进行供给管道的流量调整。
根据以上的实施方式，可以向第二分支管道123供给能够促进蚀刻的CF4气体，但是，例如在晶片W的外周部与中心部相比CF系的反应生成物的堆积多、蚀刻缓慢的情况下，也可以向第二分支管道123供给去除CF系反应生成物的O2气体。而且，还可以向第二分支管道123供给由CF4气体与O2气体按一定的混合比例所混合的气体。
在上述实施方式中，从第二气体箱113向第二分支管道123供给附加气体的时刻，是通过装置控制部90中的设定时间而预先设定的，但是，例如也可以是装置控制部90通过压力比控制装置126来监视压力计124a、125b的测量值，在所希望的目标压力比稳定的时刻，将指示信号发送到第二气体箱113，开始附加气体的供给。
而且，还可以是将第二气体箱113的各附加气体源112a、112b，通过附加气体供给管130而连接于第一分支管道122一侧。由此，在必要的情况下，也可以对供给到第一缓冲室63的混合气体的气体成分及流量进行微量调整。
在以上的实施方式中记述的第二气体箱113中，是设置了CF4气体与O2气体的附加气体供给源，但也可以设置其它的附加气体供给源，例如促进或者抑止蚀刻的其它附加气体，作为促进蚀刻的气体，例如有CHF3、CH2F2、CH3F等CXHYFZ气体；作为控制CF系反应生成物的气体，例如有N2气体CO气体等；作为稀释气体，例如有Xe以及He气体等。此外，以上的实施方式中记述的第一气体箱111以及第二气体箱113中所收容的气体的种类及数量，也能够根据被蚀刻材料及工艺条件而进行任意的选择。
以上的实施方式中所述的气体供给装置100，是向处理容器10中第一缓冲室63a和第二缓冲室63b的两处供给混合气体，但是，也可以是向处理容器10的三处以上供给混合气体。图5是表示这样的一例，例如在内侧上部电极38上，形成同心圆状的三个缓冲室63。即，在内侧上部电极38的第二缓冲室63b的更外侧形成有环状的第三缓冲室63c。在这种情况下，在混合管道120中，除了第一、第二分支管道122、123之外，进而还有第三分支管道150。第三分支管道150与第三缓冲室63c连接。在第三分支管道150上，与其它的分支管道122、123同样，设置有压力调整室151、压力计151a和阀151b。而且，在该例的气体供给装置100中，设置有用于向第三分支管道150供给规定的附加气体的第三气体箱152。第三气体箱152例如具有与第二气体箱113同样的结构，设置有CF4的附加气体供给源153a与O2气体的附加气体供给源153b。各附加气体供给源153a、153b通过附加气体供给管154而与第三分支管道150连接，在附加气体供给管154中，对每个附加气体供给源设置有质量流量控制器155。其中，其它部分的结构由于都与上述实施方式同样，所以其说明予以省略。
而且，在向各缓冲室63a～63c供给混合气体时，第一气体箱111的例如气体供给源110a～110c的气体被供给到混合管道120，在混合后，该混合气体分流到三个分支管道122、123与150。通过压力比控制装置126，将分支管道122、123、150的压力比调整为规定的目标压力比，其后，固定阀124b、125b、151b的开闭程度。由此，能够设定第一分支管道122连通的第一缓冲室63a的混合气体的气体成分与流量。其后，从第二气体箱133通过附加气体供给装置130向第二分支管道123供给规定种类、规定流量的附加气体。而且，从第三气体箱152通过附加气体供给管154向第三分支管道150供给规定种类、规定流量的附加气体。这样，能够设定向第二缓冲室63b、第三缓冲室63c供给的混合气体的气体成分与流量。在这种情况下，也能够由简单的管道结构向处理容器10的三处供给任意的混合气体。
在以上的实施方式中，从气体供给装置100供给的混合气体，是从处理容器10的上部向晶片W喷出，但是，也可以是从处理容器10的其它部分、例如从处理容器10中的等离子体形成空间PS的侧面喷出混合气体。在这种情况下，例如，如图6所示，上述第三分支管道150连接于处理容器10的两侧面，例如，从与处理容器10的两侧面接地的喷嘴向等离子体生成空间PS喷出气体。在这种情况下，由于是从等离子体生成空间PS的上部与侧部分别供给规定的混合气体，所以能够调整等离子体生成空间PS内的气体浓度，提高晶片W面内的蚀刻特性的均匀性。
在以上的实施方式中，是通过压力调整部调整分支管道的流量，但室，也可以使用质量流控制装置。而且，以上的实施方式中记述的气体供给装置100，是向等离子体蚀刻装置1供给混合气体的装置，但是本发明也可以适用于供给混合气体的其它基板处理装置，例如等离子体CVD装置、溅射装置、热氧化装置等成膜装置。而且，本发明还可以适用于晶片以外的FPD(平面板装置)遮光模用的掩模刻线等其它基板处理装置及MEMS(微电子机械系统)制造装置等。
本发明在对基板处理容器的多处供给任意的混合气体时有用。
Claims (13)
1.一种气体供给装置，是向对基板进行处理的处理容器供给气体的气体供给装置，其特征在于，包括：
多个气体供给源；
将从所述多个气体供给源所供给的多种气体进行混合的混合管道；
将由所述混合管道所混合的混合气体进行分流并供给到处理容器的多处的多个分支管道；和
向在至少一个分支管道中所流过的混合气体供给规定的附加气体的附加气体供给装置，
其中，在各分支管道上设置有调整气体流量用的阀门与压力计，
还包括压力比控制装置，基于所述压力计的测量结果来调整所述阀门的开闭程度，从而使所述混合管道的混合气体以规定的压力比分流到所述分支管道。
2.根据权利要求1所述的气体供给装置，其特征在于：
所述附加气体供给装置具有与所述分支管道连通的附加气体供给管道，
所述附加气体供给管道连接于所述压力计与所述阀门的下游侧。
3.根据权利要求2所述的气体供给装置，其特征在于：
所述压力比控制装置，在不从所述附加气体供给装置向分支管道供给所述附加气体的状态下，通过所述阀门将分流到所述各分支管道的混合气体的压力比调整为规定的压力比，在该状态下固定所述阀门的开闭程度。
4.根据权利要求3所述的气体供给装置，其特征在于：
还包括控制部，在由所述压力比控制装置将所述分支管道的混合气体调整为规定的压力比之后，从所述附加气体供给装置向所述分支管道供给附加气体。
5.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
收容基板的处理容器；
多个气体供给源；
将从所述多个气体供给源所供给的多种气体进行混合的混合管道；
将由所述混合管道所混合的混合气体分流并供给到所述处理容器的多处的多个分支管道；和
向在至少一个分支管道中所流过的混合气体供给规定的附加气体的附加气体供给装置，
还具有配置在所述处理容器内、向所述处理容器内的处理空间吐出气体的喷淋头，
所述多个分支管道与所述喷淋头连接。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：
在各分支管道上设置有用于调整气体流量的阀门与压力计，
还包括压力比控制装置，基于所述压力计的测量结果来调整所述阀门的开闭程度，从而使所述混合管道的混合气体以规定的压力比分流到所述分支管道。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
所述附加气体供给装置具有与所述分支管道连通的附加气体供给管道，
所述附加气体供给管道连接于所述压力计与所述阀门的下游侧。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
所述压力比控制装置，在不从所述附加气体供给装置向分支管道供给所述附加气体的状态下，通过所述阀门将分流到所述各分支管道的混合气体的压力比调整为规定的压力比，在该状态下固定所述阀门的开闭程度。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：
还包括控制部，在由所述压力比控制装置将所述分支管道的混合气体调整为规定的压力比之后，从所述附加气体供给装置向所述分支管道供给附加气体。
10.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：
所述多个分支管道为两条，
所述两条分支管道分别与在所述喷淋头内部以同心圆状被区分的第一、第二缓冲室连接。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第一缓冲室被配置在喷淋头中心部侧、所述第二缓冲室被配置在所述喷淋头外周部侧，
与所述附加气体供给装置连接的分支管道，与所述第二缓冲室连接。
12.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：
具有配置在所述处理容器内，载置所述基板的载置部，
所述多个分支管道中的至少一个，以能够向由所述喷淋头与所述载置部所形成的空间供给气体的方式，从所述处理容器的侧面连接。
13.一种供给气体设定方法，其特征在于：
是使用气体供给装置的供给气体设定方法，其中，所述气体供给装置包括：
多个气体供给源；
将从所述多个气体供给源所供给的多种气体进行混合的混合管道；
将由所述混合管道所混合的混合气体分流并供给到处理容器的多处的多个分支管道；和
向在至少一个分支管道中所流过的混合气体供给规定的附加气体的附加气体供给装置，并且，
在各分支管道上具有调整气体流量用的阀门和压力计，其中，所述供给气体设定方法包括：
在不从所述附加气体供给装置向所述分支管道供给附加气体的状态下，通过所述阀门将从所述混合管道分流到各分支管道的混合气体的压力比调整为规定的压力比，其后，固定所述分支管道的所述阀门的开闭程度的工序，和
然后，从所述附加气体供给装置向规定的所述分支管道供给规定流量的附加气体的工序。
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |