CN101017771A - 气体供给装置、基板处理装置和气体供给方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种气体供给装置，能以简单配管结构和简单控制在不受压力变动等影响情况下，向处理室内多个部位供给气体，实现希望的面内均匀性，其从流过来自处理气体供给单元(210)的处理气体的处理气体供给配管(202)分支，包括分别连接在从处理室内不同部位导入气体的第一、第二气体导入部(330、340)上的第一、第二分支流路(204、206)；基于第一、第二分支流路内的压力调整从处理气体供给流路向第一、第二分支流路分流的处理气体分流量的分流量调整单元(230)；和使来自供给规定附加气体的附加气体供给单元(220)的附加气体流过的附加气体供给配管(208)。第一、第二气体导入部之一分开构成连接分支流路的处理气体导入部和连接附加气体供给流路的附加气体导入部。

Description

气体供给装置、基板处理装置和气体供给方法
技术领域
本发明涉及向处理室内供给气体的气体供给装置、基板处理装置和气体供给方法。
背景技术
这种基板处理装置向处理室内供给规定的气体，对半导体晶片、液晶基板等的被处理基板(下面简称为“基板”)实施成膜或者蚀刻等规定的处理。
作为这样的基板处理装置，例如，公知有等离子体处理装置。等离子体处理装置构成为，例如在处理室内配设兼作用于载置基板的载置台的下部电极；和兼作向基板喷出气体的喷淋头的上部电极。在这样的平行平板型等离子体处理装置中，在从喷淋头向处理室内的基板上供给规定的气体的状态下，在两电极间施加高频电流，产生等离子体，由此，进行成膜或者蚀刻等规定处理。
专利文献1：日本特开平8-158072号公报
专利文献2：日本特开平9-45624号公报
但是，在对基板实施成膜或者蚀刻等规定的处理时，使蚀刻速度、蚀刻选择比和成膜速度等的处理特性在基板面内均匀，提高基板处理的面内均匀性等问题是现有的重要课题。
从这样的观点出发，例如，在专利文献1、2中揭示有如下提案，将喷淋头内部分割成多个气体室，在各气体室上独立连接气体供给配管，向基板面内的多个部位按任意的种类或者任意的流量供给处理气体。由此，局部地调整基板面内的气体浓度，能够提高蚀刻的基板处理的面内均匀性。
另外，在实际的基板处理中所使用的气体，例如，为由如下几种气体组和构成，与基板的处理直接相关的处理气体、控制由这样的处理产生的反应生成物的沉积(堆积)用的气体、以及不活性气体等的载体气体，根据基板上的被处理材料和加工条件适当地对该气体种类进行选择，从而进行使用。因此，如专利文献2所示，有必要在分别连接在喷淋头的各气体室上的气体供给配管上设置质量流量控制器，以此来进行流量控制。
但是，在这样现有的结构中，即使在使用的气体中包含有共同的气体种类，因为要为从各气体室供给的气体分别设置气体供给系统，分别进行流量控制，所以使配管结构变得复杂化，各配管的流量控制也变得复杂化，例如，导致必须要更大的配管空间，进而增大控制负担的问题。
另外，即使能够从处理室内的多个部位利用简单的控制而供给气体，例如，如果由于导入气体时的压力的变动等，供给各部位的处理气体的流量比(分流比)变动，则不能够实现所希望的面内均匀性。
发明内容
这里，本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够以简单的配管结构且以简单的控制在不受压力变动等影响的情况下，向处理室内的多个部位供给气体，从而能够实现所希望的面内均匀性的气体供给装置等。
为了解决上述课题，根据本发明的一种观点，提供一种气体供给装置，向处理被处理基板的处理室内供给气体，其特征在于，包括：供给处理上述被处理基板的处理气体的处理气体供给单元；使来自上述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给流路；从上述处理气体供给流路分支，分别连接在从上述处理室内的不同部位导入气体的第一、第二气体导入部上的第一、第二分支流路；基于上述第一、第二分支流路内的压力调整从上述处理气体供给流路向上述第一、第二分支流路分流的处理气体的分流量的分流量调整单元；供给规定的附加气体的附加气体供给单元；和使来自上述附加气体供给单元的附加气体流过的附加气体供给流路，其中，上述第一、第二气体导入部的任何一方分开构成为连接上述分支流路的处理气体导入部、和连接上述附加气体供给流路的附加气体导入部。上述附加气体导入部向上述处理室内导入附加在从上述处理气体导入部向上述处理室内导入的处理气体中的附加气体。
为了解决上述课题，根据本发明的另外一种观点，提供一种基板处理装置，包括处理被处理基板的处理室、和向该处理室内供给气体的气体供给装置，其特征在于：上述气体供给装置包括从上述处理室内的不同部位导入气体的第一、第二气体导入部；供给处理上述被处理基板的处理气体的处理气体供给单元；使来自上述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给流路；从上述处理气体供给流路分支、分别连接在上述第一、第二气体导入部上的第一、第二分支流路；基于上述第一、第二分支流路内的压力调整从上述处理气体供给流路向上述第一、第二分支流路分流的处理气体的分流量的分流量调整单元；供给规定的附加气体的附加气体供给单元；和使来自上述附加气体供给单元的附加气体流过的附加气体供给流路，其中，上述第一、第二气体导入部的任何一方构分开成为包括连接上述分支流路的处理气体导入部、和连接上述附加气体供给流路的附加气体导入部。
为了解决上述课题，根据本发明的另外一种观点，提供一种气体供给方法，其使用向处理被处理基板的处理室内供给气体的气体供给装置，其特征在于：上述气体供给装置包括供给处理上述被处理基板的处理气体的处理气体供给单元；使来自上述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给流路；从上述处理气体供给流路分支、分别连接在从上述处理室内的不同部位导入气体的上述第一、第二气体导入部上的第一、第二分支流路；基于上述第一、第二分支流路内的压力调整从上述处理气体供给流路向上述第一、第二分支流路分流的处理气体的分流量的分流量调整单元；供给规定的附加气体的附加气体供给单元；和使来自上述附加气体供给单元的附加气体流过的附加气体供给流路，其中，上述第一、第二气体导入部的任何一方分开构成为连接上述分支流路的处理气体导入部、和连接上述附加气体供给流路的附加气体导入部，上述气体供给方法具有：在上述被处理基板的处理之前，利用上述处理气体供给单元开始上述处理气体的供给，同时由上述附加气体供给单元开始附加气体的供给的工序；和由上述处理气体供给单元供给处理气体，对上述分流量调整单元实行调整分流量的压力比控制，使得上述各分支流路内的压力比变为目标压力比的工序。
根据这样的本发明，来自处理气体供给单元的处理气体向第一、第二分支流路分流，分别经由第一、第二气体导入部从处理室内的各部位导入来自第一、第二分支流路的处理气体。于是，在第一、第二气体导入部中，其中，在第一气体导入部分成处理气体导入部和附加气体导入部而构成气体导入部中，如果从附加气体供给单元供给附加气体，则在来自处理气体导入部的处理气体中添加来自附加气体导入部的附加气体，调整处理气体的气体成分或流量后，供给例如被处理基板上的规定区域。由此，从共通的处理气体供给单元供给具有在各分支流路中共通的气体成分的处理气体，再者，因为根据需要在流过第一、第二分支流路的任意一方的处理气体中添加附加气体，调整气体成分和流量，所以只需要最小限度的配管数就足够，在这一方面能够构成简单的配管结构，能够简单地进行流量控制。
再者，附加气体经由与处理气体不同系统的附加气体供给流路从附加气体导入部直接供给处理室内，所以不会影响第一、第二分支流路内的压力。因此，在附加气体供给的前后，在第一、第二分支流路内流动的处理气体的流量比(分流比)不会被破坏，所以能够实现所希望的面内均匀性。
另外，配置上述第二气体导入部，使其包围上述第一气体导入部的外侧，上述第二气体导入部分为上述处理气体导入部和上述附加气体导入部而构成，配置上述处理气体导入部，使其包围上述第一气体导入部的外侧，同时也可以配置上述附加气体导入部，使其包围上述处理气体导入部的外侧。由此，因为各气体导入部中，第二气体导入部的附加气体导入部位于最外侧，所以能够根据附加气体的流量使之从附加气体导入部喷出以包围等离子体生成空间。由此，因为能够将等离子体封闭在里面，所以能够使等离子体特性稳定。
另外，其也可以构成为在上述被处理基板的处理之前，利用上述处理气体供给单元开始上述处理气体的供给，同时由上述附加气体供给单元开始附加气体的供给，设置对上述分流量调整单元实行调整分流量的压力比控制的控制单元，使得上述各分支流路内的压力比变为目标压力比。在本发明中，附加气体经由与供给处理气体的第一、第二分支流路不同系统的附加气体供给流路从附加气体导入部直接供给处理室内，所以附加气体的供给不会影响处理的压力，所以，能够同时开始处理气体的供给和附加气体的供给。所以，在控制变得更加简单的同时，也能够大幅度缩短气体供给处理需要的时间，能够防止生产率的降低。
另外，配设上述第一气体导入部，使得向例如上述处理室内的被处理基板表面上的中心部区域导入气体，配设上述第二气体导入部，使得向包围上述被处理基板表面上的中心部区域的周边部区域导入气体。由此，能够提高被处理基板的中心部区域与周边部区域的处理的均匀性。
另外，上述分流量调整单元包括调整在例如上述各分支流路中流动的处理气体的流量用的阀、和测定上述各分支流路中的压力用的压力传感器，基于来自上述各压力传感器的检测压力调整上述阀的开闭度，由此调整来自上述处理气体供给流路的处理气体的流量比。
另外，上述处理气体供给单元也可以分开构成为多个气体供给源，从上述各气体供给源向上述处理气体供给流路供给按规定的流量混合的处理气体。另外，上述附加气体供给单元也可以分开构成为多个气体供给源，从上述各气体供给源向上述附加气体供给流路供给经过选择的或按规定的气体流量比混合的附加气体。由此，从处理气体供给单元供给混合有在各分支流路中共通的多个气体成分的处理气体，因为根据需要在流过第一、第二分支流路的任意一个的处理气体中添加附加气体，调整气体成分和流量，所以只需要更少的配管数就足够，能够构成更加简单的配管结构。
为了解决上述课题，根据本发明的另外一种观点，提供一种气体供给装置，向处理被处理基板的处理室内供给气体，其特征在于，包括：供给处理上述被处理基板的处理气体的处理气体供给单元；使来自上述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给流路；从上述处理气体供给流路分支，分别连接在从上述处理室内的不同部位导入气体的第一～第n气体导入部上的第一～第n分支流路；基于上述第一～第n分支流路内的压力调整从上述处理气体供给流路向上述第一～第n分支流路分流的处理气体的分流量的分流量调整单元；供给规定的附加气体的附加气体供给单元；和使来自上述附加气体供给单元的附加气体流过的附加气体供给流路，上述第一～第n气体导入部中的至少一个分开构成为将处理气体从上述分支流路导入上述处理室用的处理气体导入部、和将附加在该处理气体中的附加气体从附加气体供给流路导入上述处理室内用的附加气体导入部。
为了解决上述课题，根据本发明的另外一种观点，提供一种气体供给装置，向处理被处理基板的处理室内供给气体，其特征在于，包括：供给处理上述被处理基板的处理气体的处理气体供给单元；使来自上述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给流路；从上述处理气体供给流路分支，分别连接在从上述处理室内的多个部位导入气体的多个气体导入部上的多个分支流路；基于上述各分支流路内的压力调整从上述处理气体供给流路向上述各分支流路分流的处理气体的分流量的分流量调整单元；和供给规定的附加气体的附加气体供给单元，上述多个气体导入部中的至少一个分开构成为将处理气体从上述分支流路导入上述处理室用的处理气体导入部、和将加在该处理气体中的附加气体从附加气体供给流路导入上述处理室内用的附加气体导入部。
因此，本发明就是鉴于以上问题而提出的，其目的在于提供一种以简单的配管结构且以简单的控制在不受压力变动等的影响的情况下，能够向处理室内的多个部位供给气体，能够实现所希望的面内均匀性的气体供给装置等。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的基板处理装置的构成例的截面图。
图2是同一实施方式涉及的内侧上部电极的横截面图。
图3是表示同一实施方式涉及的气体供给装置的构成例的框图。
图4是表示同一实施方式涉及的控制部的构成例的框图。
图5是表示同一实施方式涉及的基板处理装置的处理的一个例子的流程图。
图6是表示同一实施方式涉及的气体供给装置的另一构成例的框图。
图7是表示本发明的第二实施方式涉及的基板处理装置的气体供给装置的构成例的框图。
图8是同一实施方式涉及的内侧上部电极的横截面图。
图9是表示同一实施方式涉及的气体供给装置的另一构成例的框图。
符号说明
100基板处理装置
101基板处理装置
110处理室
111接地导体
112绝缘体
114基座支承台
116基座
118静电卡盘
120电极
122直流电源
124聚焦环
126内壁部件
128制冷剂室
130a，130b配管
132气体供给管线
146匹配器
148上部供电棒
150连接器(connector)
152供电筒
156绝缘部件
170下部供电筒
172可变电容器
174排气口
176排气筒
178排气装置
180匹配器
184低通滤波器
186高通滤波器
200气体供给装置
201气体供给装置
202处理气体供给配管
208附加气体供给配管
210处理气体供给单元
212a、212b、212c气体供给源
214a～214c质量流量控制器
220附加气体供给单元
222a、222b气体供给源
224a、224b质量流量控制器
230分流调整单元
232、234压力调整部
232a、234a压力传感器
232b、234b阀
240压力控制器
302内侧上部电极
304外侧上部电极
306电介体
308绝缘性屏蔽部件
310电极板
312气体喷出孔
320电极支承体
322缓冲室
330第一气体导入部
330a处理气体导入部
330b附加气体导入部
332a处理气体缓冲室
332b附加气体缓冲室
340第二气体导入部
340a处理气体导入部
340b附加气体导入部
342a处理气体缓冲室
342b附加气体缓冲室
400控制部
410CPU
420RAM
430显示单元
440操作单元
450存储单元
460界面
W晶片
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本发明最优的实施方式。此外，在本说明书和图面中，对于实质上具有相同功能结构的结构要素，使用相同的符号，省略详细说明。
(第一实施方式涉及的基板处理装置的构成例)
首先，参照附图说明本发明的第一实施方式涉及的基板处理装置。图1是表示本实施方式涉及的基板处理装置的简要结构的截面图。这里，将基板处理装置构成为平行平板型的等离子体蚀刻装置。
基板处理装置100具有由接近圆筒形状的处理容器构成的处理室110。处理容器例如由铝合金形成，以电气方式接地。另外，处理容器的内壁面被氧化铝膜或者氧化钇膜(Y2O3)所覆盖。
在处理室110内，配设有构成下部电极的基座116，其兼作载置作为基板的晶片W的载置台。具体地说，基座116被支承在圆柱状的基座支承台114上，基座支承台114经由绝缘板112而设置在处理室110内的底部接近中央的位置。基座116由例如铝合金形成。
在基座116的上部，设置有保持晶片W的静电卡盘118。在静电卡盘118的内部具有电极120。在该电极120上以电气方式连接直流电源122。静电卡盘118利用从直流电源122向电极120施加直流电压而产生的库仑力，能够将晶片W吸附在其上面。
另外，在基座116的上面设置有聚焦环124，以包围静电卡盘118的周围。此外，在基座116和基座支承台114的外周面上，安装有例如由石英构成的圆筒状的内壁部件126。
在基座支承台114的内部形成有环状的制冷剂室128。制冷剂室128经由配管130a、130b而与设置在例如处理室110的外部的冷却单元(未图示)连通。经由配管130a、130b向制冷剂室128循环供给制冷剂(制冷剂液或冷却水)。由此，能够控制基座116上的晶片W的温度。
在静电卡盘118的上面，通过基座116和基座支承台114内的气体供给管线132相通。使得能够经由该气体供给管线132向晶片W与静电卡盘118之间供给He气体等的传热气体(背景气体：back sidegas)。
在基座116的上方设置有与构成下部电极的基座116平行相对的上部电极300。在基座116和上部电极300之间，形成等离子体生成空间PS。
上部电极300包括圆板状的内侧上部电极302、和包围该内侧上部电极302的外侧的环状的外侧上部电极304。内侧上部电极302构成为向载置在基板116上的晶片W上的等离子体生成空间PS喷出规定的气体的喷淋头。内侧上部电极302包括具有多个气体喷出孔312的圆形的电极板310、和以能够自由安装的方式支承电极板310的上面侧的电极支承体320。电极支承体320形成为与电极板310基本相同的直径的圆板状。此外，后面叙述该喷淋头(内侧上部电极302)的构成例。
在内侧上部电极302和外侧上部电极304之间存在环状的电介体306。例如由铝构成的环状的绝缘性屏蔽部件308气密地存在于外侧上部电极304和处理室110的内周壁之间。
在外侧上部电极304上经由供电筒152、连接器150、上部供电棒148和匹配器146，以电气方式连接第一高频电源154。第一高频电源154能够输出40MHz以上(例如60MHz)的频率的高频电压。
供电筒152形成为例如下面开口的接近圆筒状，下端部连接在外侧上部电极304上。在供电筒152的上面中央部，由连接器150以电气方式连接上部供电棒148的下端部。上部供电棒148的上端部连接在匹配器146的输出侧。匹配器146连接在第一高频电源154上，能够匹配第一高频电源154的内部阻抗和负载阻抗。
供电筒152的外侧由具有与处理室110基本相同直径的侧壁的圆筒状的接地导体111所覆盖。接地导体111的下端部连接在处理室110的侧壁上部。上述上部供电棒148贯通接地导体111的上面中央部，在接地导体111和上部供电棒148的接触部上存在绝缘部件156。
(喷淋头的构成例)
下面，参照图1和图2详细说明构成喷淋头的内侧上部电极302的具体的构成例。图2是内侧上部电极302的横截面图。图2是从处理室110内的不同部位、例如第一、第二气体导入部330、340分别向载置在基座116上的晶片W面内上的第一区域和第二区域的两个区域导入气体的情况下的内侧上部电极302的构成例。第一区域是例如晶片W的中心部区域(下面，称为“中心(center)区域”)，第二区域是例如包围中心部区域的周边部区域(下面，称为“边缘(edge)区域”)。
第二气体导入部340还分为将处理气体从后述的处理气体供给单元210导入处理室110内用的处理气体导入部340a、和将施加在该处理气体中的附加气体从附加气体供给单元220导入处理室110内用的附加气体导入部340b。
这些第一、第二气体导入部330、340的结构如下。在电极支承体320的内部形成有由圆板状空间构成的缓冲室322，该缓冲室322由第一环状隔壁部件324分隔为圆板状空间构成的第一缓冲室332和围绕该第一缓冲室332的环状空间构成的第二缓冲室342。上述第二缓冲室342再由第二环状隔壁部件326分隔为内侧的环状空间构成的处理气体缓冲室342a和外侧的环状空间构成的附加气体缓冲室342b。
于是，第一气体导入部330由第一缓冲室332和设置在其下面的多个气体喷出孔312构成，第二气体导入部340由第二缓冲室342和设置在其下面的多个气体喷出孔312构成。该第二气体导入部340的处理气体导入部340a由处理气体缓冲室342a和设置在其下面的多个气体喷出孔312构成，附加气体导入部340b由附加气体缓冲室342b和设置在其下面的多个气体喷出孔312构成。此外，第一、第二环状隔壁部件324、326分别由例如O形环构成。
此外，从气体供给装置200向各缓冲室332、342供给规定的气体，从第一气体导入部330经由第一缓冲室332向晶片W上的中心部区域喷出规定的气体，从第二气体导入部340经由第二缓冲室342向晶片W的边缘区域喷出规定的气体。
如图1所示，在电极支承体320的上面，以电气方式连接下部供电筒170。下部供电筒170经由连接器150连接在上部供电棒148上。在下部供电筒170的中部设置有可变电容器172。通过调整该可变电容器172的静电电容，而能够调整在从第一高频电源154施加高频电压时形成在外侧上部电极304的正下方的电场强度与形成在内侧上部电极302的正下方的电场强度的相对的比率。
在处理室110的底部形成有排气口174。排气口174经由排气管176而连接在具有真空泵等的排气装置178上。通过该排气装置178对处理室110内进行排气，由此，能够将处理室110内减压至所希望的真空度。
第二高频电源182经由匹配器180以电气方式连接在基座116上。第二高频电源182能够输出例如2MHz～20MHz的范围内的、例如2MHz的高频率的高频电压。
低通滤波器184以电气方式连接在上部电极300的内侧上部电极302上。低通滤波器184用于遮断第一高频电源154输出的高频电压，用于将第二高频电源182输出的高频电压接地(ground)。另一方面，高通滤波器186以电气方式连接在构成下部电极的基座116上。高通滤波器186用于将第一高频电源154输出的高频电压接地。
(气体供给装置)
下面，参照附图说明气体供给装置200。图1是将处理气体分流为向处理室110内的晶片W的中心部区域供给的第一处理气体(中心部区域用处理气体)、和向晶片W的边缘部区域供给的第二处理气体(边缘部区域用处理气体)的情况下的例子。此外，并不限定于如本实施方式所述的将处理气体分流为两部分的情况，也可以分流为三部分。
例如，如图1所示，气体供给装置200包括供给向晶片实施成膜或者蚀刻等的规定的处理用的处理气体的处理气体供给单元210、和供给规定的附加气体的附加气体供给单元220。处理气体供给单元210连接有构成处理气体供给流路的处理气体供给配管202，附加气体供给单元220连接有构成附加气体供给流路的附加气体供给配管208。从处理气体供给配管202分支出构成第一分支流路的第一分支配管204以及构成第二分支流路的第二分支配管206。此外，第一、第二分支配管204、206可以在分流量调整单元230的内部分支，另外，也可以在分流量调整单元230的外部分支。
气体供给装置200还包括基于第一、第二分支配管204、206内的压力调整流过第一、第二分支配管204、206内的第一、第二处理气体的分流量的分流量调整单元(例如：flow splitter(流量分流器))230。
这些第一、第二分支配管204、206分别连接在例如内侧上部电极302的第一、第二气体导入部330、340上。具体地说，第一分支配管204连接在第一气体导入部330的第一缓冲室332上。另外，在第二气体导入部340的处理气体导入部340a的处理气体缓冲室342a上连接有第二分支配管206，在附加气体导入部340b的附加气体缓冲室342b上连接有附加气体供给配管208。
根据这样的气体供给装置200，由分流量调整单元230调整来自处理气体供给单元210的处理气体的分流量，同时分流到第一分支配管204和第二分支配管206。然后，从第一气体导入部330向晶片W上的中心区域供给流过第一分支配管204的第一处理气体，从第二气体导入部340的处理气体导入部340a向晶片W上的边缘区域供给流过第二分支配管206的第二处理气体。
在从附加气体供给单元220供给附加气体时，从第二气体导入部340的附加气体导入部340b经由附加气体供给配管208导入该附加气体。从该附加气体导入部340b导入的附加气体在处理室110内与从第二气体导入部340导入的第二处理气体混合，与第二处理气体一起供给晶片W上的边缘区域。
(气体供给装置的具体构成例)
这里，对上述气体供给装置200的各部分的具体的构成例进行说明。图3是表示气体供给装置200的具体的构成例的框图。例如，如图3所示，处理气体供给单元210由收容有多个(例如3个)的气体供给源212a、212b、212c的气体箱构成。各气体供给源212a～212c的配管与来自这些配管的各气体合流的处理气体供给配管202连接。在各气体供给源212a～212c的配管上分别设置用于调整各气体的流量的质量流量控制器214a～214c。根据这样的处理气体供给单元210，来自各气体供给源212a～212c的气体按规定的流量比混合，流出至处理气体供给配管202，从第一、第二分支配管204、206分流。
例如，如图3所示，在气体提供给源212a中封入作为蚀刻气体的碳氟化合物类的氟素化合物，CF4、C4F6、C4F8、C5F8等的CXFY气体。在气体供给源212b中封入作为控制例如CF类的反应生成物的堆积的气体的例如O2气体，在气体提供给源212c中封入作为载体气体的稀有气体、例如Ar气体。此外，处理气体供给单元210的气体供给源的数量并不限定于图3表示的例子，例如也可以设置一个、两个或者四个以上。
另一方面，例如，如图3所示，附加气体供给单元220由收容有多个(例如，两个)的气体供给源222a、222b的气体箱构成。各气体供给源222a、222b的配管与来自这些配管的各气体合流的附加气体供给配管208连接。在各气体供给源222a、222b的配管上分别设置用于调整各气体的流量的质量流量控制器224a、224b。根据这样的附加气体供给单元220，选择或按规定的气体流量比混合来自各气体供给源222a、222b的气体，流出至附加气体供给配管208。
在气体供给源222a内封入例如能够促进蚀刻的CXFY气体，在气体供给源222b内封入能够控制例如CF类的反应生成物的堆积的O2气体。此外，附加气体供给单元220的气体供给源的数量并不限定于图3表示的例子，例如也可以设置一个或者三个以上。
分流量调整单元230包括调整第一分支配管204内的压力的压力调整部232和调整第二分支配管206内的压力的压力调整部234。具体地说，压力调整部232包括检测第一分支配管204内的压力的压力传感器232a和调整第一分支配管204的开闭度的阀232b，压力调整部234包括检测第二分支配管206内的压力的压力传感器234a和调整第二分支配管206的开闭度的阀234b。
压力调整部232、234连接在压力控制器240上。压力控制器240根据来自控制基板处理装置100的各部的控制部400的指令，基于来自各压力传感器232a、234a的检测压力，调整各阀232b、234b的开闭度。例如，控制部400通过压力比控制来控制分流量调整单元230。这时，压力控制器240调整各阀232b、234b的开闭度，使得第一、第二处理气体成为根据来自控制部400的指令的目标流量比，即，第一、第二分支配管204、206内的压力变为目标压力比。此外，压力控制器240可以作为控制板而内置在分流量调整单元230中，另外，也可以与分流量调整单元230单独分开够成。另外，压力控制器240也可以设置在控制部400内。
此外，上述控制部400控制上述分流量调整单元230、气体供给装置200的处理气体供给单元210、附加气体供给单元220或者第一高频电源154以及第二高频电源182等。
(控制部的构成例)
参照附图说明这样的控制部400的结构例。图4是表示控制部400的构成例的框图。如图4所示，控制部400包括：构成控制部本体的CPU(中央处理器)410、设置有为了CPU410进行的各种数据处理而使用的存储区等的RAM(Random·Access·Memory)420、由显示操作画面和选择画面等的液晶显示器等构成的显示单元430、操作单元440、存储单元450和用户界面460，其中，操作单元440由触摸面板等构成，触摸面板能够进行利用操作者的加工方法的输入或者编辑等各种的数据的输入以及向规定的存储介质的加工方法或加工·运行记录的输出等各种的数据等输出等。
在存储单元450中存储有例如运行基板处理装置100的各种处理用的处理程序，为了运行该处理程序的必要的信息(数据)等。存储单元450由例如存储器、硬盘(HDD)等构成。CPU410根据需要读取程序数据等，运行各种处理程序。例如，在处理晶片之前，CPU410控制气体供给装置200，实行向处理室110内供给规定气体的气体供给处理等。
在用户界面460上连接由CPU410进行控制的分流量调整单元230、处理气体供给单元210和附加气体供给单元220等的各部分。用户界面460由例如多个I/O端口等构成。
由控制总线、数据总线等的总线线路连接上述CPU410和RAM420、显示单元430、操作单元440、存储单元450以及用户界面460等。
(基板处理装置的处理)
下面，对利用这样的控制部400基于规定的程序运行的基板处理装置100的处理进行说明。例如，在对晶片进行蚀刻等的处理之前，控制部400控制运行利用气体供给装置200向处理室110内供给规定气体的气体供给处理。在图5中表示这样的气体供给处理的具体例子。
首先，在步骤S110中，控制部400开始通过处理气体供给单元210进行的处理气体的供给，同时开始通过附加气体供给单元220进行的附加气体的供给。如果开始处理气体的供给，则在处理气体供给单元210内的预先设定的气体以规定的流量流入处理气体供给配管202。另外，如果开始附加气体的供给，则在附加气体供给单元220内的预先设定的气体以规定的流量流入附加气体供给配管208。
例如，如果从处理气体供给单元210的气体供给源212a～212c分别按规定的流量供给例如CXFY气体、O2气体以及Ar气体，则各气体混合，生成由规定的混合比的CXFY气体、O2气体以及Ar气体构成的混合气体，该混合气体作为处理气体流入处理气体供给配管202。另外，如果从附加气体供给单元220的气体供给源222a按规定的流量供给例如能够促进蚀刻的CXFY气体(例如，CF4气体)，则其流入附加气体供给配管208中。
随后，在步骤S120中，控制部400对分流量调整单元230进行利用压力比控制的处理气体的分流量调整。具体地说，例如如果控制部400发出压力比控制指令，则分流量调整单元230利用压力控制器240的控制、基于压力传感器232a、234a的测定压力，调整阀232b、234b的开闭度，进行调整使得第一、第二分支配管204、206的压力比变为目标压力比。由此，经由第一、第二分支配管204、206分别向第一、第二缓冲室332、342供给的第一、第二处理气体的流量比确定。
如果这样开始各气体的供给，则来自处理气体供给配管202的处理气体分流向第一、第二分支配管204、206，分别供给第一缓冲室332、和第二缓冲室342的处理气体缓冲室342a侧，喷向处理室110内。另外，来自附加气体供给配管208的附加气体被供给第二缓冲室342的附加气体缓冲室342b侧，喷向处理室110内。由此，来自第一缓冲室332的处理气体被供给基座116上的晶片W的中心区域附近，来自处理气体缓冲室342a处理气体与来自附加气体缓冲室342b的附加气体混合，供给晶片W上的边缘区域附近。
然后，在步骤S130中，判断第一、第二分支配管204、206的各压力是否稳定。在判定各压力稳定的情况下，在步骤140中实行晶片的处理。利用这样的气体供给处理，在处理室110中，在减压环境下，向晶片W的中心部区域附近供给规定气体流量比的处理气体，向晶片W的边缘部区域附近供给在规定气体流量比的处理气体中混合有附加气体、例如CF4气体较多的处理气体。由此，能够相对于晶片W的中心部区域相对地调整晶片W的边缘部区域的蚀刻特性，使晶片W的面内的蚀刻特性均匀。
这样，根据本实施方式涉及的气体供给装置200，来自处理气体供给单元210的处理气体向第一、第二分支配管204、206分流，来自第一分支配管204的处理气体按处理气体供给单元210的气体流量比直接供给晶片W上的中心部区域，来自第二分支配管206的处理气体被添加规定的附加气体，在调整处理气体的气体成分或流量之后，供给晶片W的边缘区域。由此，从处理气体供给单元210供给具有在各分支配管204、206中共通的气体成分的处理气体，在流过第二分支配管206的处理气体中根据需要添加附加气体，调整气体成分和流量。所以，例如，在各分支配管中共通的气体成分的数量多的情况下，与在各分支配管上设置处理气体源的情况相比较，只需要较少的配管数量就能够满足。这样，因为能够使气体供给装置200的配管数为所需要的最小值，所以能够以更简单的配管结构构成气体供给装置200。而且，因为能够根据各分支配管204、206的压力调整处理气体的分流量，所以能够以简单的控制从处理室110内的多个部位供给气体。
另外，在经由第二分支配管206供给的第二处理气体中添加的附加气体，经由与第二分支配管206不同系统的附加气体供给配管208而被从附加气体导入部340b直接供给处理室110内，所以不会影响第一、第二分支配管204、206内的压力。因此，在附加气体供给的前后，在第一、第二分支配管204、206内流动的第一、第二处理气体的流量比(分流比)不会被破坏，能够实现所希望的面内均匀性。
与此相对应，如果为使在第二处理气体中添加的附加气体在比分流调整单元230靠近下游侧的第二分支配管206内合流的配管结构，则由附加气体的供给使第二分支配管内压力变动，所以在附加气体供给的前后，由分流调整单元230调整的第一、第二处理气体的流量比有可能改变。所以，在这种情况下，例如，首先开始处理气体的供给，压力稳定后供给附加气体，在附加气体供给的前后有必要进行其他的使第一、第二处理气体的流量比不变的控制。但是，如果添加这样的控制，因为在这一方面气体供给处理方面耗费时间，所以在晶片处理上需要时间，而且生产率降低。
在这一方面，根据本实施方式涉及的气体供给装置200，能够以不影响第一、第二分支配管204、206内的压力的方式向处理室110内供给附加气体，所以既可以在处理气体供给开始前开始供给附加气体，也可以在之后，或者与处理气体的供给开始同时进行。而且，在附加气体供给的前后不需要控制以保证第一、第二处理气体的流量比不被破坏。所以，在控制变得更加简单的同时，也能够大幅度缩短气体供给处理需要的时间，能够防止生产率的降低。
另外，根据本实施方式涉及的气体供给装置200，从附加气体供给配管208经由压力低的附加气体导入部340b向处理室110内供给附加气体，所以与处理气体流过、向高压力的第二分支配管206内供给的情况相比较，附加气体易于流动，附加气体到达处理室内的时间也变短。另外，因为附加气体的供给位置的压力低，所以即使在附加气体的流量为微量的情况下，与向压力高的第二分支配管206内供给的情况相比较，到达处理室内的时间也短。
再者，在供给附加气体时，使附加气体的流量为比预先设定的设定流量大的先出流量开始供给，也可以在经过规定时间(例如，数秒时间)之后，使附加气体的流量为设定流量来进行供给。由此，即使在附加气体的设定流量为微量的情况下，也能够使附加气体供给流路的压力立即上升，所以能够更快地向处理室内供给附加气体，能够进一步提高生产率。这种情况下，也可以在供给先出流量的规定时间之内，不进行附加气体的联锁(interlock)控制，在进行设定流量的附加气体的供给时进行附加气体的联锁控制。这里所谓的附加气体的联锁控制，是指监视例如附加气体的压力在规定时间内是否超过规定范围，在判定超过规定范围的情况下进行报告等的中断处理的控制。
另外，如上所述，如果为在第二分支配管206的中部设置供给附加气体的配管结构，则在附加气体的流量变多的情况下，有可能由于气体的扩散产生向分流调整单元230的回流。所以，有必要将能够供给的附加气体的流量限制在不会由气体的扩散而产生回流的程度。在这一方面，根据本实施方式涉及的气体供给装置200，从附加气体导入部340b经由与第二分支配管206不同系统的附加气体供给配管208向处理室110内直接供给附加气体，所以不会产生由于气体扩散的回流，所以不必要在能够供给的附加气体的流量中设置限制，能够以所希望的流量供给附加气体。
另外，根据本实施方式涉及的气体供给装置200，由于用不同系统的配管向处理室110内供给处理气体和附加气体，所以在调整附加气体的流量和气体流量比等的时候，不需要处理气体的调整。因此，能够易于进行附加气体的调整。
再者，在图3中表示的气体供给装置200中，在第一、第二气体导入部330、340中，因为第二气体导入部340的附加气体导入部340b位于最外侧，所以根据附加气体的流量，能够从附加气体导入部340b使之喷出以包围等离子体生成空间PS。由此，因为能够将等离子体封闭在里面，所以能够使等离子体特性稳定。
此外，在图3中表示的气体供给装置200中，由第二环状隔壁部件326将第二缓冲室342分隔为两个空间，其中，内侧的为处理气体缓冲室342a，外侧的为附加气体缓冲室342b，由此，以第二气体导入部340的内侧为处理气体导入部340a，外侧为附加气体导入部340b，虽然对以上情况进行了说明，但是并不限定于此。
例如，如图6所示的气体供给装置200，在由第二环状隔壁部件326分隔第二缓冲室342所得的空间中，以内侧的为附加气体缓冲室342b，外侧的为处理气体缓冲室342a，由此以第二气体导入部340的内侧为附加气体导入部340b，外侧为处理气体导入部340a，这样也可以。在这种情况下，将处理气体的第二分支配管206连接在外侧的处理气体导入部340a上，将附加气体供给配管208连接在内侧的附加气体导入部340b上。
即使根据在图6中表示的气体供给装置200，也与在图3中表示的气体供给装置200的情况一样，向晶片W的中心部区域附近供给规定的气体流量比的处理气体，向晶片W的边缘部区域附近供给在规定的气体流量比的处理气体中混合有附加气体的处理气体。由此，相对于晶片W的中心部相对地调整晶片W的边缘部区域的蚀刻特性，能够使晶片W的面内的蚀刻特性均匀。
另外，在如图6表示的气体供给装置的配管结构的情况下，因为从附加气体导入部340b经由附加气体供给配管208向处理室110内直接供给附加气体，所以不会影响第一、第二分支配管204、206内的压力。因此，在附加气体供给的前后，因为在第一、第二分支配管204、206内流动的第一、第二处理气体的流量比(分流比)不会被破坏，所以能够实现所希望的面内均匀性。
作为其它的构成例，也可以为如下例子，例如，由直径不同的两个第二环状隔壁部件326将第二缓冲室342分隔为三个空间，以内侧和外侧的为处理气体缓冲室342a，以内侧和外侧的中间为附加气体缓冲室342b，由此，以第二气体导入部340的内侧和外侧为处理气体导入部340a，以其中间为附加气体导入部340b。
(第二实施方式涉及的基板处理装置的结构例)
下面，参照附图说明本发明的第二实施方式涉及的基板处理装置101。图7是表示本实施方式涉及的基板处理装置101中的气体供给装置201的构成例的框图。图8是本实施方式涉及的构成喷淋头的内侧上部电极302的横截面图。
上述第一实施方式构成为将向晶片W的边缘部区域供给气体的第二气体导入部340分为处理气体导入部340a和附加气体导入部340b，与此相对，如图7、图8所示，第二实施方式构成为将向晶片W的中心部区域供给气体的第一气体导入部330分为处理气体导入部330a和附加气体导入部330b。
在图8中表示的本实施方式涉及的内侧上部电极302，如图8所示，由第一环状隔壁部件324分隔为第一缓冲室332和第二缓冲室342。上述第一缓冲室332再由第二环状隔壁部件326分隔为由内侧的圆板状空间构成的附加气体缓冲室332b和由外侧的环状空间构成的处理气体缓冲室332a。第一气体导入部330的处理气体导入部330a由处理气体缓冲室332a和设置在其下面的多个气体喷出孔312构成，附加气体导入部330b由附加气体缓冲室332b与设置在其下面的多个气体喷出孔312构成。
而且，在第一气体导入部330的处理气体导入部330a上连接处理气体的第一分支配管204，在附加气体导入部330b上连接附加气体供给配管208。另外，在第二气体导入部340上连接处理气体的第二分支配管206。
即使在这样结构的气体供给装置201中，也能够实行图5表示的气体供给处理。即，在步骤S110中开始处理气体和附加气体的供给，在步骤S120中对于分流量调整单元230进行利用压力比控制进行的处理气体的分流量调整。
如果这样开始各气体的供给，则来自处理气体供给配管202的处理气体向第一、第二分支配管204、206分流，分别供给第一缓冲室332的处理气体缓冲室332a侧、和第二缓冲室342，并向处理室110内喷出。另外，来自附加气体供给配管208的附加气体供给第一缓冲室332的附加气体缓冲室332b侧，向处理室110内喷出。由此，自第一缓冲室332的处理气体与来自附加气体缓冲室332b的附加气体混合，向基座116上的晶片W的中心区域附近供给，来自第二缓冲室342的处理气体向晶片W上的边缘区域附近供给。
然后，在步骤S130中，在判定第一、第二分支配管204、206的各压力稳定的情况下，在步骤S140中实行晶片W的处理。通过这样的气体供给处理，在处理室110内，在减压环境下，向晶片W的中心部区域附近供给在规定的气体流量比的处理气体中混合有附加气体、例如CF4气体较多的处理气体，向晶片W的边缘部区域附近供给规定的气体流量比的处理气体。由此，能够相对于晶片W的边缘部区域相对地调整晶片W的中心部区域的蚀刻特性，使晶片W的面内的蚀刻特性均匀。
另外，在第二实施方式涉及的气体供给装置201中，在经由第一分支配管204供给的第一处理气体中添加的附加气体，经由与第一分支配管204不同系统的附加气体供给配管208而从附加气体导入部330b直接供给处理室110内，所以，不会影响第一、第二分支配管204、206内的压力。因此，在附加气体供给的前后，在第一、第二分支配管204、206内流动的第一、第二处理气体的流量比(分流比)不会被破坏，因此，能够实现所希望的面内均匀性。
另外，附加气体的供给能够和处理气体的供给同时开始，在附加气体供给的前后，不需要第一、第二处理气体的流量比不变的控制。所以，在控制变得更简单的同时，气体供给处理所需的时间能够大副缩短，能够防止生产率的降低。
此外，在图7中表示的气体供给装置201中，由第二环状隔壁部件326将第一缓冲室332分隔为两个空间，将其中内侧的作为附加气体缓冲室332b，外侧的作为处理气体缓冲室332a，由此，将第一气体导入部330的内侧作为附加气体导入部330b，将其外侧作为处理气体导入部330a，虽然对上述情况进行了说明，但是本发明并不限定于此。
例如，如在图9中表示的气体供给装置201，也可以为如下结构，在由第二环状隔壁部件326将第一缓冲室332分隔出来的空间中，将其中内侧的作为处理气体缓冲室332a，外侧的作为附加气体缓冲室332b，由此，将第一气体导入部330的内侧作为处理气体导入部330a，将其外侧作为附加气体导入部330b。在这种情况下，将处理气体的第一分支配管204连接在内侧的处理气体导入部330a上，将附加气体供给配管208连接在外侧的附加气体导入部330b上。
利用这样的结构向晶片W的中心部区域附近供给在规定的气体流量比的处理气体中混合有附加气体的处理气体，相晶片W的边缘部区域附近供给规定的气体流量比的处理气体。由此，相对于晶片W的中心部相对地调整晶片W的边缘部区域的蚀刻特性，能够使晶片W的面内的蚀刻特性均匀。
另外，利用在图9中表示的气体供给装置201也和在图7中表示的气体供给装置201的情况一样，附加气体经由附加气体供给配管208从附加气体导入部330b直接供给处理室110内，所以不会影响第一、第二分支配管204、206内的压力。因此，在附加气体供给的前后，在第一、第二分支配管204、206内流动的第一、第二处理气体的流量比(分流比)不会被破坏，从而能够实现所希望的面内均匀性。
作为其它的构成例，也可以为如下例子，例如，由直径不同的两个第二环状隔壁部件326将第一缓冲室332分隔为三个空间，以圆板状空间的内侧和环状空间的外侧的为处理气体缓冲室332a，以内侧和外侧的中间的环状空间为附加气体缓冲室332b，由此，以第一气体导入部330的内侧和外侧为处理气体导入部330a，以其中间为附加气体导入部330b。
此外，在上述第一、第二实施方式中，来自处理气体供给单元210的处理气体从处理气体供给配管202两分支至第一、第二分支配管204、206，将其分别连接在第一、第二气体导入部330、340上，虽然就上述结构进行了说明，但是并不一定限定于此，也可以构成为从处理气体供给配管202分支出三个以上的分支配管，将其分别连接在三个以上的气体导入部上。
即，如果分支配管数为n个，也可以分开构成为包括从处理气体供给配管202上分支、分别连接在从上述处理室内的不同部位导入气体的第一～第n气体导入部上的第一～第n分支配管，分流量调整单元230基于第一～第n分支流路内的压力调整从处理气体供给配管202向第一～第n分支配流路中分流的处理气体的分流量。在这种情况下，在第一～第n气体导入部中的至少一个，其结构为包括将处理气体从分支流路导入处理室用的处理气体导入部、和将加在该处理气体中的附加气体从附加气体供给流路导入处理室内用的附加气体导入部。由此，将晶片上的区域分为第一区域～第n区域，如果从第一～第n气体导入部向各区域导入气体，则能够更加细致地进行面内均匀性的控制。
以上，虽然参照附图说明了本发明最优的实施方式，但是本发明并不限定于上述例子。只要是同行业者，在权利要求书中记载的范围内，就能够清楚地想到各种的变化例或修正例，也自然能够明白属于本发明的技术范围内的技术。
例如，在上述实施方式中，虽然举例说明了由压力调整部调整分支配管的分流量的情况，但是并不限定于此，也可以使用质量流量控制器调整分支配管的分流量。另外，虽然说明了适用于作为基板处理装置的等离子体蚀刻装置的情况，本发明也适用于供给处理气体的其他的基板处理装置，例如等离子体CVD装置、喷镀装置、和热氧化装置等得成膜装置。再者，本发明也能够适用于作为被处理基板的晶片W以外的例如FPD(平板显示器)、光掩模用的掩模标线(mask reticle)等的其他的基板处理装置或MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems：微电子机械系统)制造装置。
工业上的可利用性
本发明能够适用于向处理室内供给气体的气体供给装置、基板处理装置、和气体供给方法。

Claims (15)

1.一种气体供给装置，向处理被处理基板的处理室内供给气体，其特征在于，包括：
供给处理所述被处理基板的处理气体的处理气体供给单元；
使来自所述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给流路；
从所述处理气体供给流路分支，分别连接在从所述处理室内的不同部位导入气体的第一、第二气体导入部上的第一、第二分支流路；
基于所述第一、第二分支流路内的压力调整从所述处理气体供给流路向所述第一、第二分支流路分流的处理气体的分流量的分流量调整单元；
供给规定的附加气体的附加气体供给单元；和
使来自所述附加气体供给单元的附加气体流过的附加气体供给流路，其中，
所述第一、第二气体导入部的任何一方分开构成为连接所述分支流路的处理气体导入部、和连接所述附加气体供给流路的附加气体导入部。
2.根据权利要求1所述的气体供给装置，其特征在于：
所述附加气体导入部向所述处理室内导入附加在从所述处理气体导入部向所述处理室内导入的处理气体中的附加气体。
3.根据权利要求1或2所述的气体供给装置，其特征在于：
配置所述第二气体导入部，使其包围所述第一气体导入部的外侧，
所述第二气体导入部分开构成为所述处理气体导入部和所述附加气体导入部，配置所述处理气体导入部，以使其包围所述第一气体导入部的外侧，同时配置所述附加气体导入部，以使其包围所述处理气体导入部的外侧。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的气体供给装置，其特征在于：
在所述被处理基板的处理之前，利用所述处理气体供给单元开始处理气体的供给，同时由所述附加气体供给单元开始附加气体的供给，设置有对所述分流量调整单元实行调整分流量的压力比控制的控制单元，使得所述各分支流路内的压力比变为目标压力比。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的气体供给装置，其特征在于：
配设所述第一气体导入部，使得向所述处理室内的被处理基板表面上的中心部区域导入气体，
配设所述第二气体导入部，使得向包围所述被处理基板表面上的中心部区域的周边部区域导入气体。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的气体供给装置，其特征在于：
所述分流量调整单元包括调整在所述各分支流路中流动的处理气体的流量用的阀、和测定所述各分支流路中的压力用的压力传感器，其中，
基于来自所述各压力传感器的检测压力调整所述阀的开闭度，由此调整来自所述处理气体供给流路的处理气体的流量比。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的气体供给装置，其特征在于：
所述处理气体供给单元包括多个气体供给源，从所述各气体供给源向所述处理气体供给流路供给按规定流量混合的处理气体。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的气体供给装置，其特征在于：
所述附加气体供给单元包括多个气体供给源，从所述各气体供给源向所述附加气体供给流路供给经过选择的或按规定的气体流量比混合的附加气体。
9.一种气体供给装置，向处理被处理基板的处理室内供给气体，其特征在于，包括：
供给处理所述被处理基板的处理气体的处理气体供给单元；
使来自所述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给流路；
从所述处理气体供给流路分支，分别连接在从所述处理室内的不同部位导入气体的第一～第n气体导入部上的第一～第n分支流路；
基于所述第一～第n分支流路内的压力调整从所述处理气体供给流路向所述第一～第n分支流路分流的处理气体的分流量的分流量调整单元；
供给规定的附加气体的附加气体供给单元；和
使来自所述附加气体供给单元的附加气体流过的附加气体供给流路，其中，
所述第一～第n气体导入部中的至少一个分开构成为将处理气体从所述分支流路导入所述处理室用的处理气体导入部、和将附加在该处理气体中的附加气体从附加气体供给流路导入所述处理室内用的附加气体导入部。
10.一种气体供给装置，向处理被处理基板的处理室内供给气体，其特征在于，包括：
供给处理所述被处理基板的处理气体的处理气体供给单元；
使来自所述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给流路；
从所述处理气体供给流路分支，分别连接在从所述处理室内的多个部位导入气体的多个气体导入部上的多个分支流路；
基于所述各分支流路内的压力调整从所述处理气体供给流路向所述各分支流路分流的处理气体的分流量的分流量调整单元；和
供给规定的附加气体的附加气体供给单元，其中，
所述多个气体导入部中的至少一个分开构成为将处理气体从所述分支流路导入所述处理室用的处理气体导入部、和将附加在该处理气体中的附加气体从附加气体供给流路导入所述处理室内用的附加气体导入部。
11.一种基板处理装置，包括处理被处理基板的处理室、和向该处理室内供给气体的气体供给装置，其特征在于：
所述气体供给装置包括从所述处理室内的不同部位导入气体的第一、第二气体导入部；供给处理所述被处理基板的处理气体的处理气体供给单元；使来自所述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给流路；从所述处理气体供给流路分支、分别连接在所述第一、第二气体导入部上的第一、第二分支流路；基于所述第一、第二分支流路内的压力调整从所述处理气体供给流路向所述第一、第二分支流路分流的处理气体的分流量的分流量调整单元；供给规定的附加气体的附加气体供给单元；和使来自所述附加气体供给单元的附加气体流过的附加气体供给流路，其中，
所述第一、第二气体导入部的任何一方分开构成为连接所述分支流路的处理气体导入部、和连接所述附加气体供给流路的附加气体导入部。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于：
所述附加气体导入部向所述处理室内导入附加在从所述处理气体导入部向所述处理室内导入的处理气体中的附加气体。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其特征在于：
配置所述第二气体导入部，使其包围所述第一气体导入部的外侧，
所述第二气体导入部分开构成为所述处理气体导入部和所述附加气体导入部，配置所述处理气体导入部，以使其包围所述第一气体导入部的外侧，同时配置所述附加气体导入部，以使其包围所述处理气体导入部的外侧。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述被处理基板的处理之前，利用所述处理气体供给单元开始处理气体的供给，同时由所述附加气体供给单元开始附加气体的供给，设置有对所述分流量调整单元实行调整分流量的压力比控制的控制单元，使得所述各分支流路内的压力比变为目标压力比。
15.一种气体供给方法，使用向处理被处理基板的处理室内供给气体的气体供给装置，其特征在于：
所述气体供给装置包括供给处理所述被处理基板的处理气体的处理气体供给单元；使来自所述处理气体供给单元的处理气体流过的处理气体供给流路；从所述处理气体供给流路分支、分别连接在从所述处理室内的不同部位导入气体的所述第一、第二气体导入部上的第一、第二分支流路；基于所述第一、第二分支流路内的压力调整从所述处理气体供给流路向所述第一、第二分支流路分流的处理气体的分流量的分流量调整单元；供给规定的附加气体的附加气体供给单元；和使来自所述附加气体供给单元的附加气体流过的附加气体供给流路，其中，所述第一、第二气体导入部的任何一方分开构成为连接所述分支流路的处理气体导入部、和连接所述附加气体供给流路的附加气体导入部，该气体供给方法包括：
在所述被处理基板的处理之前，利用所述处理气体供给单元开始所述处理气体的供给，同时由所述附加气体供给单元开始附加气体的供给的工序；和
由所述处理气体供给单元供给处理气体，对所述分流量调整单元实行调整分流量的压力比控制，使得所述各分支流路内的压力比变为目标压力比的工序。
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