KR101121202B1 - 다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 화학기상증착 장치에 있어서 챔버 내에 공정가스를 분사하는 샤워헤드를 다수개의 영역으로 분할하고 상기 분할된 영역에 각각 공정가스를 주입하는 다수개의 채널을 선택적으로 제어하여 상기 공정가스가 챔버 내에 선택적으로 공급되도록 하여 에지효과를 극대화 하여 대면적 기판처리를 가능하게 할 수 있는 다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 화학기상증착 장치는 플라즈마발생부, 상기 플라즈마발생부로 공정가스를 공급하는 공정가스공급부 및 상기 플라즈마발생부에 의해 발생되는 플라즈마를 이동시키기 위해 상기 공정가스를 상기 처리공정챔버 내부로 분사시키는 샤워헤드를 포함하는 플라즈마 화학기상증착 장치는, 상기 샤워헤드를 다수개의 영역으로 분할하고 상기 분할된 영역에 상기 공정가스공급부의 공정가스를 공급시키는 다수개의 가스주입채널들을 선택적으로 제어하는 가스주입제어부를 포함한다
플라즈마, 화학기상증착, 샤워헤드, 가스, 채널, 대면적, 분할

Description

다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치{Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus capable of supplying process gas using multichannel}
본 발명은 플라즈마 화학기상증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 챔버 내에서 서셉터에 지지된 기판에 공정가스를 분사하는 샤워헤드를 다수개의 영역으로 분할하고 상기 분할된 영역에 각각 공정가스를 주입하는 다수개의 채널을 선택적으로 제어하여 상기 공정가스가 챔버 내에 선택적으로 공급되도록 하여 에지효과를 극대화 하여 대면적 기판처리를 가능하게 할 수 있는 다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정에서 웨이퍼 또는 기판에 박막을 증착하기 위한 기상화학증착(CVD) 장치에서는 고품질의 박막을 낮은 온도에서 증착하기 위하여 플라즈마를 이용하여 반응가스를 활성화시켜 웨이퍼나 기판에 박막을 증착하도록 하고 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래의 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 화학기상증착 장치는, 플라즈마발생부(10), 반응가스공급부(30), 소스가스공급부(40) 및 샤워헤드(50)를 포함하며, 이들 장치들은 지지부(20) 상에 장착된다. 플라즈마발생부(10) 및 샤워헤드(50) 사이에는 플라즈마를 형성하기 위한 플라즈마 챔버가 제공되고, 상기 플라즈마 챔버에서 형성된 플라즈마는 샤워헤드(50)에 형성된 다수의 반응가스분사구(63)를 통하여 샤워헤드(50) 하부로 이동되면서 이온 또는 라디칼 등의 상태로 전환되어 샤워헤드(50)의 유도관(62)의 하단에서 하부로 분사되고 소스가스공급부(40)로부터 소스가스분사구(74)를 통하여 공급되는 소스가스와 반응하여 웨이퍼나 기판 등에 박막 등이 형성된다.
여기서, 샤워헤드(50)의 하부로는 웨이퍼나 기판 등의 피처리물이 위치하여 박막형성, 세정 등과 같은 플라즈마 가공이 진행되기 위한 처리공간이 제공되며, 상기 플라즈마발생장치와 처리공간은 일반적으로 진공상태를 가지고 상기 피처리물은 히터 상에 장착될 수 있다.
그러나 상기와 같은 종래의 플라즈마 화학기상증착 장치에 있어서 샤워헤드(50)의 주변부 즉, 에지(Edge) 부분은 챔버 외벽으로부터 뺏기는 열이 크기 때문에, 샤워헤드(50)의 중앙부 즉, 센터(Center) 부분과 에지 부분은 서로 동일 온도를 가지지 못하고 열적으로 불균형 상태에 있게 된다. 즉, 샤워헤드(50)의 주변부의 열적손실로 인하여 샤워헤드(50)의 주변부는 중앙부에 비하여 온도가 저하된 상 태에 있어 샤워헤드(50)의 주변부에서는 공정가스가 열분해에 따른 표면반응을 하지 못해 파우더(Power) 형태로 잔존하게 되어 파티클의 발생원인이 된다.
상기와 같은 문제로 인하여, 종래에는 샤워헤드(50)의 주변부에 인접한 챔버의 외벽에 외부로부터 공정가스(반응가스나 소스가스 또는 반응가스와 소스가스의 혼합가스)가 주입되는 별도의 가스주입채널(ch2)을 더 구비하여 상기 공정가스 주입 채널 즉, 상기 반응가스공급부(30)와 소스가스공급부(40)을 제어하는 가스주입채널(ch1)과의 선택적인 제어를 통하여 챔버 내부에 공정가스들이 주입되도록 하고 있으나, 최근 기판 처리 공정이 대면적 그리고 미세 패턴으로 이루어짐에 따라 기판의 중앙부와 주변부 및 상기 중앙부와 주변부 사이의 중간부에 공정가스 공급이 불균일하게 되어 기판의 에지 부분(주변부)의 박막 증착률이 센터 부분(중간부를 포함하는 중앙부)에 비하여 상대적으로 저하되어 제조공정의 생산효율을 감소시키는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 고려하여 안출된 것으로서, 플라즈마 화학기상증착 장치에 있어서, 공정가스를 챔버에 선택적으로 공급하도록 샤워헤드의 중앙부, 주변부 및 상기 중앙부와 주변부 사이의 중간부의 영역별로 구비된 다수개의 가스주입채널을 선택적으로 한 쌍 또는 각각 제어하여 챔버 내부에 선택적인 공정가스 주입을 가능하게 하여 에지효과를 극대화 할 수 있는 대면적 기판 처리 공정을 수행할 수 있는 다채널을 이용한 균일한 가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
한편, 본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 화학기상증착 장치는, 플라즈마발생부, 상기 플라즈마발생부로 공정가스를 공급하는 공정가스공급부 및 상기 플라즈마발생부에 의해 발생되는 플라즈마를 이동시키기 위해 상기 공정가스를 상기 처리공정챔버 내부로 분사시키는 샤워헤드를 포함하는 플라즈마 화학기상증착 장치는, 상기 샤워헤드를 다수개의 영역으로 분할하고 상기 분할된 영역에 상기 공정가스공급부의 공정가스를 공급시키는 다수개의 가스주입채널들을 선택적으로 제어하는 가스주입제어부를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 샤워헤드는 중앙부의 제1 영역, 주변부의 제3 영역 및 상기 제1 영역과 제3 영역 사이의 중간부인 제2 영역으로 분할되며, 상기 제1 영역 내지 제3 영역에 각각 상기 공정가스공급부로부터 공정가스를 분할 공급하기 위한 제1 가스주입채널 내지 제3 가스주입채널이 연결된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 가스주입제어부는 상기 제1 가스주입채널과 제2 가스주입채널을 제어하여 상기 샤워헤드의 제1 영역과 제2 영역에 공정가스를 주입하는 메인프로세스컨트롤러와, 상기 제2 가스주입채널과 제3 가스주입채널을 제어하여 상기 샤워헤드의 제2 영역과 제3 영역에 공정가스를 주입하는 에지프로세스컨트롤러를 포함한다.
본 발명에 의하면, 플라즈마 화학기상증착 장치에 있어서 공정가스를 챔버에 선택적으로 공급하도록 샤워헤드의 중앙부, 주변부 및 상기 중앙부와 주변부 사이의 중간부의 영역별로 구비된 다수개의 가스주입채널을 선택적으로 한 쌍 또는 각각 제어함으로써, 상기 챔버 내부에 선택적인 공정가스 주입을 가능하게 하여 에지효과를 극대화 할 수 있고 이를 통하여 대면적 기판 처리 공정을 수행할 수 있다.
한편, 본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있 다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 3은 도 2의 플라즈마 화학기상증착 장치에 있어서 대면적 샤워헤드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2와 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 화학기상증착 장치는, 플라즈마발생부(110), 샤워헤드(150), 공정가스공급부(130) 및 샤워헤드(150)를 다수개의 영역으로 분할하고 상기 분할된 영역에 공정가스공급부(130)의 공정가스를 공급시키는 다수개의 가스주입채널(ch1,ch2,ch3)을 제어하여 에지효과를 극대화시키는 가스주입제어부(140)를 포함한다.
샤워헤드(150) 및 플라즈마발생부(110)는 지지부(120) 상에 장착되며, 지지부(120)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마발생부(110)에 의해서 생성된 플라즈마 등을 빈 홀을 통하여 피처리물로 전달할 수 있다.
플라즈마발생부(110)는 상부 플라즈마 플레이트(112), 하부 플라즈마 플레이트(114), 스페이스 플레이트(116)를 포함한다. 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)는 상하로 장착되며, 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)에는 홀 또는 홈이 형성되어 공정가스급부(130)의 가스유로가 형성된다.
또한, 플라즈마발생부(110)는 플라즈마발생전극(118)을 포함하며, 플라즈마발생전극(118)은 하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면에 장착된다. 공정가스공급부(130)로부터 플라즈마발생전극(118) 하부로 공정가스가 공급되고, 플라즈마발생전극(118)에는 다수의 홀(미도시)이 형성되어 플라즈마 챔버로 공정가스를 통과시킨다. 여기서, 상기 공정가스는 샤워헤드(150)로 이동되면서 이온 또는 라디칼 등의 상태로 전환되는 반응가스와 상기 반응가스와 반응하여 웨이퍼나 기판 등에 박막 등을 형성하는 소스가스의 혼합가스인 것이 좋다.
하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면에 제공되는 스페이스 플레이트(116)는 하부 플라즈마 플레이트(114)와 샤워헤드(150)가 일정 간격 이상 이격되도록 하여 플라즈마 생성을 위한 챔버를 제공할 수 있다. 또한, 스페이스 플레이트(116)는 절연부재로서 플라즈마발생부(110)와 샤워헤드(150)를 전기적으로 분리하기 위한 용도로 사용될 수 있다. 이를 위해서 스페이스 플레이트(116)는 그 자체가 절연 재질을 가지는 것이 좋다.
샤워헤드(150)는 스페이스 플레이트(116)의 하측에 위치되어 처리공정챔버(미도시) 내부의 플라즈마 반응영역에 위치되는 하부플레이트(160)와, 하부플레이트(160)의 상측에 위치되어 스페이스 플레이트(116)에 면(面)하는 상부플레이트(170)를 포함하며, 상부플레이트(170)에는 공정가스공급부(130)의 가스유입관으로부터 분사된 공정가스(또는 플라즈마 상태로 여기된 공정가스)가 유입되는 공정가스유입홀(171)이 형성되고 하부플레이트(160)에는 공정가스유입홀(171)에 연장되어 처리공정챔버(미도시)에 공정가스를 분사시키는 공정가스분사구(161)가 형성될 수 있다. 여기서, 상기 샤워헤드(150)의 하부플레이트(160)와 상부플레이트(170)에 RF 전원이 인가되어 상부전극으로 기능되는 경우 상기 플라즈마발생전극(118)을 구성하지 않아도 무방하다. 또한, 상기 처리공정챔버 내부에는 플라즈마 처리에 의한 박막이 증착될 기판을 지지하며 하부전극으로 기능하도록 전기 접지된 서셉터(미도시)가 구비된다.
여기서, 샤워헤드(150)는 중앙부의 제1 영역(C), 주변부의 제3 영역(E) 및 제1 영역(C)과 제3 영역(E) 사이의 중간부의 제2 영역(M)으로 분할되며, 상기 제1 영역 내지 제3 영역(C,M,E)에 각각 공정가스공급부(130)의 복수개의 가스유입관들로부터 각각 공정가스를 분할 공급하기 위한 제1 가스주입채널(ch1) 내지 제3 가스주입채널(ch3)이 연결된다.
즉, 상기 제1 가스주입채널(ch1)은 샤워헤드(150)의 제1 영역(C)에 공정가스를 주입하여 샤워헤드(150)의 중앙부에 대응되는 챔버 내부에 공정가스가 주입되게 하고, 상기 제2 가스주입채널(ch2)은 샤워헤드(150)의 제2 영역(M)에 공정가스를 주입하여 샤워헤드(150)의 중간부에 대응되는 챔버 내부에 공정가스가 주입되게 하며, 상기 제3 가스주입채널(ch3)은 샤워헤드(150)의 제3 영역(E)에 공정가스를 주 입하여 샤워헤드(150)의 주변부에 대응되는 챔버 내부에 공정가스가 주입되게 한다.
보다 바람직하게는, 가스주입제어부(140)는 상기 제1 가스주입채널(ch1)과 제2 가스주입채널(ch2)을 제어하여 샤워헤드(150)의 제1 영역(C)과 제2 영역(M)에 공정가스를 주입하여 샤워헤드(150)의 중앙부와 중간부에 대응되는 챔버 내부에 공정가스가 주입되게 하는 메인프로세스컨트롤러(MC)와, 상기 제2 가스주입채널(ch2)과 제3 가스주입채널(ch3)을 제어하여 샤워헤드(150)의 제2 영역(M)과 제3 영역(E)에 공정가스를 주입하여 샤워헤드(150)의 중간부와 주변부에 대응되는 챔버 내부에 공정가스가 주입되게 하는 에지프로세스컨트롤러(EC)를 포함한다.
따라서 가스주입제어부(140)에 의하면, 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정 수행시 작업자로 하여금 상기 메인프로세스컨트롤러(MC)를 통하여 챔버 내부에 공정가스를 공급하도록 하여 기판 처리 공정 수행 중 기판의 에지 부분에 플라즈마에 의한 박막 증착이 상기 에지 부분을 제외한 기판의 중앙부위에 비해 상대적으로 저하되는 경우 선택적으로 에지프로세스컨트롤러(EC)를 통하여 챔버 내부에 공정가스가 공급되도록 하여 즉, 에지 부분에 공정가스가 많이 공급되도록 하여 기판의 중앙부, 중간부 및 주변부에 균일한 박막이 증착되도록 하거나 또는 에지효과를 극대화할 수 있다.
이를 위하여, 상기 제1 가스주입채널(ch1)과 제2 가스주입채널(ch2) 및 제3 가스주입채널(ch3)을 공급되는 공정가스의 양은 사전에 미리 동일하게 또는 다양하게 설정되거나 작업자에 의해 공정 처리 수행 중 가변 설정되는 것이 바람직하다.
또한, 가스주입제어부(140)는 상기와 같이, 메인프로세스컨트롤러(MC)를 통하여 제1 및 제2 가스주입채널(ch1,ch2)이 제어되고 에지프로세스컨트롤러(EC)를 통하여 제2 및 제3 가스주입채널(ch2,ch3)이 제어되도록 하지 않고, 필요에 따라 제1 내지 제3 가스주입채널(ch1,ch2,ch3)이 각각 선택적으로 제어되도록 하는 것이 바람직하다.
한편, 공정가스공급부(130)로부터 샤워헤드(150)에 공정가스를 공급하는 다수개의 가스주입채널(ch1,ch2,ch3)들로 상기 공정가스가 공급되는 샤워헤드(150)의 보조전극(170)은 히팅부재(180)를 포함하여, 샤워헤드(150)의 영역에 따른 온도 차이를 극소화시켜 샤워헤드(150)의 주변부에서 온도 불균일에 의해 발생되는 파티클의 생성을 억제하여 생산효율을 증대시킬 수 있다.
여기서, 히팅부재(180)는, 샤워헤드(150)의 보조전극(170) 이외에도 가스주입채널(ch1,ch2,ch3)들의 외부에 상기 가스주입채널들을 감싸도록 더 설치될 수도 있으며, 이 경우 상기 히팅부재는 중심에 가열선이 형성되고 그 외주면으로 각각 절연 코어와 상기 절연 코어의 외주면을 둘러싸는 금속 쉬스(Sheath)로 구성되는 내부 실드와 외부 실드로 구성되며, 상기 절연코어는 산화마그네슘(MgO)으로 제조될 수 있다.
또한, 샤워헤드(150)의 보조전극(170)에 위치되는 히팅부재(180)의 상측에는 쿨링부재(190)가 더 구비되어 처리 공정 수행 횟수가 증가함에 따라 플라즈마의 영향으로 샤워헤드(150)의 온도가 계속 상승되어 기판에 증착되는 박막의 두께가 증가하게 되는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 상기 쿨링부재(190)는 쿨링워터가 플로우되는 쿨링워터포트와 상기 쿨링워터포트에 연결되어 보조전극(170)의 내부에 지그재그로 형태로 구비되는 동 재질의 쿨링라인을 구비하는 쿨링결합체로 구성될 수 있다. 또한, 상기 쿨링라인은 Rf 플라즈마 파워의 손실을 최소화하기 위하여 석영 또는 세라믹이 코팅되는 구조를 가지는 것이 바람직하다.
따라서 상기와 같이 전술한 바에 의하면, 공정가스를 챔버에 선택적으로 공급하도록 샤워헤드의 중앙부, 주변부 및 상기 중앙부와 주변부 사이의 중간부의 영역별로 구비된 다수개의 가스주입채널을 선택적으로 한 쌍 또는 각각 제어함으로써, 상기 챔버 내부에 선택적인 공정가스 주입을 가능하게 하여 에지효과를 극대화 할 수 있고 이를 통하여 대면적 기판 처리 공정을 수행할 수 있다.
또한, 상기 샤워헤드에 구비된 히팅부재를 통하여 샤워헤드의 온도 불균일을 방지함으로써, 파티클의 생성을 억제할 수 있다. 또한, 상기 샤워헤드에 공급되는 공정가스가 히팅부재에 의해 가열된 상태로 공급됨으로써, 대면적 기판의 순간 온도 저하를 방지할 수 있다.
또한, 상기 샤워헤드의 쿨링부재를 통하여 샤워헤드의 온도를 일정하게 유지함으로써, 계속되는 처리 공정 수행에 의해 샤워헤드의 온도가 계속 상승되어 기판에 증착되는 박막의 두께가 증가하게 되는 것을 방지할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 종래의 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 플라즈마 화학기상증착 장치에 있어서 대면적 샤워헤드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
*도면 부호 설명*
110 : 플라즈마발생부 130 : 공정가스공급부
140 : 가스주입제어부 150 : 샤워헤드
160 : 하부플레이트 170 : 상부플레이트

Claims (5)

  1. 플라즈마발생부, 상기 플라즈마발생부로 공정가스를 공급하는 공정가스공급부 및 상기 플라즈마발생부에 의해 발생되는 플라즈마를 이동시키기 위해 상기 공정가스를 처리공정챔버 내부로 분사시키는 샤워헤드를 포함하는 플라즈마 화학기상증착 장치에 있어서,
    상기 샤워헤드를 다수개의 영역으로 분할하고 상기 분할된 영역에 상기 공정가스공급부의 공정가스를 공급시키는 다수개의 가스주입채널들을 선택적으로 제어하는 가스주입제어부를 포함하며,
    상기 샤워헤드는 샤워헤드를 냉각시키는 쿨링부재를 포함하되,
    상기 쿨링부재는 쿨링워터가 플로우되는 쿨링워터포트와, 상기 쿨링워터포트에 연결되어 상기 샤워헤드의 플레이트형 보조전극의 내부에 지그재그 형태로 구비되는 쿨링라인을 구비하는 쿨링결합체로 구성되는 것을 특징으로 하는 다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드는 중앙부의 제1 영역, 주변부의 제3 영역 및 상기 제1 영역과 제3 영역 사이의 중간부인 제2 영역으로 분할되며, 상기 제1 영역 내지 제3 영역에 각각 상기 공정가스공급부로부터 공정가스를 분할 공급하기 위한 제1 가스주입채널 내지 제3 가스주입채널이 연결되는 것을 특징으로 하는 다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 가스주입제어부는
    상기 제1 가스주입채널과 제2 가스주입채널을 제어하여 상기 샤워헤드의 제1 영역과 제2 영역에 공정가스를 주입하는 메인프로세스컨트롤러와,
    상기 제2 가스주입채널과 제3 가스주입채널을 제어하여 상기 샤워헤드의 제2 영역과 제3 영역에 공정가스를 주입하는 에지프로세스컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드의 상기 보조전극은 샤워헤드를 가열하는 제1 히팅부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 다수개의 가스주입채널들의 외부에 상기 다수개의 가스주입채널들을 감싸도록 설치되는 제2 히팅부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치.
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